模電專業(yè)術(shù)語助你速懂電子電路基礎(chǔ)

1、模電專業(yè)術(shù)語助你速懂電子電路基礎(chǔ)!1 半導(dǎo)體（semiconductor）：導(dǎo)電能力隨外界條件發(fā)生顯著變化的材料稱為半導(dǎo)體，如硅2 導(dǎo)體（conductor）：容易傳導(dǎo)電流的材料稱為導(dǎo)體，如金屬、電解液等。E50601010103 絕緣體（nonconductor）：幾乎不傳導(dǎo)電流的材料稱為絕緣體，如橡膠、陶瓷、石英、塑料等（Si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等4 本征半導(dǎo)體（intrinsic semiconductor）：不含雜質(zhì)，完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。5 雜質(zhì)半導(dǎo)體（extrinsic semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)元素，其導(dǎo)電性

2、能就會(huì)發(fā)生顯著的改變。摻有雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。因摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為N 型半導(dǎo)體和P 型半導(dǎo)體。6 N 型半導(dǎo)體（N-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量五價(jià)元素（如磷（P）、砷（As）的雜質(zhì)后，自由電子成為多數(shù)載流子，而空穴成為少數(shù)載流子。這種主要依靠自由電子導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N 型半導(dǎo)體。E506010101067 P 型半導(dǎo)體（P-type semiconductor）：在本征半導(dǎo)體中摻入微量三價(jià)元素（如硼（B）、銦（In）的雜質(zhì)后，空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子成為少數(shù)載流子。這種主要依靠空穴導(dǎo)電的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P 型半導(dǎo)體。8 空穴（

3、hole）：電子掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子后所留下的空位稱為空穴。空穴的出現(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的一個(gè)重要特點(diǎn)，通?？蓪⒖昭ㄒ暈閹д姷牧Ｗ印? 載流子（carrier）：在半導(dǎo)體中，將能移動(dòng)的電荷統(tǒng)稱為載流子，包括電子和空穴。E5060101010910 擴(kuò)散（diffusion）：在P 型半導(dǎo)體和N 型半導(dǎo)體的交界處，由于多數(shù)載流子濃度的差別，載流子將從濃度較高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng)，多數(shù)載流子的這種運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散。擴(kuò)散和漂移產(chǎn)生方向相反的電流。11 漂移（drift）：在擴(kuò)散產(chǎn)生的內(nèi)電場作用下，少數(shù)載流子有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)，稱為漂移運(yùn)動(dòng)，簡稱漂移。漂移和擴(kuò)散產(chǎn)生方向相反的電流。12 PN 結(jié)（

4、PN junction）：由于載流子的擴(kuò)散和漂移，在P 區(qū)和N 區(qū)交界處的兩側(cè)形成一個(gè)空間電荷區(qū)（space-charge region），這個(gè)空間電荷區(qū)稱為PN 結(jié)。PN 結(jié)也稱為耗盡層或阻擋層。13 耗盡層（depletion layer）：在空間電荷區(qū)中，多數(shù)載流子擴(kuò)散到對方并被復(fù)合掉，或者說多數(shù)載流子被消耗盡了，所以這個(gè)空間電荷區(qū)也稱為耗盡層。14 阻擋層（barrier layer）：在空間電荷區(qū)中，由靜止電荷所建立的內(nèi)電場對多數(shù)載流子的擴(kuò)散起阻擋作用，所以這個(gè)空間電荷區(qū)又稱為阻擋層。15 偏置（bias）：在PN 結(jié)上外加一定的電壓，稱為偏置。在PN 結(jié)上加正向電壓，稱為正向偏置，

5、簡稱正偏（forward bias）；在PN 結(jié)上加反向電壓，稱為反向偏置，簡稱反偏（reverse bias）。16 半導(dǎo)體二極管（PN junction diode）：在一個(gè)PN 結(jié)的P 區(qū)和N 區(qū)分別加上相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封制成的器件，稱為半導(dǎo)體二極管。17 二極管導(dǎo)通壓降（forward voltage of a PN junction diode）：二極管正向?qū)〞r(shí)其兩端所加的電壓稱為二極管導(dǎo)通壓降，如硅管的導(dǎo)通壓降為0.6V0.7V，鍺管為0.2V0.3V，砷化鎵為1.3 1.5V 等。18 二極管的伏安特性（current-voltage characteristics

6、of a PN junction diode）：二極管的端電壓與流過二極管的電流之間的關(guān)系稱為二極管的伏安特性。19 死區(qū)（dead zone）：當(dāng)二極管所加的正向電壓較小時(shí)，由于外部電場不足以克服內(nèi)電場對多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所造成的阻力，因此這時(shí)的正向電流很小，二極管呈現(xiàn)較高的電阻。這段區(qū)域稱為“死區(qū)”。20 最大反向工作電壓（maximum peak reverse voltage）：指二極管安全工作時(shí)所能承受的最高反向電壓。一般規(guī)定最大反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/22/3。21 反向飽和電流（reverse saturation current）：在二極管兩端外加反向電壓不超過一定范圍

7、時(shí)，由少數(shù)載流子的漂移形成很小的反向電流。在一定溫度下，一定范圍內(nèi)增加反向電壓不會(huì)使少數(shù)載流子的數(shù)目明顯增加，即反向電流與反向電壓基本無關(guān)，故此時(shí)的反向電流通常稱為反向飽和電流。22 整流（rectification）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^程叫整流。23 濾波（filtering）：將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷倪^程叫整流。將整流輸出的單向脈動(dòng)電壓變換為脈動(dòng)程度小的平滑直流電壓的過程稱為濾波。24 參數(shù)（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數(shù)據(jù)稱為參數(shù)。參數(shù)一般可從手冊中查到。25 穩(wěn)壓管（Zener diode）：穩(wěn)壓管又稱齊納二極管，是工作在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極

8、管，常利用它在反向擊穿狀態(tài)下的恒壓特性構(gòu)成簡單的穩(wěn)壓電路。26 溫度系數(shù)（temperature coefficient）：表征元器件溫度敏感性的參數(shù)。通常用某個(gè)電壓變化的百分?jǐn)?shù)與元器件工作環(huán)境溫度的變化量的度數(shù)之比來表示，由元器件生產(chǎn)廠提供。當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí)，元器件的有關(guān)參數(shù)值也上升，稱為正溫度系數(shù)；反之為負(fù)溫度系數(shù)。例如穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓在6 伏以上時(shí)，溫度系數(shù)為正； 6 伏以下時(shí)，溫度系數(shù)為負(fù)。27 雙極型晶體管（ bipolar junction transistor ，BJT）：雙極型晶體管是一種具有兩種載流子（自由電子和空穴）參與導(dǎo)電，并有三個(gè)電極的電流控制型器件。28 場效應(yīng)晶體管

9、（field-effect transistor ，F(xiàn)ET）：場效應(yīng)晶體管是一種具有一種載流子（自由電子或空穴）參與導(dǎo)電、并有三個(gè)電極的電壓控制型器件。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型和絕緣柵型兩大類，絕緣柵型場效應(yīng)晶體管（insulated gate type FET）又稱為MOS場效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOS FET）。29 共發(fā)射極電路（common-emitter circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)發(fā)射極作為信號

10、的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共發(fā)射極電路。30 共集電極電路（common-collector circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)集電極作為信號的輸入、輸出回路的公共端，基極是輸入端、發(fā)射極是輸出端所組成的電路就稱為共集電極電路，也稱為射極輸出器、射極跟隨器。31 共基極電路（common-base circuit）：利用晶體管組成的放大電路，其中總有一個(gè)電極是信號的輸入、輸出回路的公共端，而另外兩個(gè)電極分別是輸入端和輸出端。當(dāng)基極作為信號的輸入、輸出回路

11、的公共端，發(fā)射極是輸入端、集電極是輸出端所組成的電路就稱為共基極電路。32 輸入特性（input characteristics）：輸入電壓與輸入電流之間的關(guān)系，稱為輸入特性。一般用曲線表示，稱為輸入特性曲線。33 輸出特性（output characteristics）：輸出電流與輸出電壓之間的關(guān)系，稱為輸出特性。一般是以某一輸入量為參變量的一族曲線。34 電流放大系數(shù)（current amplification coefficient）：表征BJT 電流控制作用的參數(shù)，例如共基極接法時(shí)的電流放大系數(shù)、共射極接法時(shí)的電流放大系數(shù)。35 集電極基極反向飽和電流ICBO（collector ba

12、se reverse saturation current）：集電極基極反向飽和電流指發(fā)射極開路時(shí)，集電結(jié)在反向電壓的作用下，集電區(qū)的少數(shù)載流子向基區(qū)漂移而形成的反向電流。36 集電極發(fā)射極反向飽和電流ICEO（collector-emitter reverse saturation current）：集電極發(fā)射極反向飽和電流又稱穿透電流，是指當(dāng)基極開路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間流過的電流。37 集電極最大允許電流ICM（maximum collector permitted current）：集電極最大允許電流是指晶體管參數(shù)的變化不超過規(guī)定允許值時(shí)（功率與電壓未超過額定值，一般指值沒有下降到正常

13、參數(shù)的 時(shí)）集電極電流的最大值。38 集電極最大允許耗散功率PCM（maximum collector permitted power dissipation）：晶體管安全工作時(shí)，集電結(jié)的功率最大值，如果超過此值，器件就可能損壞。39 放大（amplification）：輸出信號（電流、電壓或功率）比輸入信號大，稱為放大。其實(shí)質(zhì)是通過電子器件的控制作用，將直流電源的能量轉(zhuǎn)化為負(fù)載所需要的電能形式。E5060200000140 微變等效電路（small-signal equivalent circuit）：輸入微小信號時(shí)放大電路的等效電路稱為微變等效電路。41 微變等效電路分析法（small-s

14、ignal equivalent analysis）： 指放大電路輸入信號較?。ㄎ⒆冃盘枺r(shí)，可將非線性電路等效為線性電路，借助線性電路的分析方法進(jìn)行分析，這種特定的分析方法稱為微變等效電路分析法。42 靜態(tài)（quiescent state）：在放大電路中，輸入端未加輸入信號（ ）時(shí)的工作狀態(tài)稱為放大電路的靜態(tài)。43 靜態(tài)工作點(diǎn)（quiescent operating point）：靜態(tài)時(shí)，在晶體管的輸入特性和輸出特性上所對應(yīng)的工作點(diǎn)，用Q 表示。44 靜態(tài)分析（quiescent state analysis）：確定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，即確定電路中靜態(tài)的相關(guān)參數(shù)。45 動(dòng)態(tài)（dynamic

15、 state）：在放大電路中，輸入端加入輸入信號（ ）時(shí)的工作狀態(tài)稱為放大電路的動(dòng)態(tài)。46 動(dòng)態(tài)分析（dynamic state analysis）：確定放大電路的相關(guān)動(dòng)態(tài)參數(shù)，如電壓放大倍數(shù) 、輸入電阻 和輸出電阻 等。47 輸入電阻 （input resistance）：放大電路對信號源（或?qū)η凹壏糯箅娐罚﹣碚f是一個(gè)負(fù)載，它可以用一個(gè)等效電阻來替代，這個(gè)等效電阻就是放大電路的輸入電阻。輸入電阻 是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻。E5060203010148 輸出電阻 （output resistance）：放大電路對負(fù)載（或?qū)蠹壏糯箅娐罚﹣碚f，可以等效為一個(gè)電源模型，該電源模型的內(nèi)阻定義為放大電路的輸出電

16、阻。輸出電阻 是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻。49 電壓放大倍數(shù) （voltage amplification factor）：電壓放大倍數(shù)是衡量放大電路放大輸入信號能力的基本參數(shù)，定義為輸出電壓與輸入電壓之比，即 。50 開環(huán)（open-loop）：輸出信號對輸入不存在任何作用時(shí)電路所處的狀態(tài)稱為開環(huán)。51 閉環(huán)（closed-loop）：輸出信號對輸入存在作用時(shí)電路所處的狀態(tài)稱為閉環(huán)。52 增益（gain）：輸出信號與輸入信號之比的模量稱為增益。包括電流增益、電壓增益和功率增益等。工程上常用以10 為底的對數(shù)表達(dá)，其單位為分貝（dB）。53 失真（distortion）：輸出信號的波形未能完全復(fù)現(xiàn)輸入信號

17、的波形的現(xiàn)象稱為失真。54 非線性失真 （nonlinear distortion）：由元器件的非線性引起的失真稱為非線性失真，其特點(diǎn)是產(chǎn)生新的頻率。在放大電路中，非線性失真主要指由于靜態(tài)工作點(diǎn)不合適或者信號太大，使放大電路的工作范圍超出了晶體管線性區(qū)所產(chǎn)生的失真，包括截止失真和飽和失真。由于晶體管的截止引起的非線性失真稱為截止失真（cut-off distortion）。由于晶體管的飽和引起的非線性失真稱為飽和失真（saturation distortion）。55 交越失真（crossover distortion）：在乙類互補(bǔ)功放電路里,兩個(gè)功放管交替工作，在信號過零前后功放管靜態(tài)工作電

18、流接近零，功放管進(jìn)入截止區(qū)，由此造成的輸出波形失真稱為交越失真。56 效率（efficiency）：輸出功率與輸入功率之比的百分?jǐn)?shù)稱為效率。57 圖解法（graphical analysis）：在晶體管輸入、輸出特性曲線上，通過圖解分析放大電路的工作狀態(tài)和性能參數(shù)的方法，稱為圖解法。58 輸入失調(diào)電壓 （input offset voltage）：在理想運(yùn)算放大器中，當(dāng)輸入電壓 時(shí)，輸出電壓應(yīng)為零。但在實(shí)際運(yùn)算放大器中， 時(shí)，一般 。如果要使 必須在輸入端加入一個(gè)很小的電壓來補(bǔ)償，這個(gè)電壓就是輸入失調(diào)電壓。59 輸入失調(diào)電流 （input offset current）：靜態(tài)時(shí)，流入運(yùn)算放大器

19、兩個(gè)輸入端的基極靜態(tài)電流之差稱為輸入失調(diào)電流。60 輸入偏置電流 （input bias current）：當(dāng)輸入信號為零時(shí)，兩個(gè)輸入端的基極靜態(tài)電流的平均值稱為輸入偏置電流。61 耦合（coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間的連接稱為耦合。62 阻容耦合（resistance-capacitance coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間通過電阻、電容連接的方式稱為阻容耦合。63 變壓器耦合（transformer coupling）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間通過變壓器傳遞信號的方式稱為變壓器耦合。64 直接耦合（direct coupl

20、ing）：在多級放大電路中，相鄰兩級放大電路之間直接連接的方式稱為直接耦合。65 光電耦合（photoelectric coupling）：利用光電效應(yīng)進(jìn)行放大器之間信號傳遞的方式稱為光電耦合。66 光電效應(yīng)（photoeffect）：指可見光、紅外線或紫外線在某些物質(zhì)上照射而引起的電子發(fā)射的過程。例如某些半導(dǎo)體材料受到光照時(shí)，其材料的電導(dǎo)率顯著增加。67 零點(diǎn)漂移（zero drift）：零點(diǎn)漂移是指在放大電路中，當(dāng)輸入端無輸入信號時(shí)，輸出端的電壓受外界因素影響偏離初始值，在初值上下漂動(dòng)的（不穩(wěn)定的）現(xiàn)象，簡稱零漂。E5060301010168 共模輸入信號（common-mode inpu

21、t signal）：當(dāng)差分放大電路的兩個(gè)輸入信號大小相等，極性相同，即 ，稱為共模輸入信號。69 差模輸入信號（differential-mode input signal）：當(dāng)差分放大電路的兩個(gè)輸入信號大小相等，極性相反，即 ，稱為差模輸入信號。70 虛短（virtual short）：工作在線性區(qū)域的集成運(yùn)算放大器，其兩個(gè)輸入端之間的電壓通常接近于零，即同相端的電位近似等于反相端的電位，這種近似短接，其實(shí)并未短接的現(xiàn)象稱為虛短路，簡稱“虛短”。71 虛地（virtual ground）：工作在線性區(qū)域的反相輸入運(yùn)算放大器，因同相輸入端接地，根據(jù)“虛短”的結(jié)論，其反相輸入端的電位接近于“地”

22、電位，其實(shí)并未接地，將這種現(xiàn)象稱之為“虛地”。72 虛斷（virtual break）：工作在線性區(qū)域的理想運(yùn)算放大器，由于其輸入電阻無窮大，同相輸入端和反相輸入端的輸入電流幾乎為零，這種相當(dāng)于斷路，其實(shí)并不能斷路的狀態(tài)稱之為“虛斷”。73 共模抑制比 （common mode rejection ratio）：表征差分放大電路對差模信號的放大能力和共模信號的抑制能力作用的量值，是差分放大電路的一個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)。其定義是放大電路對差模信號的電壓放大倍數(shù)與對共模信號的電壓放大倍數(shù)之比的絕對值，即 ，常用分貝（dB）數(shù)來表示。74 集成運(yùn)算放大器（operational amplifier）：一種

23、增益極高的多級直接耦合放大器，是一種重要模擬集成電路。75 理想運(yùn)算放大器（ideal operational amplifier）：當(dāng)運(yùn)算放大器的參數(shù)與工程技術(shù)指標(biāo)相比滿足理想化條件時(shí)，即開環(huán)電壓放大倍數(shù) ；輸入電阻 ；輸出電阻 ；共模抑制比 ；運(yùn)算放大器就被視為理想運(yùn)算放大器。76 電壓傳輸特性（voltage transmission characteristics）：放大器的輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系稱為電壓傳輸特性。77 同相輸入（noninverting input）：如果輸入信號從同相輸入端加入，稱為同相輸入。78 反相輸入（inverting input）：如果輸入信號從反相

24、輸入端加入，稱為反相輸入。79 差分輸入（differential input）：如果輸入信號同時(shí)從反相輸入端和同相輸入端加入，稱為差分輸入。80 反饋（feedback）：把放大電路的輸出量（電流或電壓）的一部分或全部，經(jīng)過一定的電路（稱為反饋電路）送回輸入端和輸入信號相互作用的過程。亦即輸出量參與控制的過程。凡增強(qiáng)輸入信號作用的反饋稱正反饋（positive feedback）；凡消弱輸入信號作用的反饋稱負(fù)反饋（negative feedback）。81 互補(bǔ)對稱（complementary symmetry）：兩個(gè)極性相反的晶體管（如NPN 型和PNP 型BJT 管、N 溝道和P 溝道M

25、OS 管）組成結(jié)構(gòu)對稱、參數(shù)一致的電路，由于兩個(gè)管子交替工作、相互補(bǔ)充，使電路工作性能對稱。這種工作狀態(tài)稱為互補(bǔ)對稱。82 反饋系數(shù)F（feedback coefficient）：表征反饋強(qiáng)弱的物理量，定義為反饋信號 與輸出信號 的比值，即 。83 反饋深度D（feedback depth）：表達(dá)式lFA 稱為反饋深度，即D = lFA 。負(fù)反饋對放大電路性能改善程度均與D 有關(guān)。84 復(fù)合晶體管（compound-connected transistor）：將兩只或多只三極管的電極通過適當(dāng)連接，作為一個(gè)管子來使用，即組成復(fù)合晶體管，或稱達(dá)林頓（Darlington）管。85 自激振蕩（osc

26、illation）：當(dāng)放大電路的輸入端無外加信號，而它的輸出端仍有一定頻率和幅度的信號輸出，這種現(xiàn)象稱為自激振蕩。工程上常利用正反饋產(chǎn)生自激振蕩。86 選頻網(wǎng)絡(luò)（frequency-selective network）：利用網(wǎng)絡(luò)的諧振特性，將信號中與網(wǎng)絡(luò)諧振頻率相等的成分輸出給負(fù)載，而將其他頻率的信號加以抑制，具有該功能的網(wǎng)絡(luò)稱為選頻網(wǎng)絡(luò)。87 夾斷電壓 （pinch-off voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，耗盡型MOS 管中，使漏電流等于某一微小值時(shí)，柵源極間所加的偏壓就是夾斷電壓。增強(qiáng)型MOS 管無此參數(shù)。88 開啟電壓 （threshold voltage）：在漏源電壓為某一定值的條件下，增強(qiáng)型MOS 管開始導(dǎo)通（漏電流出現(xiàn)）的最小的柵源電壓值就是開啟電壓。耗盡型MOS 管無此參數(shù)。89 飽和漏極電流 （saturation drain current）：耗盡型MOS 管在柵源電壓為零（即 ）的條件下，管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流稱為飽和漏極電流。增強(qiáng)型MOS 管無此參數(shù)。E5060104030390 低頻跨導(dǎo) （low-frequency transconductance）：在低頻條件下，在漏源電壓為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量（ ）與引起