N型鋁背發(fā)射極太陽電池前面場(chǎng)摻雜分布的優(yōu)化研究_第1頁
N型鋁背發(fā)射極太陽電池前面場(chǎng)摻雜分布的優(yōu)化研究_第2頁
N型鋁背發(fā)射極太陽電池前面場(chǎng)摻雜分布的優(yōu)化研究_第3頁
N型鋁背發(fā)射極太陽電池前面場(chǎng)摻雜分布的優(yōu)化研究_第4頁
免費(fèi)預(yù)覽已結(jié)束,剩余1頁可下載查看

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、    n型鋁背發(fā)射極太陽電池前面場(chǎng)摻雜分布的優(yōu)化研究    賈積凱【摘 要】n型硅鋁背發(fā)射極太陽電池具有高轉(zhuǎn)換效率、無光致衰減、與現(xiàn)有常規(guī)電池生產(chǎn)線兼容的有點(diǎn),從而降低的n型電池的制造成本。而前面場(chǎng)是這一結(jié)構(gòu)太陽電池的重要組成部分。前面場(chǎng)的作用類似于p型常規(guī)太陽電池鋁背場(chǎng)的作用。前面場(chǎng)可以增強(qiáng)載流子的收集能力,提高電池的開路電壓,以及電池的轉(zhuǎn)換效率。在本文中,前面場(chǎng)的摻雜分布進(jìn)行了細(xì)致的研究。優(yōu)化后的表面濃度在4e+20 cm-3,同時(shí)前面場(chǎng)的深度控制在0.25 m到0.3 m之間。太低的摻雜濃度無法提供一個(gè)高強(qiáng)度的前面場(chǎng),而太高的摻雜濃度則引入過多的

2、載流子復(fù)合中心。對(duì)于前面場(chǎng)的深度,過薄會(huì)增加載流子的橫向電阻,過厚則會(huì)影響電池對(duì)于短波段光的吸收與轉(zhuǎn)化。【關(guān)鍵詞】太陽電池;n型;鋁背發(fā)射極;前面場(chǎng)引言目前,大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的太陽電池絕大部分還是基于p型硅材料的。基本上所有的太陽電池產(chǎn)品都是具有一個(gè)同質(zhì)的發(fā)射極、一層pecvd沉積的減反層、以及絲網(wǎng)印刷制備的前后電極?,F(xiàn)今,n型硅電池的開發(fā)興趣越來越濃厚。n型電池具有更高的載流子壽命、更小的載流子俘獲截面、更高的金屬雜質(zhì)耐受性等1; 2; 3.同時(shí),n型太陽電池也克服了p型電池由于硼氧復(fù)合體導(dǎo)致的光致衰減的弱點(diǎn)4.近幾年,許多用于n型硅太陽電池的技術(shù)被開發(fā)出來6; 7; 8;9;10; 11;

3、 12; 13.許多n型硅太陽電池產(chǎn)品開始進(jìn)入市場(chǎng). 但是這些結(jié)構(gòu)的電池工藝與現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝具有很大的差異,無法與現(xiàn)有p型硅太陽電池生產(chǎn)兼容,并且本身的工藝成本也非常高??焖佟⒌统杀尽⑴c現(xiàn)有p型太陽電池生產(chǎn)兼容的n型太陽電池的開發(fā)就顯得非常重要,而n型鋁背發(fā)射極太陽電池就可以完美做到這一點(diǎn)。christian schmiga等人就報(bào)道了他們?cè)趯?shí)驗(yàn)室達(dá)到了19.2%的效率20.。top cell solar international 也已經(jīng)可以生產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率19.2%的大面積(239 cm2),n型太陽電池了21.。一、實(shí)驗(yàn)本論文的實(shí)驗(yàn)是基于6英寸(148.58 cm2)的單晶cz n型硅片的。

4、硅片的電阻率大約是5 ?·cm。整個(gè)制備工藝以堿制絨開始,經(jīng)過清洗后進(jìn)行磷擴(kuò)散。擴(kuò)散后硅片方塊電阻為50 ?/。之后進(jìn)行濕法刻蝕,去除邊緣和背面的多余擴(kuò)散部分。同時(shí)利用hno3/hf的化學(xué)氣相腐蝕,控制前面場(chǎng)的表面濃度和深度。緊接著硅片正面使用pecvd進(jìn)行氮化硅減反膜的沉積,以及背面絲網(wǎng)印刷全鋁背場(chǎng)。最后進(jìn)行前面表面電極的制備。前表面電極的制備包括了電極下方的重?cái)U(kuò)散,使用表面噴涂磷源加激光擴(kuò)散的方法,使得重?cái)U(kuò)散區(qū)域的方阻降低到15 ?/。二、結(jié)果與討論對(duì)于前面場(chǎng)的優(yōu)化主要包括兩個(gè)方面,一個(gè)是前面場(chǎng)的深度,另一個(gè)是表面濃度。在實(shí)驗(yàn)過程中首先進(jìn)行重?cái)U(kuò)散,之后使用hno3/hf的化學(xué)氣相

5、腐蝕,配合低溫下koh的浸泡,控制表面濃度和深度。隨著前面場(chǎng)厚度的增大,電池的串聯(lián)電阻逐步減小,ff逐步增大,這主要是減少了前表面的橫向電阻。但是隨著前面場(chǎng)厚度的增加,電池的短路電流卻一直在減小,當(dāng)前面場(chǎng)厚度超過0.25 m左右時(shí)短路電流減小的影響超過了ff增加的效果,所以電池轉(zhuǎn)換效率開始下降。短路電流的下降主要來自于短波長(zhǎng)的響應(yīng)減小。在固定前面場(chǎng)深度的情況下,改變表面濃度。根據(jù)前面的分析,前表面場(chǎng)的深度在0.25 m到0.3 m間效果最好。故這里基本控制在0.27 m,表面濃度在1e+20 cm-3-8e+20 cm-3之間變化。由于固定了前表面場(chǎng)的深度,電池短路電流基本穩(wěn)定。隨著表面濃度的

6、提高,電池的串聯(lián)電阻減小,ff提升,這同樣也與前表面的橫向電阻降低有關(guān)。隨著表面濃度的提升,開路電壓先升高后降低。表面濃度的提高,使得前表面場(chǎng)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)更加靠近導(dǎo)帶底,使得它與基底的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的能級(jí)差變大,這樣可以有效提高前面場(chǎng)的勢(shì)壘,提升開路電壓。但是由于前表面場(chǎng)濃度的提高必然因擴(kuò)散而引入大量的擴(kuò)散雜質(zhì)和復(fù)合中心,使得少子壽命降低。因此少子壽命的降低與前表面場(chǎng)勢(shì)壘的提高有一個(gè)平衡和制約關(guān)系。大概表面濃度在4e+20 cm-3左右時(shí),電池性能最好。三、總結(jié)n型硅鋁背發(fā)射極太陽電池具有高轉(zhuǎn)換效率、無光致衰減、與現(xiàn)有常規(guī)電池生產(chǎn)線兼容的有點(diǎn),從而降低的n型電池的制造成本。而前面場(chǎng)是這一結(jié)構(gòu)太陽電

7、池的重要組成部分。前面場(chǎng)的作用類似于p型常規(guī)太陽電池鋁背場(chǎng)的作用。前面場(chǎng)可以增強(qiáng)載流子的收集能力,提高電池的開路電壓,以及電池的轉(zhuǎn)換效率。在本文中,前面場(chǎng)的摻雜分布進(jìn)行了細(xì)致的研究。前面場(chǎng)的深度將主要影響電池的短路電流和ff;表面濃度主要影響電池的開路電壓和ff。優(yōu)化后的表面濃度在4e+20 cm-3,同時(shí)前面場(chǎng)的深度控制在0.25 m到0.3 m之間。太低的摻雜濃度無法提供一個(gè)高強(qiáng)度的前面場(chǎng),而太高的摻雜濃度則引入過多的載流子復(fù)合中心。對(duì)于前面場(chǎng)的深度,過薄會(huì)增加載流子的橫向電阻,過厚則會(huì)影響電池對(duì)于短波段光的吸收與轉(zhuǎn)化。參考文獻(xiàn):1cotter, j.e., guo, j.h., cous

8、ins, p.j., abbott, m.d., chen, f.w., fisher, k.c., 2006. p-type versus n-type silicon wafers: prospects for high efficiency commercial silicon solar cells. ieee trans. electron dev. 53,18931901.2macdonald, d., geerligs, l.j., 2004. recombination active of interstitial iron and other transition metal

9、 point defects in p- and n-type crystalline silicon. appl. phys. lett. 85, 40614063.3schmidt, j., aberle, a.g., hezel, r., 1997. investigation of carrier lifetime instabilities in cz grown silicon. in: 26th ieee photovoltaic specialists conference, pp. 1318.4bothe, k., sinton, r., schmidt, j., 2005. fundamental born-oxygen-related carrier lifetime limit in mono and multicrystalline silicon. prog. photovoltaics: res. appl. 13, 287

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論