創(chuàng)新設(shè)計高考化學(xué)江西專用二輪專題復(fù)習(xí)配套物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)PPT課件

1、最新考綱1原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)(1)了解原子核外電子的排布原理及能級分布，能用電子排布式表示常見元素(136號)原子核外電子、價電子的排布。了解原子核外電子的運動狀態(tài)；(2)了解元素電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)；(3)了解原子核外電子在一定條件下會發(fā)生躍遷，了解其簡單應(yīng)用；(4)了解電負(fù)性的概念，知道元素的性質(zhì)與電負(fù)性的關(guān)系。第1頁/共67頁2化學(xué)鍵與物質(zhì)的性質(zhì)(1)理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)；(2)了解共價鍵的形成，能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)；(3)了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系；(4)理解

2、金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)；了解金屬晶體常見的堆積方式；(5)了解雜化軌道理論及常見的雜化軌道類型(sp，sp2，sp3)；(6)能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測常見的簡單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。第2頁/共67頁3分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)(1)了解化學(xué)鍵和分子間作用力的區(qū)別；(2)了解氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)的影響，能列舉含有氫鍵的物質(zhì)；(3)了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。(4)能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計算。(5)了解晶格能的概念及其對離子晶體性質(zhì)的影響。第3頁/共67頁考點一原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)的關(guān)系重溫真題考

3、情1原子核外電子的排布(1)基態(tài)Fe原子有_個未成對電子。Fe3的電子排布式為_?？?用 硫 氰 化 鉀 檢 驗 F e3 ， 形 成 的 配 合 物 的 顏 色 為 _ _ _ _ _ _ _ _ 。 2014全國新課標(biāo)，37(2)第4頁/共67頁 ( 2 ) N a 位 于 元 素 周 期 表 第 _ _ _ _ _ _ _ _ 周 期 第 _ _ _ _ _ _ _ _ 族 ； S 的 基 態(tài) 原 子 核 外 有_個未成對電子；Si的基態(tài)原子核外電子排布式為_。 2014安徽理綜，25(1) (3)31Ga基態(tài)原子的核外電子排布式是_。 2014浙江自選模塊25(1) (4)Cu基態(tài)核外

4、電子排布式為_。 2014江蘇化學(xué)，21A(1)第5頁/共67頁 (5)基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為_，該能層具有的原子軌道數(shù)為_、電子數(shù)為_。 (2013新課標(biāo)，37(1) (6)Ni2的價層電子排布圖為_。 (2013新課標(biāo)，37，改編)第6頁/共67頁第7頁/共67頁(3)Ga為31號元素，其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d1 04s24p1或Ar3d104s24p1。(4)Cu是由Cu原子失去1個4s電子形成的。(5)基態(tài)Si原子中，有14個電子，核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，電子占據(jù)的最高能層符號為M，該能層具有的原子軌道數(shù)為

5、1個s軌道，3個p軌道，5個d軌道，其中3s軌道有2個電子，3p軌道有2個電子。(6)Ni原子的核外電子排布式為Ar3d84s2，Ni2的價電子排布式為3d8，畫出價層電子排布圖。第8頁/共67頁第9頁/共67頁2元素的性質(zhì)(高考題匯編)(1)第一電離能Si_S(用“”或“”填空) 2014安徽，25(2)(2)F、K、Fe、Ni四種元素中第一電離能最小的是_，電負(fù)性最大的是_(填元素符號)。(2013新課標(biāo)，37(2)改編)(3)依據(jù)第2周期元素第一電離能的變化規(guī)律，參照如圖B、F元素的位置，用小黑點標(biāo)出C、N、O三種元素的相對位置。 (2013福建，31(1)第10頁/共67頁 (4)請回

6、答下列問題： N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下： 則該元素是_(填寫元素符號)。電離能電離能I1I2I3I4Im/kJmol15781 8172 74511 578第11頁/共67頁基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是_。Ge的最高價氯化物分子式是_。該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有_。A是一種活潑的金屬元素B其電負(fù)性大于硫C其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料D其最高價氯化物的沸點低于其溴化物的沸點2013浙江自選，15(1)(2)第12頁/共67頁 (5)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為_。

7、 2012全國新課標(biāo)，37(2)第13頁/共67頁 解析(3)B的第一電離能最小，F(xiàn)的第一電離能最大，注意N的第一電離能比O的大。則第一電離能大小順序為：BCONF；(4)I4I3，所以該元素最外層有3個電子，應(yīng)為Al。Ge是A族元素，其原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p2，最高價氯化物分子式是GeCl4，Ge位于金屬和非金屬交界處，其單質(zhì)可作半導(dǎo)體材料，G e C l4和 G e B r4的 分 子 組 成 相 似 ， 由 于 G e C l4的 分 子 量 小 于 G e B r4， 故 沸 點GeCl4GeBr4。(5)同主族元素、從上往下元素第一電離能逐

8、漸減小。第14頁/共67頁答案(1)(2)KF(3)(4)Al1s22s22p63s23p63d104s24p2或Ar3d104s24p2GeCl4CD(5)OSSe第15頁/共67頁 高考定位 本考點在高考中常見的命題角度有原子核外電子的排布規(guī)律及其表示方法、原子結(jié)構(gòu)與元素電離能和電負(fù)性的關(guān)系及其應(yīng)用、原子核外電子的躍遷及其應(yīng)用等。在高考試題中，各考查點相對獨立，難度不大，一般為填空題。第16頁/共67頁知能突破考點一、原子核外電子的排布1原子(離子)核外電子排布式(圖)的書寫(1)核外電子排布式：按電子排入各能層中各能級的先后順序，用數(shù)字在能級符號右上角標(biāo)明該能級上排布的電子數(shù)的式子。如C

9、u： ，其簡化電子排布式為：Ar3d104s1。(2)價電子排布式：如Fe原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，價電子排布式為 。價電子排布式能反映基態(tài)原子的能層數(shù)和參與成鍵的電子數(shù)以及最外層電子數(shù)。1s22s22p63s23p63d104s1 3d64s2 第17頁/共67頁第18頁/共67頁2基態(tài)原子、激發(fā)態(tài)原子和原子光譜(1)基態(tài)原子：處于 的原子。(2)激發(fā)態(tài)原子：當(dāng)基態(tài)原子的電子 后，電子會躍遷到較高能級，變成激發(fā)態(tài)原子。(3)原子光譜：當(dāng)電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時，釋放一定頻率的光子，這是產(chǎn)生原子光譜的原因。不同元素的原子發(fā)生躍遷

10、時會吸收或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取各種元素的電子的吸收光譜或發(fā)射光譜，總稱原子光譜。最低能量 吸收能量 第19頁/共67頁二、電離能和電負(fù)性的規(guī)律及應(yīng)用1電離能(1)含義第一電離能：氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的 ，符號 ，單位 。(2)規(guī)律同周期：第一種元素的第一電離能 ，最后一種元素的第一電離能 ，總體呈現(xiàn) 的變化趨勢。同族元素：從上至下元素的第一電離能 。同種原子：逐級電離能越來越 (即I1 I2 I3)。最低能量 I kJmol1 最小 從左至右逐漸增大 逐漸減小 大 ”、“”或“”)圖甲中1號C與相鄰C形成的鍵角。 (3)若將圖乙所示的氧化石墨烯分散

11、在H2O中，則氧化石墨烯中可與H2O形成氫鍵的原子有_(填元素符號)。第34頁/共67頁 解析(1)石墨烯是層狀結(jié)構(gòu)，每一層上每個碳原子都是以3個共價鍵與其他碳原子連接，3個共價鍵中有一個碳碳雙鍵和兩個碳碳單鍵 ，故共有3個鍵。 (2)圖乙中1號碳形成了4個共價鍵，故其雜化方式為sp3；圖甲中的鍵角為120，而圖乙中1號碳原子與甲烷中的碳原子類似，都是飽和碳原子，其鍵角接近109.5。 (3)只有電負(fù)性較大的非金屬原子與氫原子才可形成氫鍵。 答案(1)3(2)sp3”或“”填空)。2014安徽理綜，25(2)(2)石墨烯可轉(zhuǎn)化為富勒烯(C60)，某金屬M與C60可制備一種低溫超導(dǎo)材料，晶胞如圖

12、所示，M原子位于晶胞的棱上與內(nèi)部。該晶胞中M原子的個數(shù)為 _，該材料的化學(xué)式為_。 2014山東理綜，32(4)第47頁/共67頁 (3)Cu2O在稀硫酸中生成Cu和CuSO4。銅晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，銅晶體中每個銅原子周圍距離最近的銅原子數(shù)目為_。 2014江蘇化學(xué)，21(5) (4)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以_相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)_個原子。 2013新課標(biāo)，37(3)第48頁/共67頁 解析(1)NaCl晶體為離子晶體，Si為原子晶體，熔點NaClSi。 (2)一個晶胞中M原子的個數(shù)為12912；一個晶胞中C60的個數(shù)為864，M與C60

13、的個數(shù)比為3 1，故該材料的化學(xué)式為M3C60。 (3)由銅的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，晶胞為面心立方，每個銅原子周圍等距且最近的銅原子個數(shù)為12個。 (4)單質(zhì)硅與金剛石都屬于原子晶體，其中原子與原子之間以共價鍵結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)為61/23個原子。 答案(1)(2)12M3C60(3)12(4)共價鍵3第49頁/共67頁2(1)某種半導(dǎo)體材料由Ga和As兩種元素組成，該半導(dǎo)體材料的化學(xué)式是_，其晶體結(jié)構(gòu)類型可能為_。維生素B1可作為輔酶參與糖的代謝，并有保護(hù)神經(jīng)系統(tǒng)的作用。該物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式為：以下關(guān)于維生素B1的說法正確的是_。A只含鍵和鍵B既有共價鍵又有離子鍵C該物質(zhì)

14、的熔點可能高于NaClD該物質(zhì)易溶于鹽酸第50頁/共67頁 維生素B1晶體溶于水的過程中要克服的微粒間作用力有_。 A離子鍵、共價鍵 B離子鍵、氫鍵、共價鍵 C氫鍵、范德華力 D離子鍵、氫鍵、范德華力 (2014浙江自選模塊15節(jié)選)第51頁/共67頁 (2)Cu2O為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有4個氧原子，其余氧原子位于面心和頂點，則該晶胞中有_個銅原子。 Al單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a0.405 nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_。 列式表示Al單質(zhì)的密度_ gcm3(不必計算出結(jié)果)。 (2014新課標(biāo)卷，37節(jié)選) (3)MgBr2、SiCl4、BN的熔點由高到低的順序是_， PH

15、3、NH3、H2O的沸點由高到低的順序是_。 (2013重慶理綜，3C、D改編)第52頁/共67頁 解析(1)由Ga和As組成的半導(dǎo)體材料，性質(zhì)與單晶硅相似，故結(jié)構(gòu)也與單晶硅相似，在Ga和As形成的晶體中，每個Ga原子與4個As原子相連，每個As原子與4個Ga原子相連，故該晶體中Ga和As的原子個數(shù)比是1 1，晶體的化學(xué)式為GaAs，屬于原子晶體。由維生素B1的結(jié)構(gòu)簡式可以得知分子中含有單鍵和雙鍵，故分子中含有鍵和鍵，同時分子中還含有離子鍵，故A錯，B正確；離子化合物的熔點高低取決于離子鍵的強弱，離子鍵越強，化合物的熔點越高，該物質(zhì)的離子鍵是由Cl和非金屬N的陽離子形成的，離子鍵弱于Cl和Na

16、之間形成的離子鍵，故維生素B1的熔點低于NaCl，C錯；由于該物質(zhì)中含有NH2，故該物質(zhì)能與鹽酸反應(yīng)，D正確。第53頁/共67頁第54頁/共67頁第55頁/共67頁第56頁/共67頁 高考定位 本考點高考中常見的命題角度有晶體的類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點高低的比較，配位數(shù)、晶胞模型分析及有關(guān)計算等，知識點相對集中，題型穩(wěn)定，難度適中，以填空題為主，是高考的必考點。第57頁/共67頁知能突破考點1晶體熔沸點的比較(1)不同類型晶體熔、沸點的比較不同類型晶體的熔、沸點高低的一般規(guī)律： 。金屬晶體的熔、沸點差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點很高，汞、銫等熔、沸點很低。原子晶體 離子晶體 分子晶體 第58頁/共67頁大 高 穩(wěn)定 高 強 大 多 高 大 短 小 小 第59頁/共67頁 分子晶體： a分子間作用力越 ，物質(zhì)的熔、沸點越 ；具