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1、邯鄲學(xué)院精品課 模擬電子技術(shù) 主講人田俊芳 信息工程學(xué)院電子工程系第三講 晶體三極管一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)二、晶體管的放大原理三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性五、溫度對(duì)晶體管特性的影響四、主要參數(shù)一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)多子濃度高多子濃度高多子濃度很多子濃度很低,且很薄低,且很薄面積大面積大晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè)晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè)PN結(jié)。結(jié)。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管二、晶體管的放大原理二、晶體管的放大原理(集電結(jié)反偏),即(發(fā)射結(jié)正偏)放大的條件BECECBonBE0uuuUu 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE,復(fù)合
2、運(yùn)動(dòng)形成基極,復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流電流IB,漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流,漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流IC。因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低,使極少因基區(qū)薄且多子濃度低,使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合因集電結(jié)加反向電壓且集電區(qū)面積大,因集電結(jié)加反向電壓且集電區(qū)面積大,在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)電子漂移到集電區(qū) 電流分配:電流分配: I IE EI IB BI IC C I IE E擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流 I IB B復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成
3、的電流復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流 I IC C漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流CBOCEOBCBC)(1 IIiiII穿透電流穿透電流集電結(jié)反向電流集電結(jié)反向電流直流電流直流電流放大系數(shù)放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性CE)(BEBUufi 為什么為什么UCE增大曲線右移?增大曲線右移? 對(duì)于小功率晶體管,對(duì)于小功率晶體管,UCE大于大于1V的一條輸入特性曲線的一條輸入特性曲線可以取代可以取代UCE大于大于1V的所有輸入特性曲線。的所有輸入特性曲線。為什么為什么UCE增大到一定值曲增大到一定值曲線右移就不明顯了?線右移就不
4、明顯了?1. 輸入特性輸入特性2. 輸出特性輸出特性B)(CECIufi 對(duì)應(yīng)于一個(gè)對(duì)應(yīng)于一個(gè)IB就有一條就有一條iC隨隨uCE變化的曲線。變化的曲線。 為什么為什么uCE較小時(shí)較小時(shí)iC隨隨uCE變變化很大?為什么進(jìn)入放大狀態(tài)化很大?為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線?曲線幾乎是橫軸的平行線?飽和區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)晶體管的三個(gè)工作區(qū)域晶體管的三個(gè)工作區(qū)域 晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí),輸出回路的電流晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí),輸出回路的電流 iC幾乎僅僅幾乎僅僅決定于輸入回路的電流決定于輸入回路的電流 iB,即可將輸出回路等效為電流,即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源控制的電流源iC 。狀態(tài)狀態(tài)uBEiCuCE截止截止 uBE放大放大 Uon=iB uBE飽和飽和 UoniB uBE四、溫度對(duì)晶體管特性的影響四、溫度對(duì)晶體管特性的影響溫度升高時(shí),正向特性曲線將左移,反之將右移。溫度升高,集電極電流將增大。五、主要參數(shù) 直流參數(shù)直流參數(shù): 、 、ICBO、 ICEOc-e間擊穿電壓間擊穿電壓最大集電最大集電極電流極電流最大集電極耗散功最大集電極耗散功率,率,PCM
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