CIGS電池的緩沖層制作技術(shù)

1、 ZnS緩沖層提高CIGS太陽能電池轉(zhuǎn)換效率太陽能發(fā)電已逐步成為一種提供能源的重要方式，太陽能電池生產(chǎn)的一個重要要求就是尋找好的技術(shù)方案來提高發(fā)電效率。CIGS薄膜太陽能電池被認(rèn)為是當(dāng)今最有發(fā)展前景的電池之一，且有希望在短期內(nèi)成熟并成為具有成本競爭優(yōu)勢的技術(shù)。采用原子層沉積(ALD技術(shù)可以將CIGS太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率提高至少1%，這是通過沉積致密和高保形性的Zn(O,S緩沖層來實現(xiàn)的，使用原子層沉積(ALD技術(shù)可以方便地避免現(xiàn)有工藝流程中唯一的液相沉積步驟即化學(xué)浴(CBD工藝，這樣不僅簡化了生產(chǎn)步驟，并且顯著地降低了生產(chǎn)成本。芬蘭Beneq公司的TFS 1200設(shè)備是專為CIGS電池在線沉積

2、緩沖層而設(shè)計的鍍膜系統(tǒng)，該設(shè)備可以對1200毫米x1200毫米基板，以每小時12片和每年100000平方米的產(chǎn)能進(jìn)行生產(chǎn)，相當(dāng)于每年12兆瓦。緩沖層技術(shù)規(guī)格材料Zn(O,S (Zn,MgO 選擇項 In2S 3 選擇項厚度 10 50 nm工藝溫度120 180 °C產(chǎn)量和生產(chǎn)率 片數(shù)(對于Beneq TFS 1200 在線鍍膜系統(tǒng) 最大基底尺寸 年產(chǎn)能12 片/小時 (沉積30納米的 Zn(O,S薄膜 1200 × 1200 (mm大于100,000米2/年 (大于12兆瓦/年Beneq OyP.O. Box 262FI - 01511 VantaaFinlandBene

3、q China Beneq Germany Beneq USATel. +358 9 7599 530infoSales and Service Offices:Main Office:C I G S 4, C H /2010芬蘭倍耐克有限公司上海代表處上海張江高科碧波路690號2號樓401室Tel. +86 21 61042249Fax +86 21 61041423芬蘭倍耐克公司擁有所有解釋權(quán)利，如有更改恕不通知。Beneq 是芬蘭倍耐克公司的注冊商標(biāo)分別使用ALD技術(shù)制作的Zn(O,S和使用化學(xué)浴制作的CdS作為隔離層的CIGS電池量子效率對比曲線。ALD技術(shù)顯示，短波長區(qū)域的量子效率(

4、大的短路電流 Jsc 和長波長區(qū)域 (高的開路電壓 Voc 性能均得到改善。CIGS電池的緩沖層制作技術(shù)芬蘭Beneq公司 TFS 1200 在線鍍膜單元自2008年以來，芬蘭Beneq公司保持著ALD鍍膜基底尺寸的世界紀(jì)錄：1200 x 1200(毫米增加太陽能電池效率芬蘭Beneq公司利用原子層沉積(ALD技術(shù)制作的高帶寬和高透過率緩沖層，可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硫化鎘(CdS緩沖層，而且電池效率可以至少提高1%。使用ALD技術(shù)，可以調(diào)節(jié)和優(yōu)化CIGS電池緩沖層 中氧和硫(O/S的比例。ALD薄膜的固有特性：高保形性和無針孔，可以提高CIGS電池中的針孔隔離性能。適用于工業(yè)生產(chǎn)ALD技術(shù)為CIGS電池生產(chǎn)商提供了生產(chǎn)無鎘緩沖層電池的技術(shù)方案，更環(huán)保而且降低了工廠安全要求。生產(chǎn)工藝中不再需要化學(xué)浴(CBD工藝。ALD技術(shù)是干法工藝，無毒液、毒氣排出，不需要過多水處理措施，所以不需要水凈化設(shè)備。芬蘭Beneq公司的ALD設(shè)備可以與現(xiàn)有CIGS電池產(chǎn)線其他真空工藝無縫對接，基底在大氣中的暴露時間可以忽略。芬蘭Beneq公司TFS 1200鍍膜設(shè)備芬蘭Beneq公司的TFS 1200設(shè)備是可以與CIGS蒸鍍 或快速熱處理硒化生產(chǎn)線對接。30納米的Zn(O,S 沉積時間不到5分鐘。 ALD工藝更緊湊，而且比傳統(tǒng)的化學(xué)浴(CBD制作 C