第2章二極管及其典型應用

1、1/137電子技術（模擬部分）2/137北京市精品課程教學網(wǎng)站3/jxjd/moniliu/wl/index.html3/137l平時平時 1010分分l研究報告研究報告 1010分分l實驗實驗 1515分分l期中考試期中考試 1515分分 l期末考試期末考試 5050分分考核方法考核方法下周各自然班班長到九教五樓電子實驗室找佟老師下周各自然班班長到九教五樓電子實驗室找佟老師商量本學期電子實驗的安排。商量本學期電子實驗的安排。4/137答疑答疑l平時答疑時間：自定平時答疑時間：自定 l期末答疑時間：待定期末答疑時間：待定5/137第第1章章 緒論緒論一、基

2、本概念一、基本概念二、模擬電子技術課程特點二、模擬電子技術課程特點三、電子技術主要應用三、電子技術主要應用四、電子技術的發(fā)展四、電子技術的發(fā)展6/137一、基本概念電子器件：電子器件：組成電子電路的基本物理單元叫做電組成電子電路的基本物理單元叫做電子器件，簡稱器件。器件有分立器件和集成電路子器件，簡稱器件。器件有分立器件和集成電路器件兩種。器件兩種。7/137l 電子電路：電子電路：由電子器件按一定規(guī)律和要求組成的由電子器件按一定規(guī)律和要求組成的系統(tǒng)叫做電子電路系統(tǒng)叫做電子電路(或簡稱電路或簡稱電路)，電路可以實現(xiàn)一，電路可以實現(xiàn)一定的功能。定的功能。l 電子技術概念：電子技術概念：研究電子器

3、件與電路系統(tǒng)分研究電子器件與電路系統(tǒng)分析、設計、制造的工程實用技術。析、設計、制造的工程實用技術。8/137電子電路分類：電子電路分類：模擬電子電路和數(shù)字電子電路。模擬電子電路和數(shù)字電子電路。模擬電路：模擬電路：對模擬量進行處理的電路，最基本的對模擬量進行處理的電路，最基本的處理是放大。處理是放大。數(shù)字電路數(shù)字電路：對數(shù)字量進行處理的電路。：對數(shù)字量進行處理的電路。9/137電子技術分類電子技術分類模擬電子技術模擬電子技術數(shù)字電子技術數(shù)字電子技術低頻模擬電子技術低頻模擬電子技術高頻模擬電子技術高頻模擬電子技術電子技術的基礎知識電子技術的基礎知識: (1)電路理論電路理論(2)信號與系統(tǒng)理論。信

4、號與系統(tǒng)理論。模擬電子技術：模擬電子技術：研究模擬電子器件與系統(tǒng)分析、設研究模擬電子器件與系統(tǒng)分析、設計、制造的工程實用技術。計、制造的工程實用技術。數(shù)字電子技術數(shù)字電子技術：研究數(shù)字電子器件與系統(tǒng)分析、設：研究數(shù)字電子器件與系統(tǒng)分析、設計、制造的工程實用技術。計、制造的工程實用技術。10/1371規(guī)律性規(guī)律性2非線性非線性3工程性工程性4實踐性實踐性二、模擬電子技術課程特點二、模擬電子技術課程特點11/137應用領域應用領域 Application area1通信系統(tǒng)通信系統(tǒng) Telecommunication System2控制系統(tǒng)控制系統(tǒng) Control System3測試系統(tǒng)測試系統(tǒng)

5、Testing System4計算機計算機 Computers5例如家用電器例如家用電器 Family Electronic6農(nóng)業(yè)機械農(nóng)業(yè)機械 Agriculture Machine7生物醫(yī)學工程生物醫(yī)學工程 Biomedical Engineering8航空航天技術航空航天技術 Spaceflight and Airplane9現(xiàn)代智能交通（現(xiàn)代智能交通（ITS）三、電子技術的應用三、電子技術的應用諾利刀諾利刀 12/137四、電子技術的發(fā)展l1904年：第一只真空二極年：第一只真空二極電子管電子管、 電子學誕生。電子學誕生。 l19471947年：貝爾實驗室制成第一只年：貝爾實驗室制成第一

6、只晶體管晶體管l19581958年：集成電路年：集成電路ICICl19691969年：大規(guī)模集成電路年：大規(guī)模集成電路LSILSIl19751975年：超大規(guī)模集成電路年：超大規(guī)模集成電路VLSI VLSI （10105 5）13/137第第1 1章章 結(jié)束結(jié)束14/137第第2章章 二極管及其典型應用二極管及其典型應用2.1 2.1 半導體基礎知識半導體基礎知識2.2 2.2 PN結(jié)結(jié)2.3 2.3 二極管二極管2.4 2.4 二極管典型應用二極管典型應用2.5 2.5 二極管電路分析二極管電路分析15/137一、半導體的特性一、半導體的特性二、本征半導體二、本征半導體三、雜質(zhì)半導體三、雜質(zhì)

7、半導體16/137 何謂半導體？何謂半導體？物體分類物體分類導體導體 導電率為導電率為10105 5s.cms.cm-1-1，量級，如金屬量級，如金屬絕緣體絕緣體 導電率為導電率為1010-22-22-10-10-14 -14 s.cms.cm-1-1量級，量級，如：橡膠、云母、塑料等。如：橡膠、云母、塑料等。 導電能力介于導體和絕緣體之間。導電能力介于導體和絕緣體之間。如：硅、鍺、砷化鎵等。如：硅、鍺、砷化鎵等。半導體半導體 半導體特性半導體特性摻入雜質(zhì)則導電率增加幾百倍摻入雜質(zhì)則導電率增加幾百倍摻雜特性摻雜特性半導體器件半導體器件溫度增加使導電率大為增加溫度增加使導電率大為增加溫度特性溫度

8、特性熱敏器件熱敏器件光照不僅使導電率大為增加還可以產(chǎn)生電動勢光照不僅使導電率大為增加還可以產(chǎn)生電動勢光照特性光照特性光敏器件光敏器件光電器件光電器件導電率單位：西門子導電率單位：西門子/米（米（S/m)17/137本征半導體本征半導體完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體稱為本征半導體。完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體稱為本征半導體。純度：純度：99.9999999%，“九個九個9”它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。常用的本征半導體常用的本征半導體晶體特征晶體特征在晶體中，質(zhì)點的排列有一定的規(guī)律。在晶體中，質(zhì)點的排列有一定的規(guī)律。硅、鍺硅、鍺18/137硅原子結(jié)構(gòu)硅原子結(jié)構(gòu)鍺原子結(jié)

9、構(gòu)鍺原子結(jié)構(gòu)+4硅（鍺）的原子結(jié)構(gòu)簡化模型硅（鍺）的原子結(jié)構(gòu)簡化模型價電子價電子正離子正離子19/137鍺晶體的共價鍵結(jié)構(gòu)示意圖鍺晶體的共價鍵結(jié)構(gòu)示意圖 半導體能帶結(jié)構(gòu)示意圖半導體能帶結(jié)構(gòu)示意圖價帶中留下的空位稱為價帶中留下的空位稱為空穴空穴導帶導帶自由電子定向移動自由電子定向移動形成形成電子流電子流 本征半導體的原子結(jié)構(gòu)和共價鍵結(jié)構(gòu)本征半導體的原子結(jié)構(gòu)和共價鍵結(jié)構(gòu)+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價鍵內(nèi)的電子共價鍵內(nèi)的電子稱為稱為束縛電子束縛電子價帶價帶禁帶禁帶EG外電場外電場E束縛電子填補空穴的束縛電子填補空穴的定向移動形成定向移動形成空穴流空穴流掙脫原子核束縛的電子掙脫原子核束縛的電

10、子稱為稱為自由電子自由電子20/1371. 本征半導體中有兩種載流子本征半導體中有兩種載流子 自由電子和空穴自由電子和空穴 ,成對出現(xiàn)。成對出現(xiàn)。2. 在外電場的作用下，產(chǎn)生電流在外電場的作用下，產(chǎn)生電流 電子流和空穴流電子流和空穴流電子流電子流自由電子作定向運動形成的自由電子作定向運動形成的與外電場方向相反與外電場方向相反自由電子始終在導帶內(nèi)運動自由電子始終在導帶內(nèi)運動空穴流空穴流價電子遞補空穴形成的價電子遞補空穴形成的與外電場方向相同與外電場方向相同始終在價帶內(nèi)運動始終在價帶內(nèi)運動3. 本征半導體在熱力學溫度和沒有外界能量激發(fā)下，不導電。本征半導體在熱力學溫度和沒有外界能量激發(fā)下，不導電。

11、載流子載流子運載電荷的粒子稱為載流子。如自由電子和空穴。運載電荷的粒子稱為載流子。如自由電子和空穴。21/137雜質(zhì)半導體雜質(zhì)半導體摻入雜質(zhì)的本征半導體。摻入雜質(zhì)的本征半導體。摻雜后半導體的導電率大為提高。摻雜后半導體的導電率大為提高。 摻入的三價元素如摻入的三價元素如B（硼）、（硼）、Al（鋁）（鋁）等，形成等，形成P型半導體，也稱空穴型半導體。型半導體，也稱空穴型半導體。 摻入的五價元素如摻入的五價元素如P（磷）（磷） 、砷等，、砷等，形成形成N型半導體，也稱電子型半導體。型半導體，也稱電子型半導體。22/137 N型半導體型半導體+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5+5在本征半導體中

12、摻入的五價元素如在本征半導體中摻入的五價元素如P。自由電子是多子自由電子是多子空穴是少子空穴是少子雜質(zhì)原子提供雜質(zhì)原子提供由熱激發(fā)形成由熱激發(fā)形成由于五價元素很容易貢獻電由于五價元素很容易貢獻電子，因此將其稱為子，因此將其稱為施主雜質(zhì)。施主雜質(zhì)。施主雜質(zhì)因提供自由電子而施主雜質(zhì)因提供自由電子而帶正電荷成為帶正電荷成為正離子。正離子。23/137 P型半導體型半導體+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3+3在本征半導體中摻入的三價元素如在本征半導體中摻入的三價元素如B。自由電子是少子自由電子是少子空穴是多子空穴是多子雜質(zhì)原子提供雜質(zhì)原子提供由熱激發(fā)形成由熱激發(fā)形成因留下的空位因留下的空位(穴穴

13、)很容易很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為為負離子。負離子。三價雜質(zhì)三價雜質(zhì) 因因而也稱為而也稱為受主雜質(zhì)受主雜質(zhì)。24/13725/137P區(qū)區(qū)N區(qū)區(qū)擴散運動擴散運動載流子載流子從從濃度濃度大大向濃度向濃度小小的區(qū)域的區(qū)域擴散擴散,稱稱擴散運動擴散運動形成的電流成為形成的電流成為擴散電流擴散電流內(nèi)電場內(nèi)電場內(nèi)電場內(nèi)電場阻礙多子阻礙多子向?qū)Ψ降南驅(qū)Ψ降臄U散擴散即即阻礙擴散運動阻礙擴散運動同時同時促進少子促進少子向?qū)Ψ较驅(qū)Ψ狡破萍醇创龠M了漂移運動促進了漂移運動擴散運動擴散運動=漂移運動時漂移運動時達到達到動態(tài)平衡動態(tài)平衡耗盡層耗盡層=PN結(jié)結(jié)26/137內(nèi)電場阻止多子擴散內(nèi)

14、電場阻止多子擴散 因濃度差因濃度差多子的擴散運動多子的擴散運動雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場內(nèi)電場促使少子漂移內(nèi)電場促使少子漂移擴散運動擴散運動多子從濃度大向濃度小的區(qū)域擴散多子從濃度大向濃度小的區(qū)域擴散, 稱擴散運動。稱擴散運動。擴散運動產(chǎn)生擴散電流。擴散運動產(chǎn)生擴散電流。漂移運動漂移運動少子向?qū)Ψ狡粕僮酉驅(qū)Ψ狡?稱漂移運動。稱漂移運動。漂移運動產(chǎn)生漂移電流。漂移運動產(chǎn)生漂移電流。動態(tài)平衡動態(tài)平衡擴散電流擴散電流= =漂移電流，漂移電流，PNPN結(jié)內(nèi)總電流結(jié)內(nèi)總電流=0=0。PN PN 結(jié)結(jié)穩(wěn)定的空間電荷區(qū)穩(wěn)定的空間電荷區(qū)，又稱高阻區(qū)

15、，又稱高阻區(qū)，也稱耗盡層。，也稱耗盡層。27/137 U 內(nèi)電場的建立，使內(nèi)電場的建立，使PNPN結(jié)中產(chǎn)生電結(jié)中產(chǎn)生電位差。從而形成接觸電位位差。從而形成接觸電位U 。 接觸電位接觸電位U 決定于材料及摻雜濃度決定于材料及摻雜濃度硅：硅： U =0.7 V=0.7 V鍺：鍺： U =0.2 V=0.2 V 其電位差用其電位差用 表示表示28/1371. PN1. PN結(jié)加正向電壓時的導電情況結(jié)加正向電壓時的導電情況 外電場方向與外電場方向與PN結(jié)內(nèi)結(jié)內(nèi)電場方向相反，削弱了內(nèi)電場方向相反，削弱了內(nèi)電場。電場。 于是內(nèi)電場對多子擴于是內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散散運動的阻礙減弱，擴散電流加

16、大。電流加大。 擴散電流遠大于漂移擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的電流，可忽略漂移電流的影響。影響。 PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性，處結(jié)呈現(xiàn)低阻性，處于導通狀態(tài)。于導通狀態(tài)。P區(qū)的電位高于區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加區(qū)的電位，稱為加正向電壓正向電壓，簡稱，簡稱正偏正偏；內(nèi)內(nèi)外外29/1372. PN2. PN結(jié)加反向電壓時的導電情況結(jié)加反向電壓時的導電情況 外電場與外電場與PN結(jié)內(nèi)電場方結(jié)內(nèi)電場方向相同，增強內(nèi)電場。向相同，增強內(nèi)電場。 內(nèi)電場對多子擴散運動內(nèi)電場對多子擴散運動阻礙增強，擴散電流大大減阻礙增強，擴散電流大大減小。少子在內(nèi)電場的作用下小。少子在內(nèi)電場的作用下形成的漂移電流加大。形成

17、的漂移電流加大。 此時此時PN結(jié)區(qū)少子漂移電結(jié)區(qū)少子漂移電流大于擴散電流，可忽略擴流大于擴散電流，可忽略擴散電流。散電流。 PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性，近似結(jié)呈現(xiàn)高阻性，近似認為截止狀態(tài)。認為截止狀態(tài)。P區(qū)的電位低于區(qū)的電位低于N區(qū)的電位，稱為加區(qū)的電位，稱為加反向電壓反向電壓，簡稱，簡稱反偏反偏；內(nèi)內(nèi)外外30/137 由此可以得出結(jié)論：由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。結(jié)具有單向?qū)щ娦浴Ｐ〗Y(jié)：小結(jié)： PN結(jié)加正向電壓時，呈結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流；擴散電流； PN結(jié)加反向電壓時，呈結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向現(xiàn)高電阻，具有很小的反向

18、漂移電流。漂移電流。31/137PN結(jié)兩端的電壓與結(jié)兩端的電壓與流過流過PN結(jié)電流的關系式結(jié)電流的關系式式中式中 Is 飽和電流飽和電流; UT = kT/q 等效電壓等效電壓 k 波爾茲曼常數(shù)；波爾茲曼常數(shù)；q為電子的電量；為電子的電量； T=300k（室溫）時（室溫）時 UT= 26mv由半導體物理可推出：由半導體物理可推出： 當加反向電壓時：當加反向電壓時： 當加正向電壓時：當加正向電壓時：(UUT)3. PN結(jié)電流方程結(jié)電流方程1DTuUDSiIeDTuUDSiI eDSiI 32/1371DTuUDSiIe 當加反向電壓時：當加反向電壓時： 當加正向電壓時：當加正向電壓時：(UUT)

19、DTuUDSiI eDSiI 33/137反向擊穿：反向擊穿： PN結(jié)上所加的反向電壓達到某一數(shù)值時，反向電結(jié)上所加的反向電壓達到某一數(shù)值時，反向電流激增的現(xiàn)象。流激增的現(xiàn)象。雪崩擊穿雪崩擊穿當反向電壓增高時，當反向電壓增高時，少子獲得能量高速運動，在少子獲得能量高速運動，在空間電荷區(qū)與原子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生碰撞電離。形空間電荷區(qū)與原子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生碰撞電離。形成連鎖反應，象雪崩一樣。使反向電流激增。成連鎖反應，象雪崩一樣。使反向電流激增。齊納擊穿齊納擊穿當反向電壓較大時，強電場直接從共價鍵中將電當反向電壓較大時，強電場直接從共價鍵中將電子拉出來，形成大量載流子子拉出來，形成大量載流子, ,使反向

20、電流激增。使反向電流激增。擊穿是可逆。摻雜濃度擊穿是可逆。摻雜濃度小小的二極管容易發(fā)生。的二極管容易發(fā)生。擊穿是可逆。摻雜濃度擊穿是可逆。摻雜濃度大大的二極管容易發(fā)生。的二極管容易發(fā)生。不可逆擊穿不可逆擊穿 熱擊穿。熱擊穿。 PN結(jié)的電流或電壓較大，使結(jié)的電流或電壓較大，使PN結(jié)耗散功率超過極限值，使結(jié)溫結(jié)耗散功率超過極限值，使結(jié)溫升高，導致升高，導致PN結(jié)過熱而燒毀。結(jié)過熱而燒毀。34/137 勢壘勢壘電容電容CB 當外加電壓不同時，耗盡層的電荷量隨外加電壓的變當外加電壓不同時，耗盡層的電荷量隨外加電壓的變化而增多或減少，與電容的充放電過程相同。耗盡層寬窄化而增多或減少，與電容的充放電過程相

21、同。耗盡層寬窄變化所等效的電容為變化所等效的電容為勢壘電容。勢壘電容。35/137 擴散電容是由多子擴散后，在擴散電容是由多子擴散后，在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。因形成的。因PN結(jié)正偏時，由結(jié)正偏時，由N區(qū)擴散到區(qū)擴散到P區(qū)的電子，與外電區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就源提供的空穴相復合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。分布曲線。注意：注意：勢壘電容和擴散電容勢壘電容和擴散電容均是非線性電容均是非線性電容, ,并同時存并同時存

22、在。外加電壓變化緩慢時可在。外加電壓變化緩慢時可以忽略，但是變化較快時不以忽略，但是變化較快時不容忽略。容忽略。 擴散擴散電容電容CD 在外加電壓變化的情況在外加電壓變化的情況下，下，P、N區(qū)少子濃度的分區(qū)少子濃度的分布將發(fā)生變化，擴散區(qū)內(nèi)電布將發(fā)生變化，擴散區(qū)內(nèi)電荷的積累與釋放過程與電容荷的積累與釋放過程與電容充放電過程相同，這種電容充放電過程相同，這種電容等效為擴散電容。等效為擴散電容。36/137 PN結(jié)的光電效應結(jié)的光電效應 PN結(jié)用導線連接成回路時，載流子面臨結(jié)用導線連接成回路時，載流子面臨PN結(jié)勢壘的阻結(jié)勢壘的阻擋，在回路中不產(chǎn)生電流。當有光照射擋，在回路中不產(chǎn)生電流。當有光照射P

23、N結(jié)材料上時，若光結(jié)材料上時，若光子能量大于半導體的禁帶寬度，則在子能量大于半導體的禁帶寬度，則在PN結(jié)的耗盡區(qū)、結(jié)的耗盡區(qū)、P區(qū)、區(qū)、N區(qū)內(nèi)產(chǎn)生光生的電子區(qū)內(nèi)產(chǎn)生光生的電子-空穴對，耗盡區(qū)內(nèi)的載流子在內(nèi)建場空穴對，耗盡區(qū)內(nèi)的載流子在內(nèi)建場的作用下電子迅速移向的作用下電子迅速移向N區(qū)，孔穴移向區(qū)，孔穴移向P區(qū)，在回路內(nèi)容形成區(qū)，在回路內(nèi)容形成光電流，而光電流，而P、N區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光子無內(nèi)建電場的作用只進行自區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光子無內(nèi)建電場的作用只進行自由的擴散運動，對光電流基本沒有貢獻。由的擴散運動，對光電流基本沒有貢獻。DEDDRLUDIP注意：注意：為了充分利用在為了充分利用在PN結(jié)各區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光生

24、結(jié)各區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光生載流子，載流子，PN結(jié)需加適當結(jié)需加適當?shù)姆聪蚱珘骸５姆聪蚱珘骸?7/137 PNPN結(jié)的電致發(fā)光結(jié)的電致發(fā)光 如果在如果在PN結(jié)加正偏電壓結(jié)加正偏電壓U，外電場將消弱內(nèi)建電場對，外電場將消弱內(nèi)建電場對載流子擴散的阻擋作用。在外加電場滿足一定條件下，載流子擴散的阻擋作用。在外加電場滿足一定條件下，注入到耗盡區(qū)內(nèi)的電子和空穴通過輻射復合而產(chǎn)生光子注入到耗盡區(qū)內(nèi)的電子和空穴通過輻射復合而產(chǎn)生光子的速率將大于材料對光子的吸收速率，從而在半導體內(nèi)的速率將大于材料對光子的吸收速率，從而在半導體內(nèi)產(chǎn)生光增益。產(chǎn)生光增益。UD38/137一、一、二極管的結(jié)構(gòu)類型二極管的結(jié)構(gòu)類型二、二、二極

25、管的特性曲線二極管的特性曲線三、三、二極管的等效電路二極管的等效電路四、穩(wěn)壓二極管四、穩(wěn)壓二極管五、五、變?nèi)葑內(nèi)荻O管二極管六、肖特基二極管六、肖特基二極管七、七、光電二極管光電二極管八、發(fā)光二極管八、發(fā)光二極管九、二極管的典型應用九、二極管的典型應用39/137一、一、二極管的結(jié)構(gòu)類型二極管的結(jié)構(gòu)類型在在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分二極管按結(jié)構(gòu)分點接觸型點接觸型面接觸型面接觸型平面型平面型PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路用于檢波和變頻等高頻電路PN結(jié)面積大，用結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路

26、于工頻大電流整流電路往往用于集成電路制造工藝中。往往用于集成電路制造工藝中。PN 結(jié)面積結(jié)面積可大可小可大可小，用于高頻整流和開關電路中。用于高頻整流和開關電路中。P N40/137伏安特性：伏安特性：是指二極管兩是指二極管兩端電壓端電壓和流過二極管和流過二極管電流電流之間的關系。之間的關系。由由PN結(jié)電流方程求出理想的伏安特性曲線，結(jié)電流方程求出理想的伏安特性曲線，PN結(jié)電流方程為：結(jié)電流方程為：DTDS1uUiIe二、二、二極管的特性曲線二極管的特性曲線41/137 晶體晶體二極管的伏安特性二極管的伏安特性1 1. .正向起始部分存在一正向起始部分存在一個死區(qū)或門坎，稱個死區(qū)或門坎，稱為為門限電壓門限電壓。 硅：硅：Ur=0.5-0.6V Ur=0.5-0.6V 鍺：鍺：Ur=0.1-0.2VUr=0.1-0.2V2.2.加反向電壓時，反向加反向電壓時，反向電流很小。電流很小。 即即I Is s硅硅(nA)(nA)Uz穩(wěn)壓工作原理：穩(wěn)壓工作原理：ui不變，負載減小，則不變，負載減小，則IL增大，增大，RL兩端電壓兩端電壓減小一個微量將使減小一個微量