表面界面物理復習思考題

1、表面界面物理復習思考題原子間的鍵合方式及性能特點。原子的外層電子結構，晶體的能帶結構。描述原子中一個電子的空間位置和能量： 1）主量子數(shù)n；軌道角量子數(shù)l；磁量子數(shù)m；自旋量子數(shù)s； 2）核外電子的排布規(guī)律三原則：能量最低原理；Pauli不相容原理；Hund規(guī)則。  說明： 1）晶體中，當N個原子聚在一起成晶體時，每個原子能級上將有2N個相同能量狀態(tài)的電子（共有化電子），這是泡利不相容原理所不允許的，實際上，由于原子的相互作用，每個原子能級將分裂為一個有N個支能級的能帶。 2）能帶表示電子允許占有的狀態(tài)，能帶間隙有禁帶，其寬度通常用E

2、g表示。每一根能帶中可以容納的電子是有限制的（最多為組成晶體原子數(shù)的2倍）。 3）能帶全部裝滿電子為滿帶，沒有電子為空帶，兩者都不對導電作貢獻；能帶沒有填滿為未滿帶，其中電子在外電場作用下能改變狀態(tài)，對導電作貢獻。晶體（單晶體、多晶體）的基本概念，晶體與非晶體的區(qū)別。晶體：內部質點（原子、離子或分子）在三維空間呈周期 重復排列的固體。 單晶體：質點按同一取向排列。由一個核心（稱為晶核）生長而成的晶體。 多晶體：由許多不同位向的小晶體（晶粒）所組成的晶體。多晶體一般顯示出各向同性假等向性。 固態(tài)物質按其原子（或分子）的聚集狀態(tài)而分為兩大類：晶體與

3、非晶體空間點陣與晶胞、晶面指數(shù)、晶面間距的概念，原子的堆積方式和典型的晶體結構。空間點陣：呈周期性的規(guī)則排列的陣點所形成的具有等同的周圍環(huán)境的三維 陣列。  晶胞：在空間點陣中，能代表空間點陣結構特點的結構單元，反映晶格特征的最小幾何單元。晶面指數(shù)：代表一組平行的晶面。為了便于研究和表述不同晶面原子排列的情況及其在空間的位向，需要確定一種統(tǒng)一的表示方法來表示晶面，稱為晶面指數(shù) 。晶面間距：兩近鄰平行晶面間的垂直距離。  晶體中原子堆積方式： 1）面心立方結構是以其最密排面111每三層就重復堆積，按ABCABC的次序堆積起來的。

4、0;2）密排六方結構也是一種密堆積，它的（001）面和面心立方111面具有相同的最緊密排列方式，（001）面每兩層就重復堆垛，即（001）面按（ABABAB）的順序堆垛，  3）體心立方結構是以其最密排面111每三層就重復堆積，按ABCABC的次序堆積起來的。 4）簡單立方結構是以其最密排面111每三層就重復堆積，按ABCABC的次序堆積起來的。           典型的晶體結構： 面心立方結構；體心立方結構；密排六方結構；簡單立方。表面信息獲

5、取的主要方式及基本原理。表面信息的獲取：用荷能的電子、離子、光子作“探針”，根椐入射粒子和出射粒子之間的類型轉換、能量變化、粒子的分布等關系，可以獲取表面的信息。 基本原理： 以荷能電子作探針，當電子與表面作用后，能從表面激發(fā)出電子、離子和光子。采用相應的儀器可測量這些激發(fā)粒子的能量分布和角度分布，然后推算出表面原子排列、成分、缺陷、原子價態(tài)等信息，這就是目前各類表面分析的基本原理。為什么XPS可獲得表面信息，而X射線衍射只能獲得體信息？X射線與物質相互作用時，會發(fā)生一系列效應。其中，X射線從物質中激發(fā)出光電子被應用于XPS中，而X射線的相干散射被應用于X射線衍射中。

6、60;XPS方法以X射線光電子的能量來鑒別化學元素，而X射線光電子在逸出的路上自由程很短，實際能探測的信息濃度只有表面幾個至十幾個原子層，因而XPS可獲取表面信息。 而X射線信號產生的深度和廣度較大，同時有表面信號與體信號，體信號的強度遠大于表面信號，所以只能獲得體信息。利用光電子能譜（XPS）和俄歇電子能譜（Auger）進行表面分析的基本原理和應用范圍。透射電子顯微鏡有哪幾種工作模式，它們可獲得材料的什么信息。掃描電子顯微鏡的二次電子像和背反射電子像的成像原理。二次電子成像原理： 二次電子的產額與入射電子束與樣品表面法線的夾角有關，與cos成反比，入射電子強度一定的情況下

7、，由二次電子的信息可得入射點處的形貌信息。入射電子束在樣品上掃描，收集二次電子的信息，可得到樣品的形貌圖像。  背反射電子成像原理： 入射電子束打到樣品上，存在一部分與入射電子能量相當?shù)姆瓷浠貋淼碾娮樱曳瓷潆娮拥膹姸扰c樣品表面原子的序數(shù)有關，隨原子序數(shù)的增大而緩慢提高，存在比例關系。入射電子束在樣品上掃描，收集背反射電子的信息，可得到樣品的成分襯度圖像。說明電子束技術的基本特征，舉出幾種利用電子束的波動性和粒子性的分析技術。電子束的基本特征： 1）電子源容易獲得。2）檢測容易。3）電子對所有元素都有較強的相互作用，其散射幾率比X射線大幾個數(shù)量級。4）

8、近代電子束的聚焦技術好，分辨率較高。5）電子束不會導致高真空環(huán)境的污染。  利用電子的波動性的分析技術： 1）透射電子顯微鏡（TEM）。2）低能電子衍射（LEED）。3）高能電子衍射（HEED）  利用電子的粒子性的分析技術： 1）紫外光電子能譜（UPS）。2）俄歇電子譜（AES）。3）X射線光電子能譜（XPS）。4）掃描電子顯微鏡（SEM）。什么是電子結合能的位移？價帶能態(tài)密度可采用什么方法測試，簡述其原理。電子結合能位移： 原子內殼層電子的結合能受到核內、外電荷分布的影響。任何引起這些電荷分布發(fā)生變化的因素，都可能使原子

9、內殼層電子的結合能產生變化，在光電子能譜圖上可以看到光電子譜峰的位移，這種現(xiàn)象稱為電子結合能位移。  價帶能態(tài)密度可用XPS測試。固體價帶中的電子狀態(tài)的能量分布由能態(tài)密度來表示，某一能量X射線光電子的數(shù)量與對應能量的表面能態(tài)密度成正比，當入射光子能量大于21eV時，光電子發(fā)射譜的能量分布可以看作是價帶能態(tài)密度分布。表面的定義。什么是清潔表面和實際表面？表面：兩種不同相的交界區(qū)域稱為表面。通常指凝聚相與氣相、液相的界面，不是幾何意義上的平面，具有一定的過度區(qū)。 清潔表面：清潔表面是指反映材料本征特性的表面。它應當是在經腐蝕、解理、離子刻蝕等處理，除去吸附層、氧化層、

10、表面損傷層后的表面。只能在高真空環(huán)境下依存的表面。 實際表面：經過一定處理后，保存在通常環(huán)境下的固體表面。  理想表面：將一無限大的晶體分成兩部分所形成的表面。表面的原子排列與體內完全一致，這就是通常物理學、化學學所討論的“表面”。什么是表面的TLK模型？表面缺陷產生的原因是什么？表面不是原子級的平坦，上面有平臺（Terrace），臺階（Ledge）和扭曲（Kink），這種方式描述表面，稱為TLK模型。  表面缺陷產生的原因： 由熱力學定律，溫度高于絕對零度（0K）時，所有物理系統(tǒng)的熵（S）都不為零。系統(tǒng)的自由能（F）與內能（U）、熵

11、（S）和絕對溫度（T）關系為：F=U-TS。系統(tǒng)穩(wěn)定的條件是自由能最小。有兩種情況：1，當內能U減小時，即原子排列整齊；2，當熵S增大時，既系統(tǒng)混亂度增加，原子排列混亂；特別是在溫度較高時，S的影響更大。什么是表面弛豫和表面重構？畫出表面弛豫和表面重構的原子排列圖。理想晶體表面具有二維周期性，其單位網(wǎng)格由基矢決定。由于表面原子受力的情況與體內不同，或由于有外來原子的吸附，最表面層原子常會有垂直于或傾斜于表面的位移，表面以下的數(shù)層原子也會有垂直或傾斜于表面的位移，這種現(xiàn)象為表面重構。如果表面原子只有垂直于表面的運動，則稱為表面弛豫。為什么表面原子排列與體內不同，請比較重構與馳豫的異同，并解釋Si

12、（111）2×1重構的成因。由于表面處原子排列突然中斷，如果在該處原子仍按照內部方式排列，則勢必會增加系統(tǒng)的自由能。因此，表面附近的原子排列就會進行調整，以減小其表面能，使系統(tǒng)穩(wěn)定。  重構與弛豫的異同： 相同點：都是為了降低表面能，表面層原子排列情況的變化。 不同點：對于馳豫，表面原子只有垂直于表面的運動；對于重構，表面原子有垂直或傾斜于表面的位移Si（111）2×1重構的成因：納米材料有哪些效應？1）小尺寸效應：當納米材料結構單元的尺寸與光波波長，德布羅意波長，以及超導體的相干長度，穿透深度等物理特征尺度相當時，其內部晶體周期性邊

13、界條件將被破壞。導致特征光譜移動，磁序改變，超導相破壞，結構發(fā)生非熱力學結構相變等。 2）量子尺度效應：當納米材料結構單元某一位上的尺寸下降到某個值時候，費米面附近的電子能量譜由準連續(xù)到離散，表面結構和電子態(tài)急劇變化，能隙變寬，處于分享的量子化能級中的電子波動使其產生一系列反常。 例如，導電的金屬在超微顆粒時可以變成絕緣體，磁矩的大小和顆粒中電子是奇數(shù)還是偶數(shù)有關，比熱亦會反常變化，光譜線會產生向短波長方向的移動，這就是量子尺寸效應的宏觀表現(xiàn)。 3）表面效應：指納米粒子的表面原子數(shù)與總原子數(shù)之比隨著粒子尺寸的減小而大幅度的增加，粒子的表面能及表面張力也隨著增加，從

14、而引起納米粒子物理、化學性質的變化。 4）宏觀量子隧道效應：納米材料中發(fā)現(xiàn)一些宏觀物理量，如微顆粒的磁化強度、量子相干器件中的磁通量等亦顯示出隧道效應。 5）庫侖堵塞效應：納米體系的充放電時，電子不能集體傳輸，而是一個一個單電子的傳輸。 6）介電限域效應：由納米微粒分散在異質介質中由于界面引起的體系介電增強的現(xiàn)象說明表面張力和表面自由能分別用于什么情況。解釋表面吸附對表面自由能的影響。如何測試材料的表面自由能，簡述其基本原理。對于液體來說，表面張力等于表面自由能，而對于固體來說，表面張力取決于在表面的方向和表面的確切的晶體結構。因此，表面張力用于涉及到液相的表面，

15、而對于涉及到固相時，采用表面自由能。  晶體的自由表面雖然由于原子弛豫、表面重構等效應，使斷鍵飽和，但仍處于高能狀態(tài)。將通過吸附等效應進一步降低表面能。 對于高表面能的物質（如金屬等），表面活性物質對表面能的影響較大。一般低表面能物質吸附在高表面能物質表面，將顯著降低其表面能；而高表面能物質吸附在低表面能物質表面，則對表面能影響不大，因為這種情況下，表面的吸附濃度較低。  表面自由能表測試方法： 1）結合能：測量分開兩個相同的接觸到無限分離所需要的能量，由關系：Wc=2（其中就是表面能），范德堡方法，,得（其中A11為Hamaker常

16、量；H0的值在液體原子間的表面約為0.165nm，在因體原子之間在表面處是0.3nm）  2）通過液體與固體表面的接觸角： 由關系Cos = 1-(l -c) 其中:為 接觸角 ；為0.030.04； l 為液體表面張力； c為特定表面張力 測試不同l液體的接觸角作曲線，外推到=0度，可到的c值什么是晶體材料的易生長晶面，它與什么因素有關？NaCl為簡立方晶體，它的易生長晶面是什么？晶體材料的易生長晶面是指晶體表面張力大，生長速度相對最大晶面。  

17、;易生長晶面與晶體材料表面的取向（即晶面的類型）有關。而晶體生長速度的幾種主要的外部因素：渦流，溫度，雜質，粘度，結晶速度  。NaCl簡單立方晶體易生長面； 由Wulff定律，晶體（111）晶面表面張力最大，自由能最小，對外來原子的引力最大，生長速度最快，為晶體的易長晶面。 分析過程：（100）晶面的網(wǎng)面上結點密度最大，網(wǎng)面間距也最大，網(wǎng)面對外來質點的引力小，生長速度慢，晶面橫向擴展，最終保留在晶體上；（110）晶面次之；（111）晶面的網(wǎng)面上結點密度最小，網(wǎng)面間距也就小，網(wǎng)面對外來質點引力大，生長速度最快，橫向逐漸縮小以致晶面最終消失。表面態(tài)的產生原

18、因和種類，它對材料性能有何影響？（1）表面態(tài)是由于表面原子排列的中斷或畸變而產生在表面區(qū)的一些附加的、在體內不可能存在的一些能級或能帶，有Tamm態(tài)和Shockley態(tài)。 （2）表面態(tài)產生的原因：原子在表面周期性排列的改變，缺陷，吸附外來原子，晶格失配，應力畸變，污染等。 （3）表面態(tài)對材料的老化，器件的性能和可靠性等會產生重要影響，特別是當器件尺寸越來越小，表面占據(jù)的比例就越來越大。具體表現(xiàn)如下：空間電荷，表面電導，少數(shù)載流子的壽命與復合，金屬半導體的接觸勢壘形狀與高度，異質結的勢壘形狀與高度。形成空間電荷區(qū)的原因和表面空間電荷區(qū)的類型。1)形成空間電荷區(qū)的原因：表面空間

19、電荷區(qū)的形成主要是由于表面存在表面電場，而表面電場產生的原因如下： a，表面態(tài)的影響：由于表面態(tài)與體內電子態(tài)之間交換電子，結果產生了垂直于表面的電場。表面費米能級EFS，體費米能級EF，EFSEF，這樣表面與體內將發(fā)生電子（空穴）的交換，產生空間電荷區(qū)。 b，功函數(shù)的差異：WS>Wm，于是有EFS>EFm，形成金半電場；同理，如果，WS<Wm，于是有EFS<EFm，形成半金電場 c，氧化層中的雜質離子。 d，外加偏壓。  2）類型： P型半導體： a，VG<0,VS<0時，能帶下

20、彎，多子堆積；b，VG=0時，平帶 c，VG>0時，能帶上彎，多子耗盡；d，VG>>0時，反型，少子堆積。N型半導體： a，VG>0,VS>0時，多子堆積；b，VG=0,VS=0時，平帶 c，VG<0,VS<0時，多子耗盡；   d，VG<<0時，反型，少子堆積。什么是準費米能級？準費米能級是為了討論非平衡載流子的統(tǒng)計規(guī)律而引入的。對于處于非平衡姿態(tài)的半導體，非平衡載流子不服從Fermi-Dirac（費米-荻拉克）分布，F(xiàn)ermi能級的概念失去意義，不能用于計算非平衡載流子。但注入

21、到半導體中的非平衡載流子，在導帶中通過與其他載流子的相互作用，可以很快地達到與導帶相應的、接近平衡的狀態(tài)，這個過程的時間很短，比平衡載流子壽命短得多，可近似地認為，注入到能帶中的非平衡載流子在各自的能帶內處于一種“準平衡狀態(tài)”。從而分別引入相應的電子空穴準費米能級（EN和EF）來分別描述非平衡電子和空穴在各自能帶中的分布。 注： 準費米能級的位置即分別表征了種的電子和總的空穴的濃度大小?？偟碾娮訚舛萵越大，EFn就越靠近導帶底EC；總的空穴濃度p越大，EFp就越靠近價帶頂EV，非平衡半導體中兩條準費米能級所分開的距離，與外界作用的強度有關。有一半導體材料，其體費米能級在導帶

22、下1/3Eg處，表面費米能級距導帶2/3Eg處，Eg為禁帶寬度。問：1、這是什么類型的半導體？2、當表面與體內達到平衡時，載流子如何轉移？3、表面區(qū)能帶如何彎曲？1）n型半導體 2）多子（電子）向體內轉移，形成多子耗盡；少子（空穴）向表面轉移。 3）表面能帶：n型半導體的不同表面勢下的表面空間電荷區(qū)情況，請結合能帶圖說明。（1）VG>0,VS>0，能帶下彎，表面多子堆積 ；（2）VG=0,VS=0，平帶 ；（3）VG<0,VS<0，能帶上彎，多子耗盡；   （4）VG<<0，反型，。請分析

23、非平衡載流子的復合過程。非平衡載流子：由于外界作用（如光照），使半導體材料中載流子的數(shù)目比平衡時多，多出的載流子稱為過剩載流子。這種狀態(tài)不穩(wěn)定，當去掉外加作用后半導體中的非平衡載流子將逐漸消亡。非平衡截流子的消亡主要是通過電子空穴的相遇而成對消失來完成，把這個過程簡稱為載流子的復合。  非平衡載流子的復合過程為分直接復合和間接復合兩種。 直接復合：電子、空穴直接躍遷能帶（導帶底與價帶頂之間）進行復合。 間接復合：不是直接躍遷能帶，而且是能過一些復合中心，即表面復合態(tài)。表面復合態(tài)能俘獲電子和空穴，同時釋放出能量(發(fā)射光子，發(fā)射聲子，俄歇復合)。若以Kn，E

24、n分別表示界面態(tài)俘獲、發(fā)射電子的速率，則：請分析實際金半接觸中勢壘高度與理論上的Schottky勢壘、Bardeen表面釘扎勢壘偏離的原因。理想情況： 由于金屬與半導體平衡時的費米能級不等，當兩者相互接觸的時候，將會發(fā)生電子轉移，直到兩邊的費米能級相等，這就使兩物質之間存在一個接觸電勢差，當金屬與N型半導體接觸時，若W m>Ws，形成表面勢壘。在勢壘區(qū)，空間電荷主要由電場作用形成，電子濃度比體內小的多，是一個高阻區(qū)域，稱之為阻擋層（肖特基勢壘）。若Wm<Ws，電子由金屬流向半導體，在半導體表面形成負的空間電荷區(qū)，Vs>0使能帶下彎曲，這里的電子濃度比體內的大多了，是

25、一個高電導區(qū)，即歐姆接觸區(qū)。當與P型半導體接觸時，若Wm<Ws時形成阻擋層，Wm>Ws形成歐姆接觸。 實際情況： 由于表面態(tài)濃度比較大，最終使EF向(EF)s靠近，這就是表面費米能級的釘扎作用。實際接觸的勢壘高度由界面態(tài)勢壘決定，對于許多半導體材料，它們位于禁帶寬度1/3處，這個界面態(tài)勢壘始終存在，這就是導致實際和理論上的差別的根本原因。試分析多晶ZnO材料中具有雙向整流效應的I-V特性曲線與界面電子結構的關系。由于氧化鋅晶界區(qū)存在晶界相，所以它的晶界區(qū)勢壘較厚；在低偏壓時，勢壘隨電壓變化小，電導的主要形式是熱電子發(fā)射，隧道效應很弱。隨著電壓增加，出現(xiàn)弱反型；當

26、電壓超過某一個值后，能帶彎曲很大，出現(xiàn)強反型。表面區(qū)空穴濃度很高，通過復合中心傳導電流，界面態(tài)上的電子會通過隧道效應道進入右邊，所以電流迅速增大。 多晶ZnO材料中“ZnO晶粒-晶界-ZnO晶?！笨梢暈閷ΨQ的結構，即雙向的I-V曲線對稱。什么是表面吸附與偏析？吸附：吸附屬于一種傳質過程，當流體與固體接觸時，由于受到固體表面的不飽和力場的作用，流體中某一組分或多個組分在固體表面處產生積蓄，使物質在表面外的濃度增大，此現(xiàn)象稱為吸附。也指物質（主要是固體物質）表面吸住周圍介質（液體或氣體）中的分子或離子現(xiàn)象。 偏析：指液相或固溶體中的原子（分子）在固-固、固-液界面上富集，即液相

27、或固溶體中質原子在界面上的濃度大于其基相。比較化學吸附與物理吸附，并畫出它們的吸附能曲線；什么是快化學吸附和慢化學吸附？ 物理吸附與化學吸附的比較能量曲線： 吸附速度：EB>0,需要激活，活化化學吸附（慢化學吸附） EB0,不需要激活，非活化化學吸附（快化學吸附）請解釋第IV型吸附等溫線。1)低壓下上凸表明吸附物質和吸附劑有相當強的親和力，并且也易確定 像在類等溫線B點的位置（相當于蓋滿單分子層時的飽和吸附量）  2)壓力的增加，又由多層吸附逐漸產生毛細管凝結，吸附量劇增  3)最后又由于毛細孔中均裝滿 吸附

28、物，吸附量不再增加，等溫線又平緩起來N型半導體表面吸附氧后它的表面電導和表面能帶如何變化？N型半導體表面，隨溫度升高，先是導致電子濃度增加，電阻下降；后來晶粒表面吸附氧，使得物理吸附變?yōu)榛瘜W吸附，（一個氧氣分子加2個電子兩個負2價氧離子）載流子數(shù)目減小，電阻上升（電導下降），表面由于多子堆積，變成耗盡層。水在N型半導體表面吸附后對電導和能帶會發(fā)生哪些影響？N型半導體吸附水氣之后，氫從導帶中抽出電子，表面形成耗盡層，故材料的電阻率增加。N型半導體吸附水氣后，勢壘增高，電阻增大，直到成為強反型層；由于強反型層內有自由載流子空穴的存在，所以材料的電阻率將隨水氣的吸附而減小。 擴散有哪些微觀

29、機制？其激活能與擴散速度有何不同？由構成物質的微觀粒子（離子、原子、分子）的熱運動而產生的物質遷移現(xiàn)象稱為擴散。  擴散微觀機制：空位機制，間隙機制，復合機制，環(huán)形機制。間隙機制：原子在點陣的間隙位置間躍遷面導致的擴散。間隙擴散只要能夠擠到另一個填隙位置就完成一個擴散過程，需要的能量很小，擴散速度比較快； 空位機制：必須原子前面出現(xiàn)空位時，才有可能進入空位改變它的位置，等待前面又出現(xiàn)了空位后它又可能再向前移動一步。需要一定的激活能，消耗的畸變能不大，容易擴散； 交換機制：原子的擴散是相鄰兩原子直接對調位置，所需的激活能比前兩者大得多，擴散速度也更慢。&#

30、160;環(huán)形機制：同一晶面上距離相等的n個原子可以同時輪換位置以構成擴散試比較原子在表面、晶界、相界、晶內擴散的方式、速度的異同？表面擴散：跳躍式和替位式是兩種主要擴散方式。其擴散的類型：(1)表面區(qū)濃度梯度引起的擴散 (2)毛細管效應引起的擴散  相界擴散：一般稱基爾肯特（Kirkendall）擴散，由于原子間擴散速度不等，可能發(fā)生兩種情況：（1）導致界面移動，產生疏孔和隴起物。（2）通過相互擴散生成金屬間化合物，如Au-Al鍵合時生成的紫斑（AuAl2）等 。 晶界擴散：擴散系數(shù)和擴散時間的關系, 晶界擴散分為三種類型 

31、A. 對應于體擴散系數(shù)較大的情況：雜質沿晶粒和晶界都發(fā)生擴散，基本上雜質是均勻擴散的 。B. 為體內擴散慢，晶界擴散快的情況：這種擴散使雜質包裹在晶界上。 C. 對應于晶粒擴散非常小的情況：雜質全部通過晶界往體內擴散 ，熱處理雜質快速污染材料的可能機理、什么是Kirkendall擴散，其發(fā)生會導致何種后果？一般稱分界面上原子間產生的相互擴散為Kirdenkall（基爾肯特）擴散。由于原子間擴散速度不等，可能發(fā)生兩種情況： 1，導致界面移動，產生疏孔和隴起物 2，通過相互擴散生成金屬間化合物 kirkend

32、all擴散在一般情況是通過體擴散和晶界擴散來進行的，只有在溫度較高和時間較長時才明顯，它造成的后果對界面的強度、附著力、噪聲、接觸電阻和抗腐蝕性等有重要影響。固相反應的發(fā)生是如何進行的？反應速度的快慢影響因素有哪些？固相反應指所有包含固相物質參加的化學反應，包括固-固相反應，固-液相反應，固-氣相反應等。固相反應也可能發(fā)生在單一固相內部，如均相反應。 第一步：開始時，A晶格中的原子在反應驅力F驅動下，原子鍵合斷裂，形成A原子流JA向B晶格擴散。類似過程也會在B晶格中發(fā)生。 第二步：經過一段時間后，A、B原子在界面處發(fā)生反應生成AB，AB界面標志為A/AB/B, AB是一種新化合物。  影響反應速度的因素有：原子的擴散速度，原子鍵斷裂速度。 有兩種情況： 1，若原子擴散遠比晶格中A原