晶體管的開關(guān)特性課件

1、晶體管的開關(guān)特性PPT課件 晶體管的開關(guān)特性PPT課件l開關(guān)晶體管開關(guān)原理開關(guān)晶體管開關(guān)原理 （靜態(tài)特性）（靜態(tài)特性）l晶體管到開關(guān)過程晶體管到開關(guān)過程 （延遲過程、上升過程、（延遲過程、上升過程、 超量?jī)?chǔ)存電荷消失過程、超量?jī)?chǔ)存電荷消失過程、 下降過程）下降過程）l l 晶體管的開關(guān)時(shí)間及減小的方法晶體管的開關(guān)時(shí)間及減小的方法晶體管的開關(guān)特性PPT課件 晶體管（晶體管（transistor，是轉(zhuǎn)換電阻，是轉(zhuǎn)換電阻transfer resistor的縮寫）是一個(gè)多重結(jié)的半導(dǎo)體器件。通常的縮寫）是一個(gè)多重結(jié)的半導(dǎo)體器件。通常晶體管會(huì)與其他電路器件整合在一起，以獲得電壓、晶體管會(huì)與其他電路器件整合

2、在一起，以獲得電壓、電流或是信號(hào)功率增益。電流或是信號(hào)功率增益。雙極型晶體管雙極型晶體管（bipolar transistor），或稱），或稱雙極結(jié)型晶體管雙極結(jié)型晶體管（bipolar junction transistor，BJT），是最重要的半導(dǎo)體器件），是最重要的半導(dǎo)體器件之一，在高速電路、模擬電路、功率放大等方面具之一，在高速電路、模擬電路、功率放大等方面具有廣泛的應(yīng)用。雙極型器件是一種電子與空穴皆參有廣泛的應(yīng)用。雙極型器件是一種電子與空穴皆參與導(dǎo)電過程的半導(dǎo)體器件，與只由一種載流子參與與導(dǎo)電過程的半導(dǎo)體器件，與只由一種載流子參與傳導(dǎo)的傳導(dǎo)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管不同。（場(chǎng)效應(yīng)晶體

3、管將在第不同。（場(chǎng)效應(yīng)晶體管將在第七、八兩章中進(jìn)行討論。）七、八兩章中進(jìn)行討論。）晶體管的開關(guān)特性PPT課件 在在放大電路放大電路中，晶體管是一個(gè)優(yōu)良的放大元件，工作中，晶體管是一個(gè)優(yōu)良的放大元件，工作在放大區(qū)域。在在放大區(qū)域。在開關(guān)電路開關(guān)電路中，晶體管作為優(yōu)良的開關(guān)元件中，晶體管作為優(yōu)良的開關(guān)元件而被廣泛使用在計(jì)算機(jī)和自動(dòng)控制領(lǐng)域中，此時(shí)晶體管工而被廣泛使用在計(jì)算機(jī)和自動(dòng)控制領(lǐng)域中，此時(shí)晶體管工作在截止區(qū)（斷開）或飽和區(qū)（接通），從而在電路中起作在截止區(qū)（斷開）或飽和區(qū)（接通），從而在電路中起到開關(guān)的作用。到開關(guān)的作用。 晶體管的開關(guān)特性包括兩部分，一部分是晶體管處于晶體管的開關(guān)特性包括兩

4、部分，一部分是晶體管處于開態(tài)和關(guān)態(tài)時(shí)端電流電壓間的開態(tài)和關(guān)態(tài)時(shí)端電流電壓間的靜態(tài)特性靜態(tài)特性，另一部分是在開，另一部分是在開態(tài)和關(guān)態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，電流電壓隨時(shí)間變化的態(tài)和關(guān)態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)，電流電壓隨時(shí)間變化的瞬態(tài)特性瞬態(tài)特性。 晶體管由截止區(qū)轉(zhuǎn)換到飽和區(qū)，或由飽和區(qū)轉(zhuǎn)換到截晶體管由截止區(qū)轉(zhuǎn)換到飽和區(qū)，或由飽和區(qū)轉(zhuǎn)換到截止區(qū)，可以通過加在其輸入端的外界信號(hào)來實(shí)現(xiàn)，因此止區(qū)，可以通過加在其輸入端的外界信號(hào)來實(shí)現(xiàn)，因此轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換速度極快換速度極快，可達(dá)每秒幾十萬次到幾百萬次，甚至更高。，可達(dá)每秒幾十萬次到幾百萬次，甚至更高。晶體管的開關(guān)特性PPT課件5.1 二極管的開關(guān)作用和反向恢復(fù)時(shí)間二極管的開關(guān)作用和反

5、向恢復(fù)時(shí)間 利用二極管利用二極管正、反向電流相差懸殊正、反向電流相差懸殊這一特這一特性，可以把二極管作開關(guān)使用。當(dāng)開關(guān)性，可以把二極管作開關(guān)使用。當(dāng)開關(guān)K打向打向A時(shí)，二極管處于正向，電流很大，相當(dāng)于接時(shí)，二極管處于正向，電流很大，相當(dāng)于接有負(fù)載的外回路與電源相連的開關(guān)閉合，回路有負(fù)載的外回路與電源相連的開關(guān)閉合，回路處于接通狀態(tài)（開態(tài)）；若把處于接通狀態(tài)（開態(tài)）；若把K打向打向B，二極，二極管處于反向，反向電流很小，相當(dāng)于外回路的管處于反向，反向電流很小，相當(dāng)于外回路的開關(guān)斷開，回路處于斷開狀態(tài)（關(guān)態(tài)）。開關(guān)斷開，回路處于斷開狀態(tài)（關(guān)態(tài)）。晶體管的開關(guān)特性PPT課件晶體管的開關(guān)特性PPT課件

6、在開態(tài)時(shí)，流過負(fù)載的穩(wěn)態(tài)電流為在開態(tài)時(shí)，流過負(fù)載的穩(wěn)態(tài)電流為I1LJRVVI11 V1為外加電源電壓，為外加電源電壓，VJ為二極管為二極管的正向壓降，對(duì)硅管的正向壓降，對(duì)硅管VJ約為約為0.7V，鍺管鍺管VJ約為約為0.25V，RL為負(fù)載電阻。為負(fù)載電阻。通常通常VJ遠(yuǎn)小于遠(yuǎn)小于V1，所以上式可近似，所以上式可近似寫為寫為L(zhǎng)RVI11 在關(guān)態(tài)時(shí)，流過負(fù)在關(guān)態(tài)時(shí)，流過負(fù)載的電流就是二極管載的電流就是二極管的反向電流的反向電流IR。晶體管的開關(guān)特性PPT課件 把二極管作為開關(guān)使用時(shí)，若回路處把二極管作為開關(guān)使用時(shí)，若回路處于開態(tài)，在于開態(tài)，在“開關(guān)開關(guān)”（即二極管）上有微（即二極管）上有微小壓降；

7、當(dāng)回路處于關(guān)態(tài)時(shí)，在回路中有小壓降；當(dāng)回路處于關(guān)態(tài)時(shí)，在回路中有微小電流，這微小電流，這與一般的機(jī)械開關(guān)有所不同與一般的機(jī)械開關(guān)有所不同。晶體管的開關(guān)特性PPT課件二極管的反向恢復(fù)時(shí)間二極管的反向恢復(fù)時(shí)間 假設(shè)外加脈沖的波形如圖假設(shè)外加脈沖的波形如圖5-6(a)所示，則流過二極所示，則流過二極管的電流就如圖管的電流就如圖5-6(b)所示。所示。晶體管的開關(guān)特性PPT課件 導(dǎo)通過程導(dǎo)通過程中（外電路加以正脈沖），二極管中（外電路加以正脈沖），二極管P區(qū)向區(qū)向N區(qū)輸運(yùn)大量空穴，區(qū)輸運(yùn)大量空穴，N區(qū)向區(qū)向P區(qū)輸運(yùn)大量電區(qū)輸運(yùn)大量電子。子。 隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，N區(qū)內(nèi)空穴和區(qū)內(nèi)空穴和P區(qū)內(nèi)

8、電子區(qū)內(nèi)電子不斷增加，直到穩(wěn)態(tài)時(shí)停止。在穩(wěn)態(tài)時(shí)，流入不斷增加，直到穩(wěn)態(tài)時(shí)停止。在穩(wěn)態(tài)時(shí)，流入N區(qū)的空穴正好與區(qū)的空穴正好與N區(qū)內(nèi)復(fù)合掉的空穴數(shù)目相等，區(qū)內(nèi)復(fù)合掉的空穴數(shù)目相等，流入流入P區(qū)的電子也正好與區(qū)的電子也正好與P區(qū)內(nèi)復(fù)合掉的電子數(shù)區(qū)內(nèi)復(fù)合掉的電子數(shù)目相等，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，流過目相等，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，流過P-N結(jié)的電流為一結(jié)的電流為一常數(shù)常數(shù)I1。 隨著勢(shì)壘區(qū)邊界上的空穴和電子密度的增隨著勢(shì)壘區(qū)邊界上的空穴和電子密度的增加，加，P-N結(jié)上的電壓逐步上升，在穩(wěn)態(tài)即為結(jié)上的電壓逐步上升，在穩(wěn)態(tài)即為VJ。此時(shí)，二極管就工作在導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，二極管就工作在導(dǎo)通狀態(tài)。晶體管的開關(guān)特性PPT課件 當(dāng)某一

9、時(shí)刻在外電路上加的當(dāng)某一時(shí)刻在外電路上加的正脈沖跳變?yōu)樨?fù)脈沖正脈沖跳變?yōu)樨?fù)脈沖，此時(shí)，正向時(shí)積累在各區(qū)的大量少子要被反向偏置電壓此時(shí)，正向時(shí)積累在各區(qū)的大量少子要被反向偏置電壓拉回到原來的區(qū)域，開始時(shí)的瞬間，流過拉回到原來的區(qū)域，開始時(shí)的瞬間，流過P-N結(jié)的反向結(jié)的反向電流很大，經(jīng)過一段時(shí)間后，原本積累的載流子一部分電流很大，經(jīng)過一段時(shí)間后，原本積累的載流子一部分通過復(fù)合，一部分被拉回原來的區(qū)域，反向電流才恢復(fù)通過復(fù)合，一部分被拉回原來的區(qū)域，反向電流才恢復(fù)到正常情況下的反向漏電流值到正常情況下的反向漏電流值IR。正向?qū)〞r(shí)少數(shù)載流正向?qū)〞r(shí)少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象稱為電荷儲(chǔ)存效應(yīng)。子積累的現(xiàn)象稱

10、為電荷儲(chǔ)存效應(yīng)。二極管的反向恢復(fù)過二極管的反向恢復(fù)過程就是由于電荷儲(chǔ)存所引起的。反向電流保持不變的這程就是由于電荷儲(chǔ)存所引起的。反向電流保持不變的這段時(shí)間就稱為段時(shí)間就稱為儲(chǔ)存時(shí)間儲(chǔ)存時(shí)間ts。在。在ts之后，之后，P-N結(jié)上的電流到結(jié)上的電流到達(dá)反向飽和電流達(dá)反向飽和電流IR，P-N結(jié)達(dá)到平衡。定義流過結(jié)達(dá)到平衡。定義流過P-N結(jié)結(jié)的反向電流由的反向電流由I2下降到下降到0.1 I2時(shí)所需的時(shí)間為時(shí)所需的時(shí)間為下降時(shí)間下降時(shí)間tf。儲(chǔ)存時(shí)間和下降時(shí)間之和（儲(chǔ)存時(shí)間和下降時(shí)間之和（ts+tf）稱為）稱為P-N結(jié)的結(jié)的關(guān)斷時(shí)關(guān)斷時(shí)間間（反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間）。）。晶體管的開關(guān)特性PPT課件

11、反向恢復(fù)時(shí)間限制了二極管的開關(guān)速度。反向恢復(fù)時(shí)間限制了二極管的開關(guān)速度。 如果如果脈沖持續(xù)時(shí)間比二極管反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)得脈沖持續(xù)時(shí)間比二極管反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)得多多，這時(shí)負(fù)脈沖能使二極管徹底關(guān)斷，起到良好的，這時(shí)負(fù)脈沖能使二極管徹底關(guān)斷，起到良好的開關(guān)作用；開關(guān)作用； 如果如果脈沖持續(xù)時(shí)間和二極管的反向恢復(fù)時(shí)間差脈沖持續(xù)時(shí)間和二極管的反向恢復(fù)時(shí)間差不多甚至更短的話不多甚至更短的話，這時(shí)由于反向恢復(fù)過程的影響，這時(shí)由于反向恢復(fù)過程的影響，負(fù)脈沖不能使二極管關(guān)斷。負(fù)脈沖不能使二極管關(guān)斷。 所以要保持良好的開關(guān)作用，脈沖持續(xù)時(shí)間不所以要保持良好的開關(guān)作用，脈沖持續(xù)時(shí)間不能太短，也就意味著脈沖的重復(fù)頻率不能

12、太高，這能太短，也就意味著脈沖的重復(fù)頻率不能太高，這就限制了開關(guān)的速度。就限制了開關(guān)的速度。晶體管的開關(guān)特性PPT課件5.2 開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性晶體管共射開關(guān)電路原理圖晶體管共射開關(guān)電路原理圖VBB 偏置電壓偏置電壓RL 負(fù)載電阻負(fù)載電阻晶體管的開關(guān)特性PPT課件當(dāng)基極回路中輸入一幅值當(dāng)基極回路中輸入一幅值VI遠(yuǎn)大于遠(yuǎn)大于VBB的正脈沖信號(hào)時(shí)，的正脈沖信號(hào)時(shí)，基極電流立即上升到基極電流立即上升到BBEBBIBRVVVI 在驅(qū)動(dòng)電流在驅(qū)動(dòng)電流IB的作用下，發(fā)射結(jié)電壓降逐漸由反偏變?yōu)檎淖饔孟拢l(fā)射結(jié)電壓降逐漸由反偏變?yōu)檎?，晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，集電極電流也將隨著發(fā)射結(jié)正向

13、偏，晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，集電極電流也將隨著發(fā)射結(jié)正向壓降的上升而增大。壓降的上升而增大。 當(dāng)集電極電流增加到負(fù)載電阻上的壓降當(dāng)集電極電流增加到負(fù)載電阻上的壓降ICRL達(dá)到或者超過達(dá)到或者超過VCC-VBE時(shí)，集電結(jié)將變?yōu)榱闫?，甚至正偏，發(fā)射結(jié)上的壓降時(shí)，集電結(jié)將變?yōu)榱闫?，甚至正偏，發(fā)射結(jié)上的壓降很小，很小，C和和E之間近似短路，相當(dāng)于圖中之間近似短路，相當(dāng)于圖中CE間的開關(guān)間的開關(guān)K閉合。閉合。 因此，因此，當(dāng)晶體管導(dǎo)通后，在集電極回路中，晶體管相當(dāng)于當(dāng)晶體管導(dǎo)通后，在集電極回路中，晶體管相當(dāng)于一個(gè)閉合開關(guān)。一個(gè)閉合開關(guān)。晶體管的開關(guān)特性PPT課件 當(dāng)基極回路的輸入脈沖為負(fù)或等于零時(shí)，晶體管

14、當(dāng)基極回路的輸入脈沖為負(fù)或等于零時(shí)，晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀態(tài)。這時(shí)晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置狀態(tài)。這時(shí)晶體管工作在截止區(qū)，集電極電流工作在截止區(qū)，集電極電流IC=ICEO，對(duì)于性能良好的，對(duì)于性能良好的晶體管，晶體管，ICEO一般很小，負(fù)載電阻上壓降很小，集電極一般很小，負(fù)載電阻上壓降很小，集電極和發(fā)射極之間的壓降和發(fā)射極之間的壓降VCEVCC。 因此，因此，當(dāng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，晶體管相當(dāng)于當(dāng)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，晶體管相當(dāng)于一斷開的開關(guān)。一斷開的開關(guān)。 將晶體管導(dǎo)通后，工作在飽和區(qū)的開關(guān)電路，稱為將晶體管導(dǎo)通后，工作在飽和區(qū)的開關(guān)電路，稱為飽和開關(guān)飽和開關(guān)。飽和

15、開關(guān)接近于理想開關(guān)。飽和開關(guān)接近于理想開關(guān)。 而把晶體管工作在放大區(qū)的開關(guān)電路，稱為而把晶體管工作在放大區(qū)的開關(guān)電路，稱為非飽和非飽和開關(guān)開關(guān)。這種工作模式，一般用在高速開關(guān)電路中。這種工作模式，一般用在高速開關(guān)電路中。晶體管的開關(guān)特性PPT課件晶體管的開關(guān)作用，是通過晶體管的開關(guān)作用，是通過基極控制信號(hào)基極控制信號(hào)（IB），），使晶體管在飽和（或?qū)ǎB(tài)與截止態(tài)之間往復(fù)使晶體管在飽和（或?qū)ǎB(tài)與截止態(tài)之間往復(fù)轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)的。轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)的。它它與理想開關(guān)的主要差別與理想開關(guān)的主要差別在于開態(tài)時(shí)晶體管開關(guān)在于開態(tài)時(shí)晶體管開關(guān)上的壓降上的壓降；關(guān)態(tài)時(shí)回路中還存在一；關(guān)態(tài)時(shí)回路中還存在一定的電流定的

16、電流ICEO，因而回路電流，因而回路電流0VCE0VCE0IC晶體管的開關(guān)特性PPT課件開關(guān)晶體管的工作狀態(tài)開關(guān)晶體管的工作狀態(tài) 晶體管的工作狀態(tài)完全由直流偏置情況決定。從共射輸出晶體管的工作狀態(tài)完全由直流偏置情況決定。從共射輸出特性曲線上可以看出，隨著偏置電壓的不同，晶體管的工作區(qū)域特性曲線上可以看出，隨著偏置電壓的不同，晶體管的工作區(qū)域可以分為可以分為飽和區(qū)飽和區(qū)、放大區(qū)放大區(qū)和和截止區(qū)截止區(qū)三個(gè)區(qū)域。三個(gè)區(qū)域。 此外，當(dāng)晶體管的發(fā)射極和集電極相互交換，晶體管處于倒此外，當(dāng)晶體管的發(fā)射極和集電極相互交換，晶體管處于倒向運(yùn)用狀態(tài)時(shí)，也應(yīng)該同樣存在上述三個(gè)區(qū)域。向運(yùn)用狀態(tài)時(shí)，也應(yīng)該同樣存在上述

17、三個(gè)區(qū)域。 為了分析開關(guān)為了分析開關(guān)特性的需要，我們特性的需要，我們將倒向（反向）放將倒向（反向）放大區(qū)也一并提出進(jìn)大區(qū)也一并提出進(jìn)行分析。行分析。晶體管的開關(guān)特性PPT課件發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置情況，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的偏置情況，集電極輸出電流集電極輸出電流IC和基極輸入電流和基極輸入電流IB之間的關(guān)系之間的關(guān)系晶體管的開關(guān)特性PPT課件飽和區(qū)飽和區(qū) 飽和區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)正偏飽和區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)正偏VBE0，集電結(jié)，集電結(jié)也處于正偏，也處于正偏，VBC0，集電極電流和基極電流間，集電極電流和基極電流間滿足滿足ICIB的關(guān)系。的關(guān)系。 基極回路中輸入一幅值基極回路中輸入一幅值VIVBB的正脈沖，基極

18、的正脈沖，基極電流電流IB將立即跳變，晶體管將沿著輸出特性的負(fù)載線，將立即跳變，晶體管將沿著輸出特性的負(fù)載線，由截止區(qū)進(jìn)入放大區(qū)。這時(shí)，集電極電流由截止區(qū)進(jìn)入放大區(qū)。這時(shí)，集電極電流IC隨著隨著IB的的增大而很快上升，管壓降增大而很快上升，管壓降VCE則隨著則隨著IC的增大而下降。的增大而下降。當(dāng)管壓降下降到當(dāng)管壓降下降到VCE=VCC-ICRL=VBE時(shí)，集電結(jié)由反時(shí)，集電結(jié)由反偏變?yōu)槠優(yōu)榱闫闫?，使集電結(jié)收集載流子的能力減弱，使集電結(jié)收集載流子的能力減弱，IC隨隨IB增長(zhǎng)的速度開始變慢，這時(shí)晶體管即進(jìn)入增長(zhǎng)的速度開始變慢，這時(shí)晶體管即進(jìn)入臨界飽和臨界飽和狀態(tài)狀態(tài)。晶體管的開關(guān)特性PPT課

19、件臨界飽和時(shí)集電極電流臨界飽和時(shí)集電極電流LCCLCCCSRVRVI臨界飽和壓降晶體管達(dá)到臨界飽和時(shí)的基極驅(qū)動(dòng)電流，稱為晶體管達(dá)到臨界飽和時(shí)的基極驅(qū)動(dòng)電流，稱為臨界臨界飽和基極電流飽和基極電流IBS。LCCCSBSRVII晶體管的開關(guān)特性PPT課件 若基極驅(qū)動(dòng)電流若基極驅(qū)動(dòng)電流IBIBS，則晶體管將處于過驅(qū)動(dòng)，則晶體管將處于過驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，狀態(tài)，過驅(qū)動(dòng)電流過驅(qū)動(dòng)電流LCCBBSBBXRVIIII晶體管的飽和程度，可以用晶體管的飽和程度，可以用飽和深度飽和深度S來描述。來描述。CSBBSBIIIIS晶體管的開關(guān)特性PPT課件截止區(qū)截止區(qū) 基極電流基極電流IB則則由這兩個(gè)電流組成，由這兩個(gè)電流組成，因

20、而因而IBIEBO+ICBO。由于基極電流很小，由于基極電流很小，因此，可以用輸出特因此，可以用輸出特性曲線中性曲線中IB=0的一條的一條線作為放大區(qū)和截止線作為放大區(qū)和截止區(qū)的分界線。區(qū)的分界線。晶體管的開關(guān)特性PPT課件5.3 晶體管開關(guān)的動(dòng)態(tài)特性晶體管開關(guān)的動(dòng)態(tài)特性晶體管的開關(guān)特性PPT課件晶體管的開關(guān)特性PPT課件 為使晶體管具有良好的開關(guān)狀態(tài)，有以下為使晶體管具有良好的開關(guān)狀態(tài)，有以下五個(gè)要求五個(gè)要求：（1）ICE0小，使開關(guān)電路截止時(shí)接近于斷路（開路），關(guān)小，使開關(guān)電路截止時(shí)接近于斷路（開路），關(guān)斷性良好；斷性良好；（2）VCES小，使開關(guān)電路接通時(shí)接近于短路狀態(tài)，接通小，使開關(guān)電

21、路接通時(shí)接近于短路狀態(tài)，接通性良好；性良好；（3）開關(guān)時(shí)間盡可能短，這點(diǎn)將在以后內(nèi)容中詳細(xì)分析；開關(guān)時(shí)間盡可能短，這點(diǎn)將在以后內(nèi)容中詳細(xì)分析；（4）啟動(dòng)功率小，啟動(dòng)功率是晶體管從截止態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)轱枂?dòng)功率小，啟動(dòng)功率是晶體管從截止態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)轱柡蛻B(tài)時(shí)所需的功率和態(tài)時(shí)所需的功率IBVBES；（5）開關(guān)功率大，即要求在截止態(tài)時(shí)能承受較高的反向開關(guān)功率大，即要求在截止態(tài)時(shí)能承受較高的反向電壓，在導(dǎo)通時(shí)，允許通過較大的電流；電壓，在導(dǎo)通時(shí)，允許通過較大的電流；晶體管的開關(guān)特性PPT課件 非飽和開關(guān)電路非飽和開關(guān)電路：工作在截止區(qū)和放大區(qū)，開關(guān)：工作在截止區(qū)和放大區(qū)，開關(guān)速度快，但對(duì)晶體管的參數(shù)均勻性要求高，輸出電速度快，但對(duì)晶體管的參數(shù)均勻性要求高，輸出電平也不夠穩(wěn)定。平也不夠穩(wěn)定。 飽和開關(guān)電路：飽和開關(guān)電路：工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，輸出電工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，輸出電平較穩(wěn)定，對(duì)晶體管參數(shù)的均勻性要求不高，電路平較穩(wěn)定，