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文檔簡介
1、晶體硅太陽能電池專業(yè)班級(jí): 機(jī)械設(shè)計(jì)制造及其自動(dòng)化13秋 姓 名: 張正紅 學(xué) 號(hào): 1334001250324 報(bào)告時(shí)間: 2015年12月 晶體硅太陽能電池摘要:人類面臨著有限常規(guī)能源和環(huán)境破壞嚴(yán)重的雙重壓力,能源己經(jīng)成為越來越值得關(guān)注的社會(huì)與環(huán)境問題。人們開始急切地尋找其他的能源物質(zhì),而光能、風(fēng)能、海洋能以及生物質(zhì)能這些可再生能源無疑越來越受到人們的關(guān)注。光伏技術(shù)也便隨之形成并快速地發(fā)展了起來,因此近年來,光伏市場也得到了快速發(fā)展并取得可喜的成就。本文主要就晶體硅太陽能電池發(fā)電原理及關(guān)鍵材料進(jìn)行介紹,并對(duì)晶體硅太陽能電池及其關(guān)鍵材料的市場發(fā)展方向進(jìn)行了展望。關(guān)鍵詞:太陽能電池;工作原理;
2、晶體硅;特點(diǎn);發(fā)展趨勢 前言“開發(fā)太陽能,造福全人類”人類這一美好的愿景隨著硅材料技術(shù)、半導(dǎo)體工業(yè)裝備制造技術(shù)以及光伏電池關(guān)鍵制造工藝技術(shù)的不斷獲得突破而離我們的現(xiàn)實(shí)生活越來越近!近20年來,光伏科學(xué)家與光伏電池制造工藝技術(shù)人員的研究成果已經(jīng)使太陽能光伏發(fā)電成本從最初的幾美元/KWh減少到低于20美分/KWh。而這一趨勢通過研發(fā)更新的工藝技術(shù)、開發(fā)更先進(jìn)的配套裝備、更廉價(jià)的光伏電子材料以及新型高效太陽能電池結(jié)構(gòu),太陽能光伏(PV)發(fā)電成本將會(huì)進(jìn)一步降低,到本世紀(jì)中葉將降至4美分/KWh,優(yōu)于傳統(tǒng)的發(fā)電費(fèi)用。大面積、薄片化、高效率以及高自動(dòng)化集約生產(chǎn)將是光伏硅電池工業(yè)的發(fā)展趨勢。通過降低峰瓦電池
3、的硅材料成本,通過提升光電轉(zhuǎn)換效率與延長其使用壽命來降低單位電池的發(fā)電成本,通過集約化生產(chǎn)節(jié)約人力資源降低單位電池制造成本,通過合理的機(jī)制建立優(yōu)秀的技術(shù)團(tuán)隊(duì)、避免人才的不合理流動(dòng)、充分保證技術(shù)上的持續(xù)創(chuàng)新是未來光伏企業(yè)發(fā)展的核心競爭力所在!一、晶體硅太陽能電池工作原理太陽能電池是一種把光能轉(zhuǎn)換成電能的能量轉(zhuǎn)換器,太陽能電池工作原理的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。在純凈的硅晶體中,自由電子和空穴的數(shù)目相等。如果在硅晶體中摻入能夠俘獲電子的硼、鋁、鎵或銦等雜質(zhì)元素,就構(gòu)成了P型半導(dǎo)體,如果在硅晶體中摻入能夠釋放電子的磷、砷或銻等雜質(zhì)元素,就構(gòu)成了N型半導(dǎo)體。若把這兩種半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在交界面
4、處便會(huì)形成PN結(jié),并在結(jié)的兩邊形成勢壘電場。當(dāng)太陽光照射PN結(jié)時(shí),在半導(dǎo)體內(nèi)的原子由于獲得了光能而釋放電子,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),在勢壘電場的作用下,電子被驅(qū)向N型區(qū),空穴被驅(qū)向P型區(qū),從而在PN結(jié)的附近形成了與勢壘電場方向相反的光生電場。光生電場的一部分抵銷勢壘電場,其余使得在N型區(qū)與P型區(qū)之間的薄層產(chǎn)生了電動(dòng)勢,即光生伏特電動(dòng)勢,當(dāng)接通外電路時(shí)便有電能輸出。這就是PN結(jié)接觸型單晶硅太陽能電池發(fā)電的基本原理。若把幾十個(gè)、數(shù)百個(gè)太陽能電池單體串聯(lián)、并聯(lián)起來,組成太陽能電池組件,在太陽光的照射下,便可獲得輸出功率相當(dāng)可觀的電能。 二、晶硅太陽能電池特點(diǎn) (一)晶硅電池包括單晶硅和多晶硅,在硅系列太陽
5、能電池中,單晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率無疑是最高的,技術(shù)也最成熟,在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍舊占據(jù)主導(dǎo)地位。雖然晶體硅太陽能電池被廣泛應(yīng)用,但晶體硅的禁帶寬度Eg=1.12eV,太陽能光電轉(zhuǎn)換理論效率相對(duì)較低;硅材料是間接能帶材料,在可見光范圍內(nèi),硅的光吸收系數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其它太陽能光電材料,如同樣吸收95以上的太陽光,GaAS太陽電池只需要510m,而硅太陽電池在150200m以上,才能有效地吸收太陽能;高性能單晶硅電池是建立在高質(zhì)量單晶硅材料和相關(guān)成熟的加工工藝基礎(chǔ)上。提高轉(zhuǎn)換效率主要是靠單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和分區(qū)摻雜工藝。由于受單晶硅材料價(jià)格及相應(yīng)繁瑣的電池工藝影響,致使單晶硅成本據(jù)高不下;硅
6、太陽電池尺寸相對(duì)較小,若組成光伏系統(tǒng),要用數(shù)十個(gè)相同的硅太陽電池連接起來,造成系統(tǒng)成本較高。這些因素嚴(yán)重影響了其廣泛應(yīng)用。為解決單晶硅太陽能電池的制造過程復(fù)雜、能耗大的缺點(diǎn),用澆鑄法或晶帶法制造的多晶硅太陽能電池的開發(fā)取得了進(jìn)展。但是多晶硅材料質(zhì)量比單晶硅差,有許多晶界存在,電池效率比單晶硅低;晶向不一致,表面織構(gòu)化困難。但多晶硅太陽能電池經(jīng)過不斷的努力,目前其能量轉(zhuǎn)換效率與單晶硅太陽能電池已基本上在同一個(gè)數(shù)量級(jí)。特別是多晶硅電池可以制成方形,在制作太陽能電池組件時(shí)面積利用率高。今后,在如何開發(fā)新技術(shù)以得到低價(jià)格的多晶硅材料,如何得到高效率、大面積多晶硅太陽能電池等方面還有許多工作可做。 (二
7、)晶硅太陽能的發(fā)展趨勢高效電池是光伏的突圍之匙,近年來晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率取得重大進(jìn)展,漿料及絲網(wǎng)印刷技術(shù)進(jìn)步最快;但隨之而來的是銀的消耗日益突出,其成本已占到電池成本的17%左右,如圖21為量產(chǎn)太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。圖21量產(chǎn)太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率晶體硅電池發(fā)展的趨勢是低成本、高效率,這是光伏技術(shù)的發(fā)展方向。低成本的實(shí)現(xiàn)途徑包括效率提高、成本下降及組件壽命提升三方面。效率的提高依賴工藝的改進(jìn)、材料的改進(jìn)及電池結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。成本的下降依賴于現(xiàn)有材料成本的下降、工藝的簡化及新材料的開發(fā)。組件壽命的提升依賴于組件封裝材料及封裝工藝的改善。因而,晶體硅電池發(fā)電的平價(jià)上網(wǎng)時(shí)間表除了與產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大有關(guān)
8、外,最重要的依賴于產(chǎn)業(yè)技術(shù)(包括設(shè)備和原材料)的改進(jìn)。僅靠工藝水平的改進(jìn)對(duì)電池效率的提升空間已經(jīng)越來越有限,電池效率的進(jìn)一步提升將依賴新結(jié)構(gòu)、新工藝的建立。具有產(chǎn)業(yè)化前景的新結(jié)構(gòu)電池包括選擇性發(fā)射極電池、異質(zhì)結(jié)電池、背面主柵電池及N型電池等。這些電池結(jié)構(gòu)采用不同的技術(shù)途徑解決了電池的柵線細(xì)化、選擇性擴(kuò)散、表面鈍化等問題,可以將電池產(chǎn)業(yè)化效率提升23個(gè)百分點(diǎn)。為了進(jìn)一步降低成本、提高效率,各國光伏研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商不斷改善現(xiàn)有技術(shù),開發(fā)新技術(shù)。如新南威爾士大學(xué)研究了近20年的先進(jìn)電池系列PESC、PERC、PERL電池,2001年,PERL電池效率達(dá)到24.7,接近理論值,是迄今為止的最高記錄。后
9、來由此衍生了南京中電的SE電池與尚德的PLUTO電池,PLUTO電池的本質(zhì)即是將實(shí)驗(yàn)室PERL電池進(jìn)行量產(chǎn),SE電池可以算是尚德PLUTO電池的一個(gè)簡化版,它們都是從PE系列電池演變而來,因?yàn)闊o論是PESC、PERC,還是PERL電池均含有SE電池最典型的選擇性發(fā)射極技術(shù),SE技術(shù)只選取PE系列收益最明顯、同時(shí)產(chǎn)業(yè)化相對(duì)容易的前表面結(jié)構(gòu)部分。相對(duì)于尚德PLUTO是對(duì)PERL技術(shù)的“高仿”電池,中電SE電池可視為“低仿”,如圖22 PERL電池結(jié)構(gòu)是PERL電池結(jié)構(gòu)圖。圖22 PERL電池結(jié)構(gòu)PERL電池具有高效率的原因在于:(1)電池正面采用“倒金字塔”,這種結(jié)構(gòu)受光效果優(yōu)于絨面結(jié)構(gòu),具有很低
10、的反射率,從而提高了電池的短路電流JSC.(2)淡磷、濃磷的分區(qū)擴(kuò)散。柵指電極下的濃磷擴(kuò)散可以減少柵指電極接觸電阻;而受光區(qū)域的淡磷擴(kuò)散能滿足橫向電阻功耗小,且短波響應(yīng)好的要求;(3)背面進(jìn)行定域、小面積的硼擴(kuò)散P+區(qū)。這會(huì)減少背電極的接觸電阻,又增加了硼背面場,蒸鋁的背電極本身又是很好的背反射器,從而進(jìn)一步提高了電池的轉(zhuǎn)化效率;(4)雙面鈍化。發(fā)射極的表面鈍化降低表面態(tài),同時(shí)減少了前表面的少子復(fù)合。而背面鈍化使反向飽和電流密度下降,同時(shí)光譜響應(yīng)也得到改善;但是這種電池的制造過程相當(dāng)繁瑣,其中涉及到好幾道光刻工藝,所以不是一個(gè)低成本的生產(chǎn)工藝。其他如SunPower公司開發(fā)出一種采用絲網(wǎng)印刷工
11、藝的低成本背面點(diǎn)接觸電池,效率已達(dá)22%;三洋公司生產(chǎn)的HIT電池,研發(fā)效率可達(dá)23.7%;德國Konstanz ISEC采用n型ZEBRA IBC技術(shù)研發(fā)的雙面電池得到了21.1%效率,背面的光照可得到20%額外的輸出功率。太陽電池硅片技術(shù)發(fā)展趨勢是薄片化,降低硅片厚度是減少硅材料消耗、降低晶硅太陽電池成本的有效技術(shù)措施,是光伏技術(shù)進(jìn)步的重要方面。30多年來,太陽電池硅片厚度從70年的450500m 降低到目前的150180m,降低了一半以上,硅材料用量大大減少,對(duì)太陽電池成本降低起到了重要作用,是技術(shù)進(jìn)步促進(jìn)成本降低的重要范例之一,如圖23普通硅太陽能電池的多種損失機(jī)制顯示了太陽電池硅片厚
12、度的降低。表21太陽電池硅片厚度的降低(三)晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的損失機(jī)理太陽能電池轉(zhuǎn)換效率受到光吸收、載流子輸運(yùn)、載流子收集的限制?,F(xiàn)有的影響太陽能電池效率的因素主要有電學(xué)損失和光學(xué)損失,光學(xué)損失主要是表面反射、遮擋損失和電池材料本身的光譜效應(yīng)特性;電量轉(zhuǎn)換損失包括載流子損失和歐姆損失。太陽光之所以僅有很少的百分比轉(zhuǎn)換為電能,原因歸結(jié)于不管是哪一種材料的太陽能電池都不能將全部的太陽光轉(zhuǎn)換為電流,晶體硅太陽電池的光譜敏感最大值沒有與太陽輻射的強(qiáng)度最大值完全重合,在光能臨界值之上一個(gè)光量子只產(chǎn)生一個(gè)電子空穴對(duì),余下的能量又被轉(zhuǎn)換為未利用的熱量,光的反射引起陽光中的一部分不能進(jìn)入電池中。如硅的帶
13、隙Eg=1.12eV,對(duì)應(yīng)波長大于1.1m的光透過,不能被吸收;波長小于1.1m的光子能量如果大于Eg,一個(gè)光子只產(chǎn)生一個(gè)電子,多余能量不能利用,以熱的形式損失;硅表面反射率35%,造成較大的反射損失;其他如二極管非線性損失、復(fù)合損失、接觸電阻損失都造成硅電池效率的下降。對(duì)于單晶硅硅太陽能電池,轉(zhuǎn)換效率的理論最高值是28%。只有盡量減少損失才能開發(fā)出效率足夠高的太陽能電池。影響晶體硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的原因主要來自兩個(gè)方面,如圖23所示:(1)光學(xué)損失,包括電池前表面反射損失、接觸柵線的陰影損失以及長波段的非吸收損失。 (2)電學(xué)損失,它包括半導(dǎo)體表面及體內(nèi)的光生載流子復(fù)合、半導(dǎo)體和金屬柵線的
14、接觸電阻,以及金屬和半導(dǎo)體的接觸電阻等的損失。這其中最關(guān)鍵的是降低光生載流子的復(fù)合,它直接影響太陽能電池的開路電壓。光生載流子的復(fù)合主要是由于高濃度的擴(kuò)散層在前表面引入大量的復(fù)合中心。此外,當(dāng)少數(shù)載流子的擴(kuò)散長度與硅片的厚度相當(dāng)或超過硅片厚度時(shí),背表面的復(fù)合速度對(duì)太陽能電池特性的影響也很明顯。圖23普通硅太陽能電池的多種損失機(jī)制(四)提高晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的方法圍繞提高晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,目前正在采用的有效技術(shù)有:1、優(yōu)化晶體硅材料:太陽電池的效率與硅材料的電阻率及少子壽命有著極其密切的聯(lián)系,理論和實(shí)踐都證明0.53·cm左右的工業(yè)生產(chǎn)直拉單晶硅片及鑄錠多晶硅片都可以有很好
15、的效果。為了降低光致衰減,目前單晶有向高電阻率發(fā)展的趨勢。 2、高方阻技術(shù):采用均勻高方阻技術(shù),高方阻PN結(jié)具有高表面活性磷濃度、低非活性磷濃度、深結(jié)的特點(diǎn)。3、先進(jìn)的金屬化技術(shù):金屬柵線由不透光的銀顆粒及玻璃體組成。為了降低柵線遮擋造成的電池效率損失,可以縮小細(xì)柵的寬度、采用超細(xì)主柵或無主柵、背面接觸、柵線內(nèi)反射、選擇性擴(kuò)散技術(shù)、激光刻槽埋柵電池。 4、光陷阱結(jié)構(gòu):一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù),制得絨面的反射率可達(dá)到10以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)(RIE),該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶向無關(guān),適用于較薄的硅片。5、減反射膜:它的基本原理是位于介質(zhì)和電池表
16、面具有一定折射率的膜,可以使入射光產(chǎn)生的各級(jí)反射相互間進(jìn)行干涉從而完全抵消。單晶硅電池一般可以采用TiO2、SiO2、SnO2、ZnS、MgF2單層或雙層減反射膜。在制好絨面的電池表面上蒸鍍減反射膜后可以使反射率降至2左右。6、鈍化層:鈍化工藝可以有效地減弱光生載流子在某些區(qū)域的復(fù)合。一般高效太陽電池可采用熱氧鈍化、原子氫鈍化,或利用磷、硼、鋁表面擴(kuò)散進(jìn)行鈍化。7、增加背場:如在P型材料的電池中,背面增加一層P+濃摻雜層,形成P+/P的結(jié)構(gòu),在P+/P的界面就產(chǎn)生了一個(gè)由P區(qū)指向P+的內(nèi)建電場。由于內(nèi)建電場所分離出的光生載流子的積累,形成一個(gè)以P+端為正,P端為負(fù)的光生電壓,這個(gè)光生電壓與電池
17、結(jié)構(gòu)本身的PN結(jié)兩端的光生電壓極性相同,從而提高了開路電壓Voc。同時(shí)由于背電場的存在,使光生載流子受到加速,這也可以看作是增加了載流子的有效擴(kuò)散長度,因而增加了這部分少子的收集幾率,短路電流Jsc也就得到提高。8、改善襯底材料:選用優(yōu)質(zhì)硅材料,如N型硅具有載流子壽命長、制結(jié)后硼氧反應(yīng)小、電導(dǎo)率好、飽和電流低等。進(jìn)一步提高硅電池效率的一些技術(shù)方法有1.電池背表面的鈍化和PERC技術(shù) 2.三氧化二鋁膜對(duì)P型表面的鈍化 3.增加光譜的吸收范圍 4.用離子注入來改善發(fā)射結(jié)的性能等。三、晶體硅太陽能電池發(fā)電的特點(diǎn)與風(fēng)力發(fā)電和生物質(zhì)能發(fā)電等發(fā)電技術(shù)相比,太陽能發(fā)電是最具可持續(xù)發(fā)展理想特征的發(fā)電技術(shù),故晶
18、體硅太陽能電池發(fā)電具有很多優(yōu)點(diǎn)。如結(jié)構(gòu)簡單,體積小、重量輕,便于運(yùn)輸和安裝;使用壽命長,性能穩(wěn)定可靠;操作、維護(hù)簡單,運(yùn)行穩(wěn)定可靠;太陽能資源取之不盡用之不竭,且隨處可得,可就近供電等。當(dāng)然,其也有它的不足和缺點(diǎn),能量密度過低;占地面積大;轉(zhuǎn)換效率低;受氣候影響大;地域依賴性強(qiáng);成本高等。盡管其存在上述的不足和缺點(diǎn),但在當(dāng)今的能源和環(huán)境條件下,發(fā)展這樣的可再生能源利用是勢不可擋的,我們只能去提高技術(shù)經(jīng)行改造。而在國內(nèi)單晶硅太陽能電池市場份額占1520%,多晶硅太陽能電池市場份額占70%,非晶硅太陽能電池市場份額占510%左右。四、晶體硅太陽能電池技術(shù)及產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢為了進(jìn)一步的適應(yīng)市場的要求,
19、電池板的光電轉(zhuǎn)換率會(huì)不斷地提高,并且會(huì)加大系統(tǒng)容量,以滿足大功率室外照明燈的要求。目前,一套太陽能照明燈(全套)所需費(fèi)用是普通照明燈(全套)的幾倍,大大地影響了太陽能照明的推廣使用,而隨著技術(shù)的不斷提高,其成本也會(huì)逐漸地降下來。同時(shí)延長蓄電池等器件的壽命,從而延長太陽能照明系統(tǒng)的壽命;減小電池板、蓄電池等的體積,美化桿型。人們也會(huì)逐步淘汰嚴(yán)重污染的鉛酸蓄電池、NiCd蓄電池等,加快開發(fā)研制無污染蓄電池,實(shí)現(xiàn)真正意義的環(huán)保。不難看出太陽能電池在經(jīng)過技術(shù)進(jìn)步和降低價(jià)格后,將成為新世紀(jì)的主導(dǎo)能源之一。2000年以后,全球太陽能電池產(chǎn)量以年均40左右的速度增長。其中,中國的年增長率則高達(dá)100以上。2008年,中國超過了之前一直居全球市場份額首位的日本,成為全球第一大生產(chǎn)國。100的年增長率,意味著每年產(chǎn)量都翻倍,10年將達(dá)1000倍。用圖表表示這一增長速度,需要使用對(duì)數(shù)軸。中國的太陽能電池產(chǎn)量增長率在2001年以后的8年內(nèi)超過了“三位數(shù)”。在此期間,日本也實(shí)現(xiàn)了一位數(shù)增長,但從對(duì)數(shù)圖表上看,二者的差別十分明顯(圖1)。圖1:迅速崛起至全球首位的中國太陽能電池產(chǎn)量 而作為最主要的光伏制造商,
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