電子封裝電阻外形尺寸

1、電子封裝電阻外形尺寸注：1mil = 1/1000英寸，1 英寸 = 2.539999918厘米電容電阻外形尺寸與電子封裝電解電容：可分為無(wú)極性和有極性?xún)深?lèi)，無(wú)極性電容下述兩類(lèi)封裝最為常見(jiàn)，即0805、0603；而有極性電容也就是我們平時(shí)所稱(chēng)的電解電容，一般我們平時(shí)用的最多的為鋁電解電容，由于其電解質(zhì)為鋁，所以其溫度穩(wěn)定性以及精度都不是很高，而貼片元件由于其緊貼電路版，所以要求溫度穩(wěn)定性要高，所以貼片電容以鉭電容為多，根據(jù)其耐壓不同，貼片電容又可分為A、B、C、D四個(gè)系列，具體分類(lèi)如下：類(lèi)型 封裝形式 耐壓 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V

2、無(wú)極性電容的封裝模型為RAD系列，例如“RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”“RAD-0.4”等，其后綴的數(shù)字表示封裝模型中兩個(gè)焊盤(pán)間的距離，單位為“英寸”。電解電容的封裝模型為RB系列，例如從“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”，其后綴的第一個(gè)數(shù)字表示封裝模型中兩個(gè)焊盤(pán)間的距離，第二個(gè)數(shù)字表示電容外形的尺寸，單位為“英寸”。PROTEL 99SE元件的封裝問(wèn)題2009-04-12 14:34元件封裝是元件在電路板是存在的形勢(shì)，F(xiàn)ootprint那欄是元件封裝欄，要自己輸入，比如電阻可以用AXIAL0.3等等 protel99常用元件的電氣圖形符號(hào)和封裝形式 1. 標(biāo)準(zhǔn)

3、電阻：RES1、RES2；封裝：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 兩端口可變電阻：RES3、RES4；封裝：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可變電阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封裝：VR1-VR5 2.電容：CAP（無(wú)極性電容）、ELECTRO1或ELECTRO2（極性電容）、可變電容CAPVAR 封裝：無(wú)極性電容為RAD-0.1到RAD-0.4，有極性電容為RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二極管：DIODE（普通二極管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二極管）、DUIDE TUNNEL（隧道二極管）DIODE VARCTOR（變?nèi)荻?/p>

4、極管）ZENER13（穩(wěn)壓二極管） 封裝：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已經(jīng)說(shuō)了，注意做PCB時(shí)別忘了將封裝DIODE的端口改為A、K） 4.三極管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引腳封裝：TO18、TO92A（普通三極管）TO220H（大功率三極管）TO3（大功率達(dá)林頓管） 以上的封裝為三角形結(jié)構(gòu)。T0-226為直線形，我們常用的9013、9014管腳排列是直線型的，所以一般三極管都采用TO-126啦！ 5、效應(yīng)管：JFETN（N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管），JFETP（P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）MOSFETN（N溝道增強(qiáng)型管）MOSFETP（P溝道增強(qiáng)型管） 引腳封裝形式與三極管同。

5、6、電感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通電感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可變電感） 8.整流橋原理圖中常用的名稱(chēng)為BRIDGE1和BRIDGE2，引腳封裝形式為D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.單排多針插座原理圖中常用的名稱(chēng)為CON系列，從CON1到CON60，引腳封裝形式為SIP系列，從SIP-2到SIP-20。 10.雙列直插元件原理圖中常用的名稱(chēng)為根據(jù)功能的不同而不同，引腳封裝形式DIP系列， 不如40管腳的單片機(jī)封裝為DIP40。 11.串并口類(lèi)原理圖中常用的名稱(chēng)為DB系列，引腳封裝形式為DB和MD

6、系列。 12、晶體振蕩器：CRYSTAL；封裝：XTAL1 13、發(fā)光二極管：LED；封裝可以才用電容的封裝。（RAD0.1-0.4） 14、發(fā)光數(shù)碼管：DPY；至于封裝嘛，建議自己做！ 15、撥動(dòng)開(kāi)關(guān)：SW DIP；封裝就需要自己量一下管腳距離來(lái)做！ 16、按鍵開(kāi)關(guān)：SW-PB：封裝同上，也需要自己做。 17、變壓器：TRANS1TRANS5；封裝不用說(shuō)了吧？自己量，然后加兩個(gè)螺絲上去。 最后在說(shuō)說(shuō)PROTEL 99 的原理圖庫(kù)吧！ 常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里 此外還有protel DOS schematic 4000 CMOS (4

7、000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A轉(zhuǎn)換元件) protel DOS schematic Comparator （比較器，如LM139之類(lèi)） protel DOS schematic intel (Intel 的處理器和接口芯片之類(lèi)) 電阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封裝屬性為axial系列無(wú)極性電容：cap;封裝屬性為RAD-0.1到rad-0.4電解電容：electroi;封裝屬性為rb.2/.4到rb.5/1.0電位器：pot1,pot2；封裝屬性為vr-1到vr-5二極管：封裝屬性為diode-0.4(

8、小功率)diode-0.7(大功率)三極管：常見(jiàn)的封裝屬性為to-18（普通三極管）to-22(大功率三極管)to-3(大功率達(dá)林頓管)電源穩(wěn)壓塊有78和79系列；78系列正電壓如7805，7812，7820等79負(fù)電壓系列有7905，7912，7920等常見(jiàn)的封裝屬性有to126h和to126v整流橋：BRIDGE1,BRIDGE2: 封裝屬性為D系列（D-44，D-37，D-46）電阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指電阻的長(zhǎng)度，一般用AXIAL0.4瓷片電容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指電容大小，一般用RAD0.1電解電容：RB.1/.2-RB.

9、4/.8 其中.1/.2-.4/.8指電容大小。一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二極管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二極管長(zhǎng)短，一般用DIODE0.4發(fā)光二極管：RB.1/.2集成塊：DIP8-DIP40, 其中指有多少腳，腳的就是DIP8 貼片電阻 0603表示的是封裝尺寸 與具體阻值沒(méi)有關(guān)系，但封裝尺寸與功率有關(guān)通常來(lái)說(shuō)如下：0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W電容電阻外形尺寸與封裝的對(duì)應(yīng)關(guān)系是：零件封裝是指實(shí)際零件焊接到

10、電路板時(shí)所指示的外觀和焊點(diǎn)的位置。是純粹的空間概念因此不同的元件可共用同一零件封裝，同種元件也可有不同的零件封裝。像電阻，有傳統(tǒng)的針插式，這種元件體積較大，電路板必須鉆孔才能安置元件，完成鉆孔后，插入元件，再過(guò)錫爐或噴錫（也可手焊），成本較高，較新的設(shè)計(jì)都是采用體積小的表面貼片式元件（SMD）這種元件不必鉆孔，用鋼膜將半熔狀錫膏倒入電路板，再把SMD元件放上，即可焊接在電路板上了。關(guān)于零件封裝我們?cè)谇懊嬲f(shuō)過(guò)，除了DEVICE。LIB庫(kù)中的元件外，其它庫(kù)的元件都已經(jīng)有了固定的元件封裝，這是因?yàn)檫@個(gè)庫(kù)中的元件都有多種形式：以晶體管為例說(shuō)明一下：晶體管是我們常用的的元件之一，在DEVICE。LIB庫(kù)

11、中，簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單的只有NPN與PNP之分，但實(shí)際上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是鐵殼子的TO3，如果它是NPN的2N3054，則有可能是鐵殼的TO-66或TO-5，而學(xué)用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，還有TO-5，TO-46，TO-52等等，千變?nèi)f化。還有一個(gè)就是電阻，在DEVICE庫(kù)中，它也是簡(jiǎn)單地把它們稱(chēng)為RES1和RES2，不管它是100還是470K都一樣，對(duì)電路板而言，它與歐姆數(shù)根本不相關(guān)，完全是按該電阻的功率數(shù)來(lái)決定的我們選用的1/4W和甚至1/2W的電阻，都可以用AXIAL0.3元件封裝，而功率數(shù)大一點(diǎn)的話，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等?，F(xiàn)將常

12、用的元件封裝整理如下：電阻類(lèi)及無(wú)極性雙端元件AXIAL0.3-AXIAL1.0無(wú)極性電容RAD0.1-RAD0.4有極性電容RB.2/.4-RB.5/1.0二極管DIODE0.4及 DIODE0.7石英晶體振蕩器XTAL1晶體管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)可變電阻（POT1、POT2）VR1-VR5當(dāng)然，我們也可以打開(kāi)C:Client98PCB98libraryadvpcb.lib庫(kù)來(lái)查找所用零件的對(duì)應(yīng)封裝。對(duì)于晶體管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶體管，就用TO3，中功率的晶體管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金屬殼的，就用TO-66，小功率的晶體管，就

13、用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管腳也長(zhǎng)，彎一下也可以。對(duì)于常用的集成IC電路，有DIPxx，就是雙列直插的元件封裝，DIP8就是雙排，每排有4個(gè)引腳，兩排間距離是300mil,焊盤(pán)間的距離是100mil。SIPxx就是單排的封裝。等等。值得我們注意的是晶體管與可變電阻，它們的包裝才是最令人頭痛的，同樣的包裝，其管腳可不一定一樣。例如，對(duì)于TO-92B之類(lèi)的包裝，通常是1腳為E（發(fā)射極），而2腳有可能是B極（基極），也可能是C（集電極）；同樣的，3腳有可能是C，也有可能是B，具體是那個(gè)，只有拿到了元件才能確定。因此，電路軟件不敢硬性定義焊盤(pán)名稱(chēng)（管腳名稱(chēng)），同樣的，場(chǎng)效應(yīng)

14、管，MOS管也可以用跟晶體管一樣的封裝，它可以通用于三個(gè)引腳的元件。Q1-B，在PCB里，加載這種網(wǎng)絡(luò)表的時(shí)候，就會(huì)找不到節(jié)點(diǎn)（對(duì)不上）。在可變電阻上也同樣會(huì)出現(xiàn)類(lèi)似的問(wèn)題；在原理圖中，可變電阻的管腳分別為1、W、及2，所產(chǎn)生的網(wǎng)絡(luò)表，就是1、2和W，在PCB電路板中，焊盤(pán)就是1，2，3。當(dāng)電路中有這兩種元件時(shí)，就要修改PCB與SCH之間的差異最快的方法是在產(chǎn)生網(wǎng)絡(luò)表后，直接在網(wǎng)絡(luò)表中，將晶體管管腳改為1，2，3；將可變電阻的改成與電路板元件外形一樣的1，2，3即可。 塑料封裝技術(shù) 摘要 塑料封裝是指對(duì)半導(dǎo)體器件或電路芯片采用樹(shù)脂等材料的一類(lèi)封裝，塑料封裝一般被認(rèn)為是非氣密性封裝。它的主要特點(diǎn)

15、是工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、便于自動(dòng)化大生產(chǎn)。塑料產(chǎn)品約占IC封裝市場(chǎng)的95%，并且可靠性不斷提高，在3GHz以下的工程中大量使用。標(biāo)準(zhǔn)塑料材料主要有約70%的填充料、18%環(huán)氧樹(shù)脂、外加固化劑、耦合劑、脫模劑等。各種配料成分主要取決于應(yīng)用中的膨脹系數(shù)、介電常數(shù)、密封性、吸濕性、強(qiáng)韌性等參數(shù)的要求和提高強(qiáng)度、降低價(jià)格等因素。 Plastic packaging is a means of semiconductor devices or circuit chips such as resin used for a class of packaging materials, plastic packa

16、ging generally found to be non-hermetic package. Its main feature is a simple process, low-cost and easy to automate large-scale production. IC packaging plastic products account for about 95% of the market, and continuously improve the reliability, and 3GHz in the following widely used in the proje

17、ct. Standard plastic materials, about 70% of the principal filler, epoxy resin and 18%, plus curing agent, coupling agent, such as release agent. The main components of a variety of ingredients depending on the application of expansion coefficient, dielectric constant, tightness, moisture absorption

18、, strength and toughness, and other parameters of the requirements and increase the intensity, lower prices and other factors.關(guān)鍵字 塑料封裝技術(shù) 發(fā)展引言電子封裝技術(shù)是微電子工藝中的重要一環(huán)，通過(guò)封裝技術(shù)不僅可以在運(yùn)輸與取置過(guò)程中保護(hù)器件還可以與電容、電阻等無(wú)緣器件組合成一個(gè)系統(tǒng)發(fā)揮特定的功能。按照密封材料區(qū)分電子封裝技術(shù)可以分為塑料和陶瓷兩種主要的種類(lèi)。陶瓷封裝熱傳導(dǎo)性質(zhì)優(yōu)良，可靠度佳，塑料的熱性質(zhì)與可靠度雖遜于陶瓷封裝，但它具有工藝自動(dòng)化自動(dòng)化、低成本、薄型化等優(yōu)

19、點(diǎn)，而且隨著工藝技術(shù)與材料的進(jìn)步，其可靠度已有相當(dāng)大的改善，塑料封裝為目前市場(chǎng)的主流。封裝技術(shù)的方法與原理 塑料封裝的流程圖如圖所示，現(xiàn)將IC芯片粘接于用腳架的芯片承載座上，然后將其移入鑄模機(jī)中灌入樹(shù)脂原料將整個(gè)IC芯片密封，經(jīng)烘烤硬化與引腳截?cái)嗪蠹纯傻玫剿璧某善?。塑料封裝的化學(xué)原理可以通過(guò)了解他的主要材料的性能與結(jié)構(gòu)了解。常用塑料封裝材料有環(huán)氧樹(shù)脂、硅氧型高聚物、聚酰亞胺等 環(huán)氧樹(shù)脂是在其分子結(jié)構(gòu)中兩個(gè)活兩個(gè)以上環(huán)氧乙烷換的化合物。它是穩(wěn)定的線性聚合物，儲(chǔ)存較長(zhǎng)時(shí)間不會(huì)固化變質(zhì)，在加入固化劑后才能交聯(lián)固化成熱固性塑料。硅氧型高聚物的基本結(jié)構(gòu)是硅氧交替的共價(jià)鍵和諒解在硅原子上的羥基。因此硅氧

20、型高聚物既具有一般有機(jī)高聚物的可塑性、彈性及可溶性等性質(zhì)，又具有類(lèi)似于無(wú)極高聚物石英的耐熱性與絕緣性等優(yōu)點(diǎn)。聚酰亞胺又被稱(chēng)為高溫下的“萬(wàn)能”塑料。它具有耐高溫、低溫，耐高劑量的輻射，且強(qiáng)度高的特點(diǎn)。塑料封裝技術(shù)的發(fā)展 塑封料作為IC封裝業(yè)主要支撐材料，它的發(fā)展，是緊跟整機(jī)與封裝技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展。 整機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)：輕、?。蓴y帶性）；高速化；增加功能；提高可靠性；降低成本；對(duì)環(huán)境污染少。封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)：封裝外形上向小、薄、輕、高密度方向發(fā)展；規(guī)模上由單芯片向多芯片發(fā)展；結(jié)構(gòu)上由兩維向三維組裝發(fā)展；封裝材料由陶封向塑封發(fā)展；價(jià)格上成本呈下降趨勢(shì)。 隨著高新技術(shù)日新月異不斷發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)不

21、斷促進(jìn)，所以對(duì)其環(huán)氧封裝材料提出了更加苛刻的要求，今后環(huán)氧塑封料主要向以下五個(gè)方面發(fā)展： 1 向適宜表面封裝的高性化和低價(jià)格化方向發(fā)展。為了滿(mǎn)足塑封料高性化和低價(jià)格，適宜這種要求的新型環(huán)氧樹(shù)脂不斷出現(xiàn)，結(jié)晶性樹(shù)脂，因分子量低，熔融粘度低，但熔點(diǎn)高具有優(yōu)良的操作性，適用于高流動(dòng)性的封裝材料。目前已經(jīng)有的結(jié)晶性環(huán)氧樹(shù)脂，為了得到適用于封裝材料的熔點(diǎn)范圍，多數(shù)接枝了柔軟的分子鏈段，但是成型性和耐熱性難以滿(mǎn)足封裝材料的要求，所以必須開(kāi)發(fā)新的結(jié)晶性的環(huán)氧樹(shù)脂。 2 向適宜倒裝型的封裝材料方向發(fā)展 。最近隨著電子工業(yè)的發(fā)展，作為提高高密度安裝方法，即所謂裸管芯安裝引起人們的高度重視。在裸管芯倒裝法安裝中，

22、為了保護(hù)芯片防止外界環(huán)境的污染，利用液體封裝材料。在液體封裝料中，要求對(duì)芯片和基板間隙的浸潤(rùn)和充填，因這種浸潤(rùn)和充填最終是通過(guò)毛細(xì)管原理進(jìn)行的，因此要求樹(shù)脂具有非常高的流動(dòng)性，同時(shí)無(wú)機(jī)填充率要降低。但液體封裝料與芯片之間的應(yīng)力會(huì)增大，因此要求塑封料必須具有低的線膨脹系數(shù)，現(xiàn)在國(guó)外采用具有萘環(huán)結(jié)構(gòu)的新型環(huán)氧樹(shù)脂制備塑封料。 3 BGA、CSP等新型封裝方式要求開(kāi)發(fā)新型材料。裸管芯安裝方法，雖然是實(shí)現(xiàn)高密度化封裝的理想方法，但目前仍有一些問(wèn)題，如安裝裝置和芯片質(zhì)量保證等，出現(xiàn)了一種新的封裝方式即 BGA或CSP，這是一種格子接頭方式的封裝，不僅可以實(shí)現(xiàn)小型化、輕量化而且可達(dá)到高速傳遞化，目前這種封

23、裝形式正處于快速增長(zhǎng)期。但這種工藝成型后在冷卻工藝出現(xiàn)翹曲現(xiàn)象，這是因?yàn)榛迮c封裝材料收縮率不同引起的?？朔椒ㄊ潜M量使封裝料與基板線膨脹系數(shù)接近，從封裝材料和基板粘合劑兩方面均需開(kāi)發(fā)新型塑封料的同時(shí)提高保護(hù)膜與材料的密著性。 4 高散熱性的塑封料。隨著電子儀器的發(fā)展，封裝材料散熱性的課題已提出，因?yàn)樗芊饬匣w材料 環(huán)氧樹(shù)脂屬于有機(jī)高分子材料，基于分子結(jié)構(gòu)的不同，熱傳導(dǎo)性的改善受到局限，因此從引線框架的金屬材料著手，采用42#銅合金，因?yàn)橛斜容^高的熱傳導(dǎo)率，銅合金引線框架表面有一層氧化膜，因此要求塑封料與之有良好的粘接密著性。國(guó)外有些廠家正在研究開(kāi)發(fā)，通過(guò)引入鏈段，提高范德瓦爾引力，以提高塑封

24、料與銅框架的引力。 5 綠色環(huán)保型塑封料：隨著全球環(huán)保呼聲日益高漲，綠色環(huán)保封裝是市場(chǎng)發(fā)展的要求，上海常祥實(shí)業(yè)采用不含阻燃劑的環(huán)氧樹(shù)脂體系或更高填充量不含阻燃劑的綠色環(huán)保塑封料已經(jīng)全面上市。也有一些國(guó)外公司正在試用含磷化合物,包括紅磷和瞵。 總之，隨著集成電路向高超大規(guī)模、超高速、高密度、大功率、高精度、多功能方向的迅速發(fā)展及電子封裝技術(shù)由通孔插裝（PHT）向表面貼裝技術(shù)發(fā)展，封裝形式由雙列直插（DIP）向（薄型）四邊引線扁平封裝（TQFP/QFP）和球柵陣列塑裝（PBGA）以及芯片尺寸封裝（CSP）方向發(fā)展，塑封料專(zhuān)家劉志認(rèn)為：塑封料的發(fā)展方向正在朝著無(wú)后固化、高純度、高可靠性、高導(dǎo)熱、高耐

25、焊性、高耐濕性、高粘接強(qiáng)度、低應(yīng)力、低膨脹、低粘度、易加工、低環(huán)境污染等方向發(fā)展。二封裝技術(shù)發(fā)展八大趨勢(shì)1 IC封裝正從引線封裝向球柵陣列封裝發(fā)展。2 BGA封裝正向增強(qiáng)型BGA、倒裝片積層多層基板BGA、帶載BGA等方向進(jìn)展，以適應(yīng)多端子、大芯片、薄型封裝及高頻信號(hào)的要求。4 晶圓級(jí)的封裝工藝(wafer level package，WLP)則采用將半導(dǎo)體技術(shù)與高密度封裝技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起，其工藝特點(diǎn)是：在硅圓片狀態(tài)下，在芯片表面再布線，并由樹(shù)脂作絕緣保護(hù)，構(gòu)成球形凸點(diǎn)后再切片。由此可以獲得真正與芯片尺寸大小一致的CSP封裝，以降低單位芯片的生產(chǎn)成本。5 為適應(yīng)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的以手機(jī)、筆記本電

26、腦、平板顯示等為代表的便攜式電子產(chǎn)品的需求，IC封裝正在向著微型化、薄型化、不對(duì)稱(chēng)化、低成本化方向發(fā)展。6 為了適應(yīng)綠色環(huán)保的需要，IC封裝正向無(wú)鉛化、無(wú)溴阻燃化、無(wú)毒低毒化方向快速發(fā)展。7 為了適應(yīng)多功能化需要，多芯片封裝成為發(fā)展潮流，采用兩芯片重疊，三芯片重疊或多芯片疊裝構(gòu)成存儲(chǔ)器模塊等方式，以滿(mǎn)足系統(tǒng)功能的需要。8 三維封裝可實(shí)現(xiàn)超大容量存儲(chǔ)，有利于高速信號(hào)傳播，最大限度地提高封裝密度，并有可能降低價(jià)格，因此，它將成為發(fā)展高密度封裝的一大亮點(diǎn)。其它封裝技術(shù)1 多芯片（MCP）封裝。多芯片封裝（MCP，Multichip Package），許多FLASH就是采用這種封裝，通常把ROM和RA

27、M封裝在一塊兒。多芯封裝（MCP）技術(shù)是在高密度多層互連基板上，采用微焊接、封裝工藝將構(gòu)成電子電路的各種微型元器件(裸芯片及片式元器件)組裝起來(lái)，形成高密度、高性能、高可靠性的微電子產(chǎn)品(包括組件、部件、子系統(tǒng)、系統(tǒng))。它是為適應(yīng)現(xiàn)代電子系統(tǒng)短、小、輕、薄和高速、高性能、高可靠、低成本的發(fā)展方向而在PCB和SMT的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新一代微電子封裝與組裝技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成的有力手段。2 PGA（Pin Grid Array）與PAC（Pad Array Carrier）。圖1-8（a）描述了LCC（Leadless Chip Carrier）與PAC的差別。顯然，隨著有源器件I/O管腳的增加，

28、對(duì)于I/O管腳分布在四周的封裝形式，其整個(gè)尺寸也以驚人的速度龐大起來(lái)，這與封裝尺寸最小化趨勢(shì)背道而馳。從圖1-8（b）可以看出不同封裝形式的管腳數(shù)與芯片表面積的變化關(guān)系。很明顯，對(duì)于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的I/O管腳數(shù)超過(guò)100時(shí)，PGA和PAC封裝具有不可替代的優(yōu)勢(shì)。3球形陣列封裝BGA是封裝形式的一大進(jìn)步，封裝材料有塑料或陶瓷等。PBGA的焊球一般為可回流的共晶合金Sn62Pb36Ag2或Sn63Pb37，在焊接時(shí)自對(duì)中能力很好；CBGA和TBGA的焊球?yàn)镾n10Pb60，熔點(diǎn)溫度很高（304度左右），在回流焊時(shí)不會(huì)融化，其自對(duì)中能力較差。隨著無(wú)鉛化的逐步實(shí)施，大部分BG

29、A器件開(kāi)始采用SnAgCu作為引腳材料。4倒裝芯片 (Flip-Chip)。倒裝芯片是一種IC芯片與下一級(jí)封裝連接的技術(shù)。IC的活化面對(duì)著基板，在封裝效率方面，倒裝芯片技術(shù)達(dá)到了減少芯片尺寸的終點(diǎn)。倒裝芯片的圖電技術(shù)包括鍍金屬凸點(diǎn)、金柱、金屬柱加聚合物、銅柱、焊料凸點(diǎn)和聚合物凸點(diǎn)等。倒裝芯片的鍵合工藝包括熱壓、各向異性導(dǎo)電膠（ACA）、各向同性導(dǎo)電膠（ICA）、非導(dǎo)電膠和焊接等。結(jié)論封裝技術(shù)作為信息產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)在在產(chǎn)品中發(fā)揮著很大的作用。具體來(lái)說(shuō)有封裝市場(chǎng)巨大，決定產(chǎn)品性能、可靠性、壽命、成本等。現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)在某種意義上主要就是電子封裝業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，它在一定程度上決定著現(xiàn)代工業(yè)化的水平

30、。而作為封裝技術(shù)的主流塑料封裝技術(shù)的發(fā)展更加至關(guān)重要。每年都有大量的資金投入到塑料封裝技術(shù)的改進(jìn)與研發(fā)中，可以預(yù)見(jiàn)在將來(lái)塑料封裝技術(shù)將以更加完美的姿態(tài)應(yīng)用在我們生活的方方面面。參考文獻(xiàn)微系統(tǒng)封裝技術(shù)概論 金玉豐 王志平編著 微電子材料與制程 陳力俊主編 微電子工藝基礎(chǔ) 李薇薇 王勝利 劉玉玲編著在電子產(chǎn)品行業(yè)中電子封裝工藝技術(shù)的重要性電子產(chǎn)品行業(yè)成長(zhǎng)最快的三大版塊，囊括“測(cè)試與測(cè)量”、“電子部件 ”和“電子封裝工藝”.近十年來(lái)，無(wú)限元仿真已被推行到微電子封裝（含板級(jí)與微系統(tǒng)拼裝）方案與靠得住性分析的范圍。無(wú)限元仿真豈但能夠正在多種規(guī)范作機(jī)器應(yīng)力及形變分析，還能夠作熱傳分析，甚至是熱傳與工具嚙合

31、分析.電子封裝產(chǎn)品的檢測(cè)也非常主要，要有罕用元機(jī)件的檢測(cè)要領(lǐng)和經(jīng)歷。電子燒結(jié)工藝正常材料有非金屬，金屬燒結(jié)，玻璃燒結(jié)陶瓷，玻璃等，是由重型電子燒結(jié)爐燒結(jié)的產(chǎn)品，其比熱，材料的用量，溫度，氣體的供給都密沒(méi)有可分，假如內(nèi)中哪個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)了問(wèn)題，那燒結(jié)出的產(chǎn)品將會(huì)拋棄。所以電子封裝這個(gè)行業(yè)必須要掌握著一定的技能手段，同時(shí)電子封裝事業(yè)的利潤(rùn)也是碩大的，成本不到幾塊的產(chǎn)品將會(huì)賣(mài)幾十甚至幾百等。這個(gè)新起的事業(yè)將會(huì)給電子事業(yè)帶來(lái)巨大的發(fā)展。 電子封裝，電子燒結(jié)技術(shù)在電子產(chǎn)品中的歷史演變電子封裝界廣泛展望21百年的頭十年將迎來(lái)微電子封裝技能的第四個(gè)前進(jìn)階段3D 疊層封裝時(shí)期-其專(zhuān)人性的貨物將是零碎級(jí)封裝，它正在

32、封裝觀點(diǎn)上發(fā)作了反動(dòng) 性的變遷，從本來(lái)的封裝部件概念演化成封裝零碎它是將多個(gè)芯片和能夠的無(wú)源部件集成正在同一封裝內(nèi)， 構(gòu)成存正在零碎性能的模塊，因此能夠完成較高的功能密度、更高的集成度、更 小的利潤(rùn)和更大的靈敏性。隨著信息時(shí)期的到來(lái)，電子輕工業(yè)失去了快速前進(jìn)，電腦、挪動(dòng)電話等貨物的疾 速提高，使得電子財(cái)物變化最有目共睹和最具前進(jìn)后勁的財(cái)物之一，電子產(chǎn)物的 前進(jìn)也牽動(dòng)了與之親密有關(guān)的電子封裝業(yè)的前進(jìn)，其主要性越來(lái)越一般。電子封裝已從晚期的為芯片需要機(jī)器支持、掩護(hù)和電熱聯(lián)接性能，逐步融人到芯片打造 技能和零碎集成技能之中。電子產(chǎn)品行業(yè)的前進(jìn)離不了電子封裝的前進(jìn)，20百年最 初二十年，隨著微電子、光

33、電子輕工業(yè)的劇變，為封裝技能的前進(jìn)創(chuàng)舉了許多時(shí) 機(jī)和應(yīng)戰(zhàn)，各族保守的封裝技能一直出現(xiàn)，電子燒結(jié)技術(shù)曾經(jīng)變化20年前進(jìn) 最快、使用最廣的技能之一。 電子產(chǎn)品在電子加工過(guò)程的生產(chǎn)流通手段電子加工是正在流通中對(duì)生產(chǎn)的輔佐性加工，從那種意思來(lái)講它是生產(chǎn)的持續(xù)，實(shí)踐是消電子產(chǎn)品工藝正在前進(jìn)畛域的持續(xù),要有工人高明的技能，還要有準(zhǔn)確的加工電子封裝工藝流程。準(zhǔn)確的工藝規(guī)定有益于保障電子燒結(jié)工藝貨物品質(zhì)，帶領(lǐng)車(chē)價(jià)的生產(chǎn)任務(wù)，便于方案和機(jī)構(gòu)消費(fèi)，充散發(fā)揮設(shè)施的應(yīng)用率,同業(yè)中，我公司產(chǎn)品質(zhì)良最穩(wěn)物以求到達(dá)最高的工藝水平面,公司配系最全（電子燒結(jié)爐等）,效勞最周到，公司內(nèi)裝備有存戶(hù)歇宿地等,咱們說(shuō)微電子技能與電子封裝工藝息息有關(guān)。除非以特色分寸為專(zhuān)人的加工工藝技能之外，再有設(shè)計(jì)技術(shù)，掌握各種配比溫度以及有關(guān)的化學(xué)比率來(lái)配合，該署技能的前進(jìn)必將使微電子封裝工藝接續(xù)高速增加. 社會(huì)再發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)再發(fā)展，那電子封裝行業(yè)呢？隨著微電子機(jī)械系統(tǒng)器件和微電子集成電路的不斷發(fā)展，電子封裝起到了