晶體硅電池制作過程

1、會計學1晶體硅電池制作過程晶體硅電池制作過程23456電池（電池（cell）；模組（）；模組（module）；陣列（）；陣列（array） 78基本的晶體硅太陽電池結(jié)構(gòu)基本的晶體硅太陽電池結(jié)構(gòu) 910111213晶體硅基板的厚度與太陽電池效率的關系晶體硅基板的厚度與太陽電池效率的關系（Ld為擴散長度）為擴散長度） 1415利用表面的粗糙結(jié)構(gòu)可以降低光線的反射程度原理圖利用表面的粗糙結(jié)構(gòu)可以降低光線的反射程度原理圖 1617利用利用NaOH或或KOH的堿性蝕刻液，產(chǎn)生出的逆金字塔狀凹槽的堿性蝕刻液，產(chǎn)生出的逆金字塔狀凹槽 1819202122232425基本的太陽電池制造流程示意圖基本的太陽電池

2、制造流程示意圖 2627Scanning electron microscope photograph of a textured multicrystalline silicon surface 282930利用機械切割方式制造出的利用機械切割方式制造出的V型凹槽，可以降低多晶硅電池的表面反射程度型凹槽，可以降低多晶硅電池的表面反射程度 3132石英管擴散爐示意圖石英管擴散爐示意圖 33322524POCl +3O =2P O +6Cl2522P O +5Si=2P+6SiO2262SiO +6HF=H SiF +2H O34石英管擴散爐實際照片石英管擴散爐實際照片 35傳輸帶式爐管示意圖傳

3、輸帶式爐管示意圖 3637383940415253OP3PCl5POClC6004P5SiO5SiO2P25242了促使POCl3充分的分解和避免PCl5對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮氣的同時通入一定流量的氧氣 。2522510ClO2P5O4PCl2過量O322524526POClOPOCl46)(altatlR47n當l=a（即為一個方塊）時，R= /t?？梢姡?t）代表一個方塊的電阻，故稱為方塊電阻，特記為R= /t (/)電流注入時，樣品內(nèi)部各點將產(chǎn)生電位，里面一對探針用來測量2、3點間的電位差。484950515253利用利用PECVD法生產(chǎn)氮化硅抗反射層的示意圖法生產(chǎn)氮化硅抗反

4、射層的示意圖 545556網(wǎng)印技術示意圖網(wǎng)印技術示意圖 575859尼龍絲網(wǎng)印刷基本流程尼龍絲網(wǎng)印刷基本流程 6061不銹鋼絲網(wǎng)印刷基本流程不銹鋼絲網(wǎng)印刷基本流程 Close up of a screen used for printing the front contact of a solar cell. During printing, metal paste is forced through the wire mesh in unmasked areas. The size of the wire mesh determines the minimum width of the fi

5、ngers. Finger widths are typically 100 to 200 m. Close up of a finished screen-printed solar cell. The fingers have a spacing of approximately 3 mm. An extra metal contact strip is soldered to the busbar during encapsulation to lower the cell series resistance. Front view of a completed screen-print

6、ed solar cell. As the cell is manufactured from a multicrystalline substrate, the different grain orientations can be clearly seen. The square shape of a multicrystalline substrate simplifies the packing of cells into a module. 64Rear view of a finished screen-printed solar cell. The cell have a gri

7、d from a single print of Al/Ag paste with no BSF, The cell have a coverage of aluminium that gives a BSF but requires a second print for solderable contacts. （1） 切片：采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。切片：采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。（2） 清洗：用常規(guī)的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或堿）溶液將硅片表面切割損清洗：用常規(guī)的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或堿）溶液將硅片表面切割損傷層除去傷層除去3050um。（3） 制

8、備絨面：用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。制備絨面：用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。（4） 磷擴散：采用涂布源（或液態(tài)源，或固態(tài)氮化磷片狀源）進行擴散，制成磷擴散：采用涂布源（或液態(tài)源，或固態(tài)氮化磷片狀源）進行擴散，制成PN結(jié)，結(jié)深一般為結(jié)，結(jié)深一般為0.30.5um。（5） 周邊刻蝕：擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層，會使電池上下電極短路，用周邊刻蝕：擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。（6） 去除背面去除背面PN結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面結(jié)。

9、常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN結(jié)。結(jié)。（7） 制作上下電極：用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極制作上下電極：用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。（8） 制作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制制作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有作減反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。法或噴涂法等。（9） 燒結(jié)：將