第6講 外設(shè)應(yīng)用之EMIF篇

1、第六講第六講 DSP外設(shè)之外設(shè)之 外部存儲器接口外部存儲器接口(EMIF)內(nèi)容概述內(nèi)容概述u各存儲器間的對比uEMIF與存儲器間的接口uC55xEMIFuC55xEMIF CSL函數(shù)分析uC55xEMIF例程分析一、一、 概述概述外部存儲器接口的用途外部存儲器接口的用途為為DSP芯片與眾多外部設(shè)備之間提供一種連接方芯片與眾多外部設(shè)備之間提供一種連接方式，式，EMIF最常見的用途就是同時最常見的用途就是同時連接連接FLASH和和SDRAM。EMIF性能優(yōu)良，跟外部性能優(yōu)良，跟外部SDRAM和異步器件連接和異步器件連接時，具有很大的方便性和靈活性。根據(jù)時，具有很大的方便性和靈活性。根據(jù)DSP器件器

2、件的不同，的不同，EMIF數(shù)據(jù)總線可以是數(shù)據(jù)總線可以是32位或位或16位的。位的。 SRAM vs DRAMuSRAM是是Static Random Access Memory的縮寫的縮寫，中文含義為，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器，它是一種類，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲器。型的半導(dǎo)體存儲器。“靜態(tài)靜態(tài)”是指只要不掉電，是指只要不掉電，存儲在存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會丟失。這一點(diǎn)與中的數(shù)據(jù)就不會丟失。這一點(diǎn)與DRAM不同，不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作需要進(jìn)行周期性的刷新操作。 u同只讀存儲器同只讀存儲器(ROM)和和Flash Memory相比，相比，SRAM是一種易

3、失性存儲器，它是一種易失性存儲器，它只有在電源保持只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)?！半S機(jī)訪問隨機(jī)訪問”是指存儲器的內(nèi)容可以任意順序訪問，而不管是指存儲器的內(nèi)容可以任意順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。前一次訪問的是哪一個位置。 uDRAM是是Dynamic RAM的縮寫，中文含義為的縮寫，中文含義為動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存態(tài)隨機(jī)存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式。SDRAM：Synchronous DRAM，即數(shù)據(jù)的讀，即數(shù)據(jù)的讀寫需要

4、時鐘來同步。寫需要時鐘來同步。uDRAM容量大，容量大，SRAM容量小容量小 SDRAM的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)Flash-ROM（閃存）已經(jīng)成為了目前最成功、流行的（閃存）已經(jīng)成為了目前最成功、流行的一種固態(tài)內(nèi)存，與一種固態(tài)內(nèi)存，與 EEPROM 相比具有讀寫速度快，相比具有讀寫速度快，而與而與 SRAM 相比具有非易失、以及價廉等優(yōu)勢。相比具有非易失、以及價廉等優(yōu)勢。而基于而基于 NOR 和和 NAND 結(jié)構(gòu)的閃存是現(xiàn)在市場上兩種結(jié)構(gòu)的閃存是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。主要的非易失閃存技術(shù)。 Intel 于于 1988 年首先開發(fā)年首先開發(fā)出出 NOR flash 技術(shù)，徹底改變了原先由技術(shù)，

5、徹底改變了原先由 EPROM 和和 EEPROM 一統(tǒng)天下的局面。緊接著，一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989 年東芝公年東芝公司發(fā)表了司發(fā)表了 NAND flash 技術(shù)（后將該技術(shù)無償轉(zhuǎn)讓給技術(shù)（后將該技術(shù)無償轉(zhuǎn)讓給韓國韓國Samsung公司），強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更公司），強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。 FLASH ROMNOR 的特點(diǎn)的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecute In Place），這樣應(yīng)用程序可以直接在閃存內(nèi)運(yùn)行），這樣應(yīng)用程序可以直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)，不

6、必再把代碼讀到系統(tǒng) RAM 中。中。NOR 的傳輸?shù)膫鬏斝屎芨撸谛屎芨?，?14MB 的小容量時具有很高的成的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。它的性能。NAND 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，這也是儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，這也是為何所有的為何所有的 U 盤都使用盤都使用 NAND 閃存做為存儲介閃存做為存儲介質(zhì)的原因。應(yīng)用質(zhì)的原因。應(yīng)用 NAND 的困難在于閃存和需要特的困難在于閃存和需要特殊的系統(tǒng)接口。殊的系統(tǒng)接

7、口。NAND flash和和NOR flash的對比的對比性能比較性能比較閃存是非易失內(nèi)存，可以對稱為塊的內(nèi)存單元塊進(jìn)閃存是非易失內(nèi)存，可以對稱為塊的內(nèi)存單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何閃存器件的寫入操作只能在行擦寫和再編程。任何閃存器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為為0。由于擦除。由于擦除NOR

8、器件時是以器件時是以64128KB的塊進(jìn)的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個寫入行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為擦除操作的時間為5s，與此，與此相反，擦除相反，擦除NAND器件是以器件是以832KB的塊進(jìn)行的，的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。接口差別接口差別NOR 閃存帶有閃存帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。NAND閃存使用復(fù)雜的閃存使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取資料，口來串行地存取資料，各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個

9、引腳用個引腳用來傳送控制、地址和資料信息。來傳送控制、地址和資料信息。NAND讀和寫操讀和寫操作采用作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，很自然地，基于操作，很自然地，基于NAND的閃存就可以取代的閃存就可以取代硬盤或其它塊設(shè)備。硬盤或其它塊設(shè)備。 NAND flash和和NOR flash的對比的對比容量和成本容量和成本NAND 閃存的單元尺寸幾乎是閃存的單元尺寸幾乎是NOR閃存的一半，閃存的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了模具尺寸內(nèi)提供更高的容

10、量，也就相應(yīng)地降低了價格。價格。NOR 閃存容量為閃存容量為116MB，而，而NAND 閃存只是用閃存只是用在在8MB以上的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明以上的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明NOR主要應(yīng)用主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中，在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于資料存儲，適合于資料存儲，NAND在在 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和和MMC存儲卡市場上所占份額最大。存儲卡市場上所占份額最大。NAND flash和和NOR flash的對比的對比可靠性和耐用性可靠性和耐用性 壽命壽命(耐用性耐用性)：在：在NAND閃存中每個塊的最大擦閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而寫次

11、數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬的擦寫次數(shù)是十萬次。次。位交換位交換：位反轉(zhuǎn)的問題更多見于：位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存，如閃存，如果用來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其它敏感信息果用來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其它敏感信息時，必須使用時，必須使用EDC/ECC算法以確?？煽啃?。算法以確?？煽啃?。壞塊處理壞塊處理：NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的，器件中的壞塊是隨機(jī)分布的，需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。塊標(biāo)記為不可用。 NAND flash和和NOR flash的對比的對比易于使用易于使用可以非常直接地使用基于可以非常直接

12、地使用基于NOR的閃存，可以像其的閃存，可以像其它內(nèi)存那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。它內(nèi)存那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要由于需要I/O接口，接口，NAND要復(fù)雜得多。各種要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅(qū)動程序，才能繼續(xù)器件時，必須先寫入驅(qū)動程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其它操作。向執(zhí)行其它操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记桑驗樵O(shè)計師絕不能向壞塊寫入，這就意的技巧，因為設(shè)計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬

13、映像。像。 NAND flash和和NOR flash的對比的對比 二、二、 EMIF寄存器寄存器 偏移量偏移量 縮寫縮寫 說明說明 04h AWCCR 異步等待周期配置寄存器異步等待周期配置寄存器 08h SDCR SDRAM配置寄存器配置寄存器 0Ch SDRCR SDRAM刷新控制寄存器刷新控制寄存器 10h A1CR 異步異步1配置寄存器配置寄存器 20h SDTIMR SDRAM時序寄存器時序寄存器 3Ch SDSRETR SDRAM自刷新退出時序寄存器自刷新退出時序寄存器 40h EIRR EMIF中斷寄存器中斷寄存器44h EIMREMIF中斷屏蔽寄存器中斷屏蔽寄存器 48h E

14、IMSR EMIF中斷屏蔽設(shè)置寄存器中斷屏蔽設(shè)置寄存器 4Ch EIMCR EMIF中斷屏蔽清除寄存器中斷屏蔽清除寄存器 60h NANDFCR NAND Flash控制寄存器控制寄存器 64h NANDFSR NAND Flash狀態(tài)寄存器狀態(tài)寄存器 70h NANDF1ECC NAND Flash1糾錯碼寄存器糾錯碼寄存器(CS2空間空間) 三、三、 EMIF結(jié)構(gòu)和操作結(jié)構(gòu)和操作 3.3.1 EMIF引腳描述引腳描述1、SDRAM專用專用EMIF引腳引腳 2、異步儲存器專用引腳、異步儲存器專用引腳 3、訪問、訪問SDRAM和異步存儲器的和異步存儲器的EMIF引腳引腳 引腳引腳I/O 功能描

15、述功能描述EM_Dx:0 I/O EMIF數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線不同器件的數(shù)據(jù)總線寬度不同，請參考器不同器件的數(shù)據(jù)總線寬度不同，請參考器件的數(shù)據(jù)手冊。件的數(shù)據(jù)手冊。EM_ Ax:0 O EMIF地址總線地址總線當(dāng)與當(dāng)與SDRAM器件連接時，地址總線主要為器件連接時，地址總線主要為SDRAM提供行地址和列地址。提供行地址和列地址。當(dāng)與異步器件連接時，這些引腳與當(dāng)與異步器件連接時，這些引腳與EM_BA引腳共同形成送到器件的地址。引腳共同形成送到器件的地址。EM_BA1:0OEMIF存儲區(qū)地址線存儲區(qū)地址線當(dāng)與當(dāng)與SDRAM連接時，為連接時，為SDRAM提供存儲提供存儲區(qū)地址。區(qū)地址。當(dāng)與異步器件連接時，

16、這些引腳與當(dāng)與異步器件連接時，這些引腳與EM_A引引腳共同形成送到器件的地址。腳共同形成送到器件的地址。EM_WE_DQMx:0 O 低電平有效寫觸發(fā)或字節(jié)使能引腳低電平有效寫觸發(fā)或字節(jié)使能引腳與與SDRAM器件連接時，這些引腳與器件連接時，這些引腳與SDRAM的的DQM引腳相連，在數(shù)據(jù)訪問中分引腳相連，在數(shù)據(jù)訪問中分別使能別使能/禁用每一字節(jié)。禁用每一字節(jié)。與異步器件連接時，這些引腳可作為字節(jié)使與異步器件連接時，這些引腳可作為字節(jié)使能能(DQM)或字節(jié)寫觸發(fā)或字節(jié)寫觸發(fā)(WE)。EM_WE O 低電平有效寫使能引腳低電平有效寫使能引腳與與SDRAM器件連接時，此引腳與器件連接時，此引腳與SD

17、RAM的的WE引腳相連用于向器件發(fā)送命令。引腳相連用于向器件發(fā)送命令。與異步器件連接時，在異步寫訪問周期，提與異步器件連接時，在異步寫訪問周期，提供一低電平信號。供一低電平信號。SDRAM專用專用EMIF引腳引腳 引腳引腳I/O功能描述功能描述EM_CS0 OSDRAM器件低電平有效芯片使能引腳器件低電平有效芯片使能引腳該引腳與該引腳與SDRAM器件的片選引腳連接器件的片選引腳連接，用于使能，用于使能/禁用命令。即使禁用命令。即使EMIF沒有沒有連接連接SDRAM器件，缺省情況下它也保器件，缺省情況下它也保持此持此SDRAM的片選有效。當(dāng)訪問異步的片選有效。當(dāng)訪問異步存儲區(qū)時此引腳失效，在完成

18、異步存取存儲區(qū)時此引腳失效，在完成異步存取后自動恢復(fù)其功能。后自動恢復(fù)其功能。EM_RAS O低電平有效行地址選通引腳低電平有效行地址選通引腳此引腳連接在此引腳連接在SDRAM器件的器件的RAS引腳引腳上，用于向此器件發(fā)送命令。上，用于向此器件發(fā)送命令。EM_CAS O低電平有效列地址選通引腳低電平有效列地址選通引腳此引腳連接在此引腳連接在SDRAM器件的器件的CAS引腳引腳上，用于向此器件發(fā)送命令。上，用于向此器件發(fā)送命令。EM_CKE O時鐘使能引腳時鐘使能引腳此引腳連接在此引腳連接在SDRAM器件的器件的CKE引腳引腳上，發(fā)出自刷新命令使器件進(jìn)入自刷新上，發(fā)出自刷新命令使器件進(jìn)入自刷新模

19、式。模式。EM_CLK OSDRAM時鐘引腳時鐘引腳此引腳與此引腳與SDRAM器件的器件的CLK相連。相連。異步儲存器專用引腳異步儲存器專用引腳 引腳引腳I/O 功能描述功能描述EM_CS2 O 低電平有效異步器件使能引腳低電平有效異步器件使能引腳此引腳與異步器件的片選引腳相連此引腳與異步器件的片選引腳相連接。它僅在訪問異步存儲器時有效。接。它僅在訪問異步存儲器時有效。EM_WAIT I 可編程極性等待輸入引腳可編程極性等待輸入引腳/ NAND Flash準(zhǔn)備好準(zhǔn)備好輸入引腳輸入引腳EMIF接口中插入接口中插入EM_WAIT等待可以擴(kuò)展異等待可以擴(kuò)展異步器件訪問的觸發(fā)周期。為了實(shí)現(xiàn)這一功能，步

20、器件訪問的觸發(fā)周期。為了實(shí)現(xiàn)這一功能，異步異步1配置寄存器配置寄存器(A1CR)的的EW位必須置位必須置1。另。另外，必須配置外，必須配置A1CR的的WP0位來定義位來定義EM_WAIT腳的極性。并不是所有器件上都有腳的極性。并不是所有器件上都有EM_WAIT引腳，詳細(xì)內(nèi)容可以參考器件數(shù)據(jù)引腳，詳細(xì)內(nèi)容可以參考器件數(shù)據(jù)手冊。當(dāng)手冊。當(dāng)NAND Flash控制寄存器控制寄存器(NANDFCR)的的CS2NAND位被置位時，此引位被置位時，此引腳作為腳作為NAND Flash準(zhǔn)備好輸入引腳。準(zhǔn)備好輸入引腳。EM_OE O 低電平有效異步器件使能引腳低電平有效異步器件使能引腳此引腳在異步讀訪問的觸發(fā)

21、周期提供一個低電此引腳在異步讀訪問的觸發(fā)周期提供一個低電平信號。平信號。時鐘控制時鐘控制EMIF 的內(nèi)部時鐘來自的內(nèi)部時鐘來自DSP 的鎖相環(huán)的鎖相環(huán)(PLL)控制器的控制器的SYSCLK3時鐘模塊，不能直接利用外部輸入時鐘。時鐘模塊，不能直接利用外部輸入時鐘。SYSCLK3時鐘模塊的頻率通過對鎖相環(huán)控制器的乘時鐘模塊的頻率通過對鎖相環(huán)控制器的乘法器和除法器的設(shè)置來進(jìn)行控制。法器和除法器的設(shè)置來進(jìn)行控制。EMIF的時鐘是通過的時鐘是通過EM_CLK引腳輸出的，可在跟外引腳輸出的，可在跟外部存儲器連接時使用。部存儲器連接時使用。EMIF時鐘時鐘(EM_CLK)在器件在器件復(fù)位期間不工作，釋放復(fù)位

22、引腳后復(fù)位期間不工作，釋放復(fù)位引腳后PLL控制器不再對控制器不再對器件復(fù)位，器件復(fù)位，EM_CLK重新開始以重新開始以PLL控制器設(shè)定的頻控制器設(shè)定的頻率輸出時鐘信號率輸出時鐘信號SDRAM控制器和接口控制器和接口EMIF可以跟大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)可以跟大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)SDRAM 器件進(jìn)行無縫接器件進(jìn)行無縫接口，并且支持自刷新模式和優(yōu)先刷新。另外，有口，并且支持自刷新模式和優(yōu)先刷新。另外，有些參數(shù)可通過編程來設(shè)定，如刷新速率，些參數(shù)可通過編程來設(shè)定，如刷新速率，CAS延延遲和很多遲和很多SDRAM時序參數(shù)，這樣就提供了很大的時序參數(shù)，這樣就提供了很大的靈活性。靈活性。EMIF支持與具有下列特點(diǎn)的支持與具有下列

23、特點(diǎn)的SDRAM器件的無器件的無縫連接：縫連接：Pre-charge 位為位為A10列地址位數(shù)為列地址位數(shù)為8. 9或或10行地址位數(shù)根據(jù)行地址位數(shù)根據(jù)DSP器件不同可以變化：器件不同可以變化： 對于有對于有12位位EMIF地址引腳的地址引腳的DSP：11或或12位行地址位位行地址位 對于有對于有13位位EMIF地址引腳的地址引腳的DSP：11. 12或或13位行地址位位行地址位內(nèi)部存儲區(qū)數(shù)為內(nèi)部存儲區(qū)數(shù)為1. 2或或4 EMIF與與2Mx16x4 SDRAM的連接圖的連接圖 EMIF與與2Mx32x4 SDRAM的連接圖的連接圖 EMIF與雙與雙4Mx16x4 SDRAM的連接圖的連接圖 S

24、DRAM讀操作讀操作當(dāng)當(dāng)EMIF收到任一個收到任一個SDRAM的讀操作請求時，就會進(jìn)行一個的讀操作請求時，就會進(jìn)行一個或多個讀訪問?；蚨鄠€讀訪問。 當(dāng)當(dāng)EMIF收到任一個收到任一個SDRAM的寫操作請求時，的寫操作請求時，EMIF就會進(jìn)就會進(jìn)行一個或多個寫訪問操作。行一個或多個寫訪問操作。 SDRAM寫操作寫操作異步控制器和接口異步控制器和接口uEMIF可以很容易的與各種異步器件直接連接，這些異步可以很容易的與各種異步器件直接連接，這些異步器件包括器件包括NOR Flash，NAND Flash和和 SRAM。 u兩種主要運(yùn)行模式的對比兩種主要運(yùn)行模式的對比 ：觸發(fā)模式觸發(fā)模式EM_WE_DQ

25、M引腳功能引腳功能EM_CS2 的操作的操作WE 觸發(fā)模式觸發(fā)模式寫觸發(fā)寫觸發(fā)異步訪問期間一直處于激活異步訪問期間一直處于激活狀態(tài)狀態(tài)選擇觸發(fā)模式選擇觸發(fā)模式字節(jié)使能字節(jié)使能僅在一個訪問中的觸發(fā)階段僅在一個訪問中的觸發(fā)階段是被激活的是被激活的1. 異步存儲器接口異步存儲器接口 EMIF的地址引腳的地址引腳EM_Ax:0給出的給出的一般是一般是32位字地址的最低有效位。位字地址的最低有效位。BA1:0引腳或者給出半字和字節(jié)選引腳或者給出半字和字節(jié)選擇信號，或者給出擇信號，或者給出EM_A23:22的的信號，這取決于異步信號，這取決于異步1 配置寄存器配置寄存器 (A1CR)中數(shù)據(jù)總線寬度的配置。

26、中數(shù)據(jù)總線寬度的配置。 異步控制器和接口異步控制器和接口1. 異步存儲器接口異步存儲器接口a) EMIF與與8位存儲器的接口位存儲器的接口b) EMIF與與16位存儲器的接口位存儲器的接口c) EMIF與與32位存儲器的接口位存儲器的接口 異步控制器和接口異步控制器和接口圖圖a 給出了給出了EMIF與一個字節(jié)使能的外部存與一個字節(jié)使能的外部存儲器的接口圖。使用這個接口時儲器的接口圖。使用這個接口時EMIF要工要工作在選擇觸發(fā)模式，這樣作在選擇觸發(fā)模式，這樣EM_WE_DQM就就作為字節(jié)使能端工作。作為字節(jié)使能端工作。圖圖b給出了當(dāng)給出了當(dāng)EMIF同一個字節(jié)使能的外部存同一個字節(jié)使能的外部存儲器

27、的接口時，也可以處于儲器的接口時，也可以處于WE觸發(fā)模式，觸發(fā)模式，但是此時但是此時BE1:0要被置為低電平，而不是要被置為低電平，而不是跟跟EM_WE_DQM1:0引腳相連。在這種接引腳相連。在這種接口狀態(tài)下，不能進(jìn)行字節(jié)寫操作?？跔顟B(tài)下，不能進(jìn)行字節(jié)寫操作。圖圖c EMIF同多個同多個8位存儲器的接口圖。在這位存儲器的接口圖。在這種情況下，種情況下，EM_WE_DQM信號跟存儲器的信號跟存儲器的WE相連，使用這個接口時相連，使用這個接口時EMIF要工作在要工作在WE觸發(fā)模式，這樣就可以對外部存儲器進(jìn)觸發(fā)模式，這樣就可以對外部存儲器進(jìn)行字節(jié)操作。行字節(jié)操作。 異步控制器和接口異步控制器和接口

28、異步異步1配置寄存器配置寄存器(A1CR) 參數(shù)參數(shù)說明說明SS 選擇觸發(fā)模式。選擇觸發(fā)模式。SS = 0時選擇時選擇WE觸發(fā)模式，觸發(fā)模式，SS = 1時選擇觸發(fā)模式時選擇觸發(fā)模式W_SETUP/R_SETUP 讀讀/寫建立時間寬度寫建立時間寬度這些位定義了地址引腳這些位定義了地址引腳(EM_A 和和 EM_BA)，字節(jié)使能，字節(jié)使能(EM_WE_DQM)，異步片選使能，異步片選使能(EM_CS2)在讀觸發(fā)在讀觸發(fā)(ARE)和寫觸和寫觸發(fā)發(fā)(EM_WE)信號下落前的信號下落前的EMIF時鐘周期數(shù)，至少一個時鐘周期。時鐘周期數(shù)，至少一個時鐘周期。W_STROBE/R_STROBE 讀讀/寫觸發(fā)

29、時間寬度寫觸發(fā)時間寬度這些位定義了讀觸發(fā)引腳這些位定義了讀觸發(fā)引腳(ARE)和寫觸發(fā)引腳和寫觸發(fā)引腳(ARE)上升沿和下降上升沿和下降沿之間的沿之間的EMIF時鐘周期數(shù)，至少一個時鐘周期。時鐘周期數(shù)，至少一個時鐘周期。W_HOLD/R_HOLD 讀寫保持時間寬度讀寫保持時間寬度這些位定義了地址引腳這些位定義了地址引腳(EM_A 和和 EM_BA)，字節(jié)使能，字節(jié)使能(EM_WE_DQM)，異步片選使能，異步片選使能(EM_CS2)在讀觸發(fā)在讀觸發(fā)(ARE)和寫觸和寫觸發(fā)發(fā)(EM_WE)信號上升前的信號上升前的EMIF時鐘周期數(shù)，至少一個時鐘周期。時鐘周期數(shù)，至少一個時鐘周期。ASIZE 異步器

30、件數(shù)據(jù)總線寬度異步器件數(shù)據(jù)總線寬度ASIZE = 0時選擇時選擇8位總線位總線ASIZE = 1時選擇時選擇16位總線位總線ASIZE = 2時選擇時選擇32位總線位總線配置配置ASIZE位確定了位確定了EM_A和和EM_BA引腳的功能。引腳的功能。異步控制器和接口異步控制器和接口異步控制器和接口異步控制器和接口WE觸發(fā)模式下異步讀周期的時序觸發(fā)模式下異步讀周期的時序 異步控制器和接口異步控制器和接口WE觸發(fā)模式下異步寫周期的時序觸發(fā)模式下異步寫周期的時序 異步控制器和接口異步控制器和接口選擇觸發(fā)模式下異步讀周期的時序選擇觸發(fā)模式下異步讀周期的時序 異步控制器和接口異步控制器和接口選擇觸發(fā)模式

31、下異步寫周期的時序選擇觸發(fā)模式下異步寫周期的時序 EMIF與SDRAM和Flash的硬件連接圖Flash有三個地址輸入源EM_WE引腳接到了Flash的WE輸入端，EMIF運(yùn)行在選擇觸發(fā)模式下 四、配置舉例四、配置舉例SDRAM接口配置接口配置1). 對對PLL的編程的編程2). SDRAM時序寄存器時序寄存器(SDTIMR)的設(shè)置的設(shè)置字段字段公式公式MT48LC4M16A2-75數(shù)據(jù)手冊上的值數(shù)據(jù)手冊上的值計算值計算值T_RFC T_RFC = (tRFC*fEM_CLK) -1 tRC = 68 ns (min)6 T_RP T_RP = (tRP*fEM_CLK) -1 tRP = 20 ns (min) 1 T_RCD T_RCD = (tRCD*fEM_CLK) -1 tRCD = 20 ns (min) 1 T_WR T_WR = (tWR*fEM_CLK) -1 tRDL = 2 CLK = 20ns (min)1 T_RAS T_RAS = (tRAS*fEM_CLK) -1 tRAS = 49 ns (min) 4 T_RC T_RC = (tRC*fEM_CLK) -1 tRC =