三極管及其種類(lèi)與識(shí)別

1、電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管 三三 極極 管管通用型三級(jí)管通用型三級(jí)管高、低頻三級(jí)管高、低頻三級(jí)管單向、雙向可控硅單向、雙向可控硅場(chǎng)效應(yīng)管等場(chǎng)效應(yīng)管等大、小功率三級(jí)管大、小功率三級(jí)管mosmos場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型結(jié)型集成型集成型IGBT晶體三極管晶體三極管是由兩個(gè)做在一起的PN結(jié)，和相應(yīng)導(dǎo)線封裝組成。發(fā)射區(qū)發(fā)射結(jié)基區(qū)集電結(jié)集電區(qū)PNP型NPN型 三極管的認(rèn)識(shí)三極管的認(rèn)識(shí): 晶體三極管是雙極型晶體管的簡(jiǎn)稱，具有電流放大和開(kāi)關(guān)作用，是電子電路的核心組件。 晶體三極管的基本結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)反向連接的PN結(jié)面，中間有一夾層組成的，因此，晶體三極管可有PNP和NPN兩種類(lèi)型

2、，NPN型與PNP型兩種晶體三極管的功能差別在于工作時(shí)的電流方向不同。晶體管三個(gè)接出來(lái)的端點(diǎn)依序稱為發(fā)射極e 基極b 和集電極c三極管的分類(lèi)v按工作頻率分為：低頻三極管和高頻三極管v按工作功率分為：小功率、中功率和大功率三極管v按封裝形式分為：金屬封裝、玻璃封裝、塑料封裝v按導(dǎo)電特性分為：PNP型 NPN型三極管的分類(lèi)三極管的分類(lèi) 晶體三極管的分類(lèi)很多，按結(jié)構(gòu)可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型；按生產(chǎn)工藝分為合金型、擴(kuò)散型和平面型等。但是常用的分類(lèi)是從應(yīng)用角度，依工作頻率分為低頻三極管、高頻三極管和開(kāi)關(guān)三極管；依工作功率分為小功率三極管、中功率三極管和大功率三極管；按其導(dǎo)電類(lèi)型可分為PNP型和NPN型；

3、按其構(gòu)成材料可分為鍺管和硅管。 鍺三極管和硅三極管之間的區(qū)別。不管是鍺管還是硅管，都有PNP型和NPN型兩種導(dǎo)電類(lèi)型，都有高頻管和低頻管、大功率管和小功率管。但它們?cè)陔姎馓匦陨线€是有一定差距的。首先，鍺管比硅管具有較低的起始工作電壓，鍺三極管的基極和發(fā)射極之間有0.2V0.3V的電壓即可開(kāi)始工作，而硅三極管的基極和發(fā)射極之間有0.6V0.7V的工作電壓才能工作。其次，鍺管比硅管具有較低的飽和壓降，晶體管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極之間的電壓鍺管比硅管更低。第三，硅管比鍺管具有較小的漏電流和更平直的輸出特性。三極管的技術(shù)參數(shù)電流放大系數(shù)：表示三極管電流放大能力一般：Ic(集電極電流) = Ib(基極電

4、流)三極管極間反向電流，包括：1.集電極反向飽和電流Icb0：指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極加反向電壓時(shí)的反向電流，應(yīng)該很小。2.穿透電流Ice0：指基極開(kāi)路時(shí)，c-e間加反向電壓時(shí)的反向電流，應(yīng)該很小。兩者之間滿足： Ice0 = (1+) Icb0極限參數(shù)： 1.集電極最大允許電流（ICM) 2.集電極、發(fā)射極間的最大允許反向電壓（BVce0） 3.集電極最大允許功耗(PCM)三極管的主要參數(shù)三極管的主要參數(shù) 1、共發(fā)射極直流放大倍數(shù)、共發(fā)射極直流放大倍數(shù)HFE 共發(fā)射極直流放大倍數(shù)HFE是指在沒(méi)有交流信號(hào)輸入時(shí)，共發(fā)射極電路輸出的集電極直流電流與基極輸入的直電流之比。這是衡量晶體三極管有無(wú)放大作

5、用的主要參數(shù)，正常三極管的HFE應(yīng)為幾十至幾百倍。常用的三極管的外殼上標(biāo)有不同顏色點(diǎn)，以表明不同的放大倍數(shù)。 放大倍數(shù)：-15-25-40-55-80-120-180-270-400- 色標(biāo)點(diǎn)：棕 紅 橙 黃 綠 藍(lán) 紫 灰 白 黑例如：色點(diǎn)為黃色的三極管的放大倍數(shù)是4055倍之間，色點(diǎn)是灰色的三極管的放大倍數(shù)為180270倍之間等等。 2、共發(fā)射極交流放大倍數(shù)、共發(fā)射極交流放大倍數(shù) 共發(fā)射極電路中，集電極電流和基極輸入電流的變化量之比稱為共發(fā)射極交流放大倍數(shù)。當(dāng)三極管工作在放大區(qū)小信號(hào)運(yùn)用時(shí)，HFE=，三極管的放大倍數(shù)一般在10200倍之間。太小，表明三極管的放大能力越差，但越大的管子的往往

6、工作穩(wěn)定性太差。 3 、特征頻率、特征頻率 三極管的放大倍數(shù)會(huì)隨著工作信號(hào)頻率的升高而下降，頻率越高，下降越嚴(yán)重。特征頻率就是下降到1時(shí)的頻率。也就是說(shuō)，當(dāng)工作信號(hào)的頻率升高到特征頻率時(shí)，晶體三極管就失去了交流電流的放大能力。特征頻率的大小反映了晶體三極管頻率特性的好壞。在高頻率電路中，要選用特征頻率較高的管子，特征頻率一般比電路工作頻率至少要高3倍以上。 晶體三極管的放大倍數(shù)在集電極電流過(guò)大時(shí)也會(huì)下降。下降到額定值的2/3倍或1/2時(shí)的集電極電流為集電極最大允許電流。三極管工作時(shí)的集電極電流最好不要超過(guò)集電極最大允許電流。 晶體三極管工作時(shí)，集電極電流通過(guò)集電結(jié)要耗散功率，耗散功率越大，集電

7、結(jié)的溫升就越高，根據(jù)晶體管允許的最高溫度，定出集電極最大允許耗散功率。小功率管的集電極最大允許耗散功率在幾十至幾百毫瓦之間，大功率管卻在1瓦以上。要認(rèn)識(shí)三極管首先要了解晶體三極管的命名方法，各國(guó)對(duì)晶體管的命名方法的規(guī)定不同，我國(guó)晶體管的型號(hào)一般由五個(gè)部分組成，見(jiàn)表1。國(guó)外部分公司及產(chǎn)品代號(hào)見(jiàn)表2。三極管的識(shí)別三極管的識(shí)別第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器件電極的數(shù)目用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的材料和極性用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的類(lèi)型 用數(shù)字表示序號(hào)漢語(yǔ)拼音字母標(biāo)示規(guī)格號(hào)符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義3三極管APNN型鍺材料X低頻小功率BNPN型鍺材料G高頻小功率CPNP型硅材料D低頻大功

8、率DNPN型硅材料A高頻大功率E化合物材料國(guó)產(chǎn)晶體三極管的型號(hào)命名由五部分組成，國(guó)產(chǎn)晶體三極管的型號(hào)命名由五部分組成，第一部分用數(shù)字第一部分用數(shù)字“3”表示三極管，表示三極管，第二部分用字母表示材料和極性，第二部分用字母表示材料和極性，第三部分用字母表示類(lèi)型，第三部分用字母表示類(lèi)型，第四部分用數(shù)字表示序號(hào)，第四部分用數(shù)字表示序號(hào)，第五部分用字母表示規(guī)格。第五部分用字母表示規(guī)格。 序號(hào)（用數(shù)字表示）類(lèi)型（字母表示）材料和極性（用字母表示）三極管3*規(guī)格（字母）三極管的命名方法三極管的命名方法表 三極管型號(hào)的意義第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分3A：PNP型鍺材料B：NPN型鍺材料C：PN

9、P型硅材料D：NPN型硅材料E：化合物材料X：低頻小功率管G：高頻小功率管D：低頻大功率管A：高頻大功率管K：開(kāi)關(guān)管T：閘流管J：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管O：MOS場(chǎng)效應(yīng)管U：光電管序號(hào)規(guī)格（可缺）例 3AX81表示為PNP型鍺材料，低頻小功率管三極管例：1) 鍺材料PNP型低頻大功率三極管： 2) 硅材料NPN型高頻小功率三極管： 3 A D 50 C 3 D G 201 B 規(guī)格號(hào) 規(guī)格號(hào) 序號(hào) 序號(hào) 低頻大功率 低頻大功率 PNP型、鍺材料 PNP、鍺材料 三極管 三極管 三極管的識(shí)別：三極管的識(shí)別： 例子：三極管的檢測(cè)三極管的檢測(cè) 晶體三極管的檢測(cè)晶體三極管的檢測(cè) 在晶體三極管裝入電路之前或檢修家

10、用電器時(shí)經(jīng)常需要用簡(jiǎn)易的方法判別它的好壞。下面介紹用萬(wàn)用表測(cè)量晶體三極管的幾種方法。 1、判斷晶體三極管的管腳、判斷晶體三極管的管腳 三極管的三個(gè)管腳的作用是不同的，工作時(shí)不能相互代替。用萬(wàn)用表判斷的方法是：將萬(wàn)用表置于電阻R1K檔，用萬(wàn)用表的黑表筆接晶體管的某一管腳（假設(shè)它是基極），用紅表筆分別接另外的兩個(gè)電極。如果表針指示的兩個(gè)阻值都很小，那么黑表筆所接的那一個(gè)腳便是NPN型管的基極；如果表針指示的兩個(gè)阻值都很大，那么黑表筆所接的那一個(gè)腳便是PNP型管的基極。如果表針指示的阻值一個(gè)很大，一個(gè)很小，那么黑表筆所接的管腳肯定不是三極管的基極，要換另一個(gè)管腳再檢測(cè)。 2、判斷硅管和鍺管、判斷硅管

11、和鍺管利用硅管PN結(jié)與鍺管PN結(jié)正、反向電阻的差異，可以判斷不知型號(hào)的三極管是硅管還是鍺管。用萬(wàn)用表的R1K檔，測(cè)發(fā)射極與基極間和集電極與基極間的正向電阻，硅管大約在310K之間，鍺管大約在5001K之間，上述極間的反向電阻，硅管一般大于500K，鍺管一般大于1000K左右。 3、測(cè)量三極管的直流放大倍數(shù)、測(cè)量三極管的直流放大倍數(shù)將萬(wàn)用表的功能選擇開(kāi)關(guān)調(diào)到HFE處，一般還需調(diào)零，把三極管的三個(gè)電極正確的放到萬(wàn)用表的面板上的四個(gè)小孔中PNP（P）或NPN（N）的e、b、c處，這時(shí)萬(wàn)用表的指針會(huì)向右偏轉(zhuǎn)，在表頭內(nèi)部的刻盤(pán)上有HFE的指示數(shù)，即是測(cè)量三極管的直流放大倍數(shù)。三極管的測(cè)試三極管的測(cè)試分為

12、測(cè)試三極管的類(lèi)型、管腳排列首先是如何測(cè)試三極管的類(lèi)型使用萬(wàn)用表的電阻檔(R1)檔,判斷如下：電阻很小PNPNPN紅表筆為基極黑表筆為基極bb(1) 基極的判別：將萬(wàn)用表置于RX1K擋，用黑表筆接三極管的任意一極，再用紅表筆分別去接觸另外兩個(gè)電極測(cè)其正、反向電阻，直到出現(xiàn)測(cè)得的兩個(gè)電阻都很大。（在測(cè)量過(guò)程中，如果出現(xiàn)一個(gè)阻值很大，另一個(gè)阻值很小，此時(shí)就需將黑表筆換一個(gè)電極再測(cè)），此時(shí)黑表筆所接電極就是三極管的基極b，而且為PNP型管子。當(dāng)測(cè)得的兩個(gè)阻值都很小時(shí)，黑表筆所接就為基極，而且為NPN型管子。(2) 集電極、發(fā)射極的判別。對(duì)鍺材料的PNP、NPN待測(cè)管子，可先用上述方法確定管子的基極b，

13、然后置萬(wàn)用表為RX1K擋，再測(cè)剩余兩個(gè)電極的阻值，對(duì)調(diào)表筆各測(cè)一次，在阻值較小的一次測(cè)量中，對(duì)PNP型管子紅表比所接為集電極，黑表筆所接為發(fā)射極。對(duì)于NPN型管紅表筆所接為發(fā)射極，黑表筆所接為集電極。18三極管的管腳判別 其次是如何測(cè)試三極管的管腳排列判斷出管子類(lèi)型和基極后，使用萬(wàn)用表的電阻檔(R1)檔，如下測(cè)試：在基極與另兩個(gè)管腳間接入一個(gè)電阻測(cè)量三極管的放大作用，然后更換表筆再測(cè)，兩次測(cè)量中表指針偏離較大的那次，可根據(jù)不同類(lèi)型的管子判斷出集電極和發(fā)射極。CeCeNPNPNP20管腳的判別 n n 選擇萬(wàn)用表選擇萬(wàn)用表“R1K”擋。擋。n n 用黑表筆接一管腳（假定其為用黑表筆接一管腳（假定

14、其為B極），紅表筆分別接另外兩管腳，測(cè)得兩個(gè)電極），紅表筆分別接另外兩管腳，測(cè)得兩個(gè)電阻值。阻值。圖 二個(gè)阻值均為小數(shù)值，則管子為NPN管，則黑表棒接觸的為B極，三極管管腳識(shí)別檢測(cè)三極管管腳識(shí)別檢測(cè)判斷基極判斷基極B和管子類(lèi)型和管子類(lèi)型步驟：步驟：如如一個(gè)一個(gè)阻值均為阻值均為無(wú)窮大無(wú)窮大，另，另一個(gè)一個(gè)為為小數(shù)值小數(shù)值，則黑表，則黑表棒假定的棒假定的B B極錯(cuò)誤，需重新假定直致找到為止（如圖極錯(cuò)誤，需重新假定直致找到為止（如圖6 64949所示）。所示）。 判別判別：如二個(gè)阻值均為無(wú)窮大，則管子為如二個(gè)阻值均為無(wú)窮大，則管子為PNP管，則黑表管，則黑表棒接觸的為棒接觸的為B極，極， 假定正確。

15、假定正確。如二個(gè)阻值均為小數(shù)值，則管子為如二個(gè)阻值均為小數(shù)值，則管子為NPN管，則黑表棒管，則黑表棒接觸的為接觸的為B極，極， 假定正確。假定正確。l 具有“或hFE”擋的萬(wàn)用表測(cè)量（如MF47）下圖測(cè)電流的放大系數(shù)將萬(wàn)用表置于“hFE”擋，如圖所示將三極管插入測(cè)量插座（基極插入b孔，另兩管腳隨意插入），記下讀數(shù)。再將另兩管腳對(duì)調(diào)后插入，也記下讀數(shù)。兩次測(cè)量中，讀數(shù)大的那一次管腳插入是正確的。測(cè)量時(shí)需注意NPN管和 PNP管應(yīng)插入各自相應(yīng)的插座。圖 測(cè)電流的放大系數(shù) 識(shí)別集電極c和發(fā)射極e常利用測(cè)量三極管的電流放大系數(shù)來(lái)判別。沒(méi)有“或hFE”擋的萬(wàn)用表測(cè)量（如MF30）將萬(wàn)用表置于“R1K”擋

16、（以NPN管為例），紅表筆接基極以外后管腳，左手拇指與中指將黑表筆與基極以外的另一管腳捏在一起，同時(shí)用左手食指觸摸余下的管腳， 這時(shí)表針應(yīng)向右擺動(dòng)。將基極以外的兩管腳對(duì)調(diào)后再測(cè)一次。兩次測(cè)量中，表針擺動(dòng)幅度較大的那一次，黑表筆所接為集電極，紅表筆所接為發(fā)射極。表針擺動(dòng)幅度越大，說(shuō)明被測(cè)三極管的值越大。圖 MF30測(cè)量電流放大系數(shù) 三極管封裝形式和管腳識(shí)別三極管封裝形式和管腳識(shí)別 晶體三極管的代換晶體三極管的代換 在電器修理中，經(jīng)常會(huì)遇到三級(jí)管的損壞，需用同型號(hào)、同品種的三極管代換，或用相同（相近）性能的三極管進(jìn)行代用。代用的原則和方法如下：（1）極限參數(shù)高的三極管可以代換較低的三極管。例如集電

17、極最大允許耗散功率大的三極管可以代換小的三極管。 （2）性能好的三極管可以代換性能差的三極管。例如參數(shù)值高的三極管可以代換值低的三極管，但值不宜過(guò)高，否則三極管工作不穩(wěn)定。 （3）高頻、開(kāi)關(guān)三極管可以代換普通低頻三極管。當(dāng)其它參數(shù)滿足要求時(shí)，高頻管可以代替低頻管。 （4）鍺管和硅管可以相互代換。兩種材料的管子相互代換時(shí)，首先要導(dǎo)電類(lèi)型相同（PNP型代換PNP型，NPN型代換NPN型），其次，要注意管子的參數(shù)是否相似，第三更換管子后由于偏置不同，需重新調(diào)整偏流電阻。場(chǎng)效管場(chǎng)效管 場(chǎng)效應(yīng)管是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，因而得到迅速

18、發(fā)展與應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管與三極管同為放大器件，但工作原理不同：三極管是電流控制器件，在一定條件下，集電極電流受基極電流控制，而場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，電子電流受柵極電壓控制。達(dá)林頓管達(dá)林頓晶體管DT（Dar1ington Transistor）亦稱復(fù)合晶體管。它采用復(fù)合過(guò)接方式，將兩只或更多只晶體管的集電極連在一起，而將第一只晶體管的發(fā)射極直接耦合到第二只晶體管的基極，依次級(jí)連而成，最后引出E、B、C三個(gè)電極。 達(dá)林頓管具有很高的放大系數(shù)，值可以達(dá)到幾千倍，甚至幾十萬(wàn)倍。利用它不僅能構(gòu)成高增益放大器，還能提高驅(qū)動(dòng)能力，獲得大電流輸出，構(gòu)成達(dá)林頓功率開(kāi)關(guān)管。在光電耦合器中，也有用達(dá)林頓管作為接收管的

19、。達(dá)林頓管產(chǎn)品大致分成兩類(lèi)，一類(lèi)是普通型，內(nèi)部無(wú)保護(hù)電路，另一類(lèi)則帶有保護(hù)電路。 達(dá)林頓管的測(cè)試 普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成，其基極B與發(fā)射極E之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。檢測(cè)時(shí)可使用萬(wàn)用表的R1k或R10k檔來(lái)測(cè)量。測(cè)量達(dá)林頓管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，集電極C與基極B之間的正向電阻值（測(cè)NPN管時(shí)，黑表筆接基極B；測(cè)PNP管時(shí)，黑表筆接集電極C）值與普通硅晶體管集電結(jié)的正向電阻值相近，為310k之間，反向電阻值為無(wú)窮大。而發(fā)射極E與基極B之間的的正向電阻值（測(cè)NPN管時(shí)，黑表筆接基極 B；測(cè)PNP管時(shí)，黑表筆接發(fā)射極E）是集電極C與基極B之間的正、反向電

20、阻值的23倍，反向電阻值為無(wú)窮大。集電極C與發(fā)射極E之間的正、反向電阻值均應(yīng)接近無(wú)窮大。若測(cè)得達(dá)林頓管的C、E極間的正、反向電阻值或BE極、BC極之間的正、反向電阻值均接近0，則說(shuō)明該管已擊穿損壞。若測(cè)得達(dá)林頓管的 BE極或BC極之間的、反向電阻值為無(wú)窮大，則說(shuō)明該管已開(kāi)路損壞。 場(chǎng)效管的種類(lèi)場(chǎng)效管的種類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型可分兩類(lèi)：一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，一類(lèi)是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，也叫金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)其溝道所采用的半導(dǎo)體材料，另分為P型和N型溝道兩種。溝道，就是電流通道。 1 1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 N型溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的基體是一塊N型硅材料，為N溝道

21、。從基體引出兩個(gè)電極分別叫源極（S）和漏極（D）。在基體兩邊各附一小片P型材料，其引出的電極叫柵極（G）。這樣，在溝道和柵極之間形成了兩個(gè)PN結(jié)，當(dāng)柵極開(kāi)路時(shí)，溝道就相當(dāng)于一個(gè)電阻，不同型號(hào)的管子其阻值不相同，一般大約數(shù)百歐到千歐不等。 2 2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)是輸入電阻高，便于做成集成電路。在一塊N型硅片上有兩個(gè)相距很近濃度很高的P擴(kuò)散區(qū)，分別為源極和漏極，在源區(qū)與漏區(qū)之間的硅片上，有一層絕緣二氧化硅，絕緣層上覆蓋著金屬鋁，這就是柵極。柵極和其它電極之間是絕緣的，所以稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。由于源、柵之間有一層氧化層，這種管子基本上沒(méi)有柵極電流，因此輸入阻抗非

22、常高。場(chǎng)效管的檢測(cè)場(chǎng)效管的檢測(cè)數(shù)字萬(wàn)用表不僅能叛定場(chǎng)效管的電極，還可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)（放大系數(shù)）。由于數(shù)字萬(wàn)用表電阻擋的測(cè)試電流很小，所以不適用于檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管，應(yīng)使用hee擋進(jìn)行測(cè)試。將場(chǎng)效應(yīng)管的G、D、S極分別插入hee測(cè)量插座的B、C、E孔中（N溝道管插入NPN插座中，P溝道管插入PNP插座中）此時(shí)，顯示屏上會(huì)顯示一個(gè)數(shù)值，這個(gè)數(shù)值就是場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)（放大系數(shù)）；若電極插錯(cuò)或極性插錯(cuò)，則顯示屏都不會(huì)顯示出這個(gè)數(shù)值，此時(shí)將顯示為“0000”或“1”五、場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別：場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R1k

23、檔，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)K時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。2、判定柵極用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。3、估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力將萬(wàn)用表?yè)艿絉100檔，紅

24、表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。本方法也適用于測(cè)MOS管。為了保護(hù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應(yīng)

25、電荷直接加到柵極上，將管子損壞。MOS管每次測(cè)量完畢，G-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起電壓UGS，再接著測(cè)時(shí)表針可能不動(dòng)，此時(shí)將G-S極間短路一下即可。場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)： 1、I DSS 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流。 2、UP 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。 3、UT 開(kāi)啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。 4、gM 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS 對(duì)漏極電流I D的控

26、制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。 6、PDSM 最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM 最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM 場(chǎng)效應(yīng)管的作用場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1 、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。

27、由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。 3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。 可控硅（晶閘管）可控硅（晶閘管）晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制，故被廣泛應(yīng)用在可整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。 柵極懸空時(shí)，BG1和BG2截止,沒(méi)有電流流過(guò)負(fù)載電阻RL。 柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓時(shí),BG2道通，VCE(BG2)下降，VBE(BG1)升高。 正反饋過(guò)程使BG1和BG2進(jìn)入飽和道通狀態(tài)。 電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入道通狀態(tài)。 由于正反饋的作用柵極沒(méi)有觸發(fā)將保持道通狀態(tài)不變?？煽毓韫ぷ髟?導(dǎo)通陽(yáng)極和陰極加上反向電壓BG1和BG2截止。加大