智能與敏感材料(共2頁)

1、1. Si、C、C/Si,誰將成為下一代智能與敏感材料或者信息技術(shù)材料的主角，觀點和理由？2. 簡述集成電路芯片的制造流程。 答：集成電路芯片的制造需要通過：原料提純單晶硅錠及硅片制造光刻與圖形轉(zhuǎn)移摻雜與擴散薄層沉積互聯(lián)與封裝等多道工序完成。3. 現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對微電子技術(shù)中半導(dǎo)體器件的襯底材料提出了什么新的要求？答：1.晶片直徑增大 2.缺陷，雜質(zhì)減少 3.幾何精度增加 4.開發(fā)新型材料和結(jié)構(gòu)4. 簡述介電材料的極化率、極化強度、介電常數(shù)、介電損耗、電導(dǎo)率和擊穿強度等特征參數(shù)。答：極化率：？極化強度：指單位體積內(nèi)電偶極矩的矢量和，。介電常數(shù)：？介電損耗：在交變電場中，每秒內(nèi)、每立方米電介

2、質(zhì)消耗的能量稱介電損耗W,.電導(dǎo)率：？擊穿強度：？5. 介電材料的極化機制與工作原理，將其應(yīng)用于能量存儲的優(yōu)勢有哪些？介電材料又稱為電介質(zhì)，是通過感應(yīng)而非傳導(dǎo)的方式傳遞、存儲或記錄電場的作用和影響。極化機制即電介質(zhì)在外加電場作用下產(chǎn)生宏觀的電極化強度，實際上是電介質(zhì)微觀上各種極化機制貢獻的結(jié)果，極化機制可分為可以分為：電子極化、離子極化、固有電極的取向極化、界面極化以及空間電荷極化。一般電介質(zhì)材料具有較高的功率密度、使用溫度范圍寬、快速充放能量、使用周期長等優(yōu)點，適合于能量的存儲。6. 磁泡材料是如何實現(xiàn)記錄和讀取信息的功能？ 答：利用在磁性薄膜的某一位置上“有”和“無”磁泡的兩種物

3、理狀態(tài)代表“1”和“0”，可實現(xiàn)信息的存儲?？刂拼排莸漠a(chǎn)生、消滅、移動和檢出等可實現(xiàn)信息的寫入、傳輸和讀出。7. 簡述光盤存儲器DCD、DVD和HDDVD的區(qū)別。8. 簡述石英光纖的基本結(jié)構(gòu)和制備工藝。答：結(jié)構(gòu) ： 芯子：高折射率SiO2純度99.9999%或摻雜GeO2    直徑為5Um-50Um包層：低折射率Sio2或摻雜氟來降低折射率     直徑為125Um 涂覆層:環(huán)氧樹脂 硅橡膠   增加韌性和機械強度  直徑為250Um制備：  SiCl4  GeC

4、l4  CF2Cl2 通過MCVD  等方法通過一系列反應(yīng)制成預(yù)制棒，在2000度高溫下的石墨拉絲爐中拉絲，在通過涂覆工序制成石英光纖。9. 舉例說明LED材料的主要制備技術(shù)。答：塊單晶  1、液封提拉法    2、水平布里奇曼法外延薄膜 1、液相外延    2、氣相外延     3、分子束外延   4、金屬有機化學(xué)沉積10. 以氧化鐵為例說明氣敏陶瓷的工作原理。答： -Fe2O3 是一種 N 型金屬氧化物半導(dǎo)體, 為尖晶石晶體結(jié)構(gòu), 在還原性氣體中容易生成尖晶石晶體結(jié)構(gòu)的 Fe3O4, 離子配位為: Fe3+Fe2+Fe3+O4, 氧原子作最緊密堆積, 1/2 的 Fe3+占據(jù)其四面體空隙, 另外 1/2 的Fe3+和 Fe2+則無規(guī)則地占據(jù)其八面體空隙, 位于八面體空隙的 Fe3+和 Fe2+之間的電子交換造成使得 Fe3O4具有極大的電導(dǎo)率。當(dāng) Fe3O4 接觸還原性氣體時, 隨氣體濃度不同, 生成 Fe3O4 的量也不同; 因二者結(jié)構(gòu)相同, 形成連續(xù)固