模擬電子技術基礎：CH05-2 MOSFET放大電路

1、5.2 MOSFET放大電路放大電路5.2.1 MOSFET放大電路放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算直流偏置及靜態(tài)工作點的計算2. 圖解分析圖解分析3. 小信號模型分析小信號模型分析5.2.1 MOSFET放大電路放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算直流偏置及靜態(tài)工作點的計算（1）簡單的共源極放大電路）簡單的共源極放大電路（N溝道）溝道）直流通路直流通路共源極放大電路共源極放大電路5.2.1 MOSFET放大電路放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算直流偏置及靜態(tài)工作點的計算（1）簡單的共源極放大電路）簡單的共源極放大電路（N溝道）溝道）DDg2g1g2GSVRRRV 2)(TG

2、SnDVVKI dDDDDSRIVV 假設工作在飽和區(qū)，即假設工作在飽和區(qū)，即)(TGSDSVVV 驗證是否滿足驗證是否滿足)(TGSDSVVV 如果不滿足，則說明假設錯誤如果不滿足，則說明假設錯誤須滿足須滿足VGS VT ，否則工作在截止區(qū)，否則工作在截止區(qū)再假設工作在可變電阻區(qū)再假設工作在可變電阻區(qū))(TGSDSVVV 即即dDDDDSRIVV DSTGSnD )(vvVKI 2假設工作在飽和區(qū)假設工作在飽和區(qū)滿足滿足)(TGSDSVVV 假設成立。假設成立。解：解：V2V5406040 DDg2g1g2GSQ VRRRVmA2 . 0mA)12)(2 . 0()(22TGSnDQ VVK

3、IV2V)15)(2 . 0(5dDDDDSQ RIVV例：例：設設Rg1=60k ，Rg2=40k ，Rd=15k ，220V/mA.n K試計算電路的靜態(tài)漏極電流試計算電路的靜態(tài)漏極電流IDQ和漏源和漏源電壓電壓VDSQ 。VDD=5V， VT=1V，5.2.1 MOSFET放大電路放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算直流偏置及靜態(tài)工作點的計算（2）帶源極電阻的）帶源極電阻的NMOS共源極放大電路共源極放大電路2)(TGSnDVVKI 飽和區(qū)飽和區(qū)需要驗證是否滿足需要驗證是否滿足)(TGSDSVVV SGGSVVV )(2dDDDDSRRIVV )(SSSSDDg2g1g2VVVRRR

4、 )(SSDVRI 5.2.1 MOSFET放大電路放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算直流偏置及靜態(tài)工作點的計算靜態(tài)時，靜態(tài)時，vI0 0，VG 0 0，ID I電流源偏置電流源偏置 VS VG VGS 2TGSnD)(VVKI （飽和區(qū)）（飽和區(qū)） 5.2.1 MOSFET放大電路放大電路2. 圖解分析圖解分析由于負載開路，交流負由于負載開路，交流負載線與直流負載線相同載線與直流負載線相同 5.2.1 MOSFET放大電路放大電路3. 小信號模型分析小信號模型分析2TGSnD)(VKi v2TgsGSQn)(VVK v2gsTGSQn)(v VVK2gsngsTGSQn2TGSQn)(

5、2)(vvKVVKVVK （1）模型）模型DQI gsmvg 2gsnvK 靜態(tài)值靜態(tài)值（直流）（直流）動態(tài)值動態(tài)值（交流）（交流）非線性非線性失真項失真項 當當，vgs 2( 2(VGSQ- - VT ) )時，時，DQDIi gsmvg dDQiI 5.2.1 MOSFET放大電路放大電路3. 小信號模型分析小信號模型分析（1）模型）模型DQDIi gsmvg dDQiI gsmdvgi 高頻小信號模型高頻小信號模型3. 小信號模型分析小信號模型分析解：例解：例5.2.25.2.2的直流分析已的直流分析已求得：求得： mA5 . 0DQ IV2GSQ VV75. 4DSQ VV/mA1 V

6、/mA)12(5 . 02 )(2TGSQnm VVKg（2）放大電路分析）放大電路分析（例（例5.2.5）s3. 小信號模型分析小信號模型分析（2）放大電路分析）放大電路分析（例（例5.2.5）dgsmoRg vv )1()(mgsgsmgsiRgRg vvvvRgRgAmdmio1 vvvg2g1i/ RRR doRR SiiSiioSosRRRAA vvvvvvvvs3. 小信號模型分析小信號模型分析（2）放大電路分析）放大電路分析（例（例5.2.6）)/()/)(dsgsmgsdsgsmiorRgrRgAvvvvvv 1)/(1)/(dsmdsm rRgrRg)()/(1)/( SiidsmdsmSiioS