微電子學(xué)概論復(fù)習(xí)資料最終版-僅供參考(共10頁)

1、第一章1， 晶體管的發(fā)明ENIAC計(jì)算機(jī)是由電子管構(gòu)成的1947年12月23日，第一次觀測到了具有放大作用的晶體管2， 歷史發(fā)展1946年第一臺(tái)計(jì)算機(jī)：ENIAC1947年12月23日 第一個(gè)晶體管：NPN Ge晶體管 W. Schokley J. Bardeen W. Brattain1977年在北京大學(xué)誕生第一塊大規(guī)模集成電路1958年以德克薩斯儀器公司 基爾比(Clair Kilby)研制出了世界上第一塊集成電路，并于1959年公布。TI公司的Kilby，12個(gè)器件，Ge晶片3， 微電子學(xué)的概念微電子學(xué)是研究在固體（主要是半導(dǎo)體）材料上構(gòu)成的微小型化電路及系統(tǒng)的電子學(xué)分支。 微電子學(xué)微型

2、電子學(xué) 核心集成電路4， 集成電路的概念集成電路：Integrated Circuit，縮寫IC。是指通過一系列工藝,在單片半導(dǎo)體材料上(Si或GaAs)加工出許多元器件（有源和無源），這些元器件按照一定要求連接起來，作為一個(gè)不可分割的整體執(zhí)行某一特定功能。（通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片（如硅或砷化鎵）上，封裝在一個(gè)外殼內(nèi)，執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能）第二章1. 金屬、半導(dǎo)體、絕緣體金屬：電導(dǎo)率106104(Wcm-1)，不含禁帶；半導(dǎo)體：電導(dǎo)率10410-10(Wcm-1)，含禁帶；絕緣體：電導(dǎo)率<

3、;10-10(Wcm-1)，禁帶較寬；金屬、半導(dǎo)體、絕緣體的區(qū)別：半導(dǎo)體中存在著禁帶，而金屬中不存在；半導(dǎo)體和絕緣體的禁帶寬度和電導(dǎo)率的溫度特性不同。2. 半導(dǎo)體的特點(diǎn)：（1）電導(dǎo)率隨溫度上升而指數(shù)上升；（2）雜質(zhì)的種類和數(shù)量決定其電導(dǎo)率；（3）可以實(shí)現(xiàn)非均勻摻雜；（4）光輻照、高能電子注入、電場和磁場等影響其電導(dǎo)率；3. P型/N型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為電子半導(dǎo)體。在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷(或銻)。P型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為空穴半導(dǎo)體。在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或銦）。4. 多子、少子的概念多子：多數(shù)載流子 n

4、型半導(dǎo)體：電子 p型半導(dǎo)體：空穴少子：少數(shù)載流子 n型半導(dǎo)體：空穴 p型半導(dǎo)體：電子電子和空穴統(tǒng)稱為載流子。5. 能帶、導(dǎo)帶、價(jià)帶、禁帶能帶之間的間隙叫禁帶，一個(gè)能帶到另一個(gè)能帶之間的能量差稱為禁帶寬度。價(jià)帶：0K條件下被電子填充的能量最高的能帶導(dǎo)帶： 0K條件下未被電子填充的能量最低的能帶禁帶：導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂之間能帶帶隙：導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂之間的能量差5. 本征半導(dǎo)體：沒有摻雜的半導(dǎo)體 （相對應(yīng)的為摻雜半導(dǎo)體）6. 半導(dǎo)體遷移率遷移率：單位電場作用下載流子獲得平均速度，反映了載流子在電場作用下輸運(yùn)能力影響遷移率的因素：有效質(zhì)量和平均弛豫時(shí)間（散射）體現(xiàn)在：溫度和摻雜濃度7. 擴(kuò)散和漂移擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：

5、多數(shù)載流子因濃度上的差異而形成的運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)：少數(shù)載流子在內(nèi)電場作用下有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向相反正向偏置時(shí)，擴(kuò)散大于漂移；反向偏置時(shí)，漂移大于擴(kuò)散8. 過剩載流子由于受外界因素如光、電的作用，半導(dǎo)體中載流子的分布偏離了平衡態(tài)分布，稱這些偏離平衡分布的載流子為過剩載流子.9. PN結(jié)，為什么會(huì)單向?qū)щ?，正向特性、反向特性，正向特性：正向偏置時(shí)，擴(kuò)散大于漂移， 稱為PN結(jié)的正向注入效應(yīng)。反向特性：反向偏置時(shí)，漂移大于擴(kuò)散, PN結(jié)的反向抽取作用。10. 雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)雙極晶體管（三極管）的結(jié)構(gòu)：由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成：三極管的特點(diǎn)BIMOS：雙極金屬氧化物半導(dǎo)體M

6、OSFET和三極管的主要區(qū)別：1：MOSFET是電壓控制器件，三極管是電流控制器件2MOSFET輸入阻抗很大，三極管輸入阻抗比MOSFET小3MOSFET輸出電阻比三極管小，所以驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)4MOSFET截止頻率比三極管截止頻率高。CMOS與雙極集成電路區(qū)別：雙極型集成電路是由NPN或PNP型晶體管組成，也叫TTL集成電路。 單極型集成電路是由MOS場效應(yīng)晶體管組成的。TTL和COMS電路比較：1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns)，但是功耗大。COMS電路的速度慢，傳輸延遲時(shí)間長(25-50ns),但功耗低。COMS電

7、路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關(guān)，頻率越高，芯片集越熱，這是正?，F(xiàn)象。 MOS晶體管分類：按載流子類型分： NMOS: 也稱為N溝道，載流子為電子。 PMOS: 也稱為P溝道，載流子為空穴。第三章 大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)1 集成電路制造流程、特征尺寸集成電路的制造過程：設(shè)計(jì) 工藝加工 測試 封裝集成電路的性能指標(biāo)：集成度速度、功耗（功耗延遲積，又稱電路的優(yōu)值。功耗延遲積越小，集成電路的速度越快或功耗越低，性能越好）特征尺寸（集成電路中半導(dǎo)體器件的最小尺度）。特征尺度越小，加工精度越高，可能精度越高，可能達(dá)到的集成度也越大，性能越好?？煽啃约呻娐返年P(guān)鍵技術(shù)：光刻技術(shù)(DUV)第四章 1.常用化

8、學(xué)氣相淀積法(CVD):常壓化學(xué)氣相淀積（APCVD）、低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD）、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（PECVD）2.外延：在單晶襯底上生長單晶材料層的工藝3.集成電路工藝主要分為哪幾大類，每一類中包括哪些主要工藝，并簡述各工藝的主要作用*圖形轉(zhuǎn)換（將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上）：光刻光刻三要素：光刻膠、掩膜版和光刻機(jī)；光刻的基本要素是掩模板和光刻膠。光刻工序：光刻膠的涂覆爆光顯影刻蝕去膠光致抗蝕劑（或稱光刻膠）是一種對光敏感的高分子化合物，它是由光敏化合物、基體樹脂和有機(jī)溶劑等混合而成的膠狀液體。當(dāng)光刻膠受到特定波長光線的輻照之后，光敏化合物會(huì)發(fā)生化

9、學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致光刻膠的化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使光刻膠在特定溶液中的溶解特性發(fā)生改變。如果光刻膠在曝光前可溶于某種溶液而經(jīng)過曝光后變?yōu)椴豢扇?，這種光刻膠稱為負(fù)膠；如果曝光前不溶而曝光后變?yōu)榭扇艿?，這種光刻膠稱為正膠。（分辨率高，在超大規(guī)模集成電路工藝中，一般只采用正膠）幾種常見的光刻方法接觸式光刻：分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。接近式曝光：在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙(1025mm)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低投影式曝光：利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式*常用的腐蝕方法分為濕法刻蝕和干法刻蝕濕法刻蝕：利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液

10、通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法，用在線條較大的IC(3mm)；干法刻蝕：主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團(tuán)等)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的*摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成PN結(jié)、電阻、歐姆接觸。磷(P)、砷(As) N型硅；硼(B) P型硅擴(kuò)散法（diffusion）是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐中，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)的一種方法。有以下兩種擴(kuò)散方式離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(

11、劑量)決定.（需要進(jìn)行退火處理）。離子注入目前已成為集成電路工藝中主要的雜質(zhì)摻雜技術(shù)退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火。退火作用：1、激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用；2、消除晶格損傷引起的晶體缺陷；*制膜氧化硅層的作用：1）作為MOS期間的絕緣柵介質(zhì) 2）用作選擇擴(kuò)散時(shí)的掩蔽層3）作為離子注入的阻擋層 4）作為集成電路的隔離介質(zhì)材料5）作為電容器的隔離介質(zhì)材料 6）作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料7）作為對器件和電路進(jìn)行鈍化的鈍化層材料熱氧化層形成SiO2的機(jī)理：硅與氧氣和水蒸

12、氣的熱氧化反應(yīng)方程式為：Si(固體) + 2H2O SiO2(固體) + 2H2Si(固體) + O2 SiO2(固體)硅的氧化過程是一個(gè)表面過程。必須經(jīng)過以下三個(gè)步驟：1氧化劑從氣體內(nèi)部被傳輸?shù)綒怏w/氧化物界面。2通過擴(kuò)散穿過已經(jīng)形成的氧化層。3在氧化層/硅界面處發(fā)生反應(yīng)。影響硅表面氧化速率的三個(gè)關(guān)鍵因素為：溫度，氧化劑的有效性，硅層的表面勢。4.簡述光刻的工藝過程硅片清洗、烘干 涂底 涂膠 軟烘 對準(zhǔn)曝光 后烘 顯影 硬烘 刻蝕 去膠5.N阱、P阱工藝流程形成N阱：初始氧化、淀積氮化硅層、光刻1版，定義出N阱、反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層、N阱離子注入，注磷形成P阱：去掉光刻膠、在N阱區(qū)生長厚氧化

13、層，其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化、去掉氮化硅層、 P阱離子注入，注硼6.Cu、Al作為互連線的比較：Al是目前集成電路工藝中最常用的金屬互連材料, 但Al連線也存在一些比較嚴(yán)重的問題：電遷移嚴(yán)重、電阻率偏高、淺結(jié)穿透等。Cu連線工藝有望從根本上解決該問題，IBM、Motorola等已經(jīng)開發(fā)成功。 目前，互連線已經(jīng)占到芯片總面積的7080%；且連線的寬度越來越窄，電流密度迅速增加第六章1.什么是集成電路設(shè)計(jì)？ 根據(jù)電路功能和性能的要求，在正確選擇系統(tǒng)配置、電路形式、器件結(jié)構(gòu)、工藝方案和設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下，盡量減小芯片面積，降低設(shè)計(jì)成本，縮短設(shè)計(jì)周期，以保證全局優(yōu)化，設(shè)計(jì)出滿足要求的集成電路。

14、設(shè)計(jì)的最終輸出結(jié)果是掩膜版圖2.集成電路設(shè)計(jì)的特點(diǎn)：1）對正確性要求更嚴(yán)格2）采用便于檢測的電路結(jié)構(gòu)，考慮電路的自檢測功能3）特有的布局布線等版圖設(shè)計(jì)過程4）采用分層分級設(shè)計(jì)和模塊化設(shè)計(jì)3.什么是版圖？一組相互套合的圖形，各層版圖相應(yīng)于不同的工藝步驟，每一層版圖用不同的圖案來表示。 設(shè)計(jì)與制備之間的接口：版圖4.版圖設(shè)計(jì)概念：根據(jù)邏輯與電路功能和性能要求以及工藝水平要求來設(shè)計(jì)光刻用的掩膜版圖，IC設(shè)計(jì)的最終輸出。目標(biāo)：連線全部實(shí)現(xiàn)，芯片面積最小，性能優(yōu)化（連線總延遲最?。?.版圖設(shè)計(jì)規(guī)則概念，為什么需要指定版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則主要內(nèi)容以及表示方法。設(shè)計(jì)規(guī)則：從圖形如何精確地光刻到芯片上出

15、發(fā)，可以確定一些對幾何圖形的最小尺寸限制規(guī)則，這些規(guī)則被稱為設(shè)計(jì)規(guī)則。考慮器件在正常工作的條件下，根據(jù)實(shí)際工藝水平(包括光刻特性、刻蝕能力、對準(zhǔn)容差等)和成品率要求，給出的一組同一工藝層及不同工藝層之間幾何尺寸的限制，主要包括線寬、間距、覆蓋、露頭、凹口、面積等規(guī)則，分別給出它們的最小值，以防止掩膜圖形的斷裂、連接和一些不良物理效應(yīng)的出現(xiàn)。芯片上每個(gè)器件以及互連線都占有有限的面積。它們的幾何圖形由電路設(shè)計(jì)者來確定。制定目的：使芯片尺寸在盡可能小的前提下，避免線條寬度的偏差和不同層版套準(zhǔn)偏差可能帶來的問題，盡可能地提高電路制備的成品率內(nèi)容：Design Rule通常包括相同層和不同層之間的下列規(guī)

16、定：最小線寬 最小間距 最小延伸 最小包圍 最小覆蓋表示方法：以為單位：把大多數(shù)尺寸（覆蓋，出頭等等）約定為的倍數(shù)，與工藝線所具有的工藝分辨率有關(guān)，線寬偏離理想特征尺寸的上限以及掩膜版之間的最大套準(zhǔn)偏差，一般等于柵長度的一半。優(yōu)點(diǎn)：版圖設(shè)計(jì)獨(dú)立于工藝和實(shí)際尺寸 舉例：見書P135以微米為單位：每個(gè)尺寸之間沒有必然的比例關(guān)系，提高每一尺寸的合理度；簡化度不高 舉例：見書P137第七章1.什么是綜合？綜合過程有幾個(gè)步驟。綜合：通過附加一定的約束條件，結(jié)合相應(yīng)的單元庫，從設(shè)計(jì)的高層次向低層次轉(zhuǎn)換的過程，是一種自動(dòng)設(shè)計(jì)的過程。分類：1）高級綜合2）邏輯綜合2.邏輯模擬邏輯模擬的基本概念：將邏輯設(shè)計(jì)輸入

17、到計(jì)算機(jī)，用軟件方法形成硬件的模型，給定輸入波形，利用模型算出各節(jié)點(diǎn)和輸出端的波形，判斷正確否主要作用：驗(yàn)證邏輯功能和時(shí)序的正確性分類：根據(jù)所模擬邏輯單元規(guī)模的大小寄存器傳輸級模擬：總體操作正確性功能塊級模擬：加法器、計(jì)數(shù)器、存儲(chǔ)器等門級模擬：基本邏輯單元：門、觸發(fā)器等開關(guān)級模擬：晶體管：后仿真主要環(huán)節(jié)：邏輯模擬模型、設(shè)計(jì)輸入、模擬算法3.電路模擬電路模擬：根據(jù)電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和元件參數(shù)將電路問題轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)臄?shù)學(xué)方程并求解，根據(jù)計(jì)算結(jié)果檢驗(yàn)電路設(shè)計(jì)的正確性模擬對象：元件優(yōu)點(diǎn)：不需實(shí)際元件、可作各種模擬甚至破壞性模擬4.邏輯模擬、電路模擬、時(shí)序分析的比較邏輯模擬：最簡單，用時(shí)最短電路模擬：最復(fù)雜，

18、用時(shí)最長SPICE電路模擬軟件時(shí)序分析：比門級邏輯模擬功能強(qiáng)，比SPICE速度快，但精確度稍低。可將三者結(jié)合起來進(jìn)行混合模擬。5.版圖的人工設(shè)計(jì)用于底層單元設(shè)計(jì)、單元庫單元設(shè)計(jì)、模擬電路設(shè)計(jì)等方面，進(jìn)行版圖輸入編輯，考慮設(shè)計(jì)規(guī)則版圖檢查與驗(yàn)證包括：DRC、ERC、LVS、后仿真DRC：設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（最小線寬、最小圖形間距、最小接觸孔尺寸、柵和源漏區(qū)的最小交疊等）實(shí)現(xiàn)：通過圖形計(jì)算（線和線間的距離計(jì)算）、DRC軟件用戶：編寫DRC文件，給出設(shè)計(jì)規(guī)則ERC：檢查電學(xué)規(guī)則，檢測出沒有電路意義的連接錯(cuò)誤，（短路、開路、孤立布線、非法器件等），介于設(shè)計(jì)規(guī)則與行為級分析之間，不涉及電路行為實(shí)現(xiàn)：提取版圖網(wǎng)

19、表，ERC軟件網(wǎng)表提取工具：邏輯連接復(fù)原LVS（網(wǎng)表一致性檢查）：從版圖提取出的電路網(wǎng)表與從原理圖得到的網(wǎng)表進(jìn)行比較，檢查兩者是否一致。作用與特點(diǎn)：主要用于保證進(jìn)行電路功能和性能驗(yàn)證之前避免物理設(shè)計(jì)錯(cuò)誤?？梢詸z查出ERC無法檢查出的設(shè)計(jì)錯(cuò)誤，也可以實(shí)現(xiàn)錯(cuò)誤定位實(shí)現(xiàn)：網(wǎng)表提取，LVS軟件后仿真：考慮版圖引入的寄生量的影響，進(jìn)行后仿真，保證版圖能滿足電路功能和性能的要求第九章1. 光電器件主要包括哪幾類？光電子器件：光子和電子共同起作用的半導(dǎo)體器件，其中光子擔(dān)任主要角色。主要包括三大類：發(fā)光器件：將電能轉(zhuǎn)換為光能。如發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，縮寫為LED)、半導(dǎo)體激光器

20、太陽能電池：利用半導(dǎo)體內(nèi)光電效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)換為電能的光電探測器：利用電子學(xué)方法檢測光信號的。如熱探測器、光子探測器2. 半導(dǎo)體發(fā)光二極管的工作原理正向偏置下的載流子注入，當(dāng)非平衡少子與多子復(fù)合時(shí)，以輻射光子的形式將多余的能量轉(zhuǎn)為光能。3. 光電二極管光電二極管工作時(shí)需要外加一個(gè)反向偏置電壓，這樣在pn結(jié)附近的耗盡區(qū)內(nèi)存在較大的電場，當(dāng)入射光進(jìn)入到pn結(jié)中時(shí)，激發(fā)產(chǎn)生的電子空穴對會(huì)在電場作用下向相反方向漂移。² PIN光電二極管（盡量增加耗盡區(qū)寬度，提高靈敏度）光電二極管實(shí)際上就是一個(gè)工作在反向偏置條件下的pn結(jié)，PIN光電二極管是最常用的光電探測器件。² 雪崩光電二極管（雪崩

21、倍增效應(yīng)，有很大電流增益）雪崩光電二極管是借助強(qiáng)電場作用產(chǎn)生載流子倍增效應(yīng)(即雪崩倍增效應(yīng))的一種高速光電器件。4. 半導(dǎo)體太陽能電池原理:吸收光輻射而產(chǎn)生電動(dòng)勢，它是半導(dǎo)體太陽能電池實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的理論基礎(chǔ)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)的兩個(gè)基本條件：半導(dǎo)體材料對一定波長的入射光有足夠大的光吸收系數(shù)，即要求入射光子的能量hv大于或等于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg；具有光生伏特結(jié)構(gòu)，即有一個(gè)內(nèi)建電場所對應(yīng)的勢壘區(qū)5. 半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器中光的發(fā)射是受激輻射過程，因此是一種相干輻射光源。半導(dǎo)體激光器是光纖通信中最重要的光源之一，在短距離激光測距、引爆、污染檢測等方面有廣泛的應(yīng)用前景。通常采用的激勵(lì)方式有pn結(jié)注入

22、電流激勵(lì)（稱為激光二極管或注入型半導(dǎo)體激光器）、電子束激勵(lì)、光激勵(lì)、碰撞電離激勵(lì)等。6. 半導(dǎo)體發(fā)光器件的基本原理是什么？半導(dǎo)體發(fā)射激光，即要實(shí)現(xiàn)受激發(fā)射，必須滿足下面三個(gè)條件：Ø 通過施加偏壓等方法將電子從能量較低的價(jià)帶激發(fā)到能量較高的導(dǎo)帶，產(chǎn)生足夠多的電子空穴對，導(dǎo)致粒子數(shù)分布發(fā)生反轉(zhuǎn)Ø 形成光諧振腔，使受激輻射光子增生，產(chǎn)生受激振蕩，導(dǎo)致產(chǎn)生的激光沿諧振腔方向發(fā)射Ø 滿足一定的閾值條件，使電子增益大于電子損耗，即激光器的電流密度必須大于產(chǎn)生受激發(fā)射的電流密度閾值第十章1. 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的基本概念 MEMS將電子系統(tǒng)與外部世界有機(jī)聯(lián)系起來。從廣義上講，MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器、信號處理和控制電路、接口電路、通信系統(tǒng)以及電源于一體的微型機(jī)電系統(tǒng)MEMS的分類 （1）、微傳感器（2）、微執(zhí)行器（3）、微型構(gòu)件（4）、微機(jī)械光學(xué)器件（5）、真空微電子器件（6）、電力電子器件MEMS主要包括：微型傳感器、執(zhí)行器、信號處理器三部分。2、列舉幾種你所知道的MEMS器件，并簡述其用途。慣性MEMS器件，如加速度計(jì)、陀螺、壓力傳感器光學(xué)MEMS器件，如微光開關(guān)、微光學(xué)平臺(tái)、微執(zhí)行器、微噴、微馬達(dá)生物MEMS器件第十二章1.敘述Moore定律的