半導(dǎo)體物理2復(fù)習(xí)總結(jié)

1、 一、 名詞解釋1 能帶晶體中，電子的能量是不連續(xù)的，在某些能量區(qū)間能級(jí)分布是準(zhǔn)連續(xù)的，在某些區(qū)間沒有能及分布。這些區(qū)間在能級(jí)圖中表現(xiàn)為帶狀，稱之為能帶。2有效質(zhì)量 有效質(zhì)量是在描述晶體中載流子運(yùn)動(dòng)時(shí)引進(jìn)的物理量。它概括了周期性勢(shì)場(chǎng)對(duì)載流子運(yùn)動(dòng)的影響，從而使外場(chǎng)力與加速度的關(guān)系具有牛頓定律的形式。其大小由晶體自身的E-k關(guān)系決定。3 施主雜質(zhì)某種雜質(zhì)取代半導(dǎo)體晶格原子后，在和周圍原子形成飽和鍵結(jié)構(gòu)時(shí)，若尚有一多余價(jià)電子，且該電子受雜質(zhì)束縛很弱、電離能很小，所以該雜質(zhì)極易提供導(dǎo)電電子，因此稱這種雜質(zhì)為施主雜質(zhì)4 施主能級(jí)施主未電離時(shí)，在飽和共價(jià)鍵外還有一個(gè)電子被施主雜質(zhì)所束縛，該束縛態(tài)所對(duì)應(yīng)的能

2、級(jí)稱為施主能級(jí)。5 受主能級(jí)受主雜質(zhì)電離后所接受的電子被束縛在原來的空狀態(tài)上，該束縛態(tài)所對(duì)應(yīng)的能級(jí)稱為受主能級(jí)。6 深雜質(zhì)能級(jí)一些非IIIV族雜質(zhì)在硅、鍺的禁帶中產(chǎn)生的施主能級(jí)距離導(dǎo)帶底較遠(yuǎn)，它們產(chǎn)生的受主能級(jí)距離價(jià)帶頂也較遠(yuǎn)，通常稱這種能級(jí)為深能級(jí)，相應(yīng)的雜質(zhì)稱為深能級(jí)雜質(zhì)。7 直接復(fù)合導(dǎo)帶中的電子不通過任何禁帶中的能級(jí)直接與價(jià)帶中的空穴發(fā)生的復(fù)合8 間接復(fù)合雜質(zhì)或缺陷可在禁帶中引入能級(jí)，通過禁帶中能級(jí)發(fā)生的復(fù)合被稱作間接復(fù)合。相應(yīng)的雜質(zhì)或缺陷被稱為復(fù)合中心。9 俄歇復(fù)合載流子從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷，發(fā)生電子-空穴復(fù)合時(shí)，把多余的能量付給另一個(gè)載流子，使這個(gè)載流子被激發(fā)到能量更高的能級(jí)上去，當(dāng)

3、它重新躍遷回低能級(jí)時(shí)，多余的能量常以聲子形式放出，這種復(fù)合稱為俄歇復(fù)合。10 擴(kuò)散由于濃度不均勻而導(dǎo)致的微觀粒子從高濃度處向低濃度處逐漸運(yùn)動(dòng)的過程。11 空穴空穴是為處理價(jià)帶電子導(dǎo)電問題而引進(jìn)的概念。設(shè)想價(jià)帶中的每個(gè)空電子狀態(tài)帶有一個(gè)正的基本電荷，并賦予其與電子符號(hào)相反、大小相等的有效質(zhì)量，這樣就引進(jìn)了一個(gè)假想的粒子，稱其為空穴。它引起的假想電流正好等于價(jià)帶中的電子電流。12 過剩載流子在光注入、電注入、高能輻射注入等條件下，半導(dǎo)體材料中會(huì)產(chǎn)生高于熱平衡時(shí)濃度的電子和空穴，超過熱平衡濃度的電子n=n-n0和空穴p=p-p0稱為過剩載流子。13 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí) 對(duì)于非平衡半導(dǎo)體，導(dǎo)帶和價(jià)帶間的電子躍

4、遷失去了熱平衡。但就它們各自能帶內(nèi)部而言，由于能級(jí)非常密集、躍遷非常頻繁，往往瞬間就會(huì)使其電子分布與相應(yīng)的熱平衡分布相接近，因此可用局部的費(fèi)米分布來分別描述它們各自的電子分布。這樣就引進(jìn)了局部的非米能級(jí)，稱其為準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。14 費(fèi)米能級(jí)費(fèi)米能級(jí)不一定是系統(tǒng)中的一個(gè)真正的能級(jí)，它是費(fèi)米分布函數(shù)中的一個(gè)參量，具有能量的單位，所以被稱為費(fèi)米能級(jí)。它標(biāo)志著系統(tǒng)的電子填充水平，其大小等于增加或減少一個(gè)電子系統(tǒng)自由能的變化量。15 勢(shì)壘電容PN結(jié)上外加電壓的變化，導(dǎo)致勢(shì)壘去區(qū)的空間電荷數(shù)量隨外加電壓變化，這種電容效應(yīng)稱為勢(shì)壘電容。在耗盡層近似下，PN結(jié)反向偏壓下的勢(shì)壘電容可以等效為一個(gè)平行板電容器的電容。

5、16 擴(kuò)散電容正向偏壓下，PN結(jié)擴(kuò)散長(zhǎng)度內(nèi)形成非平衡空穴和電子的積累，當(dāng)偏壓變化時(shí)，擴(kuò)散區(qū)內(nèi)積累的非平衡載流子發(fā)生改變，這種擴(kuò)散區(qū)的電荷數(shù)量隨外加電壓的變化所產(chǎn)生的電容效應(yīng)，成為PN結(jié)的擴(kuò)散電容。17 歐姆接觸 歐姆接觸是指金屬和半導(dǎo)體之間形成的接觸電壓很小，基本不改變半導(dǎo)體器件特性的非整流接觸。18 表面電場(chǎng)效應(yīng)在半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)的柵極施加?xùn)艍汉?，半?dǎo)體表面的空間電荷區(qū)會(huì)隨之發(fā)生變化，通過控制柵壓可使半導(dǎo)體表面呈現(xiàn)出不同的表面狀態(tài)，這種現(xiàn)象就是所謂的表面電場(chǎng)效應(yīng)。19 理想PN結(jié)電流電壓方程及IV圖20 表面態(tài)它是由表面因素引起的電子狀態(tài)，這種表面因素通常是懸掛鍵、表面雜質(zhì)或缺陷，表面態(tài)在表

6、面處的分布幾率最大。21 表面電場(chǎng)效應(yīng) 在半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)的柵極施加?xùn)艍汉?，半?dǎo)體表面的空間電荷區(qū)會(huì)隨之發(fā)生變化，通過控制柵壓可使半導(dǎo)體表面呈現(xiàn)出不同的表面狀態(tài)，這種現(xiàn)象就是所謂的表面電場(chǎng)效應(yīng)。22 激子吸收在低溫時(shí)發(fā)現(xiàn)，某些晶體在本征吸收連續(xù)光譜區(qū)的低能側(cè)靠近吸收限附近存在一系列吸收線，并且對(duì)應(yīng)于這些吸收線不伴隨有光電導(dǎo)，這種吸收成為激子吸收。23 自由載流子吸收當(dāng)入射光的波長(zhǎng)較長(zhǎng)，不足以引起帶間躍遷或形成激子時(shí)，半導(dǎo)體中仍然存在光吸收，而且吸收系數(shù)隨著波長(zhǎng)的增加而增加。這種吸收是自由載流子在同一能帶內(nèi)的躍遷引起的，稱為自由截流子吸收。 24 雜質(zhì)吸收雜質(zhì)可以在半導(dǎo)體的禁帶中引入雜質(zhì)能級(jí)，例

7、如Ge和Si中的III族和V族雜質(zhì)。占據(jù)雜質(zhì)能級(jí)的電子或空穴的躍遷可以引起光吸收，這種吸收稱為雜質(zhì)吸收，可以分為下面三種類型：吸收光子可以引起中性施主上的電子從基態(tài)到激發(fā)態(tài)或?qū)У能S遷；中性受主上的空穴從基態(tài)到激發(fā)態(tài)或價(jià)帶的躍遷；電離受主到電離施主間的躍遷。25 半導(dǎo)體發(fā)光處于激發(fā)態(tài)的電子可以向較低的能級(jí)躍遷，以光輻射的形式釋放出能量，也就是電子從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷，伴隨著發(fā)射光子。就是半導(dǎo)體的發(fā)光現(xiàn)象。 二、選擇題1下列材料中，不是半導(dǎo)體材料是（ ）A AlSbB AlNi C GaN D GaAs2 半導(dǎo)體GaAs晶體結(jié)構(gòu)是（ ）A 閃鋅礦 B 金剛石 C 鉛鋅礦 D 氯化鈉3 施主雜質(zhì)電

8、離后向半導(dǎo)體提供（ ）A 空穴 B 電子 C質(zhì)子 D中子4 受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（ ）A 空穴 B 電子 C質(zhì)子 D中子5 與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（ ）；A、比半導(dǎo)體的大， B、比半導(dǎo)體的小， C、 與半導(dǎo)體的相等。5 衡量電子填充能級(jí)水平的是（ ）A 施主能級(jí) B 費(fèi)米能級(jí) C受主能級(jí) D 缺陷能級(jí)6 硅中非平衡載流子的復(fù)合主要依靠（ ）A 直接復(fù)合 B 間接復(fù)合 C 俄歇復(fù)合 D直接和間接復(fù)合7 室溫下，半導(dǎo)體Si中摻有濃度為1.1×1015cm3的硼，則電子濃度約為（ ）。（已知：室溫下，ni1.5×1010cm-3）A 1014c

9、m-3 B 1015cm-3 C 1010cm-3 D 105cm-3 8 pn結(jié)反偏狀態(tài)下，空間電荷層的寬度隨外加電壓數(shù)值增加而（ ）。A展寬 B變窄 C不變 9 下列哪一項(xiàng)不屬于影響PN結(jié)電流電壓特性偏離理想方程的因素（ ）A表面效應(yīng) B勢(shì)壘區(qū)中的產(chǎn)生于復(fù)合 C大注入條件 D. 非平衡態(tài)10 半導(dǎo)體功函數(shù)是指（ ） A 導(dǎo)帶底電子變成真空中自由電子所需最低能量 B 價(jià)帶頂電子變成真空中自由電子所需最低能量 C 真空中自由電子最低能級(jí)與半導(dǎo)體本征費(fèi)米能級(jí)之差D 真空中自由電子最低能級(jí)與半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)之差 11 理想的金屬半導(dǎo)體接觸會(huì)形成不同效果，下列接觸形成阻擋層的是（ ） A n型半導(dǎo)體，

10、Wm>Ws B n型半導(dǎo)體，Wm<Ws C p型半導(dǎo)體，Wm>Ws D p型半導(dǎo)體，Wm=Ws12下列器件不是利用半導(dǎo)體表面效應(yīng)制成的是（ ）A MOS器件B 電荷耦合器件C 表面發(fā)光器件D 熱敏電阻13. 下列半導(dǎo)體材料中，哪個(gè)材料可以吸收2微米以上的紅外光（ ） A Si B Ge C GaAs D InSb14. 如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（ D ）。 A. 施主 B. 受主 C.復(fù)合中心 D兩性雜質(zhì)15. 同一種施主雜質(zhì)摻入甲、乙兩種半導(dǎo)體，如果甲的相對(duì)介電常數(shù)r是乙的3/4， mn*/m0值是乙的2倍，那么用類氫模型計(jì)算結(jié)果是（ D ）。A

11、.甲的施主雜質(zhì)電離能是乙的8/3，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的3/4B.甲的施主雜質(zhì)電離能是乙的3/2，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的32/9C.甲的施主雜質(zhì)電離能是乙的16/3，弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的8/3D.甲的施主雜質(zhì)電離能是乙的32/9，的弱束縛電子基態(tài)軌道半徑為乙的3/816. 一塊半導(dǎo)體壽命=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（ C ）。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2 17. 在室溫下，非簡(jiǎn)并Si中電子擴(kuò)散系數(shù)D與有如下圖 （C ） 所示的最恰當(dāng)?shù)囊蕾囮P(guān)系： 18.

12、 在純的半導(dǎo)體硅中摻入硼，在一定的溫度下，當(dāng)摻入的濃度增加時(shí)，費(fèi)米能級(jí)向（ A ）移動(dòng)；當(dāng)摻雜濃度一定時(shí)，溫度從室溫逐步增加，費(fèi)米能級(jí)向( C )移動(dòng)。 A.Ev ； B.Ec ； C.Ei； D. EF19. 對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（ C ）。A.非平衡載流子濃度成正比 ； B.平衡載流子濃度成正比； C.非平衡載流子濃度成反比； D.平衡載流子濃度成反比。20. 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（ B ）。 A.變大，變小 ； B.變小，變大； C.變小，變小； D.變大，變

13、大。21. 在磷摻雜濃度為2×1016cm-3的硅襯底（功函數(shù)約為4.25eV）上要做出歐姆接觸，下面四種金屬最適合的是（ A ）。 A. In (Wm=3.8eV) ； B. Cr (Wm=4.6eV)； C. Au (Wm=4.8eV)； D. Al (Wm=4.2eV)。三、簡(jiǎn)答1. 雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體造成的影響雜質(zhì)的出現(xiàn)，使得半導(dǎo)體中產(chǎn)生了局部的附加勢(shì)場(chǎng)，這使嚴(yán)格的周期性勢(shì)場(chǎng)遭到破壞。從能帶的角度來講，雜質(zhì)可導(dǎo)致導(dǎo)帶、價(jià)帶或禁帶中產(chǎn)生了原來沒有的能級(jí)2. 施主能級(jí)及其特征施主未電離時(shí)，在飽和共價(jià)鍵外還有一個(gè)電子被施主雜質(zhì)所束縛，該束縛態(tài)所對(duì)應(yīng)的能級(jí)稱為施主能級(jí)。特征：施主雜質(zhì)電離，

14、導(dǎo)帶中出現(xiàn)施主提供的導(dǎo)電電子；電子濃度大于空穴濃度， 即 n > p 。3. 受主能級(jí)及其特征 受主雜質(zhì)電離后所接受的電子被束縛在原來的空狀態(tài)上，該束縛態(tài)所對(duì)應(yīng)的能級(jí)稱為受主能級(jí)。特征：受主雜質(zhì)電離，價(jià)帶中出現(xiàn)受主提供的導(dǎo)電空穴；空穴濃度大于電子濃度，即 p > n 。4. 深能級(jí)雜質(zhì)的特點(diǎn)和作用：（1）不容易電離，對(duì)載流子濃度影響不大（2）一般會(huì)產(chǎn)生多重能級(jí)，甚至既產(chǎn)生施主能級(jí)也產(chǎn)生受主能級(jí)。（3）能起到復(fù)合中心作用，使少數(shù)載流子壽命降低。（4）深能級(jí)雜質(zhì)電離后成為帶電中心，對(duì)載流子起散射作用， 使載流子遷移率減少，導(dǎo)電性能下降。5. 以n型硅為例，簡(jiǎn)要說明遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度

15、的關(guān)系。 雜質(zhì)濃度升高，散射增強(qiáng)，遷移率減小。低溫時(shí)，以電離雜質(zhì)散射為主。溫度升高散射減弱，遷移率增大。隨著溫度的增加，晶格振動(dòng)散射逐漸增強(qiáng)最終成為主導(dǎo)因素。因此，遷移率達(dá)到最大值后開始隨溫度升高而減小。6. 以n型半導(dǎo)體為例說明電阻率和溫度的關(guān)系。答：低溫時(shí)，溫度升高載流子濃度呈指數(shù)上升，且電離雜質(zhì)散射呈密函數(shù)下降，因此電阻率隨溫度升高而下降；當(dāng)半導(dǎo)體處于強(qiáng)電離情況時(shí)，載流子濃度基本不變，晶格震動(dòng)散射逐漸取代電離雜質(zhì)散射成為主要的散射機(jī)構(gòu)，因此電阻率隨溫度由下降逐漸變?yōu)樯仙?；高溫時(shí)，雖然晶格震動(dòng)使電阻率升高，但半導(dǎo)體逐漸進(jìn)入本征狀態(tài)使電阻率隨溫度升高而迅速下降，最終總體表現(xiàn)為下降。7. 30

16、0K時(shí)，Ge的本征電阻率為47·cm，電子和空穴遷移率分別為3900cm2/V·S和1900cm2/V·S，試求本征Ge的載流子濃度。答：T=300K，47·cm，n3900cm2/V·S，p1900 cm2/V·S 8. 畫出p型半導(dǎo)體形成的理想MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性曲線，并說明高頻情況與低頻情況的差別。 p型半導(dǎo)體形成的理想MIS結(jié)構(gòu)特性曲線的C-V如下高頻和低頻情況的區(qū)別在于接近強(qiáng)反型時(shí)，低頻情況空間電荷層電容迅速增加并趨近于無窮大，而高頻情況空間電荷稱電容則會(huì)保持在最小值上。前者是由于半導(dǎo)體表面處于強(qiáng)反型時(shí)，由于反型層中的電子

17、濃度與表面勢(shì)呈指數(shù)關(guān)系，導(dǎo)致空間電荷層電容隨表面勢(shì)變化呈指數(shù)規(guī)律，即，Csexp(qVs/2k0T)。而C/C0=1/(1+C0/Cs)，所以C-V特性曲線在VG>VT后迅速增加，最終趨近于1。高頻時(shí)，由于沒有少子產(chǎn)生與復(fù)合的時(shí)間，應(yīng)此反型電子對(duì)電容沒有貢獻(xiàn)，只能通過空間電荷層的寬度變化來承擔(dān)表面勢(shì)的變化，所以Cs仍與空間電荷層寬度Xd成反比。弱反型時(shí)，Xd隨表面勢(shì)而增加。當(dāng)VG>VT后，開始進(jìn)入強(qiáng)反型，Xd很快趨于飽和，所以曲線保持在最小值上。9. 半導(dǎo)體對(duì)光的吸收有哪些？本征吸收，激子吸收，雜質(zhì)吸收，自由載流子吸收，晶格振動(dòng)吸收等。10. 如金屬和一n型半導(dǎo)體形成金屬半導(dǎo)體接觸

18、，請(qǐng)簡(jiǎn)述在什么條件下，形成的哪兩種不同電學(xué)特性的接觸，說明半導(dǎo)體表面的能帶情況，并畫出對(duì)應(yīng)的I-V曲線。（忽略表面態(tài)的影響）答：在金屬和n型半導(dǎo)體接觸時(shí)，如金屬的功函數(shù)為Wm, 半導(dǎo)體的功函數(shù)為Ws。當(dāng)WmWs時(shí)，在半導(dǎo)體表面形成阻擋層接觸，是個(gè)高阻區(qū)，能帶向上彎曲；（2分）當(dāng)WmWs時(shí)，在半導(dǎo)體表面形成反阻擋層接觸，是個(gè)高電導(dǎo)區(qū)，能帶向下彎曲；（2分）對(duì)應(yīng)的 I-V曲線分別為：VI VI四、綜合題（共32分）可能用到的信息：Si原子密度：5.00×1022/cm3，Si本征載流子濃度（室溫）： ni1.5×1010/cm3，遷移率（室溫）：Si mn=1350cm2/V.

19、s，mp=500cm2/V.s；Si有效狀態(tài)密度：Nc=2.8×1019/cm3，Nv1.1×1019/cm3電子電量為1.6×1019C；普朗克常數(shù)h6.625×1034J.s；室溫時(shí)k0T=0.026eV圖1：Si電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系圖2：Si遷移率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系1. 設(shè)EEF為1.5k0T，分別用費(fèi)米分布函數(shù)和玻爾茲曼分布函數(shù)計(jì)算電子占據(jù)該能級(jí)的概率。解：費(fèi)米分布函數(shù)為 （2分） 當(dāng)EEF等于1.5k0T時(shí)，f0.182 ( 1分 )玻耳茲曼分布函數(shù)為 ( 2分 )當(dāng)EEF等于1.5k0T時(shí)，f0.223 ( 1分 )上述結(jié)果顯示在費(fèi)米能級(jí)附近

20、費(fèi)米分布和玻耳茲曼分布有一定的差距。2. 摻有1.1×1016 cm-3硼原子和9×1015 cm-3磷原子的Si樣品，試計(jì)算室溫時(shí)多數(shù)載流子和少數(shù)載流子濃度及樣品的電阻率。解：對(duì)于硅材料：ND=9×1015cm-3；NA1.1×1016cm-3； ( 1分 )T300k時(shí) ni=1.5×1010cm-3： ( 1分 )； ( 2分 ) ( 2分 )3計(jì)算（1）摻入ND為1×1015個(gè)/cm3的施主硅，在室溫（300K）時(shí)的電子濃度n0和空穴濃度p0分別為多少？（其中本征載流子濃度n i=2×1010個(gè)/cm3。）（2）如果

21、在（1）中摻入NA=5×1014個(gè)/cm3的受主，那么n0和p0分別為多少？（3）如果在（1）中摻入NA=1×1015個(gè)/cm3的受主，那么n0和p0又為多少？1解：（1） 300K時(shí)可認(rèn)為施主雜質(zhì)全部電離。則 （1分） （1分） （2）摻入了NA=5×1014個(gè)/cm3的受主，那么同等數(shù)量的施主得到了補(bǔ)償。 則 （1分） （1分）（3）因?yàn)槭┲骱褪苤飨嗷ネ耆a(bǔ)償，雜質(zhì)的摻雜不起作用。因此該半導(dǎo)體可看作是本征半導(dǎo)體（實(shí)際上不是）。則 （2分）4. 室溫下，在本征硅單晶中摻入濃度為1015cm-3的雜質(zhì)硼后，再在其中摻入濃度為3×1015cm-3的雜質(zhì)磷。

22、試求：（1）載流子濃度和電導(dǎo)率。 （2）費(fèi)米能級(jí)的位置。 （注：電離雜質(zhì)濃度分別為1015cm-3、3×1015cm-3、4×1015cm-3時(shí)，電子遷移率分別為1300、1130和1000cm2/V.s，空穴遷移率分別為500、445和400cm2/V.s；在300K的溫度下，）答：室溫下，該半導(dǎo)體處于強(qiáng)電離區(qū)，則多子濃度 ( 2分 )少子濃度 ； ( 2分 )電導(dǎo)率 ( 2分 )（2）根據(jù) ( 2分 )可得 所以費(fèi)米能級(jí)位于禁帶中心之上0.31eV的位置。 ( 2分 )5. 在一個(gè)均勻的n型半導(dǎo)體的表面的一點(diǎn)注入少數(shù)載流子空穴。在樣品上施加一個(gè)50V/cm的電場(chǎng)，在電場(chǎng)

23、力的作用下這些少數(shù)載流子在100s的時(shí)間內(nèi)移動(dòng)了1cm，求少數(shù)載流子的漂移速率、遷移率和擴(kuò)散系數(shù)。（kT=0.026eV）解：在電場(chǎng)下少子的漂移速率為： ( 2分 ) 遷移率為： ( 2分 ) 擴(kuò)散系數(shù)為： ( 2分 )6. 在室溫下，鍺的有效狀態(tài)密度Nc1.05×1019cm3，Nv5.7×1018cm3，試求鍺的載流子有效質(zhì)量mn*和mp*。計(jì)算77k時(shí)的Nc和Nv。已知300k時(shí)，Eg0.67eV。77k時(shí)Eg0.76eV。求這兩個(gè)溫度時(shí)鍺的本征載流子濃度。解 室溫下，T=300k（27）,k0=1.380×10-23J/K，h=6.625×10-34J·S，對(duì)于鍺：Nc1.05×1019cm3，Nv=5.7×1018cm3：根據(jù)（318）式： ( 2分 )根據(jù)（323）式： ( 2分 )77k時(shí)的Nc和Nv： ( 1分 )同理： ( 1分 )300k時(shí)的ni： ( 2分 )77k時(shí)的ni： ( 2分 )7. 計(jì)算含有施主雜質(zhì)濃度ND9×1015cm-3及受主雜質(zhì)濃度為1.1×1016cm