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1、 固體物理學(xué)習(xí)題解答第一章1.1 有許多金屬即可形成體心立方結(jié)構(gòu),也可以形成面心立方結(jié)構(gòu)。從一種結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N結(jié)構(gòu)時(shí)體積變化很小.設(shè)體積的變化可以忽略,并以Rf和Rb代表面心立方和體心立方結(jié)構(gòu)中最近鄰原子間的距離,試問(wèn)Rf/Rb等于多少?答:由題意已知,面心、體心立方結(jié)構(gòu)同一棱邊相鄰原子的距離相等,都設(shè)為a:對(duì)于面心立方,處于面心的原子與頂角原子的距離為:Rf=a對(duì)于體心立方,處于體心的原子與頂角原子的距離為:Rb=a那么,=1.2 晶面指數(shù)為(123)的晶面ABC是離原點(diǎn)O最近的晶面,OA、OB和OC分別與基失a1,a2和a3重合,除O點(diǎn)外,OA,OB和OC上是否有格點(diǎn)?若ABC面的指數(shù)為
2、(234),情況又如何?答:根據(jù)題意,由于OA、OB和OC分別與基失a1,a2和a3重合,那么晶面族是(123)的離原點(diǎn)最近的晶面在三個(gè)基矢坐標(biāo)軸上的截距分別是a1、(1/2)a2、(1/3)a3。固體物理學(xué)中基矢的長(zhǎng)度等于相鄰兩個(gè)格點(diǎn)的距離,所以只要“OA,OB和OC分別與基矢a1,a2,a3重合”,而O又是格點(diǎn),則A、B、C一定是格點(diǎn)。OA、OB、OC間無(wú)格點(diǎn),(234)情況一樣。結(jié)晶學(xué)以晶包基矢為坐標(biāo)軸表示晶面指數(shù),但稱為米勒指數(shù)。1.3 二維布拉維點(diǎn)陣只有5種,試列舉并畫(huà)圖表示之。答:二維布拉維點(diǎn)陣只有五種類型:正方、矩形、六角、有心矩形和斜方。分別如圖所示:正方a=bab=90
3、76;六方a=bab=120°矩形abab=90°帶心矩形a=bab=90°平行四邊形abab90° 1.4 在六方晶系中,晶面常用4個(gè)指數(shù)(hkil)來(lái)表示,如圖所示,前3個(gè)指數(shù)表示晶面族中最靠近原點(diǎn)的晶面在互成120°的共平面軸a1,a2,a3上的截距a1/h,a2/k,a3/i,第四個(gè)指數(shù)表示該晶面的六重軸c上的截距c/l.證明:i=-(h+k) 并將下列用(hkl)表示的晶面改用(hkil)表示:(001)(100)(010)答:證明設(shè)晶面族(hkil)的晶面間距為d,晶面法線方向的單位矢量為n°。因?yàn)榫孀澹╤kil)中最靠
4、近原點(diǎn)的晶面ABC在a1、a2、a3軸上的截距分別為a1/h,a2/k,a3/i,因此 (1)由于a3=(a1+ a2)把(1)式的關(guān)系代入,即得根據(jù)上面的證明,可以轉(zhuǎn)換晶面族為(001)(0001),(100),(010),1.5 如將等體積的硬球堆成下列結(jié)構(gòu),求證球可能占據(jù)的最大面積與總體積之比為(1)簡(jiǎn)立方:(2)體心立方:(3)面心立方:(4)六方密堆積:(5)金剛石:。答:令Z表示一個(gè)立方晶胞中的硬球數(shù),Ni是位于晶胞內(nèi)的球數(shù),Nf是在晶胞面上的球數(shù),Ne是在晶胞棱上的球數(shù),Nc是在晶胞角隅上的球數(shù)。于是有:邊長(zhǎng)為a的立方晶胞中堆積比率為假設(shè)硬球的半徑都為r,占據(jù)的最大面積與總體積之
5、比為,依據(jù)題意(1)對(duì)于簡(jiǎn)立方,晶胞中只含一個(gè)原子,簡(jiǎn)立方邊長(zhǎng)為2r,那么:= = (2)對(duì)于體心立方,晶胞中有兩個(gè)原子,其體對(duì)角線的長(zhǎng)度為4r,則其邊長(zhǎng)為,那么:= = (3)對(duì)于面心立方,晶胞中有四個(gè)原子,面對(duì)角線的長(zhǎng)度為4r,則其邊長(zhǎng)為r,那么:= = (4)對(duì)于六方密堆積 一個(gè)晶胞有兩個(gè)原子,其坐標(biāo)為(000)(1/3,2/3,1/2),在理想的密堆積情況下,密排六方結(jié)構(gòu)中點(diǎn)陣常數(shù)與原子半徑的關(guān)系為a=2r,因此=(5)對(duì)于金剛石結(jié)構(gòu)Z=8 那么=.1.6 有一晶格,每個(gè)格點(diǎn)上有一個(gè)原子,基失(以nm為單位)a=3i,b=3j,c=1.5(i+j+k),此處i,j,k為笛卡兒坐標(biāo)系中x
6、,y,z方向的單位矢量.問(wèn):(1)這種晶格屬于哪種布拉維格子?(2)原胞的體積和晶胞的體積各等于多少?答:(1)因?yàn)閍=3i,b=3j,而c=1.5(i+j+k)=1/2(3i+3j+3k)=1/2(a+b+c)式中c=3k。顯然,a、b、c構(gòu)成一個(gè)邊長(zhǎng)為3*10-10m的立方晶胞,基矢c正處于此晶胞的體心上。因此,所述晶體屬于體心立方布喇菲格子。(2)晶胞的體積= = =27*10-30(m3)原胞的體積=13.5*10-30(m3)1.7 六方晶胞的基失為:,求其倒格子基失,并畫(huà)出此晶格的第一布里淵區(qū).答:根據(jù)正格矢與倒格矢之間的關(guān)系,可得:正格子的體積=a·(b*c)= 那么,
7、倒格子的基矢為 , ,其第一布里淵區(qū)如圖所示:(略)1.8 若基失a,b,c構(gòu)成正交晶系,求證:晶面族(hkl)的面間距為答:根據(jù)晶面指數(shù)的定義,平面族(hkl)中距原點(diǎn)最近平面在三個(gè)晶軸a1,a2,a3上的截距分別為,。該平面(ABC)法線方向的單位矢量是這里d是原點(diǎn)到平面ABC的垂直距離,即面間距。由|n|=1得到故1.9 用波長(zhǎng)為0.15405nm的X射線投射到鉭的粉末上,得到前面幾條衍射譜線的布拉格角如下序號(hào)12345/(°)19.61128.13635.15641.15647.769已知鉭為體心立方結(jié)構(gòu),試求:(1)各譜線對(duì)應(yīng)的衍射晶面族的面指數(shù);(2)上述各晶面族的面間距
8、;(3)利用上兩項(xiàng)結(jié)果計(jì)算晶格常數(shù).答:對(duì)于體心立方結(jié)構(gòu),衍射光束的相對(duì)強(qiáng)度由下式?jīng)Q定:考慮一級(jí)衍射,n=1。顯然,當(dāng)衍射面指數(shù)之和(h+k+l)為奇數(shù)時(shí),衍射條紋消失。只有當(dāng)(h+k+l)為偶數(shù)時(shí),才能產(chǎn)生相長(zhǎng)干涉。因此,題給的譜線應(yīng)依次對(duì)應(yīng)于晶面(110)、(200)、(211)、(220)和(310)的散射。由布喇格公式得 同法得應(yīng)用立方晶系面間距公式可得晶格常數(shù)把上面各晶面指數(shù)和它們對(duì)應(yīng)的面間距數(shù)值代入,依次可得a 的數(shù)值*10-10m為3.2456,3.2668,3.2767,3.2835,3.2897取其平均值則得1.10 平面正三角形,相鄰原子的間距為a,試給出此晶格的正格矢和倒
9、格矢;畫(huà)出第一和第二布里淵區(qū).答:參看下圖,晶體點(diǎn)陣初基矢量為 用正交關(guān)系式求出倒易點(diǎn)陣初基矢量b1,b2。設(shè) 由 得到下面四個(gè)方程式 (1) (2) (3) (4)由(1)式可得:由(2)式可得:由(3)式可得:由(4)式可得:于是得出倒易點(diǎn)陣基矢 第二章2.2證明兩種一價(jià)離子組成的一維晶格的馬德隆常數(shù)為. 證 設(shè)想一個(gè)由正負(fù)兩種離子相間排列的無(wú)限長(zhǎng)的離子鍵,取任一負(fù)離子作參考離子(這樣馬德隆常數(shù)中的正負(fù)號(hào)可以這樣取,即遇正離子取正號(hào),遇負(fù)離子取負(fù)號(hào)),用r表示相鄰離子間的距離,于是有 前邊的因子2是因?yàn)榇嬖谥鴥蓚€(gè)相等距離的離子,一個(gè)在參考離子左面,一個(gè)在其右面,故對(duì)一邊求和后要乘2,馬德隆
10、常數(shù)為當(dāng)X=1時(shí),有 2.3有一晶體,平衡時(shí)體積為 , 原子間相互作用勢(shì)為.如果相距為 r的兩原子互作用勢(shì)為 證明體積彈性模量為 K=解答設(shè)晶體共含有 N個(gè)原子,則總能量為U(r)=.0202222222由于晶體表面層的原子數(shù)目與晶體內(nèi)原子數(shù)目相比小得多,因此可忽略它們之間的基異,于是上式簡(jiǎn)化為 U=設(shè)最近鄰原子間的距離為R則有R再令 AA得到 U=平衡時(shí)R=R,則由已知條件U(R) = 得 由平衡條件 得 .由(1),(2)兩式可解得 利用體積彈性模量公式參見(jiàn)固體物理教程(2.14)式 K=得K= = = 由于 因此 于是 K= 2.6 由N個(gè)原子(離子)所組成的晶體的體積V可寫(xiě)為 。式中,
11、v為每個(gè)原子(離子)平均所占據(jù)的體積;R為粒子間的最短距離;是和結(jié)構(gòu)有關(guān)的常數(shù)。試求下列各種結(jié)構(gòu)的值:(1).簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣;(2).面心立方點(diǎn)陣;(3).體心立方點(diǎn)陣;(4).金剛石結(jié)構(gòu);(5).氯化鈉型結(jié)構(gòu)。解:題給 (1) 式中,V為晶體體積,N為晶體包含的原子數(shù),v為每個(gè)原子平均占據(jù)的體積。若以N 表示晶體包含的晶胞數(shù),V表示晶體中每個(gè)晶胞的體積,n表示晶胞中所含的粒子數(shù),則(1)式完全等效于2.7對(duì)于,從氣體的測(cè)量得到LennardJones勢(shì)參數(shù)為計(jì)算結(jié)合成面心立方固體分子氫時(shí)的結(jié)合能(以KJ/mol單位),每個(gè)氫分子可當(dāng)做球形來(lái)處理結(jié)合能的實(shí)驗(yàn)值為0.751kJmo1,試與計(jì)算值比
12、較解 以為基團(tuán),組成fcc結(jié)構(gòu)的晶體,如略去動(dòng)能,分子間按LennardJones勢(shì)相互作用,則晶體的總相互作用能為:因此,計(jì)算得到的晶體的結(jié)合能為2.55KJmol,遠(yuǎn)大于實(shí)驗(yàn)觀察值0.75lKJmo1對(duì)于的晶體,量子修正是很重要的,我們計(jì)算中沒(méi)有考慮零點(diǎn)能的量子修正,這正是造成理論和實(shí)驗(yàn)值之間巨大差別的原因第三章 習(xí)題答案3.1 試求由5個(gè)原子組成的一堆單原子晶格的格波頻率,設(shè)原子質(zhì)量m8.35×1027kg,恢復(fù)力常數(shù)15N·m1 解:一維單原子鏈的解為 據(jù)周期邊界條件 ,此處N=5,代入上式即得 所以 2(為整數(shù)) 由于格波波矢取值范圍:。 則 故可取2,1,0,1
13、,2這五個(gè)值 相應(yīng)波矢:,0, , 由于,代入,m及q值 則得到五個(gè)頻率依次為(以rad/sec為單位) 8.06×1013,4.99×1013,0,4.99×1013,8.06×10133.2 求證由N個(gè)相同原子組成的一維單原子晶格格波的頻率分布函數(shù)可以表示為 式中是格波的最高頻率,并求證它的振動(dòng)??倲?shù)恰為N解:對(duì)一維單原子鏈, 所以 (1) 由色散關(guān)系 求得 (2) 而, 則由(1)式可得 由于 ,則總的振動(dòng)模數(shù)為 令,則積分限為0到 , 故 3.3 設(shè)晶體由N個(gè)原子組成,試用德拜模型證明格波的頻率分布函數(shù)為解:由書(shū)上(369)式可得 (1)由(37
14、1)可得 由此可得 ,代入(1)式得3.4 對(duì)一堆雙原子鏈,已知原子的質(zhì)量m8.35×1027kg,另一種原子的質(zhì)量M4m,力常數(shù)15N·m1,試求(1) 光學(xué)波的最高頻率和最低頻率和;(2) 聲學(xué)波的最高頻率;(3) 相應(yīng)的聲子能量(以eV為單位);(4) 在300K可以激發(fā)頻率為,和的聲子的數(shù)目;(5) 如果用電磁波來(lái)激發(fā)長(zhǎng)光學(xué)波振動(dòng),電磁波的波長(zhǎng)大小。 解:(1) (2) (3) , , (4)光速 ,3.5 設(shè)有一維晶體,其原子的質(zhì)量均為m,而最近鄰原子間的力常數(shù)交替地等于和10, 且最近鄰的距離為,試畫(huà)出色散關(guān)系曲線,并給出和處的。解:設(shè)標(biāo)為奇數(shù)的原子和附近為偶數(shù)
15、的原子所處的環(huán)境不同,參看圖, 10 10mx2n-1 x2n x2n+1 x2n+2原子的運(yùn)動(dòng)方程應(yīng)是即 求格波解, 令 ,代入運(yùn)動(dòng)方程,可導(dǎo)出線性方程組為:令,從A,B有非零解的系數(shù)行列式等于零的條件可得可解出 色散關(guān)系見(jiàn)下圖時(shí),時(shí),3.6在一維雙原子鏈中,如,求證 證 由書(shū)中(3.22)式知,雙一維原子鏈聲學(xué)支 , 由近似式, 得 , 對(duì),由于, 3.7 在一維雙原子晶格振動(dòng)情況中,證明在布里淵區(qū)邊界處,聲學(xué)支格波中所有輕原子m靜止,而光學(xué)支格波中所有重原子M靜止。畫(huà)出這時(shí)原子振動(dòng)的圖象。證 由(318)第一式得 ,當(dāng) 時(shí) 且對(duì)聲學(xué)支,代入上式即得: ,故A0, 輕原子靜止 再由(318
16、)第二式得 ,當(dāng) 時(shí) 且對(duì)光學(xué)支,代入上式即得 故B0, 重原子靜止3.8 設(shè)固體的熔點(diǎn)對(duì)應(yīng)原子的振幅等于原子間距的10的振動(dòng),推證,對(duì)于簡(jiǎn)單晶格,接近熔點(diǎn)時(shí)原子的振動(dòng)頻率,其中M是原子質(zhì)量。解 當(dāng)質(zhì)量為M的原子以頻率及等于原子間距的10的振幅振動(dòng)時(shí),其振動(dòng)能為: 在熔點(diǎn)時(shí),原子的能量可按照能量均分定理處理,即一個(gè)一維原子的平均能量為,于是有,由此得3.9 按德拜近似,試證明高溫時(shí)晶格熱容 證明:由書(shū)可知在高溫時(shí),則在整個(gè)積分范圍內(nèi)為小量,因此可將上式中被積函數(shù)化簡(jiǎn)為 將上式代入的表達(dá)式,得 將 代入上式得 3.10 設(shè)晶格中每個(gè)振子的零點(diǎn)振動(dòng)能為,試用德拜模型求三維晶格的零點(diǎn)振動(dòng)能 解:由(
17、369)式知,狀態(tài)密度 則 3.11 在德拜近似的基礎(chǔ)上,討論由一個(gè)N個(gè)原子組成的二維晶格的比熱,證明在低溫下其比熱正比于證明:此題可推廣到任意維m,由于 而德拜模型中,故 令,則上式變?yōu)?在低溫時(shí) 則積分 為一個(gè)于T無(wú)關(guān)的常數(shù) 故 對(duì)三維 m3 對(duì)本題研究的二維 m2 對(duì)一維 m1 3.12 設(shè)某離子晶體中相鄰兩離子的相互作用勢(shì)為, b為待定常數(shù), 平衡間距,求線膨脹系數(shù)。 解:由書(shū)上(3.114)式知,線膨脹系數(shù) 其中:, 由平衡條件 , 由于 , 3.13 已知三維晶體在附近一支光學(xué)波的色散關(guān)系為 , 試求格波的頻譜密度 解: 則 這是q空間的一個(gè)橢球面,其體積為,而 , q空間內(nèi)的狀態(tài)
18、密度 ,故橢球內(nèi)的總狀態(tài)數(shù)N為 故 第四章4.1晶體中空位和間隙原子的濃度是否相同?為什么?答:晶體中空位和間隙原子的濃度是相同的。在離子晶體中,由于電中性的要求,所以晶體中的空位和間隙原子一般都是成對(duì)出現(xiàn),所以它們的濃度是相同的。4.2試從能量角度說(shuō)明滑移方向必定是密排方向.(略)4.3如果已知空位形成能為Eu=0.67eV,試問(wèn)當(dāng)溫度為300K時(shí)在金里肖特基缺陷數(shù)與格點(diǎn)數(shù)之比是多少?答:設(shè)肖特基缺陷數(shù)為n,格點(diǎn)數(shù)為N。那么由公式可得=5.682*10-124.4某間隙原子在晶格的間隙位置間跳躍。該間隙原子在晶格中振動(dòng)的頻率為2*1015s-1,如該間隙原子在跳躍過(guò)程中需要克服的勢(shì)壘高度為0
19、.1eV,求該原子在1s內(nèi)跳躍的次數(shù)。答:由公式可得=2*1015*0.02=4*10134.5在離子晶體中,由于電中性的要求,肖特基缺陷多成對(duì)地產(chǎn)生,令n代表正、負(fù)離子空位的對(duì)數(shù),W是產(chǎn)生一對(duì)缺陷所需要的能量,N是原有的正、負(fù)離子對(duì)的數(shù)目。(1)試證明:n/N=Bexp(-W/2kBT);(2)試求有肖特基缺陷后體積的變化V/V,其中V為原有的體積。答:(1)設(shè)n對(duì)肖特基缺陷是從晶體內(nèi)部移去n個(gè)正離子和n個(gè)負(fù)離子而形成的。從N個(gè)正離子中形成n個(gè)正離子空位的可能方式數(shù)為同時(shí),從N個(gè)負(fù)離子中形成n個(gè)負(fù)離子空位的可能方式數(shù)也是于是,在整個(gè)晶體中形成n對(duì)正、負(fù)離子空位的可能方式數(shù)由此而引起晶體熵的增
20、量為設(shè)形成一對(duì)正、負(fù)離子空位需要能量w,若不考慮缺陷出現(xiàn)對(duì)原子振動(dòng)狀態(tài)的影響,則晶體自由能的改變 (1)熱平衡時(shí),并應(yīng)用斯特令公式,從(1)式得因?yàn)閷?shí)際上N»n,于是得n/N=Bexp(-W/2kBT)(2)對(duì)離子晶體的肖特基缺陷來(lái)說(shuō),每產(chǎn)生一對(duì)缺陷同時(shí)便產(chǎn)生了兩個(gè)新的結(jié)點(diǎn),使體積增加。當(dāng)產(chǎn)生n對(duì)正、負(fù)離子空位時(shí),所增加的體積應(yīng)該是式中a為離子最近鄰距離。因?yàn)闉榫w原有的體積,有上式可得4.6已知擴(kuò)散系數(shù)與溫度之間的關(guān)系為:下列數(shù)據(jù)是鋅在銅晶體中擴(kuò)散的實(shí)驗(yàn)結(jié)果:T/K8781007117612531322D/m2·s-11.6*10-204.0*10-181.1*10-18
21、4.0*10-171.0*10-16試確定常數(shù)Do和擴(kuò)散激活能EA.答:(略) 4.7銅和硅的空位形成能Eu分別是0.3eV和2.8eV。試求T=1000K時(shí),銅和硅的空位濃度。答:由公式可得:對(duì)于銅 對(duì)于硅4.8碘化鉀在不同溫度下的鉀蒸汽中增色,通過(guò)測(cè)試F帶的光吸收就可得F心的形成能EB。當(dāng)溫度從570上升到620時(shí),吸收常數(shù)增加了3.9%左右。假設(shè)光吸收的增加是由F心的數(shù)目增加引起的,試計(jì)算F心形成能EB。答:(略)4.9考慮一體心立方晶格:(1)試畫(huà)出(110)面上原子的分布圖;(2)設(shè)有一沿方向滑移、位錯(cuò)線和平行的刃位錯(cuò)。試畫(huà)出在(110)面上原子的投影圖。答:如圖所示:4.10求體心
22、立方、面心立方、六方密堆積等晶體結(jié)構(gòu)的最小滑移矢量的長(zhǎng)度。答:滑移面往往是那些原子面密度較大的晶面,滑移向也總是原子密度較大的晶向(即沿該方向的周期最?。?。(1)體心立方:滑移面為(110)面,滑移向?yàn)?11,最小滑移矢量b即111晶向上一個(gè)格點(diǎn)間距的長(zhǎng)度。設(shè)晶格常數(shù)為a,則(2)面心立方:滑移面為(111),滑移向?yàn)?01。最小滑移矢量b等于101方向上相鄰格點(diǎn)間的距離,即(3)六角密堆:滑移面是基面(0001),滑移向是。晶向上原子間距為a,因此,4.11在FCC晶格中存在一個(gè)位錯(cuò),其位錯(cuò)線的方向用晶向指數(shù)表示為,該位錯(cuò)滑移的方向和大小用伯格斯矢量表示為。試確定該滑移面的晶面指數(shù),并問(wèn)該位
23、錯(cuò)是刃位錯(cuò)還是螺位錯(cuò)。(略)第五章 自由電子近似5.1已知銀是單價(jià)金屬,費(fèi)米面近似球面,銀的密度rm=10.5´103kg · m-3,原子量A=107.87,電阻率在295K時(shí)為1.61´10-3W · m,在20K時(shí)為0.0038´10-3W · m。試計(jì)算:(1)費(fèi)米能級(jí)和費(fèi)米溫度;(2)費(fèi)米球半徑;(3)費(fèi)米速度;(4)費(fèi)米球的最大截面積;(5)室溫下和絕對(duì)零度附近電子的平均自由程。解:因?yàn)殂y是第47號(hào)元素,Z = 47,每立方厘米的電子數(shù)為費(fèi)米球半徑 費(fèi)米能級(jí)由 知費(fèi)米速度 費(fèi)米球的最大截面積 室溫下的電子的平均自由程電子的
24、平均能量 電子的平均速度,室溫下電子的平均自由時(shí)間t 約為10-14s,因此室溫下電子的平均自由程 絕對(duì)零度附近電子的平均自由程電子的平均能量 電子的平均速度,絕對(duì)零度時(shí)電子的平均自由時(shí)間 t 約為10-9s,因此室溫下電子的平均自由程 。5.2 (1)求出二維情況下電子濃度n 和kF的關(guān)系式;(2)求出二維情況下rs和kF的關(guān)系式;(3)證明在二維情況下,g(e)=常量,當(dāng)e>0,或者g(e)=0,當(dāng)e<0,并求出這個(gè)常量的值。解:(1)在自由電子近似下,因?yàn)閱挝幻娣e的二維晶格的狀態(tài)密度函數(shù)為 ,K空間半徑是kF的圓內(nèi)的電子狀態(tài)數(shù)亦即二維晶格的電子數(shù)密度為(2)在自由電子近似下,
25、每個(gè)電子占有的體積為 解得(3)在自由電子近似下,二維晶格的K空間的kk+dk圓環(huán)內(nèi)的電子狀態(tài)數(shù)為,由于 即 所以單位面積的二維晶格K空間的狀態(tài)密度函數(shù)g(e)5.3證明單位體積的固體內(nèi)費(fèi)米能級(jí)EF處的狀態(tài)密度函數(shù)可以寫(xiě)為其中n是費(fèi)米面上的電子濃度。解:在自由電子近似下,單位體積的固體對(duì)應(yīng)的K空間的半徑是k的球體內(nèi)的電子狀態(tài)數(shù)為狀態(tài)密度函數(shù)g(E)的表示式為當(dāng)E=EF時(shí)。5.4試用駐波條件討論k的取值。求g(e),并與周期性邊界條件比較。解:在自由電子近似下,電子在無(wú)限深勢(shì)阱中的薛定諤方程為按照分離變數(shù)法原理,上述方程可寫(xiě)為, , 上述三個(gè)方程的解; ; 由歸一化條件:,知: ,有邊界條件:,
26、 得,這里ni是正整數(shù),i= x,y,z,所以; 每一個(gè)狀態(tài)點(diǎn)占有的K空間的體積是 K空間態(tài)密度為 K空間kk+dk殼層內(nèi)的電子狀態(tài)數(shù)為 所以 周期性邊界條件下, 比較g(e)和g(e)*,得g(e)* = 8g(e)。這是由于在駐波條件下,ni只能取正數(shù),而在周期邊界條件下ni可以取正負(fù)整數(shù)。5.5電子處在體積V的正交六面體小盒子中,借助測(cè)不準(zhǔn)關(guān)系確定在動(dòng)量區(qū)間pp+dp或能量區(qū)間EE+dE中電子的量子態(tài)數(shù),求動(dòng)量和能量分別小于p0和E0的電子態(tài)總數(shù)。解:因?yàn)轶w積為V的電子體系中的能態(tài)密度為 由 ,以及 ,得 = 有測(cè)不準(zhǔn)關(guān)系,電子位置的不確定 ,電子動(dòng)量的不確定性,所以在動(dòng)量區(qū)間pp+dp
27、或能量區(qū)間EE+dE中電子的量子態(tài)數(shù)為動(dòng)量和能量分別小于p和E的電子態(tài)總數(shù)Np<p0或E<E05.6電子在邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的方匣中運(yùn)動(dòng),求出它的前4個(gè)不同能級(jí)的所有波函數(shù),給出各能級(jí)的能量和簡(jiǎn)并度。解:電子在方勢(shì)阱中運(yùn)動(dòng)時(shí)的薛定諤方程是 假定為可分離變數(shù)情形,Y = YxYyYz,E = Ex+Ey+Ez薛定諤方程通過(guò)變數(shù)分離變?yōu)?令 ,關(guān)于Yx的通解可以寫(xiě)成 由邊界條件 ,所以B = 0,得到 ,即 ,這里l1是整數(shù),l1 = 1,2,3。類似可得 ,。l2和l3是整數(shù),l2,l3 = 1,2,3。電子的波函數(shù) ,歸一化系數(shù)電子的能量 ?;鶓B(tài) (l1, l2,l3) = (1,1,1),
28、n2 = 3,簡(jiǎn)并度 = 1。第一激發(fā)態(tài)(l1, l2,l3) = (1,1,2),或 (1,2,1),或(2,1,1),n2 = 6,簡(jiǎn)并度 = 3。第二激發(fā)態(tài)(l1, l2,l3) = (1,2,2),或 (2,1,2),或(2,2,1),n2 = 9,簡(jiǎn)并度 = 3第三激發(fā)態(tài)(l1, l2,l3) = (1,1,3),或 (1,3,1),或(3,1,1),n2 = 11,簡(jiǎn)并度 = 35.7限制在邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形勢(shì)阱中運(yùn)動(dòng)的N個(gè)二維自由電子氣能量為,試求能量在EE+dE間的狀態(tài)數(shù)及費(fèi)米能。解:由 ,得 K空間能量為E的等能線圍成的圓的面積為 能量在EE+dE圓環(huán)的面積為 相應(yīng)的狀態(tài)數(shù)為
29、體系內(nèi)的能量在EE+dE間的電子數(shù)為 體系的總電子數(shù)為體系的費(fèi)米能為 5.8銅中電子的馳豫時(shí)間為2.3´10-14s,試計(jì)算300K時(shí)的熱導(dǎo)率,如果在273K時(shí)銅的電阻率為1.5´10-8W·m,試估計(jì)它在同一溫度下的熱導(dǎo)率。解:銅的導(dǎo)電是由于銅晶體中的電子輸運(yùn),按照德魯特經(jīng)典電子模型,u是電子的平均速度,約為105m/s,t是電子的馳豫時(shí)間,其熱導(dǎo)率為 300K時(shí)銅的熱導(dǎo)率為 297K時(shí)銅的馳豫時(shí)間為 297K時(shí)銅的熱導(dǎo)率為 5.9已知鈉是bcc結(jié)構(gòu),點(diǎn)陣常數(shù)a = 4.28Å,試用自由電子模型計(jì)算霍爾系數(shù)。解:因?yàn)殁c是bcc結(jié)構(gòu),有題知點(diǎn)陣常數(shù)是a
30、= 4.28Å,其固體物理學(xué)元胞內(nèi)的鈉原子數(shù)為2。每個(gè)鈉原子提供一個(gè)電子,則鈉晶體內(nèi)的電子密度為金屬鈉的霍爾系數(shù)為 5.10若熱電子發(fā)射電子垂直金屬表面的平均動(dòng)能是kBT,則平行于表面的平均能量也是kBT。解:由波爾茲曼分布率知,能量在v v+dv范圍內(nèi)的電子的數(shù)量為 (應(yīng)該為EE+dE)()電子的均方平均速度 電子的平均動(dòng)能 由于電子的自旋角動(dòng)量是,遵從費(fèi)米-狄拉克統(tǒng)計(jì)規(guī)律,每個(gè)能級(jí)上有兩個(gè)自旋相反的電子,電子在垂直于表面方向的平均能量為同理可說(shuō)明,平行于表面的平均能量也是kBT。第六章 習(xí)題解答6.1 一維周期場(chǎng)中電子的波函數(shù)應(yīng)滿足布洛赫定理,若晶格常數(shù)為,電子的波函數(shù)為(1)
31、(2) (3) (f是某個(gè)確定的函數(shù)) 試求電子在這些狀態(tài)的波矢解:布洛赫函數(shù)為 (1) , , (2) 同理, , , (3) 此處 , ,6.2 已知一維晶格中電子的能帶可寫(xiě)成,式中是晶格常數(shù),m是電子的質(zhì)量,求(1)能帶的寬度,(2)電子的平均速度,(3) 在帶頂和帶底的電子的有效質(zhì)量 解:能帶寬度為 , 由極值條件 , 得 上式的唯一解是的解,此式在第一布里淵區(qū)內(nèi)的解為 當(dāng)k0時(shí),取極小值,且有當(dāng)時(shí),取極大值 ,且有 由以上的可得能帶寬度為 (2)電子的平均速度為 (3)帶頂和帶底電子的有效質(zhì)量分別為 6.3 一維周期勢(shì)場(chǎng)為 , 其中 ,W為常數(shù),求此晶體第一及第二禁帶寬度 解:據(jù)自由電子近似得知禁帶寬度的表示式為 , 其中是周期勢(shì)場(chǎng)傅立葉級(jí)數(shù)的系數(shù),該系數(shù)為: 求得,第一禁帶寬度為 第二禁帶寬度為 6.4 用緊束縛近似計(jì)算最近鄰近似下一維晶格s態(tài)電子能帶,畫(huà)出,與波矢的關(guān)系,證明只有在原點(diǎn)和布里淵區(qū)邊界附近,有效質(zhì)量才和波矢無(wú)關(guān)。解: 根據(jù)
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