自動(dòng)控制原理課程設(shè)計(jì)

1、電子與電氣工程學(xué)院課程設(shè)計(jì)報(bào)告課程名稱自動(dòng)控制原理設(shè)計(jì)題目晶閘管-直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)所學(xué)專業(yè)名稱自動(dòng)化班級(jí)自動(dòng)化學(xué)號(hào)學(xué)生姓名指導(dǎo)教師2015年 月 日1/17電氣學(xué)院自動(dòng)控制原理課程設(shè)計(jì)任 務(wù) 書(shū)設(shè)計(jì)名稱：晶閘管-直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)學(xué)生姓名：指導(dǎo)教師：起止時(shí)間：自 2015年 12 月 13 日起 至2015 年 12 月 26 日止一、課程設(shè)計(jì)目的1 、通過(guò)課程設(shè)計(jì)進(jìn)一步掌握自動(dòng)控制原理課程的有關(guān)知識(shí)，加深對(duì)所學(xué)內(nèi)容的理解，提高解決實(shí)際問(wèn)題的能力。2 、理解在自動(dòng)控制系統(tǒng)中對(duì)不同的系統(tǒng)選用不同的校正方式，以保證得到最佳的系統(tǒng)。3 、理解相角裕度，穩(wěn)態(tài)誤差，剪切頻率等參數(shù)的含義。4 、學(xué)習(xí) MAT

2、LAB 在自動(dòng)控制中的應(yīng)用，會(huì)利用 MATLAB 提供的函數(shù)求出所需要得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。5 、從總體上把握對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校正的思路， 能夠?qū)⒗碚撨\(yùn)用于實(shí)際。二、課程設(shè)計(jì)任務(wù)和基本要求設(shè)計(jì)任務(wù)： 晶閘管 -直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)如圖所示（ksm10 ）1/171 、畫(huà)出未校正系統(tǒng)的根軌跡圖，分析系統(tǒng)是否穩(wěn)定。2 、對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行串聯(lián)校正，要求校正后的系統(tǒng)滿足指標(biāo)：（1 ）相角穩(wěn)定裕度 Pm>40 o , 幅值穩(wěn)定裕度 Gm>13 。（2 ）在階躍信號(hào)作用下， 系統(tǒng)超調(diào)量 Mp<25% ，調(diào)節(jié)時(shí)間 Ts<0.15秒。3 、分別畫(huà)出校正前，校正后和校正裝置的幅頻特性圖。4 、給出校正裝置的傳

3、遞函數(shù)。5 、分別畫(huà)出系統(tǒng)校正前、 后的開(kāi)環(huán)系統(tǒng)的奈奎斯特圖， 并進(jìn)行分析。6 、分別畫(huà)出系統(tǒng)校正前、后的的根軌跡圖。7 、在 SIMULINK 中建立系統(tǒng)的仿真模型， 在前向通道中分別接入飽和非線性環(huán)節(jié)和回環(huán)非線性環(huán)節(jié)， 觀察分析非線性環(huán)節(jié)對(duì)系統(tǒng)性能的影響。8 、應(yīng)用所學(xué)的知識(shí)分析校正器對(duì)系統(tǒng)性能的影響?；疽螅海? ）、能用 MATLAB 解復(fù)雜的自動(dòng)控制理論題目。（2 ）、能用 MATLAB 設(shè)計(jì)控制系統(tǒng)以滿足具體的性能指標(biāo)。（3 ）、能靈活應(yīng)用MATLAB 分析系統(tǒng)的性能。2/17電氣學(xué)院自動(dòng)控制原理課程設(shè)計(jì)指導(dǎo)老師評(píng)價(jià)表院（部）電氣學(xué)院年級(jí)專業(yè)自動(dòng)化學(xué)生姓名學(xué)生學(xué)號(hào)題目晶閘管 -直

4、流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)一、 指導(dǎo)老師評(píng)語(yǔ)指導(dǎo)老師簽名：年月日二、 成績(jī)?cè)u(píng)定指導(dǎo)老師簽名：年月日3/17課程設(shè)計(jì)報(bào)告目錄摘要與關(guān)鍵詞 . .11 緒論 . .21.1直流調(diào)速系統(tǒng)的形成及發(fā)展概況.22 晶閘管直流調(diào)速系統(tǒng)開(kāi)環(huán)特性 . .32.1直流調(diào)速系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)指標(biāo) .32.2晶閘管電動(dòng)機(jī)直流調(diào)速系統(tǒng)存在的問(wèn)題.33 設(shè)計(jì)過(guò)程 .43.1利用未校正系統(tǒng)的根軌跡圖分析系統(tǒng)穩(wěn)定性.43.2對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行串聯(lián)校正 .53.3校正前后的校正裝置 .63.3.1校正裝置的傳遞函數(shù) .73.4系統(tǒng)校正前后開(kāi)環(huán)系統(tǒng)的奈奎斯特圖.73.5系統(tǒng)校正前后的根軌跡圖 .84 系統(tǒng)建模與仿真 .94.1在 SIMULINK中建立仿

5、真模型 .94.1.1未加環(huán)節(jié)時(shí)的 scope . .94.1.2加上飽和非線性環(huán)節(jié)分析.104.1.3加上回環(huán)非線性環(huán)節(jié)分析.11總結(jié) .12參考文獻(xiàn) .12摘要與關(guān)鍵詞摘 要：該系統(tǒng)以可控硅三相橋式全控整流電路構(gòu)成系統(tǒng)的主電路，采用同步信號(hào)為鋸齒波的觸發(fā)電路，本觸發(fā)電路分成三個(gè)基本環(huán)節(jié)：同步電壓形成、移相控制、脈沖形成和輸出。此外， 還有雙窄脈沖形成環(huán)節(jié)。同時(shí)考慮了保護(hù)電路和緩沖電路，通過(guò)參數(shù)計(jì)算對(duì)晶閘管進(jìn)行了選型，也對(duì)直流電動(dòng)機(jī)進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹。關(guān)鍵詞： 可控整流晶閘管觸發(fā)電路緩沖電路保護(hù)電路1/171 緒論1.1 直流調(diào)速系統(tǒng)的形成及發(fā)展概況1904 年出現(xiàn)了電子管，它能在真空中對(duì)電子

6、流進(jìn)行控制，并應(yīng)用于通信和無(wú)線電，從而開(kāi)了電子技術(shù)之先河。 后來(lái)出現(xiàn)了水銀整流器， 它把水銀封于管內(nèi)， 利用對(duì)其蒸汽的電弧可對(duì)大電流進(jìn)行控制， 其性能和晶閘管相似。 在 30 年代到 50 年代，是水銀整流器發(fā)展迅速并大量應(yīng)用的時(shí)期。 廣泛用于電化學(xué)工業(yè)、 電氣鐵道直流變電所以及軋鋼用直流電動(dòng)機(jī)傳動(dòng)，甚至用于直流輸電。這一時(shí)期， 整流電路的理論已經(jīng)發(fā)展成熟并廣為應(yīng)用。在晶閘管出現(xiàn)以后的相當(dāng)一段時(shí)期內(nèi)，所使用的電路形式仍然是這些形式。在這一時(shí)期， 把交流變?yōu)橹绷鞯姆椒ǔy整流器外，還有更早的電動(dòng)機(jī)- 直流發(fā)電機(jī)組，即變流機(jī)組。和旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組相對(duì)應(yīng)，靜止變流器的稱呼從水銀整流器開(kāi)始而沿用至今。1

7、947 年美國(guó)著名的貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶體管，引發(fā)了電子技術(shù)的革命。最先用于電力領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件是硅二極管。晶閘管出現(xiàn)后， 由于其優(yōu)越的電氣性能和控制性能，使之很快就取代了水銀整流器和旋轉(zhuǎn)交流機(jī)組，并且其應(yīng)用范圍也迅速擴(kuò)大。電化學(xué)工業(yè)、 鐵道電氣機(jī)車、鋼鐵工業(yè)（軋鋼用電氣傳動(dòng)、感應(yīng)加熱等）、電力工業(yè)（直流輸電、無(wú)功補(bǔ)償?shù)龋┑难杆侔l(fā)展也有力地推動(dòng)了晶閘管的進(jìn)步。電力電子技術(shù)的概念和基礎(chǔ)就是由于晶閘管及晶閘管變流技術(shù)的發(fā)展而確立的。晶閘管是通過(guò)對(duì)門極的控制能夠?qū)⑵鋵?dǎo)通而不能使其關(guān)斷的器件，因而屬于半控型器件。對(duì)晶閘管電路的控制方式主要是相位控制方式。機(jī)組供電的直流調(diào)速系統(tǒng)在20 世紀(jì) 60 年代以前

8、曾廣泛地使用著，但該系統(tǒng)需要旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組，至少包含兩臺(tái)與調(diào)速電動(dòng)機(jī)容量相當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)電機(jī)，還要一臺(tái)勵(lì)磁發(fā)電機(jī)，因此設(shè)備多，體積大，費(fèi)用高，效率低，安裝須打地基，運(yùn)行有噪聲，維護(hù)不方便。為了克服這些缺點(diǎn)，在 60 年代以后開(kāi)始采用各種靜止式的變壓或變流裝置來(lái)替代旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組。采用晶閘管或汞弧整流器的離子拖動(dòng)系統(tǒng)是最早應(yīng)用靜止式變流裝置供電的直流調(diào)速系統(tǒng)。 它雖然克服了旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組的許多缺點(diǎn)，而且還大大縮短了響應(yīng)時(shí)間，但閘流管容量小，汞弧整流器造價(jià)較高，維護(hù)麻煩，萬(wàn)一水銀泄漏，將會(huì)污染環(huán)境，危害人身健康。1957年，晶閘管（俗稱可控硅整流元件，簡(jiǎn)稱“可控硅”）問(wèn)世，到了20 世紀(jì) 60 年代，已生產(chǎn)出

9、成套的晶閘管整流裝置， 逐步取代了旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組和離子拖動(dòng)變流裝置，使變流技術(shù)產(chǎn)生了根本性的變革。 通過(guò)調(diào)節(jié)觸發(fā)裝置GT的控制電壓 Uc 來(lái)移動(dòng)觸發(fā)脈沖的相位，即可改變平均整流電壓 Ud ，從而實(shí)現(xiàn)平滑調(diào)速。和旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組及離子拖動(dòng)變流裝置相比，晶閘管整流裝置不僅在經(jīng)濟(jì)性和可靠性上都有很大提高，而且在技術(shù)性能上也顯示出較大的優(yōu)越性。晶閘管可控整流器的功率放大倍數(shù)在10 以上，其門極電流可以直接用電子控制，不再象直流發(fā)電機(jī)那樣需要較大功率的放大器。在控制作用的快速性上，變流機(jī)組是秒級(jí)， 而晶閘管整流器是毫秒級(jí)，這將會(huì)大大提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。2/172 晶閘管直流調(diào)速系統(tǒng)開(kāi)環(huán)特性2.1 直流調(diào)速系統(tǒng)

10、的動(dòng)態(tài)指標(biāo)對(duì)于一個(gè)調(diào)速系統(tǒng)，電動(dòng)機(jī)要不斷地處于啟動(dòng)、制動(dòng)、反轉(zhuǎn)、調(diào)速以及突然加減負(fù)載的過(guò)渡過(guò)程，此時(shí)，必須研究相關(guān)電機(jī)運(yùn)行的動(dòng)態(tài)指標(biāo)，如穩(wěn)定性、快速性、動(dòng)態(tài)誤差等。這對(duì)于提高產(chǎn)品質(zhì)量和勞動(dòng)生產(chǎn)率， 保證系統(tǒng)安全運(yùn)行是很有意義的。 動(dòng)態(tài)指標(biāo)代表了系統(tǒng)發(fā)生過(guò)渡過(guò)程時(shí)的性能，動(dòng)態(tài)指標(biāo)分跟隨指標(biāo)和抗擾動(dòng)指標(biāo)。（ 1）跟隨指標(biāo)：系統(tǒng)對(duì)給定信號(hào)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能，稱為“跟隨”性能，一般用最大超調(diào)量 ，超調(diào)時(shí)間 ts 和震蕩次數(shù) N 三個(gè)指標(biāo)來(lái)衡量。最大超調(diào)量反映了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)精度，超調(diào)量越小，則說(shuō)明系統(tǒng)的過(guò)渡過(guò)程進(jìn)行得平穩(wěn)。（ 2）抗擾指標(biāo)：對(duì)擾動(dòng)量作用時(shí)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能，稱為“抗擾”性能。一般用最大動(dòng)態(tài)速降 n

11、max，恢復(fù)時(shí)間 tf 和振蕩次數(shù) N三個(gè)指標(biāo)來(lái)衡量。2.2 晶閘管電動(dòng)機(jī)直流調(diào)速系統(tǒng)存在的問(wèn)題晶閘管整流器也有它的缺點(diǎn)。首先，由于晶閘管的單向?qū)щ娦?，它不允許電流反向，給系統(tǒng)的可逆運(yùn)行造成困難。 由半控整流電路構(gòu)成的 V-M系統(tǒng)只允許單象限運(yùn)行， 全控整流電路可以實(shí)現(xiàn)有源逆變， 允許電動(dòng)機(jī)工作在反轉(zhuǎn)制動(dòng)狀態(tài)， 因而能獲得二象限運(yùn)行。 必須進(jìn)行四象限運(yùn)行時(shí)，只好采用正、反兩組全控整流電路，所用變流設(shè)備要增加一倍。閘管的另一dudi個(gè)問(wèn)題是對(duì)過(guò)電壓、過(guò)電流和過(guò)高的dt 與 dt 都十分敏感，其中任一指標(biāo)超過(guò)允許值都可能在很短的時(shí)間內(nèi)損壞器件，因此必須有可靠的保護(hù)電路和符合要求的散熱條件，而且在選

12、擇器件時(shí)還應(yīng)留有適當(dāng)?shù)挠嗔俊，F(xiàn)代的晶閘管應(yīng)用技術(shù)已經(jīng)成熟，只要器件質(zhì)量過(guò)關(guān)，裝置設(shè)計(jì)合理，保護(hù)電路齊備，晶閘管裝置的運(yùn)行是十分可靠的。3 設(shè)計(jì)過(guò)程3.1畫(huà)出未校正系統(tǒng)的根軌跡圖分析系統(tǒng)是否穩(wěn)定num=10;den=4.099e-007 0.0002695 0.01476 0.1925;axis equal;rlocus(num,den)；k,p=rlocfind(num,den)3/17isxAyarginamIR oot Locus10008006004002000-200-400-600-800-1000-1500-1000-5000500R eal AxisSelect a point

13、in the graphics windowz =Empty matrix: 0-by-1p =-598.6366-38.4242-20.4167k =2.4396e+007分析：從上圖中可以看出系統(tǒng)無(wú)零點(diǎn)，有三個(gè)極點(diǎn)，且都在虛軸的左半平面?？梢灾老到y(tǒng)穩(wěn)定。3.2 對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行串聯(lián)校正（ 1）相角穩(wěn)定裕度Pm>40o ,幅值穩(wěn)定裕度Gm>13。（ 2）在階躍信號(hào)作用下，系統(tǒng)超調(diào)量Mp<25%，調(diào)節(jié)時(shí)間Ts<0.15 秒。從下圖可以看出未校正的伯德圖中可以看出；系統(tǒng)不滿足校正要求，輸入以下函數(shù)：n1=10;d1=4.099e-007 0.0002695 0.01476 0

14、.1925;sys1=tf(n1,d1);z,p,k=tf2zp(n1,d1);z1=z -1;p1=-598.6366 -38.4242 -20.4167 -170sys=zpk(z1,p1,k);w=logspace(-1,5);figure(1);bode(sys,w);margin(sys);figure(2);nyquist(sys);figure(3);rlocus(sys)grid on;4/17校正前的伯德圖：)Bd(edutingaMBode DiagramGm= -0.433 dB (at 190 rad/sec) , Pm = -0.825 deg (at 194 rad

15、/sec)500-50-100-1500)ged(esahP-90-180-270-101234510101010101010Frequency(rad/sec)校正后的伯德圖：)Bd(edutingaM)ged(esahPBode DiagramGm= 13.4 dB (at 383 rad/sec) , Pm = 51.5 deg (at 162 rad/sec)500-50-100-150900-90-180-270-2-10123451010101010101010Frequency (rad/sec)從上圖可以看出，校正后的伯德圖中，pm=51.5,gm=13.4, 通過(guò)計(jì)算可知其系

16、統(tǒng)超調(diào)量Mp=20%<25% ，調(diào)節(jié)時(shí)間Ts=0.8 秒<0.15 秒。滿足系統(tǒng)的要求。5/173.3 分別畫(huà)出校正前校正后和校正裝置的幅頻特性圖校正前的幅頻特性：sixAyranigamIN yquist Diagram403020100-10-20-30-40-100102030405060R eal Axis校正后的幅頻特性：sixAryanigamIN yquist Diagram3210-1-2-3-1-0.500.511.522.533.54R eal Axis6/17Nyquist Diagram10.80.60.40.2sixAyr0anigamI-0.2-0.4-

17、0.6-0.8-1-1-0.8-0.6-0.4-0.200.20.40.60.81Real Axis校正裝置的幅頻特性：給出校正裝置的傳遞函數(shù)：G（ s） =s+1/s+170;從第一個(gè)未校正的伯德圖中可以看到系統(tǒng)的指標(biāo)不滿足要求，此時(shí)幅值裕度和相角裕度都偏小，考慮添加一個(gè)較小的零點(diǎn)，為-1 ，加上零點(diǎn)后，發(fā)現(xiàn)幅值裕度依然偏小，但是相交裕度滿足了要求，這時(shí)候再加上一個(gè)極點(diǎn)，經(jīng)過(guò)幾次的嘗試得到極點(diǎn)-170 可以滿足給定的幅值裕度。 此時(shí)滿足第一個(gè)性能指標(biāo)，在經(jīng)過(guò)超調(diào)量和調(diào)節(jié)時(shí)間的計(jì)算公式來(lái)計(jì)算相應(yīng)的值，發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)滿足指標(biāo)超調(diào)量Mp=20%<25%，調(diào)節(jié)時(shí)間Ts=0.8 秒 <0.15

18、秒。3.4 分別畫(huà)出系統(tǒng)校正前、后的開(kāi)環(huán)系統(tǒng)的奈奎斯特圖，并進(jìn)行分析sixAyranigamI校正前：Nyquist Diagram403020100-10-20-30-40-100102030405060Real Axis7/17Nyquist Diagram321sixAyr0anigamI-1-2-3-1-0.500.511.522.533.54Real Axis校正后：分析：由圖可以看出，校正前是繞（-1 ， 0j ） 1 圈，即R=1，由奈氏判據(jù)得，p=0 所以 Z 不等于 0，閉環(huán)系統(tǒng)不穩(wěn)定。校正后的奈氏曲線未繞（ -1 ，0j ）點(diǎn)， R=0，則 Z 等于 0，閉環(huán)系統(tǒng)穩(wěn)定。3.

19、5 分別畫(huà)出系統(tǒng)校正前、后的的根軌跡圖。sixAyranigamI校正前：Root Locus10008006004002000-200-400-600-800-1000-1500-1000-5000500Real Axisn1=10;d1=4.099e-007 0.0002695 0.01476 0.1925;sys1=tf(n1,d1);z,p,k=tf2zp(n1,d1);z1=z -1;p1=-598.6366 -38.4242 -20.4167 -170sys=zpk(z1,p1,k);w=logspace(-1,5);figure(1);bode(sys,w);margin(sys

20、);figure(2);nyquist(sys);figure(3);rlocus(sys)grid on;8/17Root Locus15000.820.70.560.420.280.1410000.915000.975six031.75e+0031.5e+003 1.25e+0031e+003750500250Ay0ranigamI-5000.9750.91-10000.820.70.560.420.280.14-1500-2000-1500-1000-5000500Real Axis從以上的校正后的根軌跡圖可以看出，系統(tǒng)穩(wěn)定。4 系統(tǒng)建模與仿真4.1 在 SIMULINK中建立系統(tǒng)的仿真模型，在前向通道中分別接入飽和非線性環(huán)節(jié)和回環(huán)非線性環(huán)節(jié)， 觀察分析非線性環(huán)節(jié)對(duì)系統(tǒng)性能的影響。這是未加環(huán)節(jié)時(shí)的scope：9/17加上飽和非線性環(huán)節(jié)：在下圖中加入的是saturation 模塊是限幅的飽和特性模塊，作用是對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行限幅。加上回環(huán)非線性環(huán)節(jié)：下圖中加入的是backlash 模塊，是磁滯回環(huán)特性模塊10/1711/17總結(jié)為期兩周的自動(dòng)控制原理課程設(shè)計(jì)做完了。通過(guò)這次課程設(shè)計(jì)，我對(duì)控制系統(tǒng)的校正有了更為深入的理解，但收獲最大的還是在做設(shè)計(jì)的過(guò)程中，對(duì)問(wèn)題的分析和計(jì)算有了很大的提高，