士蘭微SVF4N60規(guī)格書(最新版)

1、士蘭微電子 SVF4N60D/F（G）/T/K/M/MJ（G） 說明書4A、600V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管描述SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJ/MJG N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓 VDMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得 該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿 耐量。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。特點(diǎn)? 4A， 600V， RDs（on） （典型值） =2.0 ? Vgs=10V? 低柵極電荷量? 低反向傳輸電容?開關(guān)速度快? 提升了 dv/

2、dt能力命名規(guī)則SVFXNEXXXG士蘭微電子 SVF4N60D/F（G）/T/K/M/MJ（G） 說明書lF-Cell.TXVDMOS產(chǎn)品凍識(shí)額定電流標(biāo)識(shí)，采用仇位數(shù)字; 例如：4代表4AJ0代視10A, 08代表0.8A溝道槌性標(biāo)觀N代表N溝道 無鹵 封裝外形標(biāo)識(shí).例如；T:TO-220 F:TO-220F：D:TO-252;K:TO-262M：TO-251D;MJ：TO-251J _額定耐壓值，采用2位數(shù)字一例如:60表示60Q認(rèn)65複示B50V 特殊功能、規(guī)格柿識(shí),通常省略 例如：E龍小-內(nèi)置了ESDffi-護(hù)結(jié)構(gòu)士蘭微電子 SVF4N60D/F（G）/T/K/M/MJ（G） 說明書士

3、蘭微電子 SVF4N60D/F（G）/T/K/M/MJ（G） 說明書產(chǎn)品規(guī)格分類產(chǎn)品名稱封裝形式打印名稱材料包裝SVF4N60TTO-220-3LSVF4N60T無鉛料管SVF4N60FTO-220F-3LSVF4N60F無鉛料管SVF4N60FGTO-220F-3LSVF4N60FG無鹵料管SVF4N60KTO-262-3LSVF4N60K無鉛料管SVF4N60DTO-252-2LSVF4N60D無鉛料管SVF4N60DTRTO-252-2LSVF4N60D無鉛編帶SVF4N60MJTO-251J-3LSVF4N60MJ無鉛料管SVF4N60MJGTO-251J-3LSVF4N60MJG無鹵

4、料管SVF4N60MTO-251D-3LSVF4N60M無鉛料管極限參數(shù)（除非特殊說明，Tc=25 °C）參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)范圍單位SVF4N60TSVF4N60F(G)SVF4N60D/MSVF4N60MJ(G)SVF4N60K漏源電壓Vds600V柵源電壓Vgs± 30V漏極電流Tc=25 °CId4.0ATc=100 °C2.5漏極脈沖電流Idm16A耗散功率（Tc=25 °C）-大于25 °C每攝氏度減少Pd10033778695W0.80.260.620.690.76W/ °C單脈沖雪崩能量（注1）Eas217mJ工

5、作結(jié)溫范圍Tj-55 +150°C貯存溫度范圍T stg-55 +150°C熱阻特性參數(shù)名稱符號(hào)參數(shù)范圍單位SVF4N60TSVF4N60F(G) S5VF4N6OD/MSVF4N6OMJ(G)SVF4N6OK芯片對(duì)管殼熱阻R e jc1.253.851.611.451.32°C/W芯片對(duì)環(huán)境的熱阻R e ja62.512011O11O62.5°C/W關(guān)鍵特性參數(shù)（除非特殊說明，Tc=25 °C）參數(shù)名稱符號(hào)測(cè)試條件最小值典型值最大值單位漏源擊穿電壓BVDSSVgs=0V , Id=250 卩 A6OO-V漏源漏電流IdssVds=600V ,

6、 Vgs=0V_1.Ou A柵源漏電流IgssVgs=± 3OV Vds=0V-± 1OOnA柵極開啟電壓VGS(th)Vgs= Vds , Id=250 卩 A2.O4.OV導(dǎo)通電阻RDS伽）Vgs=10V , Id=2A-2.O2.4?輸入電容C issVds=25V , Vgs=0V ,f=1.OMHZ449.7pF輸出電容Coss57反向傳輸電容C rss2.O開啟延遲時(shí)間td(on)Vdd=300V , Id=4A ,Rg=25?(注 2 , 3)16.8ns開啟上升時(shí)間tr26.2關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)37.4關(guān)斷下降時(shí)間tf2O.2柵極電荷量QVds=48

7、0V , Id=4A ,Vgs=10V(注 2 , 3)8.16nC柵極-源極電荷量Qgs2.63柵極-漏極電荷量Qgd3.O1士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書源-漏二極管特性參數(shù)參數(shù)名稱符號(hào)測(cè)試條件最小值典型值最大值單位源極電流IsMOS管中源極、漏極構(gòu)成的-4.0源極脈沖電流Ism反偏P-N結(jié)-16A源-漏二極管壓降VsDIs=4.0A , Vgs=0V-1.4V反向恢復(fù)時(shí)間TIs=4.0A , Vgs=0V ,-441.53-ns反向恢復(fù)電荷QrrdlF/dt=100A/ i s注 2)-1.98-1 C注:1. L=30mH , Ias=3.45A，

8、Vdd=155V，Rg=25?，開始溫度 Tj=25 °C;2. 脈沖測(cè)試： 脈沖寬度w 300 1,占空比w 2%3. 基本上不受工作溫度的影響。典型特性曲線士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書10流電極漏Vgs=5.5VVgs =6VVgs =7VVGS =8VVGS =10V:Vgs=15Vt_I | I圖1.輸出特性0.10.1變量Vgs =4.5VVgs=5V110漏源電壓-VDS(V)圖3.導(dǎo)通電阻vs.漏極電流和柵極電壓注：1.250 1S脈沖測(cè)試2.Tc=25°

9、;C00100100.1柵源電壓- v GS (V)注：1.250(1$脈沖測(cè)試2.VDS=50VIII丨6789 10一流電極漏圖2.傳輸特性55 ° C 25°C150°C一阻電通導(dǎo)源漏VGSVgs=10V=20V4.54.0I/Z注：=25°C3.53.02.52.01.5漏極電流-Id(A)流電極漏向反源漏電壓-Vsd(V)士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書典型特性曲線(續(xù))1000圖5.電容特性9008007006005004003002001

10、00010100漏源電壓-Vds(V)12 Vds =480V_ Vds =300VVds=120V鄉(xiāng)_f注:Id=4.0A圖6.電荷量特性10688642壓電源柵10總柵極電荷-Qg(nC)圖7.擊穿電壓vs.溫度特性1.2SSDVB 一化準(zhǔn)標(biāo)一壓電穿擊源漏1.11.00.9注：1. V gs =0V2. Id =250(iA3.00.8-100-50050100150200結(jié)溫-Tj( ° C)0.0/注：1. Vgs=10V2. I d=2.0A圖8.導(dǎo)通電阻vs.溫度特性2.52.01.51.00.5結(jié)溫-Tj( ° C)-100-50050100150200圖9-

11、1.最大安全工作區(qū)域(SVF4N60T)漏源電壓-V DS(V)AL-流電極漏圖9-2.最大安全工作區(qū)域(SVF4N60F(G)102漏源電壓-Vds(V)流電極漏士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書典型特性曲線(續(xù))圖9-4.最大安全工作區(qū)域 (SVF4N60MJ(G)10210-2103.單個(gè)脈沖101 102 漏源電壓-Vds(V)0(SVF4N60D/M)圖9-3.最大安全工作區(qū)域102 ,O 1 0 0-0 111-流電極漏10310-23.單個(gè)脈沖此區(qū)域工作受限于 R DS(ON)0

12、 1 0 0-0 111-流電極漏100101102103漏源電壓-Vds(V)漏源電壓-Vds(V)lAr.流電極漏I D流電漏圖10.最大漏電流vs.殼溫殼溫-Tc( ° C)士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書柵極電荷量測(cè)試電路及波形圖士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K

13、/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書開關(guān)時(shí)間測(cè)試電路及波形圖士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書EAS測(cè)試電路及波形圖士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書封裝外形圖TO-220F-3L單位:mmTO-262-3L2.54 TYPE8.84 土0.051 1 1 J h iio10.20 土 0.08TUA.CDOO 十土6|1OI.O 十一0

14、8.31.27 土 0.05-Q.8J 土 Q052.545 082.55 ±0.251L 0 i1rj iiF2.80 ±0.304.72 ±0.300.50 ±0.15單位：mm1.27 土 0.03 .4.70 土 0.082.69 土 0.100.42 士 0.05 .0.38 土 0.020-0 十-SO8士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書士蘭微電子SVF4N60D/F(G)/T/K/M/MJ(G) 說明書封裝外形圖（續(xù)）TO-252-2L單位：mmTO-220-3L5 0 十 土一316.60 士 0.35.10 5.46F-2.30 TYP0.76 士 0.100.45 0.65CLOO 十±>fo-Eject pin (notel )2.30 士 0.2030 十一16注：該位置分有頂針孔和無頂針孔兩種情況。單位：mmco.7o-6XAMb