雙向可控硅1重點(diǎn)講義

1、雙向可控硅mA級(jí)-<10mA(包括版面2.11、2.24、2.52、2.66、2.81、3.0、3.28、3.52、3.9)1. 選用N型單晶片，晶向<1,1,1>面，片厚240-250m，電阻率：45-48,48-52.晶圓直徑100mm+0.3mm。2. 激光打標(biāo)。（1） 格式：版面積 批號(hào) 片號(hào)（2） 字體：字高：2mm，字間距80%，仿宋體。（3） 要求：字體清晰，與定位面齊平，據(jù)定位面邊緣1mm左右。3. 氧化。（1） 清洗步驟化劑配比時(shí)間要求1號(hào)液NH4OH：H2O2：DIH2O=1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度80-85沖水DIH2O10min時(shí)

2、間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑2號(hào)液HCl：H2O2：DIH2O =1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度80-85沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑超聲5min沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑甩干晶圓表面干燥（2） 裝舟。用硅舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向內(nèi)。編號(hào)從爐口到爐尾由大到小排列。（3） 進(jìn)爐。將硅舟緩慢推入石英管道內(nèi)，放在恒溫區(qū)中間。（4） 運(yùn)行程序。 1150 500 500 2h 4.5h 1h 4.5h 2h 2h N2:4L O2:4L 濕O2:2L O2:4L 濕O2:2L O2:4L N2:4

3、L N2:4L 一次氧化（5） 程序結(jié)束，出爐。將硅舟緩慢拉至爐口，冷卻。放置在凈化操作臺(tái)上。（6） 檢驗(yàn)。氧化層顏色的一致性，無氧化層發(fā)白，發(fā)花現(xiàn)象，表面無腐蝕。前中后各取一片測SiO2層膜厚，厚度在1.6m以上。做好記錄。（7） 裝片盒。將氧化好的晶圓按順序裝入氧化專用片盒。4.鎵擴(kuò)散一、預(yù)擴(kuò)（1）裝鎵源。將鎵源粉末放在承源器內(nèi)，推入石英管內(nèi)。（2）裝舟。將晶圓裝在鎵擴(kuò)用石英舟上，定位面向上，每槽一片，刻字面向內(nèi)。編號(hào)從爐口到爐尾由大到小排列。（3）進(jìn)爐。將石英舟緩慢推至恒溫區(qū)，蓋緊帽子。（4）氣密性檢查。將石英帽上的氣孔和鼓泡瓶連接，觀察鼓泡瓶內(nèi)氣泡是否正常。（5）運(yùn)行程序 1205 5

4、00 800 500 3h 150-200min 2h 2h N2:1.5L/min,H2:140P/min 恒溫時(shí)間根據(jù)實(shí)際情況（6）出爐。（7）檢驗(yàn)。取出調(diào)試片，用HF漂去氧化層后，測R口，在120-140cm，如有不均勻，報(bào)告工藝員。二、鎵再擴(kuò)（1）裝舟。將晶圓裝在鎵再擴(kuò)用硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向內(nèi)，從爐尾到爐口由大到小排列。（2）進(jìn)爐。將硅舟緩慢推入鎵再擴(kuò)用碳化硅管內(nèi)，蓋上帽子。（3）運(yùn)行程序。 1250 600 600 4h 6.5-7.5h 8h N2:4L/min 鎵再擴(kuò)（4） 出爐。程序結(jié)束，將硅舟緩慢拉至爐口冷卻后，放置在凈化操作臺(tái)上。（5） 檢驗(yàn)。觀察晶圓表面

5、狀態(tài)是否正常；取出調(diào)試片， 測結(jié)深（29-31）和R口（250-300）；（6） 下片。將晶圓裝入片盒內(nèi)。5.鎵補(bǔ)硼擴(kuò)散一、硼預(yù)擴(kuò)（1）清洗步驟化劑配比時(shí)間要求及注意事項(xiàng)去SiO2HF：H2O=1:115min不時(shí)的抖動(dòng)片架，注意慮水時(shí)間，防止邊緣腐蝕不凈，防止表面染色。沖水H2O10min及時(shí)將化劑沖洗干凈，防止表面染色王水HNO3：HCl：DIH2O =1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑超聲5min沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑甩干晶圓表面干燥（2）裝舟。將晶圓裝在硅舟上，每槽一

6、片，定位面向上，刻字面向內(nèi)，從爐尾到爐口編號(hào)由小到大。（3）進(jìn)爐。將硅舟緩慢推入碳化硅關(guān)內(nèi)。蓋上帽子。（4）運(yùn)行程序。 950 500 800 500 2h 50min 1.5h 1.5h N2:4L/min，O2:0.1L/min （6）出爐。將石英舟緩慢拉制爐口冷卻后，放在凈化操作臺(tái)上。（7）檢驗(yàn)。觀察表面顏色是否一致。取下調(diào)試片，用HF將SiO2漂凈后，測試其R口，R口值在30-35cm范圍內(nèi)正常。如超出此范圍報(bào)告工藝員。（8）漂酸。HF：H2O=1:2,；時(shí)間：200S；注意表面濾水。（9）沖水，甩干。二、補(bǔ)硼再分布（1）清洗稀王水HNO3：HCl：DIH2O =1:2:516min化

7、劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑超聲沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑甩干晶圓表面干燥（2）裝舟。將晶圓裝在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向內(nèi)，從爐尾到爐口編號(hào)由大到小。（3）進(jìn)爐。將硅舟緩慢推入碳化硅關(guān)內(nèi)。蓋上帽子。（4）運(yùn)行程序。 1250 600 600 4h 4h 2h 8h N2:4L O2:4L 濕O2:2L O2:4L N2:4L N2:4L （5）出爐。將硅舟緩慢拉至爐口冷卻后，放在凈化操作臺(tái)上。（6）檢驗(yàn)。目測氧化層顏色一致，測氧化層厚度，要求：1m以上；測結(jié)深36-39m ；測R口

8、：45-55CM；晶圓表面狀態(tài)。（7）下片。將晶圓裝入片盒內(nèi)。6.光刻（濃硼區(qū)光刻）（1） 勻膠。光刻膠類型：100膠；轉(zhuǎn)速：3900轉(zhuǎn)/min；時(shí)間：18S；先勻正面，烘5min，再勻背面。（2） 檢驗(yàn)。光刻膠均勻分布，無膠絲，無漏涂。（3） 前烘。溫度：120；時(shí)間：25min（4） 曝光。雙面機(jī)，同時(shí)曝光，5S；用濃硼區(qū)光刻版。（5） 顯影。顯影定影液，時(shí)間：4*4分鐘（6） 檢驗(yàn)。線條陡直，顯影徹底，無底膜。（7） 堅(jiān)膜。溫度140，時(shí)間30-40分鐘。（8） 腐蝕。腐蝕液：40%氟化銨溶液：HF=5:1；腐蝕溫度：39±2；時(shí)間：按實(shí)際情況而定；超聲腐蝕。（9） 去膠。硫酸

9、去膠。（10）檢驗(yàn)。線條陡直，光滑，無毛刺，無鉆蝕。圖形內(nèi)無殘余氧化層。7.濃硼區(qū)擴(kuò)散一、預(yù)擴(kuò)（1）檢驗(yàn)。校對(duì)批號(hào)，型號(hào)，版面；目測晶圓表面狀態(tài)。（2）清洗步驟化劑配比時(shí)間要求1號(hào)液NH4OH：H2O2：DIH2O=1：2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑稀王水HNO3：HCl：DIH2O =1:2:516min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑超聲5min沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑甩干晶圓表面干燥（3）裝舟。將晶圓裝在硅舟上

10、，每槽一片，定位面向上，刻字面向內(nèi)，從爐尾到爐口編號(hào)由小到大。（4）進(jìn)爐。將硅舟緩慢推入碳化硅關(guān)內(nèi)。蓋上帽子。（5）運(yùn)行程序。 1080 500 800 500 2h 170min 1.5h 1.5h N2:4L/min，O2:0.1L/min （6）出爐。將石英舟緩慢拉制爐口冷卻后，放在凈化操作臺(tái)上。（7）檢驗(yàn)。觀察表面顏色是否一致。取下調(diào)試片，用HF將SiO2漂凈后，測試其R口，R口值在3-4范圍內(nèi)正常。如超出此范圍報(bào)告工藝員。（8）漂酸。HF：H2O=1:2,；時(shí)間：150-200S；注意表面濾水。（9）沖水，甩干。二、硼再分布（1）清洗稀王水HNO3：HCl：DIH2O =1:2:61

11、6min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑超聲沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑甩干晶圓表面干燥（2）裝舟。將晶圓裝在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向內(nèi)，從爐尾到爐口編號(hào)由大到小。（3）進(jìn)爐。將硅舟緩慢推入碳化硅管內(nèi)。蓋上帽子。（4）運(yùn)行程序。 1180 600 600 4h 4h 1h 8h N2:4L O2:4L 濕O2:2L O2:4L N2:4L N2:4L （5）出爐。將硅舟緩慢拉至爐口冷卻后，放在凈化操作臺(tái)上。（6）檢驗(yàn)。目測氧化層顏色一致，測氧化層厚度，要求：1m以上； 晶圓表面狀態(tài)。（

12、7）下片。將晶圓裝入片盒內(nèi)。8.光刻陰極(1)勻膠。光刻膠類型：100膠；轉(zhuǎn)速：3900轉(zhuǎn)/min；時(shí)間：18S；先勻正面，烘5min，再勻背面。(2)檢驗(yàn)。光刻膠均勻分布，無膠絲，無漏涂。(3)前烘。溫度：120；時(shí)間：25min(4)曝光。單面機(jī)，兩面逐一曝光，3S；用發(fā)射區(qū)光刻版。(5)顯影。顯影定影液，時(shí)間：4*4分鐘(6)檢驗(yàn)。線條陡直，顯影徹底，無底膜。(7)堅(jiān)膜。溫度140，時(shí)間30-40分鐘。(8)腐蝕。腐蝕液：40%氟化銨溶液：HF=5:1；腐蝕溫度：39±2；時(shí)間：按實(shí)際情況而定；超聲腐蝕。(9)去膠。硫酸去膠。(10)檢驗(yàn)。線條陡直，光滑，無毛刺，無鉆蝕。圖形內(nèi)

13、無殘余氧化層。9.磷擴(kuò)散（1）清洗處理：步驟化劑配比時(shí)間要求1號(hào)液NH4OH：H2O2：DIH2O =1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑2號(hào)液HCl：H2O2：DIH2O =1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑超聲5min沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑（2）裝舟。用磷擴(kuò)石英舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向內(nèi)，編號(hào)從進(jìn)氣口向出氣口由大變小。前中后各放一個(gè)調(diào)試片。（3）進(jìn)爐。將石英舟緩慢推至恒溫區(qū)。（4）運(yùn)行

14、程序： 1080 600 600 2h 10min 120min 20m 4h N2（帶源）1.3/min N2:4。5L/min，O2:1.5L/min ，（5）出爐。程序結(jié)束，將石英舟緩慢拉出，置于凈化操作臺(tái)。（6）觀察晶圓表面顏色是否正常，表面是否有腐蝕。取調(diào)試片測試R口：0.9-1.0CM，記錄。（7）小樣調(diào)試。每片架取一片，記錄片號(hào)。（7-1）清洗處理步驟化劑配比時(shí)間要求漂酸HF：DIH2O=1:10180-200S磷硅玻璃去除徹底，表面疏水，時(shí)間不宜過長沖水DIH2O10min沖洗干凈，無殘留化劑2號(hào)液HCl：H2O2：DIH2O =1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度

15、正確超聲5min沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑（7-2）裝舟。用硅舟，每槽一片，可直面向內(nèi)，定位面向上，均勻分散裝在兩條舟上，編號(hào)從進(jìn)氣口向出氣口由大變小。（7-3）進(jìn)爐。將硅舟緩慢推至恒溫區(qū)。（7-4）運(yùn)行程序： T 700 4002h 1.5h Xh 5h N2 O2 濕O2 O2 N2 N2 N2=4000ml/min O2=2000ml/min 濕O2=1500ml/min T、X根據(jù)實(shí)際調(diào)試結(jié)果而定（7-5）出爐。程序結(jié)束，將硅舟緩慢拉出，置于凈化操作臺(tái)。觀察晶圓表面顏色是否正常。（7-6）下傳下道工序。流傳至合金（8）小樣測試。小樣到合金后，測試小樣

16、IGT1-4、VDRM、VRRM、VFGM等參數(shù)，看是否符合要求。（9）如符合要求，則按第（6）條做整批；如不符合要求，則進(jìn)行重新調(diào)試小樣。10.槽光刻（1）檢驗(yàn)。版圖、數(shù)量、批號(hào)是否正確；表面是否正常。（2）勻膠。光刻膠：450膠；轉(zhuǎn)速：低速1600轉(zhuǎn)/min，時(shí)間10S；高速2400轉(zhuǎn)/min；時(shí)間：18S；先勻正面，烘5min，再勻背面。（3）檢驗(yàn)。光刻膠均勻分布，無膠絲，無漏涂。（4）前烘。溫度：120；時(shí)間：25min（5）曝光。單面機(jī)刻7S；用槽光刻版；正反面逐一曝光。（6）顯影。顯影定影液，時(shí)間：4*4分鐘（7）檢驗(yàn)。線條陡直，顯影徹底，無底膜。（8）堅(jiān)膜。溫度140，時(shí)間30-

17、40分鐘。（9）腐蝕。腐蝕液：40%氟化銨溶液：HF=5:1；腐蝕溫度：39±2；時(shí)間：按實(shí)際情況而定；超聲腐蝕。（10）檢驗(yàn)。線條陡直，光滑，無毛刺，無鉆蝕。圖形內(nèi)無殘余氧化層。11.臺(tái)面腐蝕（1）來料檢驗(yàn)：版圖是否正確；氧化層是否腐凈；兩面是否都有光刻膠；有缺角的地方要用光刻膠保護(hù)。（2）腐蝕液配比:HNO3:HF:HAC=10:3:1.5(現(xiàn)采購廠家配好的腐蝕液)（3）腐蝕液冷卻：將腐蝕液冷卻至4以下（4）腐蝕： 20片一次，腐蝕時(shí)間根據(jù)不同版面而定（有統(tǒng)計(jì)表查詢）。（5）沖水。10min以上（6）檢驗(yàn)。槽寬測量并記錄（與標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比）；有角片的話，測量槽深70-75m；槽型筆直，

18、無鉆蝕（7）甩干（8）去膠。硫酸去膠，去膠徹底（9）沖水。10min以上（10）超聲。將每個(gè)晶圓平鋪在超聲臺(tái)底部，15min，（11）沖水，甩干（12）檢驗(yàn)。氧化層掛邊去除徹底，表面氧化層完整，無殘膠。12.CVD（SIPOS）（1）檢驗(yàn)。批號(hào)，型號(hào)，版面；表面狀態(tài)。（2）清洗步驟化劑配比時(shí)間要求1號(hào)液NH4OH：H2O2：DIH2O=1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度80-85沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑2號(hào)液HCl：H2O2：DIH2O =1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度80-85沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗

19、干凈，無殘留化劑超聲5min漂酸HNO3：HF：HAC=12:1:110S不停拎動(dòng)，時(shí)間準(zhǔn)確沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑超聲5min沖水DIH2O10min時(shí)間必須達(dá)到要求，沖洗干凈，無殘留化劑甩干晶圓表面干燥（3）裝舟。將晶圓裝在SIPOS專用石英舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向內(nèi)。前后至少各有5個(gè)擋片，空的槽內(nèi)必須裝滿擋片。（4）進(jìn)爐。將石英舟放入大象管內(nèi)，將大象管套在SIPOS爐口，將石英舟緩慢推至恒溫區(qū)。（5）運(yùn)行程序。檢查每一步的動(dòng)作是否正確，做好記錄。 800 650 575 575 SIPOS沉積 SiH4：250cc HCL清潔 20min

20、 20min NO2：40cc 30min 30min 25min 流量：200cc 時(shí)間：50min 壓力：300T SiH4：180cc 時(shí)間：40min 時(shí)間：4min（6）出爐。將石英管緩慢拉至爐口，套上石英大象管，將石英舟緩慢拉至石英大象管內(nèi)，再將大象管和石英舟整體放置在凈化操作臺(tái)上冷卻。（7）檢驗(yàn)。晶圓表面顏色（無發(fā)花、發(fā)白現(xiàn)象），測量sipos層的膜層厚度。（ ）13玻璃鈍化（1）來料檢驗(yàn)：版圖、數(shù)量、批號(hào)是否正確；表面是否正常。（2）玻璃粉配比：粘結(jié)劑:玻璃粉=1:2.5（重量比）； 其中粘結(jié)劑配比為乙基纖維素：丁基卡必醇=2:100（重量比）（3）清洗：步驟化劑配比時(shí)間要求，

21、注意事項(xiàng)1號(hào)液NH4OH：H2O2：DIH2O =1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min沖洗干凈，無殘留化劑漂酸HNO3：HF=100:110S不停抖動(dòng)沖水DIH2O10min沖洗干凈，無殘留化劑2號(hào)液HCl：H2O2：DIH2O =1:2:510min化劑配比正確、時(shí)間正確、溫度正確沖水DIH2O10min沖洗干凈，無殘留化劑甩干表面清潔干燥注：做sipos的晶圓，只需從2號(hào)液開始清洗。（4）刮玻璃粉。與槽45°方向上玻璃粉，保證每個(gè)位置刮2次以上，注意晶圓表面不要?jiǎng)潅Ｏ裙握?，在熱板上?min，再刮背面。（5）裝舟：用玻璃鈍化石英舟，每槽

22、一片。（6）進(jìn)爐：用10min將舟從爐口推至恒溫區(qū)。（7）燒出。恒溫區(qū)450°，時(shí)間10min。N2：4/min;O2:1L/min。（8）出爐。用10min將舟從恒溫區(qū)拉至爐口，冷卻10min（9）擦玻璃粉。用硅橡膠擦去晶圓表面的玻璃粉。擦好一面，再擦另一面，注意表面玻璃粉擦拭徹底。（10）裝舟：用玻璃鈍化石英舟，每槽一片。（11）進(jìn)爐：用20min將舟從爐口推至恒溫區(qū)。（12）燒出。恒溫區(qū)450°，時(shí)間15min。N2：4/min;O2:1L/min。（13）出爐。用20min將舟從恒溫區(qū)拉至爐口，冷卻20min（14）重復(fù)5-13步。（15）檢驗(yàn)：表面無成條或成塊的玻

23、璃粉殘留。顯微鏡下玻璃層晶瑩光亮。測電壓符合要求，無軟擊穿。14.CVD（LTO）（1）檢驗(yàn)。版圖、數(shù)量、批號(hào)是否正確；表面是否正常。（2）裝舟。每槽一片，刻字面向內(nèi)，定位面向上，每個(gè)籠舟兩端各放一個(gè)擋片。（3）進(jìn)爐。將石英舟放入大象管內(nèi)，將大象管套在LTO管爐口，將石英舟緩慢推至恒溫區(qū)。（4）運(yùn)行程序。 420 1min 3min 30min 2m 10S 3m 10s 3m puger O2 SiH4：100cc MFCpuger puger 180cc O2：140cc 清潔（5）出爐。（6）檢驗(yàn)。表面氧化層顏色均勻，顏色前中后一致；測量LTO層膜厚在2000-2500A。15.光刻引線

24、。（1） 檢驗(yàn)。版圖、數(shù)量、批號(hào)是否正確；表面是否正常。（2）勻膠。光刻膠：450膠；轉(zhuǎn)速：低速1600轉(zhuǎn)/min，時(shí)間8S；高速2400轉(zhuǎn)/min；時(shí)間：18S；先勻正面，烘5min，再勻背面。（3）檢驗(yàn)。光刻膠均勻分布，無膠絲，無漏涂。（4）前烘。溫度：120；時(shí)間：25min（5）曝光。單面機(jī)刻7S；用引線光刻版。（6）顯影。顯影定影液，時(shí)間：4*4分鐘（7）檢驗(yàn)。線條陡直，顯影徹底，無底膜。（8）堅(jiān)膜。溫度140，時(shí)間30-40分鐘。（9）腐蝕。腐蝕LTO。腐蝕液：40%氟化銨溶液：HF=5:1；腐蝕溫度：39±2；時(shí)間：100S；超聲腐蝕。腐蝕SIPOS。腐蝕液：HNO3：

25、HF：HAC=12:1:1.腐蝕時(shí)間：50S-70S，腐蝕溫度12。腐蝕SiO2。腐蝕液：40%氟化銨溶液：HF=5:1；腐蝕溫度：39±2；時(shí)間：視慮水時(shí)間而定；超聲腐蝕。（10）去膠。硫酸去膠。（11）檢驗(yàn)。線條陡直，光滑，無毛刺，無鉆蝕。圖形內(nèi)無殘余氧化層。16.蒸鋁（1）檢驗(yàn)。來料數(shù)量，版面，批號(hào)；表面情況。（2）清洗步驟化劑配比時(shí)間注意及要求三氯乙烯5min經(jīng)常拎動(dòng)片架甲醇5min經(jīng)常拎動(dòng)片架甲醇5min經(jīng)常拎動(dòng)片架沖水DIH2O10min沖洗干凈，無殘留化劑漂酸HF：DIH2O=1:2010S不停的拎動(dòng)片架沖水DIH2O10min必須馬上將HF沖洗徹底甩干（3）裝片：將干

26、燥的晶圓裝在行星盤上，置于紅外燈下等待進(jìn)爐。（4）將行星盤裝入蒸發(fā)臺(tái)真空室內(nèi)。（5）運(yùn)行程序。（6）程序結(jié)束，將行星盤取出，將晶圓翻一面裝于行星盤上，置于紅外燈下等待。（7）將行星盤裝入蒸發(fā)臺(tái)真空室內(nèi)。（8）運(yùn)行程序。（9）程序結(jié)束。將晶圓裝于片盒內(nèi)，小心鋁層表面擦傷。（10）檢驗(yàn)。每次取一片測鋁層厚度3.5-4.5m。鋁層顏色光亮，無發(fā)白發(fā)霧現(xiàn)象。是否存在鋁層起泡，表面無劃傷。17.鋁反刻（1）檢驗(yàn)。版圖、數(shù)量、批號(hào)是否正確；表面是否正常。（2）勻膠。光刻膠：100膠；轉(zhuǎn)速：1400轉(zhuǎn)/min；時(shí)間：30S；先勻正面，烘5min，再勻背面。（3）檢驗(yàn)。光刻膠均勻分布，無膠絲，無漏涂。（4）前烘。溫度：120；時(shí)間：25min（5）曝光。單面機(jī)刻3S；用反刻光刻版，正反面逐一光刻。（6）顯影。顯影定影液，時(shí)間：4*4分鐘（7）檢驗(yàn)。線條陡直，顯影徹底，無底膜。（8）堅(jiān)膜。溫度140，時(shí)間30-40分鐘。（9）腐蝕。磷酸腐蝕，溫度：68±2；時(shí)間：視具體情況而定；腐蝕時(shí)加入少量無水乙醇，并經(jīng)常拎動(dòng)片架，防止晶圓浮出片架。（10）去膠。發(fā)煙硝酸去膠，新舊兩個(gè)方缸各3min。（11）沖水。及時(shí)將酸液沖洗徹底。（12）檢驗(yàn)。線條陡直，光滑，無毛刺，無鉆蝕。圖形內(nèi)無殘余氧化層。18.合金（1） 檢驗(yàn)。來片的