KC-2可控硅測(cè)試儀說(shuō)明書(shū)

1、丿滬申達(dá)電子實(shí)驗(yàn)室可控硅應(yīng)用技術(shù)網(wǎng)聯(lián)系人：沈松濤電話（傳真）機(jī)址：http:/www. sst2008. com Email:kkgcsysina. comKC-2型可控硅測(cè)試儀一、概述KC-2型可控硅測(cè)試儀（又名：全系列塑封可控硅、可控硅光耦測(cè)試儀），是2005 年最新研究設(shè)計(jì)成功的一種新穎的數(shù)字顯示式多功能半自動(dòng)可控硅和可控硅光電耦合 器參數(shù)測(cè)試裝置。它可以測(cè)量小至TO-92封裝大至T0P-3封裝的各種電流等級(jí)的塑封 單、雙向可控硅（晶閘管）：可以測(cè)量DIP-6、DIP-4封裝的過(guò)零和非過(guò)零檢測(cè)可控硅 輸出的光電耦合器和DIP-6封裝

2、的單向可控硅輸出的光電耦合器；可以測(cè)暈200A以下 的螺錐型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。儀器可以準(zhǔn)確的自動(dòng)測(cè)量顯示可控硅的 觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT,可控硅光耦的觸發(fā)電流IFT觸發(fā)電壓VFT,可控硅和可 控硅光耦的正反向斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM和正反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM/ VRRM的可控硅主要參數(shù)。該儀器主要用于可控硅使用廠家對(duì)可控硅元件的質(zhì)嚴(yán)檢驗(yàn)、 參數(shù)的配對(duì)、可控硅設(shè)備的維修之用。儀器還可以廣泛的應(yīng)用于對(duì)多種電子元器件的 高低壓耐壓的測(cè)試。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、使用安全方便。二、主要技術(shù)性能1、可控硅觸發(fā)電流IGT測(cè)量范圍：10uA 1000uA ,

3、 0 10.00mA, 0 100.0mA 精度：W3%。2、可控硅觸發(fā)電壓VGT測(cè)量范圍：010V, 精度：W5%。3、可控硅光耦觸發(fā)電流I FT測(cè)量范圍：015.00mA,精度：W3%。4、可控硅光耦觸發(fā)電壓VFT測(cè)量范圍：0 3V 精度：W5%。5、可控硅和可控硅光耦，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM測(cè)量范圍: 0 2KV 精度：W3%。6、可控硅和可控硅光耦，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM測(cè)量范圍： 01.6KV 精度：W5%。7、工作電源電壓：AC220V, 50HZ, 功率：W 30W。8、工作環(huán)境：0 35° C,相對(duì)濕度：85%。9、外形尺寸：280 X

4、230 X 130mm。10、重量：約3 Kg。三、主要測(cè)試功能1、全系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測(cè)試，正反向不重 復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測(cè)試。2、DIP-6、DIP-4封裝的過(guò)零和非過(guò)零檢測(cè)可控硅光耦和DIP-6封裝的單向可控 硅輸出的光耦I(lǐng)FT / VFT的測(cè)試，可控硅光耦正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM 的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM的測(cè)試。3、電流在200A以內(nèi)，VDSM / VRSM在2KV以內(nèi)，觸發(fā)電流在120mA以內(nèi)的 螺錐型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、

5、觸發(fā)電流VGT的測(cè)試，正 反向不重復(fù)峰值電ffiVDSM / VRSM的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的 測(cè)試。4、2KV以內(nèi)的各類二極管、三極管、達(dá)林頓管、整流橋、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT 及各種模塊的耐壓測(cè)試。5、2KV以內(nèi)的壓敏電阻、穩(wěn)壓管、雙向觸發(fā)二極管等電壓值的測(cè)試。四、本儀器所使用的參數(shù)符號(hào)說(shuō)明：1> IGT：可控硅觸發(fā)電流。2、VGT：可控硅觸發(fā)電壓。3、IFT：可控硅光耦觸發(fā)電流。4、VFT：可控硅光耦觸發(fā)電壓。5、Vsm：可控硅和可控硅光耦，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM和VRSM的縮 寫(xiě)。6、Vrm：可控硅和可控硅光耦，正反向可重復(fù)峰值電壓VDRM和VR

6、RM的縮 寫(xiě)。7、ID/IR：測(cè)量可控硅和可控硅光耦耐壓參數(shù)時(shí)的正反向電流，根據(jù)不同可控硅 的電流等級(jí)本儀器有A、B、C三擋可選擇。（附表1）8、RL：測(cè)量可控硅和可控硅光耦的觸發(fā)電流時(shí)，可控硅陽(yáng)極負(fù)載電阻根據(jù)不同 可控硅的電流等級(jí)本儀器有A、B、C三擋可選擇。（附表1）五、測(cè)試盒說(shuō)明：1、測(cè)試盒主要是用來(lái)測(cè)試塑封可控硅和DIP封裝的可控硅光耦之用。2、可控硅測(cè)試座分A、B、C、D四組。其中A組的1、2、3可以用來(lái)測(cè)試TO 92封裝的小可控硅，1、3、2 （跳過(guò)2）可以用來(lái)測(cè)試TOP3等封裝的大可控硅， 如：BTA41等；B組專門(mén)用于測(cè)試TO92封裝的可控硅，如：MCR1006、MAC97A6

7、 等；C D兩組專門(mén)用于測(cè)試TO-220. TO-126等封裝的可控硅，如：BT136、BT- 134、2P4M 等。3、光電耦盒器測(cè)試座分A、B、C三組，其中A組用于DIP6封裝的單向可控硅 光耦，如：4N39、4N40等：B組用于DDM封裝的雙向可控硅光耦；C組用于D1P0 封裝的雙向可控硅光耦，如：MOC302U MOC3081等。送，它恢介魏該丹化彭旌4、測(cè)試盒的左、右下方有兩個(gè)按鈕，左下方的IFT按鈕用于可控硅光耦觸發(fā)電流 IFT和觸發(fā)電壓VFT的測(cè)試；右下方的KV按鈕用于可控硅和可控硅光耦的Vsm> Vrm的測(cè)試，該按鈕實(shí)際是儀器的外接按鈕，是通過(guò)外接按鈕線與儀器主面板右下角

8、 的KV按鈕相通，兩個(gè)KV按鈕的功能完全相同，裝在測(cè)試盒中主要是為了操作和維 修方便。5、測(cè)試盒的左、右上方有兩個(gè)開(kāi)關(guān)，左上方的VSM/VRM、IFT開(kāi)關(guān)是專門(mén)用于 測(cè)量可控硅光耦觸發(fā)電流IFT和耐壓參的數(shù)VSM/VRM選擇用的；右上方的+、開(kāi)關(guān) 是專門(mén)用于測(cè)量可控硅和可控硅光耦正、反向耐壓，轉(zhuǎn)換測(cè)試高壓電源極性用的。6、測(cè)試盒的右側(cè)面有兩個(gè)座，一個(gè)是外接按鈕座，有專用的插頭線與儀器背面的 外接按鈕接線座相連；另外是一個(gè)RGK座主要用于測(cè)試塑封可控硅耐壓參數(shù)時(shí)把測(cè)試 座的2號(hào)（G）香蕉插頭插入其中，使可控硅的觸發(fā)極并上一只1KC的電阻，使測(cè)量 出來(lái)的電壓參數(shù)更準(zhǔn)確。7、測(cè)試盒的左側(cè)有一個(gè)撥動(dòng)開(kāi)

9、關(guān)，該開(kāi)關(guān)是專門(mén)用于DIPd封裝的單向可控硅光 耦的測(cè)試（A組），實(shí)際是一只10KG電阻接通（ON）和斷開(kāi)（OFF）,根據(jù)需要測(cè)試 耐壓參數(shù)時(shí)必須接通（ON）。8、測(cè)試盒中的測(cè)試座、開(kāi)關(guān)、按鈕往往因頻繁操作而容易損壞，且不在儀器的保 修范圍內(nèi)，使用時(shí)應(yīng)注意保管和愛(ài)護(hù)。也可根據(jù)實(shí)際測(cè)試某一類型的可控硅或可控硅 光耦把測(cè)試座改成專用的，如：某用戶只用于測(cè)量TO220封裝的BT136,按目前的 測(cè)試座只有可控硅測(cè)試座中的C、D兩組符合要求，其它的測(cè)試組都無(wú)法使用，現(xiàn)在 可以把其它不用的測(cè)試座都改成C、D的1、3、2排列，兩個(gè)測(cè)試座可組成8個(gè)測(cè)試 組，這樣就大大的延長(zhǎng)了測(cè)試座的使用壽命。本說(shuō)明書(shū)提供詳

10、細(xì)的測(cè)試盒接線圖，用 戶可以根據(jù)自己的需要修改之。9、_理違盒中的測(cè)試座，兩腳可的耐壓最大不允i午超過(guò)200V,所以在調(diào)節(jié)電壓時(shí) 需要特別小心，一旦超過(guò)往往會(huì)永久擊穿損壞。若某_組已擊穿損壞則可以把該組的 線拆除，二般不會(huì)影響其它組的E常使用。六、使用方法儀器使用前應(yīng)把高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時(shí)針旋到底，高壓開(kāi)關(guān)撥在OFF處，插好電源線 接上220V電源，打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)兩數(shù)字表亮，若量程按鍵開(kāi)關(guān)按在觸發(fā)電流擋上則兩 數(shù)字表都有不同的數(shù)字顯示，若按在高壓KV擋上則都應(yīng)顯示000,說(shuō)明儀器工作基 本正常。1、塑封單、雙向可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測(cè)試：測(cè)試前應(yīng)按（表1）中不同電流等級(jí)的可控硅選擇R

11、L開(kāi)關(guān)（A、B、C）的位置， 并把儀器面板上的Vsm/Vrm開(kāi)關(guān)撥在Vsm擋上，根據(jù)被測(cè)可控硅觸發(fā)電流范圍選擇 觸發(fā)電流量程。把測(cè)試盒的三根插頭線分別對(duì)應(yīng)的插入儀器K （Tl）、G、A （T2）三個(gè)接線柱 中，測(cè)試盒右上角的+、極性開(kāi)關(guān)必須撥在+端，根據(jù)被測(cè)可控硅的封裝插入對(duì)應(yīng)的 插座組中，這時(shí)可以聽(tīng)到儀器內(nèi)蜂鳴器的“嘀”聲、和繼電器的“嘀搭”聲，當(dāng)蜂鳴 器出現(xiàn)第二次連續(xù)“嘀”聲時(shí)，說(shuō)明可控硅已經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通，同時(shí)導(dǎo)通指示燈亮，可立 即讀取數(shù)字表中可控硅的觸發(fā)電流IGT和VGT的值。拔出可控硅，儀器有一復(fù)位過(guò) 程，約3秒種后方可進(jìn)行第二次測(cè)試。注：一、若在插入可控硅時(shí)沒(méi)有“嘀搭”聲，且指示的結(jié)果又

12、完全不正常，說(shuō)明 第二次測(cè)試的等待時(shí)間還不夠長(zhǎng)。（以下類同）二、測(cè)量觸發(fā)電流IGT時(shí)，可控硅一經(jīng)導(dǎo)通（導(dǎo)通指示燈亮）即可讀取較準(zhǔn) 確的觸發(fā)電流值，若長(zhǎng)時(shí)間不拔出來(lái)讀數(shù)有可能會(huì)產(chǎn)生飄移。（以下類同）2、可控硅光電耦合器觸發(fā)電流IFT、觸發(fā)電壓VFT的測(cè)試：測(cè)試前應(yīng)把RL開(kāi)關(guān)撥在“B”的位置，并把儀器面板上的Vsm/Vrm開(kāi)關(guān)撥在 Vsm擋上，觸發(fā)電流量程一般選擇10mA擋，該擋實(shí)際最大觸發(fā)電流可顯示到15mA 左右。（注：測(cè)量可控硅光耦的觸發(fā)電流一般不宜采用100mA擋）。把測(cè)試盒的三根插頭線分別對(duì)應(yīng)的插入儀器K （Tl）、G、A （T2）三個(gè)接線柱 中，測(cè)試盒右上角的+、極性開(kāi)關(guān)必須撥向+端，

13、左上角的開(kāi)關(guān)撥向IFT端，根據(jù)被 測(cè)可控硅光耦的封裝插入對(duì)應(yīng)的插座組中：DIP-6封裝的雙向可控硅光耦插入“C” 組；DIP4封裝的雙向可控硅光耦插入“B”組；DIP6封裝的單向可控硅光耦插入 “A”組，并同時(shí)需把測(cè)試盒左側(cè)面的RGK開(kāi)關(guān)撥至OFF。插入光耦后按住IFT按鈕，這時(shí)可以聽(tīng)到儀器內(nèi)蜂鳴器的“嘀”聲、和繼電器的 “嘀搭”聲，當(dāng)蜂鳴器出現(xiàn)第二次連續(xù)“嘀”聲時(shí)，說(shuō)明可控硅光耦己經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通， 同時(shí)導(dǎo)通指示燈亮，即可讀取該可控硅光耦的觸發(fā)電流IFT和VFT的值，釋放IFT按 鈕后儀器有一復(fù)位過(guò)程，約3秒種后方可進(jìn)行第二次測(cè)試。3、螺鈴型單、雙向可控硅和可控硅模塊觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT

14、的測(cè)試：測(cè)試前應(yīng)把RL開(kāi)關(guān)撥在“C”的位置，并把儀器面板上的Vsm/Vrm開(kāi)關(guān)撥在Vsm擋上，觸發(fā)電流量程一般選擇100mA或10mA擋，測(cè)量用的三根測(cè)試線分別插 入儀器K (Tl)、G、A (T2)三個(gè)接線柱中，G和A (T2)兩個(gè)鱷魚(yú)夾分別先夾住可 控硅對(duì)應(yīng)的兩個(gè)極，第三個(gè)K (T1)鱷魚(yú)夾用手搭到可控硅的K (T1)極且不要松 開(kāi)，這時(shí)可以聽(tīng)到儀器內(nèi)蜂鳴器的“嘀”聲和繼電器的“嘀搭”聲，當(dāng)蜂鳴器出現(xiàn)第 二次連續(xù)“嘀”聲時(shí)，說(shuō)明可控硅已經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通，同時(shí)導(dǎo)通指示燈亮，此時(shí)即可讀取 該可控硅的觸發(fā)電流IGT和VGT的值，分?jǐn)圜{魚(yú)夾后儀器有一復(fù)位過(guò)程，約3秒種 后方可進(jìn)行第二次測(cè)試。4、塑封單、

15、雙向可控硅VDSM/VRSM正、反向不重復(fù)峰值電壓的測(cè)試：測(cè)試前先把外接按鈕連接線從儀器背后的“外接按鈕”中接至測(cè)試盒右側(cè)的“外接按鈕”插孔，把儀器面板上的Vsm/Vrm開(kāi)關(guān)撥在Vsm擋上，按下高壓2KV量程開(kāi) 關(guān)，再把高壓開(kāi)關(guān)撥至ON,順時(shí)針調(diào)節(jié)“高壓調(diào)節(jié)”旋鈕使KV數(shù)字電壓表指示到 1200V,然后關(guān)斷高壓開(kāi)關(guān)至OFF,這時(shí)KV電壓表顯示仍為000。把測(cè)試盒中的2號(hào)(G)插頭線插入測(cè)試盒右側(cè)的“RGK”插孔，1號(hào)(T1/K) 插頭線插入儀器K (T1)接線柱中(高壓極)，3號(hào)插頭線插入儀器高壓輸出+接線 柱，測(cè)試盒右上角的+、極性開(kāi)關(guān)先撥在+端。根據(jù)被測(cè)可控硅的封裝插入對(duì)應(yīng)的插 座組中，按

16、下測(cè)試盒右下角的KV按鈕，紅色指示燈應(yīng)亮，然后撥動(dòng)ID/IR開(kāi)關(guān)(A、 B、C)使KV數(shù)字表所顯示的電壓在最大的一擋上，該電壓即為該可控硅的正向 VDSM值：釋放KV按鈕高壓將自動(dòng)關(guān)斷，再把測(cè)試盒+/極性開(kāi)關(guān)撥至端，再按下 KV按鈕紅色指示燈亮，KV數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的反向VRSM值。同一型號(hào)同一批次的可控硅測(cè)試時(shí)，ID/IR開(kāi)關(guān)只需調(diào)節(jié)一次，即可批雖測(cè)試，不 需要每個(gè)管子都去調(diào)節(jié)ID/IR開(kāi)關(guān)。不同型號(hào)、不同批終:、不同廠家的可控硅需在第 一次測(cè)試時(shí)撥動(dòng)ID/IR開(kāi)關(guān)至KV電壓在最大擋上。耳殳逆堀核參滋蚩B芻嘲谿) 違厘娶項(xiàng)匸正常情況下塑封可控硅的耐壓都在1200V以下，所以電壓調(diào)節(jié)

17、到 1200V 一般都能適用，對(duì)于耐壓大于1200V的可控硅測(cè)試時(shí)紅色指示燈就不會(huì)亮(也 應(yīng)該注意可控硅與插坐的接觸是否良好，若沒(méi)有接觸好紅色指示燈也不會(huì)亮)，這時(shí)可 以把電壓調(diào)節(jié)到1300V再測(cè)試，1300V基本上是測(cè)試座各引腳之間的耐壓極限很容易 產(chǎn)生引腳之間擊穿損壞，一般不建議采用。若有大于1200V電壓的，建議不用測(cè)試盒 測(cè)試耐壓，而直接用測(cè)試線夾可控硅的腳測(cè)量。5、可控硅光電耦合器VDSM/VRSM正、反向不重復(fù)峰值電壓的測(cè)試：測(cè)試前先把外接按鈕連接線從儀器背后的“外接按鈕”中接至測(cè)試盒右側(cè)的“外接按鈕”插孔，把rD/IR開(kāi)關(guān)撥在B、的位置，儀器面板上的VsnWrm開(kāi)關(guān)撥在Vsm 擋

18、上，按下高壓2KV量程開(kāi)關(guān)，再把高壓開(kāi)關(guān)撥至ON,順時(shí)針調(diào)節(jié)“高壓調(diào)節(jié)”旋 鈕使KV數(shù)字電壓表指示到1200V,然后關(guān)斷高壓開(kāi)關(guān)至OFF,這時(shí)KV電壓表顯示 仍為000o把測(cè)試盒中的1號(hào)（T1/K）插頭線插入儀器K （T1）接線柱中（高壓極），3號(hào) 插頭線插入儀器高壓輸出+接線柱，2號(hào)（G）插頭線浮空，測(cè)試盒左上角的開(kāi)關(guān)撥至 VSM/VRM,測(cè)試盒右上角的+、極性開(kāi)關(guān)先撥在+端。根據(jù)被測(cè)可控硅光耦的特性 插入對(duì)應(yīng)的插座組中：DIP6封裝的雙向可控硅光耦插入“C”組；DIP4封裝的雙向 可控硅光耦插入“B”組；DIP4封裝的單向可控硅光耦插入“A”組，并同時(shí)需把測(cè) 試盒左側(cè)面的RGK開(kāi)關(guān)撥至ON

19、o按下測(cè)試盒右下角的KV按鈕ID/IR所對(duì)應(yīng)的紅色 指示燈應(yīng)亮，KV數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的正向VDSM值：釋放KV按鈕高壓 將自動(dòng)關(guān)斷，再把測(cè)試盒+/極性開(kāi)關(guān)撥至端，再按下KV按鈕紅色指示燈亮，KV 數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的反向VRSM值。 有關(guān)注意事項(xiàng)同“4、”。6、螺栓型、模塊型單雙向可控硅VDSM/VRSM正、反向不重復(fù)峰值電壓的測(cè)試：測(cè)試前應(yīng)把儀器面板上的Vsm/Vrm開(kāi)關(guān)撥在Vsm擋上，按下高壓2KV量程開(kāi) 關(guān)，再把高壓開(kāi)關(guān)撥至ON,順時(shí)針調(diào)節(jié)“高壓調(diào)節(jié)”旋鈕使KV數(shù)字電壓表指示到大 于被測(cè)可控硅的耐壓值，（最大可以調(diào)節(jié)到1999V也沒(méi)有關(guān)系），然后關(guān)斷高壓開(kāi)關(guān)至 OFF,

20、這時(shí)KV電壓表顯示仍為000。測(cè)試螺栓型和模塊型可控硅的耐壓只需兩根測(cè)試線，把負(fù)測(cè)試線插入接線柱， 正測(cè)試線插入高壓輸出的+接線柱，先把正鱷魚(yú)夾夾住可控硅的A （T2）,負(fù)鱷魚(yú)夾夾 住可控硅的K（T1）,按下儀器右下角的高壓按鈕紅色指示燈亮，撥動(dòng)ID/IR開(kāi)關(guān)至電 壓讀數(shù)最大位置，KV數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的正向VDSM值；釋放髙壓按鈕 高壓將自動(dòng)關(guān)斷，再把兩鱷魚(yú)夾的極性轉(zhuǎn)換一下，再按下高壓按鈕紅色指示燈亮，KV 數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的反向VRSM值。同批次可控硅測(cè)試時(shí)ID/IR開(kāi)關(guān)只需 一次調(diào)節(jié)即可。7、正反向電壓：任何一只可控硅在測(cè)量耐壓時(shí)它的正反向電壓都是不一樣的，通過(guò)測(cè)試后必

21、須取 小的電壓值為該可控硅的實(shí)際測(cè)試結(jié)果。（一般情況下正向VDSM都小于反向VRSM）8、VSM和VRM的關(guān)系：VDRM/VRRM （VRM）是可控硅的標(biāo)稱電壓值，是可控硅在應(yīng)用時(shí)的一個(gè)很重要的參 數(shù)，直接關(guān)系到可控硅在應(yīng)用時(shí)的安全與可靠性能，按標(biāo)準(zhǔn)是轉(zhuǎn)折電壓（VDSM）減去 100V即為可控硅的標(biāo)稱屯壓（VDRM）,但不冋的生產(chǎn)廠家其內(nèi)控標(biāo)準(zhǔn)亦不一樣，也有采用VDSM X 0.8 = VDRM的，所以通過(guò)儀器的測(cè)試將會(huì)有不同的結(jié)果，可以直接反映 出可控硅生產(chǎn)廠家內(nèi)控標(biāo)準(zhǔn)的高低及質(zhì)量的好壞。本儀器中VSM和VRM關(guān)系為VRM二0.8VSM,如：測(cè)量某一可控硅的VDSM為1000V 時(shí)，切換儀器

22、中的VSM/VRM JF關(guān)至VRM時(shí)，電壓表即顯示800V （轉(zhuǎn)換誤差W2.5%）, 說(shuō)明該可控硅的VDRM為800V«例：MCR100-6可控硅的標(biāo)稱電壓（VDRM）為N 400V,實(shí)測(cè)VSM電壓應(yīng)大于 500V,開(kāi)關(guān)撥至VRM時(shí)電壓也應(yīng)大于400V,否則該可控硅的耐壓就不合格了。5、各類二極管、三極骨、達(dá)林頓管、整流橋、MOS場(chǎng)效應(yīng)管.IGBT、各種模塊 和壓敏電阻、穩(wěn)壓管、等電壓值的測(cè)試。一般把ID/IR開(kāi)關(guān)撥至C擋，VSM/VRM ff關(guān)撥至VSM擋，具體操作方法類同6。七、注意事項(xiàng):1、測(cè)試盒是測(cè)量塑封可控硅和可控硅光耦的重要工具，使用時(shí)應(yīng)倍加愛(ài)護(hù)，要盡 可能的延長(zhǎng)測(cè)試座的

23、使用壽命，測(cè)試盒不用時(shí)應(yīng)放至在干燥無(wú)灰塵的地方。2、高壓測(cè)試時(shí)盡可能使用KV按鈕上電，這樣比較安全，因?yàn)榘粹o釋放時(shí)高壓會(huì) 自動(dòng)關(guān)斷。3、測(cè)試螺錐型可控硅及模塊時(shí)應(yīng)把器件放置在絕緣板上。5、儀器使用完畢后應(yīng)把高壓調(diào)節(jié)反時(shí)針旋到低。八、附件1說(shuō)明書(shū)一份。3、測(cè)試盒一個(gè)。4、6、電源線一根。測(cè)試座備品總九1A保險(xiǎn)絲管三個(gè)。7、外接按鈕連接線一根。5、測(cè)試線三根?？煽毓钁?yīng)用技術(shù)網(wǎng)表1部分可控硅測(cè)量參數(shù)參考表僅供參考（SCR單向可控硅）型號(hào)ITVGTIGTRLIR/IDVDRM封裝MCR100-60.8AW 1.2 VW200uAB400VTO-92CR03AM0.3AW0.8V1-lOOuAB400-

24、600VTO-92BT1690.5AW0.8VW200uAA200-600VTO-92PCR4 060.5AW0.8VW200uAB*300-400VTO-92TICP1062AW IVW200uAB400-600VTO-92JCT011AW0.8V10-120uAB上A_600VTO-92C106D2.5AW0.8VW200uABq20Q-600VTO-126BT1517.5AW 1.5 VW 15mAA500-800VTO-2203CT4088AW 1.5 VW 15mAB400VTO-220TIC1063.2AW 1.2 VW200uABir400-800VTO-220TIC 1083.

25、2AW 1.2 V0.2-lmABV400-800VTO-220TIC1165AW 1.5 VW20mAB400-800VTO-220TICI267.5AW 1.5 VW20mABU vf400-800VTO-2202P4M2AW0.8VW200uAB400-600VTO-220JCT022AW0.8V10-120uAB600VTO-126FJCT055AW 1.2 Vl-12mAB0600VTO-220ABJCT088AW 1.2 Vl-12mAB600VTO-220ABJCTI010AW 1.5 V4-15mAB600VTO-220ABJCT1212AW L5V515mAB600VTO-2

26、20ABJCT1616AW 1.5 V5-15mABc r，600VTO-220ABJCT2020AW 1.5 V6-20mAB600VTO-220AB2N6504/916AW 1.5 VW30mAA,厶5O-8OOVTO-220k A（可控硅的型號(hào)繁多不能一一列入，未列型號(hào)的RL可根據(jù)表中同等電流原則的選?。┍?部分可控硅測(cè)量參數(shù)參考表僅供參考（TRIAC雙向可控硅）ITVGTIGT型號(hào)MAC97A60.6AW2VW 10mABT1311AW 1.5VW3mAJST6011AW 1.5VW 6mABT1344AW 1.5VW50mAJST6022AW L5VW 6mAJST6044AW 1.5VW 6mAJST6066AW 1.5VW 25mAJST6088AW 1.5VW25mAJST61010AW 1.5 VW25mAJST61212AW 1.5VW25mAJST61616AW 1.5VW 30mABT1364AW 1.5VW25mABT1378AW 1.5VW 50mABT138