半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)第九章工藝集成

1、第九章第九章 工藝集成工藝集成西南科技大學(xué)西南科技大學(xué)理學(xué)院理學(xué)院2013.4. 9主要內(nèi)容集成電路中的無源器件雙極型工藝MOSFET技術(shù)MESFET技術(shù)MEMS技術(shù)9.1 無源單元集成電路的電阻集成電路的電容集成電路的電感 三種無源器件制造工藝過程請大家自學(xué)PN結(jié)隔離雙極型集成電路制造工藝 襯底制備（=8-13cm，P型,（111）晶面，300-400m）埋層氧化（埋層擴(kuò)散的掩蔽膜，1-1.5m；埋層作用降低集電極串聯(lián)電阻）埋層光刻（刻埋層擴(kuò)散區(qū)窗口）埋層擴(kuò)散（N+,R20/）工藝流程工藝流程SiO2P-si襯底襯底砷離子注入砷離子注入埋層注入外延（N型Si，=0.3-0.5cm，8-10m

2、）外延層N型外延層型外延層n+埋層埋層 （6）隔離光刻（刻隔離墻擴(kuò)散窗口）N型外延層型外延層n+埋層埋層光刻膠光刻膠SiO2Si3N4隔離光刻隔離光刻（7）隔離擴(kuò)散（形成P+型隔離墻：P+擴(kuò)散要穿透外延層與P-Si襯底連通，將N型外延層分割成若干獨(dú)立得“島”；兩步擴(kuò)散）N型外延層型外延層n+埋層埋層溝道隔斷區(qū)硼離子注入溝道隔斷區(qū)硼離子注入n+埋層埋層nnSiO2P+溝道溝道隔斷區(qū)隔斷區(qū)（8）隔離氧化（隔離擴(kuò)散的掩蔽膜，）隔離氧化（隔離擴(kuò)散的掩蔽膜，0.6-1m）氧化物隔離（9）形成基區(qū)（基區(qū)擴(kuò)散掩蔽膜：0.5-0.8m；nnSiO2P+溝道溝道隔斷區(qū)隔斷區(qū)P基區(qū)基區(qū)基區(qū)硼離子注入基區(qū)硼離子注入

3、基區(qū)硼離子注入形成基區(qū)基區(qū)硼離子注入形成基區(qū)（10）基區(qū)擴(kuò)散（預(yù)淀積硼；硼再分布/氧化，氧化得到發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散的掩蔽膜，0.5-0.6m；）（1111）發(fā)射區(qū)光刻（刻出發(fā)射區(qū)、集電區(qū)窗口）發(fā)射區(qū)光刻（刻出發(fā)射區(qū)、集電區(qū)窗口）（1212）發(fā)射區(qū)擴(kuò)散（磷預(yù)淀積；再分布）發(fā)射區(qū)擴(kuò)散（磷預(yù)淀積；再分布/ /三次氧化）三次氧化）nnSiO2P+溝道溝道隔斷區(qū)隔斷區(qū)P基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)區(qū)磷離子注入發(fā)射區(qū)區(qū)磷離子注入N+發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)光刻膠光刻膠發(fā)射區(qū)與集電區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)與集電區(qū)擴(kuò)散（13）刻引線孔（刻出電極引線歐姆接 觸窗口）（14）蒸鋁（真空蒸高純Al）（15）鋁反刻（刻蝕掉電極引線以外的鋁層）P+溝道溝道隔斷區(qū)隔斷區(qū)nnSiO2P基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)電極發(fā)射區(qū)電極基區(qū)電極基區(qū)電極集電區(qū)電集電區(qū)電極極n-p-n型晶體管工藝流程（16）初測（17）劃片 （