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文檔簡介
1、第一組材料的剛性越大,材料就越脆。 F 按受力方式,材料的彈性模量分為三種類型,以下哪一種是錯誤的: DA. 正彈性模量( E)B. 切彈性模量( G)C. 體積彈性模量( G)D. 彎曲彈性模量( W ) 滯彈性是無機固體和金屬的與時間有關(guān)的彈性,它與下列哪個因素無關(guān) B A 溫度; B 形狀和大小; C 載荷頻率 高彈性有機聚合物的彈性模量隨溫度的升高而 AA. 上升; B. 降低; C. 不變。 金屬材料的彈性模量隨溫度的升高而 BA. 上升; B. 降低; C. 不變。 彈性模量和泊松比 之間有一定的換算關(guān)系,以下?lián)Q算關(guān)系中正確的是 D A. K=E /3(1+2 );B. E=2G
2、(1- );C. K=E /3(1- );D. E=3K (1-2 ) ;E. E=2G (1-2 )。7. Viscoelasticity ”的意義是 BA 彈性; B 粘彈性; C 粘性8. 均彈性摸量的表達式是 AA、E=/B、 G= /rC、K=。/(V/V )9. 金屬、無機非金屬和高分子材料的彈性摸量一般在以下數(shù)量級范圍內(nèi)C GPaA.10-102 、 10,10-102B.10、10-102、10-102C.10-102、10-102、 1010. 體心立方晶胞的金屬材料比面心立方晶胞的同類金屬材料具有更高的摸量。T11. 虎克彈性體的力學特點是BA 、小形變、不可回復B 、小形
3、變、可回復C、大形變、不可回復D 、大形變、可回復,高分子材料則通常表現(xiàn)為13 、金屬晶體、離子晶體、共價晶體等材料的變形通常表現(xiàn)為 和 。 AA普彈行、高彈性、粘彈性B純彈行、高彈性、粘彈性C普彈行、高彈性、滯彈性14、泊松比為拉伸應力作用下,材料橫向收縮應變與縱向伸長應變的比值=ey/ex F第二組 1.對各向同性材料,以下哪一種應變不屬于應變的三種基本類型 CA. 簡單拉伸; B. 簡單剪切;C. 扭轉(zhuǎn); D. 均勻壓縮-應變曲線一般表現(xiàn)為純彈性行為2.對各向同性材料,以下哪三種應變屬于應變的基本類型 ABDA.簡單拉伸;B.簡單剪切;C.彎曲;D.均勻壓縮3.“ Tension”的意義
4、是 AA拉伸;B 剪切;C 壓縮4.“ Compress”的意義是 CA拉伸;B 剪切;C 壓縮5.陶瓷、多數(shù)玻璃和結(jié)晶態(tài)聚合物的應力6.Stress” and “ strain”的意義分別是 AA 應力和應變; B 應變和應力; C 應力和變形同一種材料的拉伸強度和屈服強度在數(shù)值上相同。F7.對各向同性材料,以下哪三種應變屬于應變的三種基本類型 A. tension ;B. torsional deformation ;C. shear;D. compression8.對各向同性材料,以下哪一種應變不屬于應變的三種基本類型 A. tension ;B. shear;C. Flexural d
5、eformation ; D. compression 9.對各向同性材料,應變的三種基本類型是AA tension, shear and compression ; B tension, shear and torsional deformation ; C. tension, shear and flexural deformation 10.非金屬態(tài)聚合物的三種力學狀態(tài)是 A 、玻璃態(tài)、高彈態(tài)、粘流態(tài)。ACDB、11.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是橡膠使用的上限溫度A 正確B 錯誤12.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是非晶態(tài)塑料使用的下限溫度A 正確B 錯誤A 固溶態(tài)、橡膠態(tài)、流動態(tài)。B13.隨著溫度的降低、聚合物的
6、應力 -應變曲線發(fā)生如下變化 AA. 應力增大、應變減小 .B.應力增大、應變增大 . C.應力減小、第三組 “永久變形”是下面哪個英文單詞C、玻璃態(tài)、高彈態(tài)、流動態(tài)。應變增大 .A Elastic deformation ; B “塑性變形”是下面哪個英文單詞BPermanent deformation ;Cplastical deformationA Elastic deformation ; “ dislocation ” 的意義是A 位錯; B 滑移;Permanent deformationplastical deformationC 變形滑移是材料在切應力作用下, 孿生是發(fā)生在金屬
7、晶體內(nèi)整體的一個均勻切變過程。 材料的永久形變有兩種基本類型,以下哪種不屬于該類型。 A. 滯彈性變形和流動; B. 塑性流動; 金屬材料的強化(抵抗永久形變)可以通過多種途徑,A. 提高結(jié)晶度強化; B. 晶粒減小強化;8、塑料形變是材料在切應力作用下,沿一定的 A 、晶向、晶面B 、晶面、9、在面心立方晶體中,塑性形變的滑移面為(A 、(110)晶面B、(111)沿一定的晶面(滑移面)和晶向F滑移方向)進行切變過程。)C. 粘性流動。 以下哪一種是錯誤的。晶向、)B 晶面 10、塑性形變的滑移面是晶體結(jié)構(gòu)中原子排列最密的晶面。第四組 “屈服強度”是下面哪個英文單詞。 ( ) A. Frac
8、ture Strength ; B. Yield Strength “斷裂強度”是下面哪個英文單詞。 ( )C. 固溶體強化;(滑動面)和C、晶面、C、(010)TC. tensile strengthA. Fracture Strength ;B. Yield Strength屈服強度和斷裂強度是同一種強度,對同一材料而言其數(shù)值是一 對同一材料進行拉伸實驗時,其屈服強度與拉伸強度在數(shù)值上是 抗沖強度與其它強度的量綱是一致的。 F 材料內(nèi)部銀紋的存在,使材料的強度降低。( ) AD. 應變強化 進行切變而產(chǎn)生的滑移。 B晶面晶面C. tensile strength 致的。 一樣的。Mpa 范
9、圍內(nèi)。 BC、 100-2008、高分子材料的拉伸強度一般在 A 、 10B、 10-1009、低密度聚乙烯比高密度聚乙烯具有更高的沖擊強度T10、高結(jié)晶度、具有球晶織構(gòu)的聚合物具有更的延伸率。 BA 、高、低、低、B 、低、高、低、的沖擊強度,更C、低、低、低、11、延性高分子材料的拉伸強度等于拉伸應力-應變曲線上材料斷裂時的應力值F的拉伸強度,更12、粘接劑對材料表面的浸潤性決定其粘接強度。F13、一般情況下,非晶態(tài)材料比晶態(tài)材料的強度低、硬度小、導電性差。T.14、 陶瓷樣品的尺寸越小,拉伸斷裂強度越高T第五組從 “Brittle fracture 的特”征,以下哪一種說法是錯誤的()
10、BA 斷裂前無明顯的塑性變形(永久變形) , 吸收的能量很少;B 有一定的永久形變 C 裂紋的擴展速度往往很快,幾近音速。D 脆性斷裂無明顯的征兆可尋,斷裂是突然發(fā)生的從“Ductile Fracture 的特”征,以下哪一種說法是正確的() BA 斷裂前無明顯的塑性變形(永久變形) , 吸收的能量很少;B 明顯的永久變形,并且經(jīng)常有縮頸現(xiàn)象C 裂紋的擴展速度往往很快,幾近音速。D 脆性斷裂無明顯的征兆可尋,斷裂是突然發(fā)生的“ Brittle fracture ”和 “Ductile Fracture 的含”義分別是( )AA 脆性斷裂和延性斷裂;B 延性斷裂和脆性斷裂;C 脆性斷裂和永久變形
11、;D 塑性變形和永久變形格列菲斯公式 a c =2E s / ( . c 2 ) 中, a c 是( ) BA 裂紋失穩(wěn)狀態(tài)的臨界應力;B 臨界半裂紋長度;C 裂紋失穩(wěn)狀態(tài)的臨界半應力格列菲斯公式 a c =2E s / ( . c 2 ) 中, c 是( ) AC. Percent reduction in areaA 裂紋失穩(wěn)狀態(tài)的臨界應力; B 臨界半裂紋長度; C 裂紋失穩(wěn)狀態(tài)的臨界半應力 下列哪個不適用于表征材料的延性大小(拉伸) BA. Percent elongation ;B. Stain;脆性材料就是脆性的與延性無法轉(zhuǎn)換 FGriffith (格列菲斯理論)可以解釋理論強度與
12、實際強度的巨大差異。 T 材料的脆性斷裂在微觀上主要有兩種形式,以下錯誤的是 ( ) CA. 解理斷裂; B. 晶間斷裂; C. 分解斷裂10. 材料的剛性越大,材料就越脆。 F第六組脆性 -韌性轉(zhuǎn)變過程中,提高加載速率起著與降低溫度類似的作用。T不考慮裂紋形狀因子,應力強度因子用公式( )計算 BA K=2E s / ( . c 2 ) ;B K= ( . a)1/2 ; C K= (a)1/2考慮裂紋形狀因子 Y ,應力強度因子用公式( B )計算 BA K=2E Y / ( . c 2 ) ;B K= Y ( . a)1/2 ; C K= Y (a)1/2“ Fracture tough
13、ness)” 的意義是( ) CA. 斷裂; B. 強度; C 斷裂韌性 斷裂韌性是一個既能表示強度又能表示脆性斷裂的指標。 T 斷裂韌性和沖擊韌性的物理意義是相同的。 F 下列哪種說法是錯誤的() CA 切應力促進塑性變形,對韌性有利;C 應力與韌性無關(guān) 以下哪種說法是正確的() DB 拉應力促進斷裂,不利于韌性。D 應力狀態(tài)及其柔度系數(shù)是相關(guān)的A 切應力促進塑性變形,對韌性不利;C 應力與韌性無關(guān)B 拉應力促進斷裂,利于韌性。D 應力狀態(tài)及其柔度系數(shù)是相關(guān)的9、面心立方晶格的金屬具有較高的韌一脆性轉(zhuǎn)變溫度F10、隨著鋼中的含碳量增加,其韌一脆性轉(zhuǎn)變溫度明顯提高,韌性增強。F11、名義應力是
14、 =F/S。 T12、面心立方晶格金屬具有優(yōu)良的韌性、具有高的韌一脆性轉(zhuǎn)變溫度F第七組“ hardness”是( ) AA 材料抵抗表面形變的能力,抵抗外物壓入B 與材料的抗張強度、抗壓強度和彈性模量等性質(zhì)無關(guān) 硬度與摩擦系數(shù)無關(guān) F高聚物的摩擦系數(shù)與其極性有關(guān) T 高分子材料的低摩擦系數(shù)與分子結(jié)構(gòu)相關(guān) T 橡膠的摩擦系數(shù)隨著溫度的升高而降低 T 關(guān)于影響磨損性能的因素,下列哪一種說法是錯誤的( ) BA 彈性體與硬物表面接觸,局部產(chǎn)生高速大變形,導致彈性體局部韌性惡化而被撕裂B 與材料的硬度無關(guān) C 與材料的抗張強度相關(guān)D 與材料的疲勞強度相關(guān)耐磨性評價及磨損試驗方法包括()AA 失重法和尺
15、寸法; B 失重法和 DSC 法“ Friction ”和“ Wear”分別是( ) AA 摩擦和磨損; B 磨損和摩擦 按照粘附摩擦的機理,摩擦系數(shù)的大小取決于材料的( ) CA. 剪切強度和拉伸強度; B. 剪切強度和斷裂強度;C. 抗壓強度和剪切強度; D. 硬度和斷裂強度10 按照壓痕硬度法原理測試材料硬度有三種主要方法,以下哪種不屬于這三種主要方法: CA. 布氏硬度;B . 洛氏硬度;C. 肖氏硬度;D. 維氏硬度。11、決定材料硬度的三個主要影響因素是() BA 、鍵能、溫度、測試方法、B、鍵能、密度、溫度、C、電子結(jié)構(gòu)、密度、溫度、12、PTFE 的摩擦系數(shù)很小,所以磨耗也小。
16、 F13、鍵能越高硬度越大,高分子是由共價鍵連接的,所以高分子材料硬度大。F第八組“ Fatigue”的意義是( ) AA. 疲勞; B. 失效 失效是( ) BA. Fatigue ; B. Failure“ fatigue strength ”的意義是( )AA. 疲勞強度; B. 斷裂強度; C 拉伸強度“ Creep” 的意義是( ) AA. 蠕變; B. 松弛“Relaxation ” 的意義是( )BA. 蠕變; B. 松弛蠕變是指在一定溫度、一定壓力下,材料的形變隨時間的延長而增加的現(xiàn)象。 T 應力松弛是指在溫度、應變恒定的條件下,材料的內(nèi)應力隨時間的延長而增加的現(xiàn)象 F 工程構(gòu)
17、件在服役過程中,只有應力超過屈服強度時才會產(chǎn)生疲勞斷裂。 F 疲勞壽命的量綱與應力的量綱相同。 F 以下關(guān)于腐蝕的哪種說法是錯誤的。 ( ) BA. 金屬材料的腐蝕主要是電化學腐蝕,有電池作用和電解作用;B. 高分子材料的腐蝕主要是化學腐蝕;C. 無機非金屬材料不容易發(fā)生物理腐蝕;D. 任何材料,包括金屬、無機非金屬和高分子材料都有可能發(fā)生化學腐蝕。11、 采用纖維進行復合,可以提高高分子材料的疲勞強度。T12、 疲勞破壞是由于裂紋擴展引起的。 T13、 聚乙烯醇( PVA )的氧滲透系數(shù)大于聚乙烯( PE)。F14、 聚丙烯比聚乙烯更容易老化。 T第九組傳導、 傳導和 傳導等。 B b.自由
18、電子,晶格振動,分子c.金屬鍵,離子鍵,共價鍵進行熱傳導, 無定型高分1.材料內(nèi)熱傳導機制主要有 a.熱傳導,熱輻射,熱對流2.金屬主要通過進行熱傳導, 具有離子鍵和共價鍵的晶體主要通過子材料主要通過進行熱傳導。a.自由電子,晶格振動,分子 3.金屬合金的熱導率明顯 導率隨分子量增大而 a.大于,減小,減小 4.熱導率是材料傳輸熱量 a.能力, W·m-1·K-1 ,b.速率,c.速率, J· m-1· K-1 , W · 5.通常情況下,材料導熱性順序為:金屬 a.大于,大于b.小于,小于6.熱容是在沒有相變化或化學反應條件下, 材料溫度升高
19、 1所需的能量, 熱容原子量×比熱容 1Kg ,熱容原子量×比熱容1Kg , 比熱容原子量×熱容Ab.電子,晶格振動,分子c.自由電子,晶格缺陷,沿分子主鏈純金屬, 結(jié)晶性聚合物的熱導率隨結(jié)晶度增大而。Bb.小于,增大,增大c.小于,減小,的量度,其計量單位(或量綱)為 J·m-1·S·K-1W·m-1·K-1 , J·J· m-1· K-1 ,非晶聚合物的熱比熱容是將m-1 · S· K-1增大或是。Bm-1· S·K-1 無機非金屬 大于 材
20、料的溫度升高 單位為 J· Kg-1 · K-1 。二者之間的關(guān)系為高分子材料。c.小于,將1所需的能量,單位為 J·mol-1 ·K-1 。Ba. 1Kg , 1mol,b. 1mol ,c. 1mol ,7.材料的熱失重曲線可測定材料的,a. 馬丁耐熱溫度,熱變形溫度,維卡軟化溫度b. 起始分解溫度,半分解溫度,殘?zhí)悸蔯. Tg ,8.由于空氣中含至a.22,22,b.21,c.21,Tm ,Tf左右的氧,故氧指數(shù)在 為難燃材料,具有自熄性; 22, 22, 22,27,22, 27,22,27,。B以下屬易燃材料;以上為高難燃性材料。 C2727
21、橡膠態(tài) c.小于,大于9.聚合物的比熱容大小順序為玻璃態(tài)a.大于,大于b.小于,小于10影響高分子材料耐熱性的三個主要結(jié)構(gòu)因素是(粘流態(tài)。 B) ACD27A 、結(jié)晶B、共聚C、剛性鏈D、交聯(lián)E、分子量11、就結(jié)構(gòu)和組成而言,提高高分子材料阻燃性的主要方法有兩個() ACA 、引入鹵族、磷、氮等元素B 、提高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度C 、提高聚合物的熱穩(wěn)定性12、添加阻燃劑和無機填料而提高高分子材料阻燃性的原理主要有三個方面:ABCA、隔離氧B、降低溫度C、吸收熱量D 、產(chǎn)生大量的水E、降低聚合物的燃點第十組1. 聚合物的 Tg 和 Tm 越高,其熱穩(wěn)性越好。 F2. 在德拜模型中, 材料的比熱容在德拜
22、溫度以下與絕對溫度 T 的三次方成正比, 在德拜溫度以上趨于定值。 T3. 材料的比熱容越大,其導熱性越好。 F4. 材料的熱膨脹系數(shù)通常隨鍵能增大而減小,隨溫度升高而增大。 T5. 化學交聯(lián)可以同時提高聚合物的耐熱性和熱穩(wěn)定性。 T6. 芳雜環(huán)聚合物同時具有較高的耐熱性和熱穩(wěn)定性。 T7. 聚合物的熱穩(wěn)定性愈好,其耐熱性也愈高。 F8. 在足夠高的溫度下,只要有氧氣存在,燃燒就能發(fā)生和進行。 F9. 晶體材料中,晶粒尺寸愈小,熱導率愈高。 F10、材料的宏觀熱膨脹性是由于原子在平衡位置對稱振動,振幅增大的結(jié)果F11、線膨脹系數(shù)在所有溫度下都是常數(shù)。F12、在同樣的加熱條件下,材料的熱容量越大
23、,材料的溫度上升得越快F第十一組 金屬的載流子是陽離子 F硅的載流子只有電子 F離子固體的載流子只是正負離子 F 遷移率為載流子在單位電場中的遷移速度 T6、單質(zhì)金屬的載流子是自由電子,且自由電子全部參予導電。F7、本征半導體的載流子包括自由電子和空穴=ne e+Pe h T8、n 型半導體的載流子量空穴。 F9、p 型半導體屬于電子型導電。F10、只有費米能級以上的自由電子,才具有導電性TC、v/m, q 是,是載流子的遷移率。C11、載流子遷移率的量綱是( ) A A 、 m2/( v.s)B、 m/s12、電導率 =nq,其中 n 是 A 、載流子的數(shù)量,電場強度,B、載流子的類型,載流
24、子的電荷量,載流子的遷移速度。C、載流子的數(shù)量,載流子的電荷量,載流子遷移速率。D、載流子的類型,載流子的電荷量,載流子的遷移率。13、電導率 的量綱是 AA 、 -1.m-1 B、s.m-1 C、 .m-1 第十二組 影響電子電導的因素包括溫度、晶體結(jié)構(gòu)、晶格缺陷 F 影響離子電導率的因素包括溫度、雜質(zhì)、缺陷 F,可用銀使鋁固溶強化并提高電導率,作為高壓單質(zhì)金屬的電導率與溫度成反比,隨著溫度的升高而下降。 隨著溫度的升高,半導體材料的電導率增大 T 銀有良好的導電性,而且能以一定的數(shù)量與鋁形成固溶體, 輸電線使用。 F 6、從原子的電子結(jié)構(gòu)分析,銅、銀和金屬于下圖中哪一種能帶結(jié)構(gòu)。CD 般情
25、況下,金屬材料的電導率大于非金屬材料的電導率。 8、黃銅比紫銅具有更高的電導率。 F 9、金屬合金固溶體中存在大量的缺陷,其電導率高于單質(zhì)金屬。 10、影響金屬導電性的三個外界因素是ACDA 、溫度B 、濕度C、雜質(zhì)11、 . 金屬的導電性隨著金屬中的雜質(zhì)的增加而下降。12、 . 金屬的介電常數(shù)比聚合物的介電常數(shù)大。FA.B.7、D、塑性形變E、應力第十三組1、半導體材料的能帶結(jié)構(gòu)為半滿帶或空帶與價帶有重疊 絕緣材料的能帶結(jié)構(gòu)中禁帶寬度一般大于 5eV T 導體材料的能帶結(jié)構(gòu)為禁帶寬度小于 2eV F 金屬的電阻率等于溫度引起的電阻率、固溶體引起的電阻率與塑性形變引起的電阻率之和離子固體的電導
26、性等于電子導電和離子導電的貢獻之和。6、n 型半導體指在 Si、Ge等四價元素中摻入少量五價元素 P、Sb、 Bi 、 As 。 T7、p 型半導體指在四價元素 Si、 Ge等中摻入少量三價元素 B、Al、Sc、Y。 T8、半導體的電導率與溫度呈指數(shù)關(guān)系T9、硅材料和金剛石都是由共價鍵組成的架狀結(jié)構(gòu),因此,它們具有相同導電率。F10、隨著離子電荷量率增加離子性固體的電導率增加。F11、隨著離子半徑的增加,離子性固體的電導率呈下降趨勢。T第十四組最初被發(fā)現(xiàn)的導電聚合物是聚苯胺摻雜 Br2,I2 。F2、導電聚合物的氧化摻雜也稱 p 型摻雜,指用堿金屬進行摻雜。F3、導電聚合物的還原摻雜(也稱 n
27、 型摻雜)一般是用鹵素摻雜。F表征超導體性能的三個主要指標是。BA. Tc, Hc, Ic B. Hc, Tc, Jc C. Jc, Hc, Ic5、目前金屬氧化物超導體應用的主要弱點是。 AA. Tc 很低 B .Hc 很低 C. Jc 很低6、超導臨界溫度 Tc,指超導體電阻突變?yōu)榱愣耆珜щ姷臏囟取?T7、超導體在超導臨界溫度 Tc以下,具有() () 。 AB A 完全的導電性 ( )B 完全的抗磁性 ( )8、導電聚合物的分子鏈為共軛結(jié)構(gòu)。T9、導電聚合物的能帶間隙( Eg)隨聚合物長度的增加而增加。 F獎。B10、白川英樹等人固發(fā)現(xiàn)并發(fā)展導電聚合物,與年獲諾貝爾A、 2000物理B
28、、2000化學C、 2001化學D、2001物理11、目前超導材料可達到的最高超導臨界溫度是BA、100KB、140KC、 160K12. 12、隨電壓升高,超過臨界值,出現(xiàn)材料的電阻率急劇下降,電流升高的現(xiàn)象稱為擊穿現(xiàn)象。第十五組1、電介質(zhì)的相對介電常數(shù)等于介質(zhì)的電容率除以真空的電容率。T2、電介質(zhì)的相對介電常數(shù)表征的是電介質(zhì)貯存電能能力的大小,其量綱為F.m-1。 F4、介電損耗指的是電介質(zhì)在交變電場作用下,電能轉(zhuǎn)變成熱能而損耗了。 T5、影響 tg的因素主要包括五個方面。ABDa 分子結(jié)構(gòu)、溫度b 多相體系、交變電場頻率c 溫度,原子的電子結(jié)構(gòu)d 小分子及雜質(zhì),6、介電性質(zhì)是描述電介質(zhì)材
29、料在交變電場中的性質(zhì)。TACD7、電解質(zhì)極化引起電容器表面電荷密度增加,相對介電常數(shù)增大,電介質(zhì)極化的三個類型是。A 、電子極化B、原子極化C 、離子極化D 、取向極化E 、分子極化8、發(fā)生取向極化的分子結(jié)構(gòu)中必定具有永久電偶極矩。T9、C-F 鍵為極性共價鍵,固而聚四氟乙烯易產(chǎn)生取向極化,具有高的介電常數(shù)。F10、電子極化和離子極化與溫度變化沒有依賴性。T11、一般情況下,極性聚合物的介電常數(shù)隨溫度增加而增大,然后趨于平緩。T12、介電常數(shù)隨頻率的增加而分階段降低。T13、電介質(zhì)材料在低頻下的介電常數(shù)低于在高頻下的介電常數(shù)。F14、高分子材料的極性越大、介質(zhì)損耗值越大。T15、聚乙烯可用高頻
30、焊接。 F16、聚氯乙烯適合作高頻電纜包覆料。F17、電容介質(zhì)材料應具有的介電常數(shù)和 的介質(zhì)損耗。 BA 、大、大、B 、大、小、C、小、大、18、PE 可以用作高頻絕緣材料。 T 第十六組1、電子軌道磁矩遠大于電子自旋磁矩。F2、磁化強度指在外磁場中 ,物體內(nèi)各磁矩規(guī)則取向,宏觀呈磁性的性質(zhì)。F3、磁化指在外磁場中,物質(zhì)被磁化的程度。F4、磁化率的物理符號為。 T5、磁矩是表征磁性物體磁性大小的物理量,只與物體本身的性質(zhì)相關(guān),與外磁場無關(guān)。T6、磁化強度( M )的物理意義是單位體積的磁矩,為一矢量。 T7、磁化強度( M )的量綱為( ) BC、Wb.m-2D、H.m-1A、A.m2B A
31、.m-18、A.m-1 是以下哪兩個磁學物理量的量綱。ABA、磁場強度 B、磁化強度 C、磁感應強度D 、磁導率9、波爾磁子( B)代表的是每個電子自旋磁矩的近似值,為一定值,其數(shù)值是()。 BA、4×10-7B、9.27×1024C、6.02× 10-2410、磁化率與 r 的關(guān)系。 BA. =r+1B. =r-111. 11、根據(jù)材料的磁化率,磁性分為抗磁性、順磁性、鐵磁性、過鐵磁體、反鐵磁性F12、順磁性來源于很強的內(nèi)部交換場F13、抗磁性物質(zhì)在外磁場 H00 的磁學行為。 BA. r>1B. r<1C. r 接近 114、金屬的抗磁性和順磁性來
32、源于原子磁性。T15、大多數(shù)高分子材料為抗磁性材料。T16、順磁性是由于原子內(nèi)部不存在永久磁矩,在外磁場作用下產(chǎn)生電子軌道磁矩的緣故。F17、順磁性物質(zhì)的原子內(nèi)部存在永久磁場,其磁化率X 約為 10-5,并隨溫度的升高而增大。 F第十七組1、亞鐵磁體的磁學性質(zhì)類似于鐵磁體,但值沒有鐵磁體大。T2、任何溫度下,都不能觀察到亞鐵磁體的任何自發(fā)磁化現(xiàn)象F鐵磁性來源于原子內(nèi)部存在永久磁矩 F4、磁疇指物質(zhì)內(nèi)部存在的自發(fā)磁化的小區(qū)域T5、磁滯回線是鐵磁材料的一個基本特征T材料的磁滯損耗與回線面積成正比 T7、有人說“鐵磁性金屬沒有抗磁性” ,對嗎 ? F8. 8、鐵磁性金屬包括鐵、鈷、鎳及其合金,以及稀
33、土族元素釓T9、磁性無機材料一般為鐵氧體T10. 10 、典型鐵氧體包括尖晶石型鐵氧體、石榴石型鐵氧體、磁鉛石型鐵氧體T11、軟磁材料被外磁場磁化后,去掉外磁場仍然保持較強剩磁的材料。F12、當 a/D>3 時,交換能 J 為負值,材料顯示鐵磁性。 F13、從 Fe原子的介電子軌道構(gòu)型可知, Fe 原子的波爾磁子數(shù)目為( )個 BA 、6B、4C、514、鐵磁性物質(zhì)在室溫下的磁化率可以到103 數(shù)量值,是由于其很強的內(nèi)部交換場產(chǎn)生自發(fā)磁化的結(jié)果。 T15、鐵磁性物質(zhì)的磁化率與溫度的關(guān)系符合以下關(guān)系式:BA、X=C/TB、 X=C/T-Tc16、亞鐵磁體的晶體不同晶格內(nèi)磁矩反平行取向而相互
34、完全抵消。F17、鐵氧體 Fe3O4 屬于反尖晶石結(jié)構(gòu)() BA、 A2=B23+O4B、B3+( A2+B3+ )O44第十八組1、光吸收滿足朗伯特定律I=Io -dx 。T2、在電磁波譜的可見光區(qū),金屬和半導體的吸收系數(shù)很小。 F3、在電磁波譜的可見光區(qū),電介質(zhì)材料的吸收系數(shù)最大。F4、透射率 T 、反射率 R、吸收率 A 三者之和為 1 。 T5、金屬的顏色是金屬材料對可見光的吸收再發(fā)射綜合造成的。 T7. 7. 7、許多純的共價化合物和離子化合物,本質(zhì)上是透明的,但往往在加工過程中留下孔洞而不透明。T8、結(jié)晶聚合物通常是半透明或不透明的。T9、增加結(jié)晶性聚合物材料透明性的方法是加速成核
35、或由熔體急劇冷卻或進行拉伸。T10、產(chǎn)生旋光性的原因是分子結(jié)構(gòu)中存在不對稱碳原子。FA 抗磁性 , 順磁性, 鐵磁性B 順磁性, 鐵磁性 , 反鐵磁性C 鐵磁性 , 抗磁性, 亞鐵磁體D 抗磁性, 亞鐵磁體 , 順磁性 ,11、FerromagnetismCA 抗磁性B 順磁性C鐵磁性D 亞鐵磁體 E 反鐵磁性12、 Hysteresis loopAA 磁滯回線B 剩余磁感應強度C矯頑力13、矯頑力B10、 paramagnetism,diamagnetism,FerromagnetismAA Hysteresis loopB coercivitycC remanence11、非線性光學效應指
36、分子(介質(zhì))受強光場(激光)作用時會產(chǎn)生極化,誘導極化強度。 12、金剛石對可見光是透明的。 T 13、半導體硅對可見光是透明的。 F 14、金屬銀吸收了全部可見光而顯銀白色 15、光通過材料的透射光的強度可用式(B、Io -dx。F)表示 。 C C、 Io( 1-R) 16、聚合物的顏色是由于吸收一定波長的可見光的結(jié)果。T17、退火方法可以提高結(jié)晶性聚合物的透明性。F第十九組A、IOR2 -dx1、Electrical conductivity A 電導率 B 載流子數(shù) 載流子遷移率 B Electrical conductivity B2、 A 3、本征半導體A Semiconducto
37、rs 4、 insulatorAa 絕緣體b 半導體5、 dielectric property A 介電性 B 介電常數(shù) 6、介電常數(shù)A.dielectric property7、 magnetization A A.磁化強度8、磁化強度CA.magnetic flux density9、磁化率BA permeabilityC 載流子遷移率B electron mobilityIntrinsic semiconductor介電損耗B.dielectric constantB.磁感強度C charge carrier densityC extrinsic semiconductorC.diel
38、ectric lossC.磁場強度B.magnetic field strength C.magnetizationB magnetic susceptibilityC magnetic moments14、Hard magnetic material AA 硬磁材料 B 軟磁材料 第二十組 1、 photon absorption AA 光的吸收 B 光的透射2、光的透射 BA photon absorptionB transmission C refraction Index3、半透明AA translucent B opaque C transparent4、nonlinear optical performanceAA 非線性光學性 B 旋光性5、熒光 AA fluorescenceB luminescenceC phosphorescence6. The larger the inter-atomic bonding energy, the lower the coeffi
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