電動力學選擇題填空題判斷題問答題復習

1、電動力學1隨教材復習題目一、章節(jié)內(nèi)容:第0章矢量分析第一章電磁現(xiàn)象的普遍規(guī)律第二章靜電場第三章靜磁場第四章電磁波的傳播第五章 電磁波的輻射二、題型1 .選擇題，填空題，判斷題、問答題2 .計算題(見教材例題)201奔5月第0章矢量分析一、選擇題0.1設(shè)r V(x x)2 (y y)2 (z z )2為源點到場點的距離，r的方向規(guī)定為從源點C. r 0D.指向場點，則有nrA. r 0 B. r 一r15 / 2590.20.3位置矢量r的散度等于-1A. 0B.3 C.-r位置矢量r的旋度等于D. rA.0B.3C.- rDr0.4位置矢量大小r的梯度等于0.50.60.7A.0C.A. 0A

2、. 0A.0B.C.- rD .rr-=?r二、填空題0.10.20.30.4B .LrC. rD.- r（其中r 0)B.1C. rD.-r位置矢量r的散度等于（位置矢量r的旋度等于（3 )。0 )。位置矢量大小r的梯度等于（口 r）無旋矢量場可以引入（標）勢來處理，無源矢量場可以引入（幻勢來處理。0.5（無加）矢量場可以引入標勢來處理，（無遮）矢量場可以引入矢勢來處理。三、判斷題0.1標量場的梯度必為無旋場。0.2矢量場的旋度不一定是無源場。X)0.3無旋場必可表示為標量場的梯度。0.4無源場必可表示為另一矢量的旋度。第一章 電磁現(xiàn)象的普遍規(guī)律一、選擇題1.1 對于感應電場下面哪一個說法正

3、確A 感應電場的旋度為零B 感應電場散度不等于零C 感應電場為無源無旋場D 感應電場由變化磁場激發(fā)1.2 從麥克斯韋方程組可知變化電場是（B ）A有源無旋場B有源有旋場 C無源無旋場 D無源有旋場1.3 從麥克斯韋方程組可知變化磁場是（D ）A有源無旋場B有源有旋場 C無源無旋場 D無源有旋場。1.4 在假定磁荷不存在的情況下，穩(wěn)恒電流磁場是（D ）A無源無旋場B有源無旋場 C有源有旋場D無源有旋場1.5 與聯(lián)系的實驗規(guī)律是（B ）A庫侖定律B.電磁感應定律C.畢奧-薩伐爾定律D.歐姆定律1.6 麥克斯韋方程組中E上的建立是依據(jù)哪一個實驗定律（C ）tA電荷守恒定律B安培定律C電磁感應定律D庫

4、侖定律1.7 對電場而言下列哪一個說法正確（C ）A.庫侖定律適用于變化電磁場B .電場不具備疊加性C電場具有疊加性D .電場的散度包為零1.8 位移電流（D ）A是真實電流，按傳導電流的規(guī)律激發(fā)磁場B與傳導電流一樣，激發(fā)磁場和放出焦耳熱C與傳導電流一起構(gòu)成閉合環(huán)量，其散度恒不為零D實質(zhì)是電場隨時間的變化率1.9 下列哪種情況中的位移電流必然為零（B ）A僅適用于各向同性線性介質(zhì)B僅適用于非均勻介質(zhì)C適用于任何介質(zhì)D僅適用于鐵磁介質(zhì)1.14 對極化強度矢量p有以下說法，正確的是A.極化強度矢量P的源頭必是正電荷；B.極化強度矢量P的源頭必是負電荷；C.極化強度矢量P的源頭必是正束縛電荷D.極化

5、強度矢量P的源頭必是負束縛電荷1.15 束縛電荷體密度等于A. 0 B. P C. P1.16 束縛電荷面密度等于A. 0 B. P C. P1.17 極化電流體密度等于A .0 B. M C. MD. n (P2 P1)D. n (P2 R)D.(A )(A )(D )(A )D )C )D )(D )A.非閉合回路 B.C.在絕緣介質(zhì)中 D.1.10 B 0（H M）A適用于任何介質(zhì)BC僅適用于鐵磁介質(zhì) D1.11 D0E PA適用于任何介質(zhì)C僅適用于鐵磁介質(zhì)1.12B HA適用于任何介質(zhì)C僅適用于鐵磁介質(zhì)1.13D E當電場不隨時間變化時在導體中僅適用于均勻介質(zhì)僅適用于各向同性介質(zhì)B僅適

6、用于均勻介質(zhì)D僅適用于各向同性介質(zhì)B僅適用于各向同性介質(zhì)D僅適用于各向同性非鐵磁介質(zhì)1.18磁化電流體密度等于A. M B. M C. D.n (M2 MJ1.19電場強度在介質(zhì)分界面上A法線方向連續(xù)，切線方向不連續(xù)C法線方向連續(xù)，切線方向連續(xù) 1.20磁感應強度在介質(zhì)分界面上A.法線方向連續(xù)，切線方向不連續(xù)C.法線方向連續(xù)，切線方向連續(xù)(D )B法線方向不連續(xù)，切線方向不連續(xù)D法線方向不連續(xù)，切線方向連續(xù)(A )B.法線方向不連續(xù)，切線方向不連續(xù)D.法線方向不連續(xù)，切線方向連續(xù)二、填空題1.1 場方程 E 0在(時變場)情況下不成立。1.2 電荷系統(tǒng)單位體積所受電磁場作用的力密度為f ( E

7、 J B)。1.3 已知電位移矢量Dx3eXy34z34,則電荷密度為(3(x2y2z2)。1.6 位移電流的實質(zhì)是(變化的電場)。1.8電場強度關(guān)系為(，(E2 Ei) 0)在切線方向滿足的邊值1.16真空中電磁場的能量密度12w =( - oE2B2),能流密度S 2 01.17坡印亭（Poynting ）矢量的物理意義是（單位時間內(nèi)通過垂直于傳播方向上 單位面積的能量）。三、判斷題1.1 無論是穩(wěn)恒磁場還是變化的磁場，磁感應強度總是無源的。（V）1.2 無論是靜電場還是感應電場，都是無旋的。（X）1.3 在任何情況下電場總是有源無旋場。（x ）1.4 在無電荷分布的區(qū)域內(nèi)電場強度的散度總

8、為零。（V）1.5 任何包圍電荷的曲面都有電通量，但是散度只存在于有電荷分布的區(qū)域內(nèi)。（，）1.6 電荷只直接激發(fā)其臨近的場，而遠處的場則是通過場本身的內(nèi)部作用傳遞出 去的。（V）1.7 穩(wěn)恒傳導電流的電流線總是閉合的。（V）1.8 在任何情況下傳導電流總是閉合的。（X）1.9 非穩(wěn)恒電流的電流線起自于正電荷減少的地方。（V）1.10 極化強度矢量p的矢量線起自于正的極化電荷，終止于負的極化電荷。（X）1.11 均勻介質(zhì)內(nèi)部各點極化電荷為零，則該區(qū)域中無自由電荷分布。（ V）1.12 在兩介質(zhì)的界面處，電場強度的切向分量總是連續(xù)的。（ V）1.13 在兩均勻介質(zhì)分界面上電場強度的法向分量總是連

9、續(xù)的。（X）1.14 在兩介質(zhì)的界面處，磁感應強度的法向分量總是連續(xù)的。（ V）1.15 無論任何情況下，在兩導電介質(zhì)的界面處，電流線的法向分量總是連續(xù)的。（X）1.16 兩不同介質(zhì)表面的面極化電荷密度同時使電場強度和電位移矢量沿界面的法向分量不連續(xù)。（X）I1.17 電介質(zhì)中，電位移矢量D的散度僅由自由電荷密度決定，而電場的散度則由自由電荷密度和束縛電荷密度共同決定。（V）1.18 兩不同介質(zhì)界面的面電流密度不改變磁場強度和磁感應強度的連續(xù)性。（X）1.19關(guān)系式DoEP適用于各種介質(zhì)1.20靜電場的能量密度為-。（X）2四、問答題1.1寫出真空中Maxewll方程組的微分形式和積分形式，

10、并簡述各個式子的物理 意義。答 E -電場是有源場，電荷是電場的源。0BE 變化的磁場產(chǎn)生渦旋電場。tB 0磁場是無源場。4.BIE 在口上'工八在上 3人”上oJ 0 0 傳導電流和位移電流激發(fā)磁場t1.3 寫出介質(zhì)中的麥克斯韋方程組的積分形式。,dd答：。EdlBdS,oHdl IfDdSLdtSLdtSD dS Qf: B dS 0S'S1.4 寫出邊值關(guān)系的表達式。答：enE2E10,enH2 H1enD2Di，enB2B10o1.5 什么是位移電流？位移電流與傳導電流有何本質(zhì)上的區(qū)別？答：位移電流是變化的電場，它和傳導電流一樣均可以產(chǎn)生磁場， 但位移電 流不會產(chǎn)生焦耳

11、熱，這是 位移電流與傳導電流的本質(zhì)區(qū)別。1.6 若通過一個封閉曲面的電通量為零， 是否表明曲面內(nèi)的電場強度的散度處處 為零，為什么答：不是散度處處為零，因為通過一個封閉曲面的總的電通量等于封閉曲面 內(nèi)各處散度的積分一一即電荷密度 的積分，故等于封閉曲面內(nèi)總電量的代數(shù)和，通過一個封閉曲面的電通量為零,只說明其內(nèi)各處散度的代數(shù)和為零，而不是散度處處為零。1.7 麥克斯韋方程租中的電場和磁場是否對稱？答：不對稱，因為電場是有源場，電荷是電場的源，而磁場是無源場，不存 在磁荷。1.8 寫出靜電場的散度和旋度的表達式并簡述其所反映的物理圖像。I答：E E 00在自由空間中電場電荷是電場的源，電場線從正電

12、荷發(fā)出而終止于負電荷, 線連續(xù)通過；在靜電情形下電場沒有漩渦狀結(jié)構(gòu)。第二章靜電場一、選擇題2.1 靜電勢的梯度（C ）A是無源場B 等于電場強度 C是無旋場D是一個常矢量2.2 電場強度和電勢的關(guān)系是（C ）A電場強度等于電勢的梯度；B電場強度等于電勢的旋度；C電場強度等于電勢的梯度的負值；D電場強度等于電勢的散度。2.4 靜電場的能量密度等于（B ）1 1 H HT TA. 一, B. D EC. , D. D E,222. 6設(shè)區(qū)域V內(nèi)給定自由電荷分布 （x） ,S為V的邊界，欲使V的電場唯一確定,則需要給定（A ）A.S或一IsB. Qs C. E的切向分量 D.以上都不對n2.7設(shè)區(qū)域

13、V內(nèi)給定自由電荷分布（x），在V的邊界S上給定電勢s或電勢的法向?qū)?shù)一，則V內(nèi)的電場A.唯一確定 B.可以確定但不唯一C.不能確定 D.以上都不對2. 8導體的靜電平衡條件歸結(jié)為以下幾條，其中錯誤的是（C ）A.導體內(nèi)部不帶電，電荷只能分布于導體表面B.導體內(nèi)部電場為零C.導體表面電場線沿切線方向D.整個導體的電勢相等2.9用鏡像法求解靜電場邊值問題時,判斷鏡像電荷的選取是否正確的根據(jù)是A.鏡像電荷是否對稱(D ).電勢所滿足的方程是否改變16 / 2510C.邊界條件是否改變2.10用鏡像法求解靜電場邊值問題時,卜面說法正確的是A鏡像電荷應與原電荷對稱B鏡像電荷應位于求解區(qū)域之外C鏡像電荷與

14、原電荷電量相等D鏡像電荷只能有一個2.11 電象法的理論基礎(chǔ)是A.場方程的邊界條件B.麥克斯韋方程組C.唯一性定理D.場的疊加原理2.12 已知電勢舊二斗，則電場強度京為:.百=一/&一宓吟_碎吟2.192.20£二一呼_嗎+% D .亙二3i三河+心_力斗+(工_)耳一個處于x點上的單位點電荷所激發(fā)的電勢(x)滿足方程A. 2 (B. 2(X)1/ 0C. 2 (X) (X X)無限大導體板外距板D. 2(X)a處有一點電荷Q,它受到導體板對它作用力大小的絕對值為Al20aB.2-C. 0a16Q220aD.20a二、填空題2.1導體板附近有點電荷Q,到導體板的距離為a,則

15、真空中點電荷Q所受電場力的大小為(瀘二)。16 0a '2.2 一個半徑為a的帶電球,電荷在球內(nèi)均勻分布，總電荷為 Q,則球內(nèi)電場滿Q足 E （4 0a3）,球外電場滿足E （0）。 32.13 知靜電場的電勢 =A（x2+y2）,則其電場強度為（2A（x，J）。2.14 兩介質(zhì)的分界面處，靜電場的電勢滿足的邊值關(guān)系為（入 2 s）和SS'2.15 某有限區(qū)域V內(nèi)有一種或幾種絕緣介質(zhì)，且 V內(nèi)電荷分布已知，則當 V邊界上（“或（下）已知時，V內(nèi)電場可唯一確定。S19 / 25122.16 電勢在導體表面的邊界關(guān)系為（=常量）和（一 ）。 n2.17 電場中導體的邊界條件有兩種給

16、法，一種是給定 （導體表面的電勢）,另一 種是給定（導體所帶的電量）。2.18 某有限區(qū)域V內(nèi)有導體時，要確定其電場，必須給定每個導體上的（電勢）或每個導體上的（電量）。2.9電荷分布（X）的電偶極矩P =（ （X）XdV ）。2.19 電荷分布（X）的電四極矩 D=（ 3XX （X）dV ）或（3XX r 2P） （X）dV ）2.20 極矩為P的電偶極子在外電場Ee中的能量W=（ p E）o2.21 極矩為P的電偶極子在外電場Ee中受的力F = = （P）E）2.22 極矩為P的電偶極子在外場Ee中受的力矩L= = （P E）o2.14電偶極矩P產(chǎn)生的電勢為=（以下填連續(xù)或不連續(xù)2.30

17、在兩種不導電介質(zhì)的分界面上，電場強度的切向分量（連級），法向分量如 連續(xù)）。2.31 在兩種不導電介質(zhì)的分界面上，電位移矢量的切向分量（不連續(xù)）,法向分量（連續(xù)）。2.32 在兩種導電介質(zhì)的分界面上，電場強度的切向分量（連續(xù)），法向分量（不連續(xù)）。2.33 在兩種導電介質(zhì)的分界面上，電位移矢量的切向分量（不連續(xù)）,法向分量（不連續(xù)）。2.34 在兩種磁介質(zhì)的分界面上，磁場強度的切向分量 （不連續(xù)）,法向分量（不連 續(xù)）。2.35 在兩種磁介質(zhì)的分界面上，磁感應強度的切向分量 （不連續(xù)）,法向分量（連 空。三、判斷題一.1,12.36 電場的總能量可表示為w - d ,其中表示能量密度。（X）2

18、22.2 由電四級矩的定義式可知，當電荷體系的分布具有球?qū)ΨQ性時，則此電荷系 統(tǒng)沒有電四級矩。（V）2.3 如果一個體系的電荷分布對原點對稱，它的電偶極矩為零。（ V）2.4 物體處于超導態(tài)時，除表面很薄的一層外，其內(nèi)部一定沒有磁場。（V）四、問答題2.5 說明靜電場可以用電勢描述的原因，給出相應的微分方程和電勢邊值關(guān)系。答：靜電場有E 0 E d： 0）,由矢量分析知：0,因而可令4 JE ,即電勢。微分方程： 2鏡像法的理論依據(jù)是什么?答：唯一性定理。2. 3.簡述電像（鏡像）法的基本思想在兩電介質(zhì)界面處的電勢邊值關(guān)系2 s 1s,答：在求區(qū)域V內(nèi)的電場分布時，在不改變V中電荷分布，不改變

19、V的邊界 S處的邊界條件的情況下，將鏡像電荷置于求解區(qū)域之外，以等效代替邊界處電 荷（場）在V內(nèi)產(chǎn)生的電場，然后運用疊加原理將其與 V內(nèi)的電荷產(chǎn)生的電場疊 加即的V內(nèi)的總電場。第三章靜磁場一、選擇題3.1 對于變化電磁場引入矢勢的依據(jù)是（D ）A H0 B H0 C B0 D B03.2 靜磁場中可以建立矢勢的理由是：（C ）A .靜磁場是保守場；B .靜磁場 B 0J,即靜磁場是有旋場；C .靜磁場 B 0,即靜磁場是無源場；D .靜磁場與靜電場完全對應。3.3 穩(wěn)恒電流磁場能夠引入磁標勢的充要條件（C ）A. J 0的點B.所研究區(qū)域各點J 0C.引入?yún)^(qū)任意閉合回路H dl 0 D.只存在

20、鐵磁介質(zhì)3.4 用磁標勢m解決靜磁場問題的前提是（B）A.該區(qū)域內(nèi)沒有自由電荷分布；B.該區(qū)域應是沒有自由電流分布的單連通區(qū)域；C.該區(qū)域每一點滿足 B 0;D.該區(qū)域每一點滿足B 0J o3.5 在某區(qū)域內(nèi)能夠引入磁標勢的條件是（D ）A.磁場具有有旋性B.有電流穿過該區(qū)域C.該區(qū)域內(nèi)沒有自由電流 D.該區(qū)域是沒有自由電流分布的單連通區(qū)域3.6 在引入磁標勢 m單決靜磁場問題時，假想磁荷密度m等于（B ）A.任意常數(shù)B. 0 M C. 0 M D. 0 H3.7 下面哪一種磁性物質(zhì)表面為等磁勢面。A.B.均勻線性磁介質(zhì)球表面C.D.無限大均勻線性磁介質(zhì)平面21 / 25143.8靜磁場的能量

21、密度為（C ）22223.9 Aharonov-Bohm 效應效應說明（D ）a.電場強度E和磁感應強度B可以完全描述電磁場B.電磁相互作用不一定是局域的c.管內(nèi)的B直接作用到管外的電子上，從而引起干涉條紋移動D. A具有可觀測的物理效應，它可以影響電子波束的相位，從而使干涉條 紋發(fā)生移動。3.10 靜磁場中矢勢A（ B ）A.在場中每一點有確定的物理意義；B只有在場中沿一個閉合回路的積分 “ A d,才有確定的物理意義；C.只是一個輔助量，在任何情況下無物理意義；D.其值代表場中每一點磁場的渦旋程度。3.11 已知矢勢A A,則下列說法錯誤的是（D ）B. A和A是不可觀測量，沒有對應的物理

22、效應C.只有A的環(huán)量才有物理意義，而每點上的A值沒有直接物理意義（D ）A. A與A對應于同一個磁場BD.由磁場B能唯一地確定矢勢A3.12 在能夠引入磁標勢的區(qū)域內(nèi)A H 0 由， H 0 BC Hm/ , H 0 D0二、填空題3.1 靜磁場的場方程（B 0 - B3.2 在求解靜磁場問題時，能用磁標勢法的條件是無電流分布的單連通區(qū)。3.3 .矢勢A的定義式A （0）矢勢A的庫侖規(guī)范A。A的物理意義是3.4 B=V A，若B確定，則A不確定 （填確定或不確定）矢勢A沿一個閉合回路的積分等于該回路所圍曲面的磁通量。3.5 矢勢A滿足的微分方程為（2A J）。3.6 電流，激發(fā)的靜磁場總能量用

23、J和矢勢A可表示為（W1 J AdV ）。23.7 電流分布為J（X）的磁矩公式m （1口 J（如V）。三、判斷題22密度。（X）3.2 在庫侖規(guī)范下，任意兩介質(zhì)的界面處，矢勢是連續(xù)的。（，）3.3 因為電磁矢勢的散度可以任意取值，所以電磁場的規(guī)范有無窮多種。（V）3.4 8的磁性介質(zhì)表面為等勢面。（，）3.1 靜磁場的總能量可以表w 1J Ad示為其中1J A表示空間區(qū)域的能量3.5 在電子雙縫衍射實驗中，阿哈羅諾夫-玻姆效應描述的是：磁場的矢勢具有可 觀察的物理效應，它可以影響電子波束的相位，從而使干涉條紋發(fā)生移動。（V）3.6 穩(wěn)恒電流磁場引入磁標勢的充要條件是引入?yún)^(qū)各點J 0。（ X）

24、3.7 均勻磁化的鐵磁體的假想磁荷只能分布在表面上。（V）四、問答題3.1說明靜磁場用矢勢描述的原因和矢勢的意義。給出相應的微分方程和邊值關(guān)系。答：靜磁場B 0由矢量分析知：（A） 0,因而可令I(lǐng)B A, A即矢勢。微分方程2 A0J23 / 2516A）（線性介質(zhì)）邊值關(guān)系。A1A2,n (A2ss213. 2請簡要回答超導體的電磁性質(zhì)的兩個方面。（1）超導電性：當溫度降低到臨界溫度 Tc以下的時候，超導體的電阻降低 為零，在臨界溫度以上，物體處于正常狀態(tài)；（2）邁斯納效應：超導體內(nèi)部的磁 感應強度B=0,與超導體所經(jīng)過的歷史無關(guān)。當加上外磁場時，只要磁場強度不 超過He,則B不能進入超導體

25、內(nèi)。若把處于正常態(tài)的物體放置在磁場內(nèi)，當溫度 下降使物體轉(zhuǎn)變?yōu)槌瑢B(tài)時，B被排出超導體外。即在任何情況下，處于超導態(tài) 的物體內(nèi)部有B=0.第四章電磁波的傳播一、選擇題4.1亥姆霍茲方程2k20對下列哪種情況成立A.真空中一般電磁波B.自由空間中頻率一定的電磁波C.介質(zhì)中一般電磁波D.自由空間中頻率一定的簡諧波4.2 在一般非正弦變化電磁場情況下的均勻介質(zhì)內(nèi)D(t) E(t)的原因是A.介電常數(shù)是坐標的函數(shù)B.介電常數(shù)是頻率的函數(shù)C.介電常數(shù)是時間的函數(shù)D.介電常數(shù)是坐標和時間的函數(shù)26 / 25184.3 對于平面電磁波A.電場能花場能=E2B.電場能=2倍的磁場能C. 2倍的電場能=磁場能D

26、. 1c電場目匕=磁場目匕=E24.4 一平面電磁波在真空中傳播時,任一點的電能密度和磁能密度之比為:A. 2:1; B. 1:1; C. 1:4.5 電磁波斜入射到兩種介質(zhì)的界面時，其場強振幅的關(guān)系叫A.麥克斯韋公式；B.亥姆霍茲公式;C. 達朗貝爾公式；D.菲涅耳公式4.6 對于平面電磁波，下列哪一個公式正確A. S E B B.v C. EH D.4.7在自由空間傳播的平面波，下列說法錯誤的是A電場和磁場都與傳播方向垂直電場能量和磁場能量相等4.84.9C電磁場振幅正比于1/R (R為傳播距離)D關(guān)于全反射下列說法正確的是A.折射波的平均能流密度為零C.折射波的瞬時能流密度為零有關(guān)復電容

27、率的表達式為(AA.B.C.D.B.D.4.10有關(guān)復電容率電場和磁場振幅比為v反射波與入射波的瞬時能流密度相等反射波與入射波的平均能流密度相等i 一的描述正確的是(D )0A.代表位移電流的貢獻，它能引起電磁波功率的耗散B.代表傳導電流的貢獻，它能引起電磁波功率的耗散C.代表位移電流的貢獻，它能引起電磁波功率的耗散D.代表傳導電流的貢獻，它能引起電磁波功率的耗散4.11有關(guān)復電容率i 的描述正確的是28 / 2520A.實數(shù)部分代表位移電流的貢獻，它不能引起電磁波功率的耗散；虛數(shù) 部分是傳導電流的貢獻，它引起能量耗散B.實數(shù)部分代表傳導電流的貢獻，它不能引起電磁波功率的耗散；虛數(shù) 部分是位移

28、電流的貢獻，它引起能量耗散C.實數(shù)部分代表位移電流的貢獻，它引起電磁波功率的耗散；虛數(shù)部分 是傳導電流的貢獻，它不能引起能量耗散D.實數(shù)部分代表傳導電流的貢獻，它引起電磁波功率的耗散；虛數(shù)部分 是位移電流的貢獻，它不能引起能量耗散II4.12 導體中波矢量k " i",下列說法正確的是(B )A. k為傳播因子 B. 4為傳播因子 C. 為傳播因子D. 4為衰減因子4.13 良導體條件為(C )A.1 B.<<1 C.>>1 D.14.14 金屬內(nèi)電磁波的能量主要是(B )A.電場能量B.磁場能量C.電場能量和磁場能量各一半D. 一周期內(nèi)是電場能量，

29、下一周期內(nèi)則是磁場能量，如此循環(huán)4.15諧振腔的本征頻率表達式為mnp2p/ L3若L1L2 L3 ,則最低頻率的諧振波模為(B )A. (0,1,1) B. (1,1,0) C. (1,1,1) D. (1,0,0)4.16 矩形波導管邊長分別為 & b (已知a b),該波導管能傳播的最大波長為(C )A. aB. bC. 2aD. 2b4.17 電磁波在金屬中的穿透深度（C ）A、電磁波頻率越高，穿透越深；B、導體導電性越好，穿透越深；C、電磁波頻率越高，穿透越淺；D、穿透深度與頻率無關(guān)。二、填空題4.1 真空中光速c與0、 0的關(guān)系為（c y/rr）。4.2 介質(zhì)色散用介質(zhì)的、

30、來描述是（）= （）。4.4 波矢量k d id,其中相位常數(shù)是（衰減常數(shù)是（上）。4.5 電容率 i / ,其中實數(shù)部分 代表（位移）電流的貢獻，它不能引起電磁波功率的耗散，而虛數(shù)部分是（傳導）電流的貢獻，它引起能量耗散。 ii4.6 導體中的電磁波可引入復波矢量3 * i* ,則實部和虛部的關(guān)系式為（222.1）024.7 若一平面電磁波入射到理想導體表面上，則該電磁波的穿透深度 6為（_0_）。4.8 平面時諧電磁波 E E0ei（kx t）,則 E=（ ik E） , E = （ ik E）。4.9 平面電磁波的特性為：（電磁波為橫波、E和B都與傳播方向垂直：）:（E和_B_互相垂直，

31、 E B 沿波矢 k 的方向；）； （E 和 B 同相，振幅比為 v）。 i4.10 真空中平面電磁波的電場和磁場幅值分別為E和B,則其平均能量密度為4.11 以理想導體為邊界的有界空間中傳播的時諧電磁波，如由亥姆霍茲方程先4.12 電磁波在良導體中的穿透深度為（ J ） o4.13 良導體的條件是（一1）,理想導體的條件是（一 ）。4.14 電磁波入射到導體表面時，透入深度隨頻率增大而（減?。?。4.15 金屬內(nèi)電磁波的能量主要是（磁場能量）。4.16 電磁波若是高頻的，電磁場以及和它相互作用的高頻電流僅集中于導體表面很薄的一層內(nèi)，這種現(xiàn)象稱（趨膚效應）三、判斷題4.1 真空中，各種頻率的電磁

32、波均以相同的速度傳播。（V）4.2 在均勻介質(zhì)中傳播的時諧平面波的電場和磁場的振幅比為電磁波的傳播速度。（，）4.3 對于高頻電磁波，電磁場以及和它相互作用的高頻電流僅集中于導體表面很 薄的一層內(nèi)，這就是趨膚效應。（V）4.4 趨膚效應的實質(zhì)是電磁波與導體中自由電荷相互作用的結(jié)果。 相互作用引起 表層電流。這個表層電流使電磁波向空間反射， 一部分能量透入導體內(nèi)，形成導 體表面薄層電流，最后通過傳導電流把這部分能量耗散為焦耳熱。（ V）四、問答題4. 1簡述復電容率的定義式及其物理意義。答：i 實數(shù)部分 代表唯一電流的貢獻，它不引起電磁波功率的耗散，而虛數(shù)部分 是傳導電流的貢獻，它引起能量耗散。

33、第五章 電磁波的輻射一、選擇題5.1 對于變化電磁場能夠引入標量勢函數(shù)的依據(jù)是（B ）A E 0 B （E ） 0 C E0 D （E ） 0 tt5.2 下列論述中正確的是：（C ）A.達朗伯方程和麥克斯韋方程組是等效的B.達朗伯方程的解一定滿足麥克斯韋方程組；C.達朗伯方程加上洛倫茲條件才與麥克斯韋方程組等效D.達朗伯方程就是齊次的波動方程5.3 電磁場的規(guī)范變換為a. A A A ,一tb. . A A A ,一tc. AAA,d. AAA,一t5.4 關(guān)于輻射場正確的論述是a. e和b都與距離R2成正比;b. E和b都與距離R2成反比;C.如果選用庫侖規(guī)范，E仍滿足庫侖定律;D輻射功率P與距離無關(guān)，能量可以電磁波的形式傳播到遠處二、填空題5.1