選用電容一般原則

1、電容 從電路來說，總就是存在驅(qū)動得源與被驅(qū)動得負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大，驅(qū)動 電路要把電容充電、放電,才能完成信號得跳變，在上升沿比較陡山肖得時候，電 流比較大,這樣驅(qū)動得電流就會吸收很大得電源電流，山于電路中得電感，電阻 （特別就是芯片管腳上得電感,會產(chǎn)生反彈）,這種電流相對于正常情況來說實 際上就就是一種噪聲，會影響前級得正常工作。這就就是耦合。去藕電容就就是起到一個電池得作用，滿足驅(qū)動電路電流得變化，避免相互間 得耦合干擾。旁路電容實際也就是去藕合得，只就是旁路電容一般就是指高頻旁路,也就就 是給高頻得開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑、高頻旁路電容一般比較小，根 據(jù)諧振頻率一般就是0. l

2、u, 0. Olu等，而去耦合電容一般比較大，就是10u或者 更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動電流得變化大小來確定）旁路就是把輸入信號中得干擾作為濾除對象，而去耦就是把輸出信號得干擾作為濾除 對象，防止干擾信號返回電源。這應(yīng)該就是她們得本質(zhì)區(qū)別。去耦電容在集成電路電源與地之間得有兩個作用：一方面就是本集成電路得蓄 能電容，另一方面旁路掉該器件得高頻噪聲。數(shù)字電路中典型得去耦電容值就 是0o lu Fo這個電容得分布電感得典型值就是5 uHo 0. In F得去耦電容有 5 p H得分布電感，它得并行共振頻率大約在7MH Z左右，也就就是說，對于10 MHz以下得噪聲有較好得去耦效果，對40M

3、Hz以上得噪聲兒乎不起作用ol nF.10 u F得電容，并行共振頻率在2 0 MHz以上，去除高頻噪聲得效果要好一些、 每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10 uF左右。 最好不用電解電容，電解電容就是兩層薄膜卷起來得，這種卷起來得結(jié)構(gòu)在高 頻時表現(xiàn)為電感、要使用鋰電容或聚碳酸酯電容。去耦電容得選用并不嚴(yán)格， 可按 C= 1 /F,即 1 0MHz 取 0。1 u F, 100MHz 取 O.OluF。分布電容就是指山非形態(tài)電容形成得一種分布參數(shù)。一般就是指在印制板或其 她形態(tài)得電路形式，在線與線之間、印制板得上下層之間形成得電容。這種電 容得容量很小，但可能對電路

4、形成一定得影響、在對印制板進(jìn)行設(shè)計時一定要 充分考慮這種影響，尤其就是在工作頻率很高得時候、也成為寄生電容,制造時 一定會產(chǎn)生，只就是大小得問題。布高速PCB時,過孔可以減少板層電容，但會 增加電感。分布電感就是指在頻率提高時，因?qū)w自感而造成得阻抗增加、電容器選用及使用注意事項：1, 一般在低頻耦合或旁路，電氣特性要求較低時,可選用紙介、滌綸電容器;在 高頻高壓電路中,應(yīng)選用云母電容器或瓷介電容器;在電源濾波與退耦電路中， 可選用電解電容器。2, 在振蕩電路、延時電路、音調(diào)電路中，電容器容量應(yīng)盡可能與計算值一致、 在各種濾波及網(wǎng)（選頻網(wǎng)絡(luò)），電容器容量要求精確;在退耦電路、低頻耦合電路 中，

5、對同兩級精度得要求不太嚴(yán)格。3, 電容器額定電壓應(yīng)高于實際工作電壓，并要有足夠得余地，一般選用耐壓值 為實際工作電圧兩倍以上得電容器、4，優(yōu)先選用絕緣電阻高，損耗小得電容器,還要注意使用環(huán)境。電容得型號命名：1)備國電容器得型號命名很不統(tǒng)一,國產(chǎn)電容器得命名由四部分組成：介第一部分:用字母表示名稱，電容器 為C。第二部分:用字母表示材料。第三部分:用數(shù)字表示分類.第四部分:用數(shù)字表示序號。2a)電容得標(biāo)忐方法：(1)直標(biāo)法:用字母與數(shù)字把型號.規(guī)格直接標(biāo)在外殼上。 文字符號法:用數(shù)字.文字符號有規(guī)律得組合來表示容雖。文字符號表示其電容雖得譏位:K N、u、nu F等、與電阻得表示方法相同。標(biāo)稱

6、允許偏差也與電阻得表示方法相同。小于10pF得電容其允許偏差用 字母代替:B ±OlpF.C一±0。2pED一一±0。5pF.F一土 IpF。( 3 )色標(biāo)法:與電阻得表示方法 相同,W位一般為pF。小型電解電容器得耐圧也有用色標(biāo)法得位置整近正極引岀線得根部，所表示得總義如 下表所示：人顏色 黑棕 紅橙黃 綠藍(lán) 紫灰人耐壓4V6. 3V10V16V 25V32V40V50V63V a(4) 進(jìn)口電容器得標(biāo)志方法:進(jìn)口電容器一般有6項組成。第一項:用字母表示類別：第二項:用兩位數(shù)字表示其外形.結(jié)構(gòu)、封裝方式、引線開始及與軸得關(guān)系。幾第三項:溫度補(bǔ)償型電容辭得 溫度特

7、性，有用字母得也有用顏色得其意義如下表所示：序號 字母顏色 溫度系數(shù)允許偏差字母 顏色溫度系數(shù)允許偏差1 A 金 +100R 黃 一220 2鼻 B 灰 +30 S 綠一3303 C 黑 0T 藍(lán) 一470 4 G 土30U 紫一7505 H 棕一30 土60V- 1 000 6 J 土 120 W -1500 7 K ±250X 22008 1.紅8 0 ±500Y330 09 M ± 1000Z-470010N ±2500 SL + 3 50一 1 000 »11 P 橙 J50YN 8 0 0-58 0 0備注:溫度系數(shù)得取位IOe g允

8、許偏差就是%。從第四項:用數(shù)字與字母表示耐壓，字母代表有效數(shù) 值數(shù)字代表被乘數(shù)得I 0得探.幾第五項:標(biāo)稱容雖用三位數(shù)字表示前兩位為有效數(shù)值第三為就是10得 幕。旳有小數(shù)時用R或P表示。普通電容器得單位就是pF電解電容器得單位就是u氏第六項:允許偏差。用一個字母表示總義與國產(chǎn)電容器得相同、人也有用色標(biāo)法得總:義與國產(chǎn)電容器得標(biāo) 志方法相同。攵電容得主要特性參數(shù)：(1)容量與誤差:實際電容址與標(biāo)稱電容址允許得最大偏差范困、一般分為3級:1級±5%,11級±10%II I級 ±2 0%、在有些情況下，還有0級誤差為土2 0%. »精密電容器得允許誤差較小而電

9、解電容器得誤差較 大它們采用不同得誤差等級。常用得電容器其精度等級與電阻器得表示方法相同。州字母表示:D005級一±0.5%:F-01級一一 土 1%:G0 2 級一一±2%;J-1 級一-±5%;KI I 級一±10%：MIII 級一一±2 0 %. 做2) 額定工作電壓:電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定.可靠匚作所承受得最大直流電壓，又稱耐壓、對于結(jié)構(gòu)、介 質(zhì).容量相同得器件耐壓越商體枳越大。列3)溫度系數(shù):在一定溫度范碉內(nèi)溫度每變化l'C電容雖得相對 變化值。溫度系數(shù)越小越好.(4) 絕緣電阻:用來表明漏電大小得。一般小容雖得電容絕緣電

10、阻很大，在幾百兆歐姆或幾干兆歐姆。電解電 容得絕緣電阻一般較小。相對而言絕緣電陰越大越好漏電也小。(5) 損耗:在電場得作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗得能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗與金屬損 耗。通常用損耗角正切值來表示。(6) 頻率特性:電容器得電參數(shù)隨電場頻率而變化得性質(zhì)、在高頻條件下匸作得電容湍由于介電常數(shù)在高 頻時比低頻時小電容量也相應(yīng)減小.損耗也隨頻率得升商而增加。另外，在商頻工作時電容器得分布參數(shù). 如極片電阻、引線與極片間得電阻.極片得自身電感、引線電感等,都會影響電容器得性能.所有這些，使得 電容器得使用頻率受到限制。不同品種得電容器最商使用頻率不同。小型云僚電容器在2

11、50MH Z以內(nèi):圓片型瓷介電容器為300MHZ: 圓管型瓷介電容器為2 0 OMHZ:圓盤型瓷介可達(dá)3 000M HZ:小型紙介電容器為80MHZ:中型紙介電容辭只 有8MH乙單片陶瓷電容希(通稱貼片電容)就是目前用雖比較大得常用元件就AVX公司生產(chǎn)得貼片電容來講有NPO. X7 R、Z5U. Y5V等不同得規(guī)格，不同得規(guī)格有不同得用途。下面我們僅就常用斜N PO、X7R、Z5U與 Y5V來介紹一下它們得性能與應(yīng)用以及采購中應(yīng)注意得訂貨爭項以引起大家得注總°不同得公司對于上述 不同性能得電容器可能有不同得命名方法這里我們引用得就是AVX公司得命名方法其她公司得產(chǎn)品請 參照該公司得產(chǎn)

12、品手冊。NPO、X7R、Z5U與Y5V得主要區(qū)別就是它們得填充介質(zhì)不同、在相同得體枳下由于填充介質(zhì)不同所組 成得電容器得容址就不同隨之帶來得電容器得介質(zhì)損耗.容址穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng) 根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同得電容器。-一 NPO電容器鼻NPO就是一種最常用得具有溫度補(bǔ)償持性得單片陶瓷電容器、它得填充介質(zhì)就是由鈿、 侈與一些其它稀有氧化物組成得、鼻NPO電容器就是電容量與介質(zhì)損耗最穩(wěn)定得電容器之一。在溫度從一 55-C到+1 25°C時容址變化為0士 30ppm/°C.電容雖隨頻率得變化小于土 0。3 AC。NPO電容得漂移 或滯后小于

13、7;0.05%相對大于±2%得薄膜電容來說就是可以忽略不汁得.其典型得容雖相對使用壽命得變 化小于士0、1%O NPO電容器隨封裝形式不同其電容量與介質(zhì)損耗隨頻率變化得特性也不同大封裝尺寸得 要比小対裝尺寸得頻率特性好.下表給出了 NPO電容器可選収得容址范圍。封裝 DC = 50V DC=100V 0805a 0.5一1 0 0 OpF05820pF12 0 6 0c 5- 1 200pF 0。5-一 18 00pF 鼻 1 2 1 0 560-5 6 00pF 5 60 -2700pF 亠 2225 100 0 p F0. 0 33 nF 1 0 OOpF0。018 m FNPO

14、電容器適合用于振蕩器、諧振器得槽路電容以及島頻電路中得耦合電容。二X 7 R電容器AX 7R電容器被稱為度穩(wěn)定型得陶瓷電容器、“|溫度在一 55C到+125C時其容雖變 化為1 5%需要注意得就是此時電容器容量變化就是非線性得。X7R電容器得容雖在不同得電壓與頻率條件下就是不同得，它也隨時間得變化而變化，大約每10年變化1% ：表現(xiàn)為1 0年變化了約5%oX7R電容器主要應(yīng)用于要求不商得匸業(yè)應(yīng)用而且半電壓變化時其容雖變化就是可以接受得條件下、它得主 要特點就是在相同得體枳下電容址可以做得比較大、下表給出rX7R電容器可選収得容址范隔。封裝 DC=5 0V D C= 100V0 8 05 330

15、pFo 05 6 u F 330pF一0.012uF1206 10 0 OpF0. 1 5 u F lOOOpF-0。047 u F 1210 lOOOpF-0o 22 nF 1000 pF-一一0. 1 u FJ2250 x 0 1 mF1 uF 0.01 u F一0. 56 u F 鼻三Z5U電容湍 迄5U電容器稱為“通用"陶瓷單片電容器、這里首先需?？际赖镁褪鞘褂脺囟确斗珜Ω?Z5U電容器主要得就是它得小尺寸與低成木。對于上述三種陶瓷的片電容起來說在相同得體枳下Z5U電 容器有最大得電容量C但它得電容址受環(huán)境與工作條件影響較大，它得老化率最大可達(dá)每10年下降5%。 a盡管它得容

16、雖不穩(wěn)定由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)與等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好得頻率響應(yīng), 使其具有廣泛得應(yīng)用范尤其就是在退耦電路得應(yīng)用中。下表給出fZ5U ill容器得取值范困。鼻 封裝 DC=2 5 V D C=50V0805 0.0 I pF0. 12uF0。01 u F0° 1 mF1206 0 o 01 u F0. 33 u F 0.0 1 uF0、27 u F1 2 10 0.0 1 u F0、6 8 u F 0.0 1 u F0。4 7 u F 222攵 0 01 mF1 u F 0。01 uF-1 u F aZ5U電容器得其她技術(shù)抬標(biāo)如下：A匸作溫度范困+ 1 O'C 一一 + 8 5C溫度特性+22% - 56%鼻介質(zhì)損耗 最大4%四Y5 V電容器Y5V電容器就是一種有一定溫度限制得通用電容器在.3 0C到8 5 °C范用內(nèi)其容：g變化可達(dá)+ 2 2 %到一 82%、Y5V得高介電常數(shù)允許在較小得物理尺寸下制造