場效應(yīng)管的分類

1、場效應(yīng)管的分類場效應(yīng)管（FET）是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，噪聲系數(shù)低，受溫度和輻射影響小。因而特別 使用于高靈敏度、低噪聲電路中。場效應(yīng)管的種類很多，按結(jié)構(gòu)可分為兩大類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（IGFET ）.結(jié)型場 效應(yīng)管又分為 N 溝道和 P 溝道兩種。 絕緣柵場效應(yīng)管主要指 金屬-氧化物 -半導(dǎo)體場效應(yīng)管（ MOS 管）。 MOS 管又分為 “耗盡型”和“增強(qiáng)型”兩種，而每一種又分為 N 溝道和 P 溝道 。結(jié)型場效應(yīng)管是利用導(dǎo)電溝道之間耗盡區(qū)的寬窄來控制電流的，輸入電阻（1051015）之間； 絕緣柵型是利用感應(yīng)電荷的多少來控制導(dǎo)電溝 道的寬窄從而

2、控制電流的大小， 其輸入阻抗很高 （柵極與其它 電極互相絕緣 ）。它在硅片上的集成度高， 因此在大規(guī)模集成 電路中占有極其重要的地位。場效應(yīng)管的型號命名方法現(xiàn)行場效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母 J 代表結(jié) 型場效應(yīng)管， O 代表絕緣柵場效應(yīng)管。 第二位字母代表材料， D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D 是結(jié)型 N 溝道場效應(yīng)三極管， 3DO6C 是絕緣柵型 N 溝道場效應(yīng)三極管第二種命名方法是 CSxx #, CS代表場效應(yīng)管，xx以 數(shù)字代表型號的序號， #用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。 例如 CS14A 、 CS45G 等。

3、場效應(yīng)管所有廠家的中英文對照表在場效應(yīng)管對照表中， 收編了美國、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場 效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場次晶體管（MOSFET ）、肖特基勢壘控制柵場效應(yīng)晶體管（ SB）、金屬 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MES）、高電子遷移率晶體管（HEMT ）、 靜電感應(yīng)晶體管（SIT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT、等屬于 場效應(yīng)晶體管系列的單管、對管及組件等，型號達(dá)數(shù)萬種之 多。每種型號的場效應(yīng)晶體管都示出其主要生產(chǎn)廠家、材料 與極性、外型與管腳排列、用途與主要特性參數(shù)。同時還在 備注欄列出世界各國可供代換的場效應(yīng)晶體管型號，其中含 國產(chǎn)場效應(yīng)晶體管型號。1"

4、;型號"欄 表中所列各種場效應(yīng)晶體管型號按英文字母和阿拉伯?dāng)?shù) 字順序排列。同一類型的場效應(yīng)晶體型號編為一組，處于同 一格子內(nèi)，不用細(xì)線分開。2"廠家"欄 為了節(jié)省篇幅，僅列入主要廠家，且廠家名稱采用縮寫的 形式表示。）所到廠家的英文縮寫與中文全稱對照如下：ADV 美國先進(jìn)半導(dǎo)體公司AEG 美國 AEG 公司AEI 英國聯(lián)合電子工業(yè)公司AEL 英、德半導(dǎo)體器件股份公司ALE 美國 ALEGROMICRO 公司公司ALP 美國 ALPHA INDNSTRLESAME 挪威微電子技術(shù)公司AMP 美國安派克斯電子公司AMS 美國微系統(tǒng)公司APT 美國先進(jìn)功率技術(shù)公司ATE

5、 意大利米蘭 ATES 公司ATT 美國電話電報公司AVA 美、德先進(jìn)技術(shù)公司BEN 美國本迪克斯有限公司BHA 印度 BHARAT 電子有限公司CAL 美國 CALOGIC 公司CDI 印度大陸器件公司CEN 美國中央半導(dǎo)體公司CLV 美國 CLEVITE 晶體管公司 COL 美國 COLLMER 公司CRI 美國克里姆森半導(dǎo)體公司CTR 美國通信晶體管公司CSA 美國 CSA 工業(yè)公司DIC 美國狄克遜電子公司DIO 美國二極管公司DIR 美國 DIRECTED ENERGR 公司 LUC 英、德 LUCCAS 電氣股份公司 MAC 美國 M/A 康姆半導(dǎo)體產(chǎn)品公司 MAR 英國馬可尼電子

6、器件公司 MAL 美國 MALLORY 國際公司 MAT 日本松下公司MCR 美國 MCRWVE TECH 公司MIC 中國香港微電子股份公司MIS 德、意 MISTRAL 公司MIT 日本三菱公司MOT 美國莫托羅拉半導(dǎo)體公司MUL 英國馬德拉有限公司NAS 美、德北美半導(dǎo)體電子公司NEW 英國新市場晶體管有限公司NIP 日本日電公司NJR 日本新日本無線電股份有公司 NSC 美國國家半導(dǎo)體公司NUC 美國核電子產(chǎn)品公司OKI 日本沖電氣工業(yè)公司OMN 美國 OMNIREL 公司OPT 美國 OPTEK 公司ORG 日本歐里井電氣公司PHI 荷蘭飛利浦公司POL 美國 PORYFET 公司P

7、OW 美國何雷克斯公司PIS 美國普利西產(chǎn)品公司PTC 美國功率晶體管公司RAY 美、德雷聲半導(dǎo)體公司REC 美國無線電公司RET 美國雷蒂肯公司RFG 美國射頻增益公司RTC 法、德 RTC 無線電技術(shù)公司SAK 日本三肯公司SAM 韓國三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英國塞米特朗公司 DIT 德國 DITRATHERM 公司ETC 美國電子晶體管公司FCH 美國范恰得公司FER 英、德費蘭蒂有限公司FJD 日本富士電機(jī)公司FRE 美國 FEDERICK 公司FUI 日本富士通公司FUM 美國富士通微電子公司GEC 美國詹特朗公司GEN 美國通用電氣公司GEU 加拿大 GENNUM 公司

8、GPD 美國鍺功率器件公司HAR 美國哈里斯半導(dǎo)體公司HFO 德國 VHB 聯(lián)合企業(yè)HIT 日本日立公司HSC 美國 HELLOS 半導(dǎo)體公司IDI 美國國際器件公司INJ 日本國際器件公司INR 美、德國際整流器件公司INT 美國 INTER FET 公司IPR 羅、德 I P R S BANEASA 公司ISI 英國英特錫爾公司ITT 德國楞茨標(biāo)準(zhǔn)電氣公司IXY 美國電報公司半導(dǎo)體體部KOR 韓國電子公司KYO 日本東光股份公司LTT 法國電話公司SEM 美國半導(dǎo)體公司SES 法國巴黎斯公司SGS 法、意電子元件 "> 元件股份公司SHI 日本芝蒲電氣公司SIE 德

9、國西門子 AG 公司SIG 美國西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技術(shù)公司SML 美、德塞邁拉布公司SOL 美、德固體電子公司SON 日本縈尼公司SPE 美國空間功率電子學(xué)公司SPR 美國史普拉格公司SSI 美國固體工業(yè)公司STC 美國硅晶體管公司STI 美國半導(dǎo)體技術(shù)公司SUP 美國超技術(shù)公司TDY 美、德 TELEDYNE 晶體管電子公司TEL 德國德律風(fēng)根電子公司TES 捷克 TESLA 公司THO 法國湯姆遜公司TIX 美國德州儀器公司TOG 日本東北金屬工業(yè)公司TOS 日本東芝公司TOY 日本羅姆公司TRA 美國晶體管有限公司TRW 英、德 TRN 半導(dǎo)體公司UCA 英、德聯(lián)合碳化物公

10、司電子分部UNI 美國尤尼特羅德公司UNR 波蘭外資企業(yè)公司W(wǎng)AB 美、德 WALBERN 器件公司W(wǎng)ES 英國韋斯特科德半導(dǎo)體公司VAL 德國凡爾伏公司YAU 日本 GENERAL 股份公司ZET 英國 XETEX 公司 3 " 材料 "欄 本欄目注明各場效應(yīng)晶體管的材料和極性，沒有注 明材料的均為 SI 材料，特殊類型的場效應(yīng)晶體管也在這一欄 中說明。其英文與中文對照如下：N-FET 硅 N 溝道場效應(yīng)晶體管P-FET 硅 P 溝道場效應(yīng)晶體管GE-N-FET 鍺 N 溝道場效應(yīng)晶體管GE-P-FET 鍺 P 溝道場效應(yīng)晶體管 GaAS-FET 砷化鎵結(jié)型 N 溝道場效

11、應(yīng)晶體管SB 肖特基勢壘柵場效應(yīng)晶體管MES 金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （一般為 N 溝道， 若 P 溝道則在備注欄中注明）HEMT 高電子遷移率晶體管SENSE FET 電流敏感動率 MOS 場效應(yīng)管SIT 靜電感應(yīng)晶體管IGBT 絕緣柵比極晶體管ALGaAS 鋁家砷 4"外形 "欄 根據(jù)本欄中所給出的外形圖序號，可在書末的 " 外形 與管腳排列圖 "中查到該型號場效應(yīng)晶體管的外形與管腳排 列方式，但不考慮管子尺寸大小。注明"P-DIT"的為塑料封裝 雙列直插式外形， "CER-DIP" 的為陶瓷封裝雙列直插式外形

12、， "CHIP"的為小型片狀，"SMD"或"SO"的為表面封裝，"SP"的 為特殊外形， "LLCC" 為無引線陶瓷片載體， "WAFER" 的為 裸芯片。 5 "用途與特性 "欄本欄中介紹了各種場效應(yīng)晶體管的主要用途及技術(shù) 特性參數(shù)。 對于 MOSFET 增加了 MOS -DPI 表示增強(qiáng)型金屬 氧化物場效應(yīng)晶體管或者 MOS-ENH 表示增強(qiáng)型金屬氧化物 場效應(yīng)晶體管，沒有注明的即結(jié)型場效應(yīng)晶體管其余的英文 縮寫與中文全稱對照如下：A 寬頻帶放大AM

13、調(diào)幅CC 恒流CHOP 斬波、限幅C-MIC 電容話筒專用D 變頻換流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配對管DUAL-GATE 雙柵四極 FM 調(diào)頻GEP 互補類型HA 行輸出級HF 高頻放大（射頻放大）HG 高跨導(dǎo)HI-IMP 高輸入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗變換L 功率放大MAP 匹配對管MIN 微型MIX 或 M 混頻MW 微波NF 音頻（低頻） O 振蕩S 開關(guān)SW-REG 開關(guān)電源SYM 對稱類TEMP 溫度傳感TR 激勵、驅(qū)動TUN 調(diào)諧TV 電視TC 小型器件標(biāo)志UHF 超高頻UNI 一般用途V 前置 / 輸入級VA 場輸出級VHF 甚高頻VID 視頻VR

14、可變電阻ZF 中放V-FET V 型槽 MOSFETMOS-INM MOSFET 獨立組件 MOS-ARR MOSFET 陳列組件 MOS-HBM MOSFET 半橋組件MOS-FBM 全橋組件MOS-TPBM MOSFET 三相橋組件技術(shù)特性參數(shù)列出極限參和特征參數(shù)，其中電壓 值：結(jié)型場效應(yīng)晶體管為柵極間極電壓 Vgds 或 Vgdo,MOS 場效應(yīng)晶體管（含 MES 、 HEMT ）一般為漏極 -源極間極限 電壓 Vdss,IGBT 晶體管為集電極發(fā)射極間極限電壓 （基極和 發(fā)射極短路） V（br）ces ; 電流值：耗盡型（含結(jié)型）為最大漏 極電流Idss,增強(qiáng)型為漏極極限電流Id ,

15、IGBT晶體管為集電 極最大直流電流Ic;功率值：一般為漏極耗散功率 Pd,高頻 功率管有的列出漏極最大輸出功率Po， IGBT 晶體管為集電極耗散功率Pc，單位為W或DBM ；場效應(yīng)管高頻應(yīng)用的頻 率值：一般為特征頻率 Ft,有的為最高振蕩頻率 F0;開關(guān)應(yīng) 用及功率 MOS 場效應(yīng)管電阻值為漏極 -源極間的導(dǎo)通電阻 Rds,記為Ron,單位Q;開關(guān)時間："/"（斜線）前為導(dǎo)通時間 Ton , "/"后為關(guān)斷時間Toff,部分開關(guān)時間為上升時間Tr，和下降時間 Tf, IGBT 晶體管 "/"斜錢前為延遲時間與上升時間 之和td+t

16、r, "/"后為下降時間TR;低噪聲的噪聲特性參數(shù)用噪 聲系數(shù)NF （ DB ）或輸入換算噪聲電壓 En （VN ）表示；對 于對管列有表示對稱性參數(shù)的柵源短路時的漏極電流之比 /或柵源電壓差/ VGS或柵極電流差/ JG;跨導(dǎo)值：表示放 大能力的參數(shù)，多為最大跨導(dǎo)GM，單位MS （毫西門子）； 柵泄漏電流值：表示輸入阻抗特怕的能數(shù)， 記為IGSS,單位 NA或PA ;夾斷電壓：表示關(guān)斷行斷特性的參數(shù)，記為 VP,， 單位 V。 6， " 國內(nèi)外相似型號 "欄本欄列出特性相似，可供代換的世界各國場效應(yīng)晶 體管型號，含國產(chǎn)場效應(yīng)晶體管。這些型號的場效應(yīng)晶體管 一般都可以代換相應(yīng)第一欄（ "型號 "欄）的場效應(yīng)晶體管。 這些管子多數(shù)可直接代換，但有個別型號的場效應(yīng)晶體管因 外形或管腳排列不同，不能直接代換使用，須加以注意。不 過，這些場效應(yīng)晶體管的主要技術(shù)能數(shù)與被代換場效應(yīng)晶體 管都比較接近。這一欄里還