2015年云南昆明理工大學(xué)數(shù)字電路考研真題A卷

1、2015年云南昆明理工大學(xué)數(shù)字電路考研真題A卷一、填空題(30分，每小題2分)(在答題紙上寫出題號(hào)和填空結(jié)果)1、數(shù)碼轉(zhuǎn)換(734.51)8=( )2(81.07)10=( )8421-BCD2、(-32)10= ( )2補(bǔ)碼=( )2偏移碼。3、寫出邏輯圖1-1表示的邏輯函數(shù)和反函數(shù)：圖1-1 = 和= 。 4、寫出邏輯函數(shù)的與非-與非式和或非-或非式： = = 5、5變量的最小項(xiàng)表達(dá)式m18= ，m28= 。6、的反函數(shù)的對偶式= 。7、組合電路的真值表如圖1-2所示，邏輯表達(dá)式= 。8、3-8線譯碼器74LS138的邏輯表達(dá)式= ，i=0,1,2,3,4,5,6,7。9、T觸發(fā)器的特性方

2、程： 。 JK觸發(fā)器的特性方程： 。10、對圖1-3所示觸發(fā)器激勵(lì)表。當(dāng)A=0時(shí)， ；當(dāng)A=1時(shí)， 。 圖1-2 圖1-311、時(shí)序電路狀態(tài)方程為，如果用JK觸發(fā)器，則J= ；K= 。12、555電路，輸出Q= 、內(nèi)部放電管 (導(dǎo)通，截止)。13、在1個(gè)ASM塊中只能有一個(gè) 框。14、一個(gè)5位DA轉(zhuǎn)換器，Vref =8V，最低有效位LSB= V。15、一個(gè)ROM存儲(chǔ)器有8條數(shù)據(jù)線，16條地址線，該ROM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為 bit。二、邏輯門電路(20分)1、(12分)圖2-1為TTL與非門電路，Ec=5.0V。當(dāng)輸出端Y=0.4V時(shí)，(1) C點(diǎn)對地電壓為多少？(2)K是接通還是斷開？(3)如

3、果R1=2.9KW，求流過R1的電流大小。2、(8分)圖2-2為CMOS門電路。(1)寫出電路的邏輯表達(dá)式；(2)畫出電路的邏輯符號(hào)圖。 圖2-1 圖2-2三、邏輯代數(shù)(16分)函數(shù)。(1)將F化成標(biāo)準(zhǔn)與或式；(2)畫出函數(shù)F的卡諾圖；(3)根據(jù)卡諾圖寫出F的最簡與或式。四、組合電路(16分)分析圖4-1所示邏輯電路：(1)寫出電路的邏輯表達(dá)式；(2)填寫圖4-2真值表； (3)簡述電路的邏輯功能。 圖4-1 圖4-2 五、觸發(fā)器(8分) 如圖5-1所示的觸發(fā)器電路，在波形圖5-2中給出了CLK、和的波形和Q的初始值，對應(yīng)圖5-2畫出Q的波形。 圖5-1 圖5-2六、時(shí)序邏輯電路(20分)對如

4、圖6-1所示時(shí)序電路：(1)寫出激勵(lì)函數(shù)；(2)寫出輸出函數(shù)；(3)寫出狀態(tài)方程；(4)填寫圖6-2狀態(tài)表；(5)畫出電路的狀態(tài)圖。 圖6-1 圖6-2 七、脈沖電路(12分)對于如圖7-1所示的多諧振蕩器。在其中K斷開和接通兩種情況下計(jì)算：(1)振蕩周期之比；(2)電路振蕩波形的占空比。圖7-1八、數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(12分) 某數(shù)字系統(tǒng)：在狀態(tài)下，若外部輸入X=0，則進(jìn)行操作，狀態(tài)由；若X=1，則進(jìn)行操作狀態(tài)由。在和狀態(tài)下都回到狀態(tài)。(1)畫出該系統(tǒng)的ASM圖；(2)用每態(tài)一D觸發(fā)器的方法寫出激勵(lì)函數(shù)。九、數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換電路(8分)一個(gè)三位數(shù)模轉(zhuǎn)換電路如圖9-1表示。(1)在圖9-2中畫出轉(zhuǎn)換關(guān)系線；(2)寫出Vo與X的關(guān)系表達(dá)式；(3)如果Vref=1V，F(xiàn)SR=？LSB=？ 圖9-1 圖9-2 十、存儲(chǔ)器(8分)29×