高精度數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型TDC在高能物理實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用

1、第29卷 第1期 核 技 術(shù) Vol. 29, No.1 2006年1月 NUCLEAR TECHNIQUES January 2006高精度數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型TDC在高能物理實(shí)驗(yàn)中應(yīng)用的研究劉樹(shù)彬 郭建華 張艷麗 趙 龍 安 琪（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)近代物理系快電子學(xué)實(shí)驗(yàn)室 合肥 230026）摘要 目前國(guó)際國(guó)內(nèi)高能物理方面時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換的發(fā)展趨勢(shì)是使用集成的、高精度、多次擊中型TDC，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型TDC（Data Driven TDC）是其中的熱點(diǎn)。研究高性能TDC的具體指標(biāo)以及改進(jìn)的方法對(duì)高能物理實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用具有指導(dǎo)作用。我們對(duì)北京譜儀（BES III）中考慮使用的一種新型高精度TDC進(jìn)行了測(cè)量研究。本

2、文介紹了我們?yōu)榇私⒌臏y(cè)量平臺(tái)，和對(duì)該TDC進(jìn)行非線性、分辨率、雙脈沖分辨等測(cè)量的手段和結(jié)果，探討了對(duì)其進(jìn)行甚高精度（24.4ps）修正的方法，給出了修正的效果。 關(guān)鍵詞 HPTDC，時(shí)間分辨率，碼密度測(cè)量，非線性，線延遲測(cè)量，修正 中圖分類號(hào) TN0飛行時(shí)間（Time of Flight，TOF）測(cè)量是當(dāng)前高能物理實(shí)驗(yàn)中帶電粒子鑒別的一個(gè)基本測(cè)量手段，提高飛行時(shí)間測(cè)量的精度一直是國(guó)內(nèi)、外高能物理界研究人員不懈追求的目標(biāo)。隨著物理實(shí)驗(yàn)?zāi)芰康奶岣?，要求時(shí)間數(shù)字變換的分辨率大大提高。例如，目前正在升級(jí)中的北京正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)（BEPC II）和北京譜儀（BES III）設(shè)計(jì)在-粲能區(qū)，物理目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)

3、弱電相互作用研究、強(qiáng)相互作用研究以及新物理的尋找等。為實(shí)現(xiàn)K/粒子的分辨，對(duì)桶部TOF探測(cè)系統(tǒng)的時(shí)間分辨率要求為均方根值（RMS）=90ps，考慮到TOF 本征時(shí)間分辨、束團(tuán)時(shí)間的不確定性、束團(tuán)長(zhǎng)度形成的對(duì)撞時(shí)刻的不確定性、粒子擊中閃爍體的Z向定位的不確定性、預(yù)期飛行時(shí)間不確定性以及電子學(xué)閾效應(yīng)的時(shí)間修正過(guò)程等誤差，要求TOF電子學(xué)時(shí)間測(cè)量的分辨率應(yīng)好于25ps1。而且隨著加速器束流亮度的提高，以及提高探測(cè)效率的需要，要求死時(shí)間也盡可能小，例如BES III的事例率在每通道4K/s左右。同時(shí)，為減小體積與功耗，希望盡可能采用溫度穩(wěn)定和長(zhǎng)時(shí)間工作穩(wěn)定的集成電路。原有的時(shí)間測(cè)量方法已經(jīng)越來(lái)越不能滿

4、足高能物理研究的發(fā)展需要了：或者因?yàn)闀r(shí)間分辨率低（如普通計(jì)數(shù)式TDC）；或者因死時(shí)間大（如游標(biāo)尺型TDC、時(shí)間擴(kuò)展內(nèi)插TDC）；或者因穩(wěn)定性差（如時(shí)幅變換TDC）2；或者因集成度低（如時(shí)幅變換TDC）等。高能物理實(shí)驗(yàn)中，通常是一次對(duì)撞產(chǎn)生多個(gè)擊中事例，數(shù)據(jù)高速數(shù)據(jù)的采集、傳輸、處理研究收稿日期：2004-12-02，修回日期：2005-01-14采集時(shí)通常把對(duì)撞時(shí)刻作為起始信號(hào)，而產(chǎn)生的次級(jí)粒子擊中在探測(cè)器上的時(shí)刻作為停止信號(hào)。也就是說(shuō)，高能物理實(shí)驗(yàn)中的起始停止信號(hào)不是一一對(duì)應(yīng)，因此，傳統(tǒng)的起始停止型TDC使用并不方便。目前集成TDC設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是時(shí)間標(biāo)志型（Time Stamp）TDC，由TD

5、C的各通道記錄擊中事例的時(shí)間，而對(duì)撞點(diǎn)時(shí)間則由其它物理途徑推導(dǎo)出來(lái)。時(shí)間標(biāo)志型TDC一般有兩種結(jié)構(gòu)形式：流水線型（Pipeline TDC）或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型（Data Driven TDC）3。流水線型TDC結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但每個(gè)時(shí)鐘周期都存儲(chǔ)一個(gè)數(shù)據(jù)，無(wú)論是否有事例擊中信號(hào)（hit）。因緩存大小限制，觸發(fā)延遲時(shí)間受到限制，而且不適用于無(wú)觸發(fā)判選信號(hào)的系統(tǒng)中。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型TDC只在有一個(gè)擊中事例時(shí)才會(huì)在緩存中有記錄，觸發(fā)延遲時(shí)間范圍大，無(wú)論有無(wú)觸發(fā)判選信號(hào)的系統(tǒng)都適用3,4。CERN微電子組最近研制的高性能時(shí)間測(cè)量芯片（High Performance TDC，簡(jiǎn)稱HPTDC）就是這種類型的TDC，為滿足

6、BES III的實(shí)驗(yàn)需求，TOF電子學(xué)中準(zhǔn)備采用HPTDC進(jìn)行時(shí)間測(cè)量。 1 HPTDC簡(jiǎn)介HPTDC是0.25µm的CMOS工藝制造的32通道數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型TDC芯片。其設(shè)計(jì)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)具有多次擊中能力的高精度時(shí)間數(shù)字變換。它使用外部40MHz時(shí)鐘，利用芯片內(nèi)部的PLL（Phase Locked第一作者：劉樹(shù)彬，男，1975年出生，2002年6月于中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲博士學(xué)位，現(xiàn)為中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)講師，物理電子學(xué)專業(yè)，主要從事第1期劉樹(shù)彬等：高精度數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型TDC在高能物理實(shí)驗(yàn)中應(yīng)用的研究 73Loop，鎖相環(huán)）把時(shí)鐘倍頻對(duì)計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)，同時(shí)利用DLL（Delay Locked Loop）時(shí)

7、間內(nèi)插（Interpolation）技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)低精度（781ps）、中精度（195ps）、高精度（97.7ps）的時(shí)間數(shù)字變換。再利用可調(diào)的RC延時(shí)內(nèi)插手段實(shí)現(xiàn)LSB為24.4ps的8通道甚高精度時(shí)間數(shù)字變換，其動(dòng)態(tài)范圍達(dá)21bit。而且RC延時(shí)受溫度變化影響小。由于采用了數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型結(jié)構(gòu)，其雙脈沖分辨（Double Pulse Resolution）非常小，能保證不大于10ns，因此最大擊中的事例率可達(dá)每通道2MHz8MHz的速率（根據(jù)使用通道數(shù)和內(nèi)核頻率不同）5。HPTDC輸入/輸出信號(hào)為L(zhǎng)VDS或LVTTL電平，可同時(shí)測(cè)量信號(hào)的上升/下降沿時(shí)刻，須利用JTAG方式配置。除了BES II

8、I考慮采用HPTDC以BNL的RICH（STAR）外，CERN的ALICE實(shí)驗(yàn)6、實(shí)驗(yàn)7等也準(zhǔn)備在其TOF電子學(xué)上使用HPTDC進(jìn)行時(shí)間測(cè)量。但是，由于高速數(shù)字部分對(duì)模擬部分的串?dāng)_，HPTDC實(shí)際測(cè)量精度不能直接滿足實(shí)驗(yàn)要求。尤其在甚高精度（24.4ps）模式下，實(shí)際分辨率為RMS=58ps5。為了確定HPTDC能否滿足BES III中的測(cè)量需要，我們需要對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，并探索達(dá)到24.4ps分辨率的方法。 2 測(cè)試系統(tǒng)的建立為了能夠測(cè)試HPTDC在各種精度模式下的非線性和最高分辨率，我們建立了一套基于VME總線的測(cè)試系統(tǒng)。主要包括一個(gè)HPTDC試驗(yàn)測(cè)試板8、一個(gè)高精度信號(hào)發(fā)生器9、一個(gè)JTAG

9、控制器、軟件10以及相應(yīng)的數(shù)據(jù)處理軟件。HPTDC實(shí)驗(yàn)測(cè)試板如圖1所示。待測(cè)芯片是最新版本（Ver1.3）的HPTDC，它測(cè)量hit信號(hào)的前沿時(shí)刻；由一片Altera公司的FPGA控制，包括以令牌環(huán)方式從HPTDC讀出數(shù)據(jù)、緩存并與VME總線接口等功能；同時(shí)為了測(cè)試時(shí)間放大以獲得更高的時(shí)間分辨率，在試驗(yàn)板上留了時(shí)間放大電路板和集成時(shí)間放大電路芯片的位置；為能提供多樣的時(shí)鐘選擇測(cè)試，選擇了Micrel公司的SY89828LHI芯片，可以選擇LVDS/LVPECL/LVTTL的時(shí)鐘分別送給各部分。整個(gè)電路板的設(shè)計(jì)過(guò)程中充分考慮了各信號(hào)尤其是時(shí)鐘信號(hào)和hit信號(hào)的信號(hào)完整性，而且利用電路仿真軟件進(jìn)行

10、了詳細(xì)的仿真和修改8，以盡量減少電路帶來(lái)的測(cè)量誤差。高精度信號(hào)發(fā)生器也是一個(gè)基于VME總線的電路板，它能夠提供高精度、低抖動(dòng)的時(shí)鐘信號(hào)和hit信號(hào)以及觸發(fā)、復(fù)位等輔助信號(hào)。為了測(cè)試HPTDC的分辨率，該電路板要求能夠提供可控延時(shí)的雙hit脈沖9。圖1 HPTDC試驗(yàn)板框圖Fig.1 Block diagram of HPTDC test boardHPTDC的初始化需要配置646個(gè)內(nèi)部寄存位，而且配置和狀態(tài)檢查只能通過(guò)JTAG方式實(shí)現(xiàn)，因此我們專門(mén)設(shè)計(jì)了基于計(jì)算機(jī)并口的JTAG控制器和相應(yīng)軟件10。通過(guò)VME獲得測(cè)試數(shù)據(jù)后，用MATLAB軟件編程對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。 3 測(cè)試項(xiàng)目及結(jié)果HPTDC在

11、BES III的TOF電子學(xué)中的應(yīng)用是甚高精度（24.4ps）模式。因此，我們的測(cè)試重點(diǎn)是HPTDC在甚高精度模式下的非線性、時(shí)間分辨率以及它的雙脈沖分辨。 3.1非線性測(cè)試HPTDC的非線性指標(biāo)，包括微分非線性（DNL）和積分非線性（INL）。傳統(tǒng)起始停止型TDC的非線性測(cè)量，是通過(guò)高精度信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于TDC測(cè)量精度的脈沖信號(hào)，來(lái)觀察TDC測(cè)量值與實(shí)際時(shí)間的偏差。HPTDC動(dòng)態(tài)范圍非常大（52µs），如果直接測(cè)量工作量將非常龐大，是不現(xiàn)實(shí)的。我們利用ADC測(cè)試中標(biāo)準(zhǔn)的碼密度測(cè)試（Code Density Test，CDT）方法11,12進(jìn)行測(cè)量：產(chǎn)生足夠多的，在測(cè)量動(dòng)態(tài)范圍

12、內(nèi)平均分布的隨機(jī)信號(hào)送給TDC作為hit信號(hào)，并把讀出的數(shù)據(jù)做直方圖統(tǒng)計(jì)，該直方圖的bin對(duì)應(yīng)于TDC的LSB，那么每個(gè)bin中統(tǒng)計(jì)的數(shù)目應(yīng)正比于TDC實(shí)際的bin寬度。從統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中我們可以得出DNL和INL。CDT需要的隨機(jī)hit信號(hào)不容易得到，我們以高精度信號(hào)發(fā)生器的時(shí)鐘為同步產(chǎn)生hit信號(hào)，而74 核 技 術(shù) 第29卷HPTDC的時(shí)鐘則用板上的獨(dú)立晶振作為時(shí)鐘源，讓高精度信號(hào)發(fā)生器的時(shí)鐘與HPTDC板晶振不相關(guān)，例如前者為41MHz，后者為40MHz，而且兩者不同步，這樣hit信號(hào)近似為CDT需要的隨機(jī)信號(hào)。由測(cè)試結(jié)果看來(lái)，HPTDC的非線性（DNL和INL）呈現(xiàn)以25ns為周期循環(huán)的態(tài)

13、勢(shì)，恰好對(duì)應(yīng)于其邏輯時(shí)鐘的周期：圖2是測(cè)試了2048個(gè)bin的非線性（DNL和INL），可見(jiàn)其以1024個(gè)bin為周期循環(huán)（每bin對(duì)應(yīng)24.4ps，25ns/24.4ps1024）。這種特點(diǎn)使得我們可以只測(cè)量HPTDC低10位的非線性，從而可以大大減少進(jìn)行碼密度測(cè)試時(shí)需要的獲取的樣本數(shù)。后面將介紹，這種特點(diǎn)同樣也給我們進(jìn)行非線性的修正帶來(lái)了方便。2.0 1.5 1.0 0.5 0 -0.5 -1.0本文第4部分對(duì)此做了研究。 3.2時(shí)間分辨率測(cè)試0 500 1000 1500 2000 2500Code 1: 2047(a) DNL對(duì)HPTDC這種時(shí)間標(biāo)志（Time stamp）型TDC與普

14、通起始停止型TDC的時(shí)間分辨率測(cè)試手段2略有不同，是通過(guò)線延遲測(cè)試（Cable Delay把隨機(jī)產(chǎn)生的hitMeasurement Test）方法測(cè)量的5：信號(hào)用功率分配器分開(kāi)后，一路直接送到一個(gè)HPTDC通道；而另外一路通過(guò)一個(gè)電纜延遲后送到另外一個(gè)通道。兩個(gè)通道測(cè)量差值的均方根值（RMS）可以代表該TDC的時(shí)間分辨率。當(dāng)然，因?yàn)檫@是對(duì)兩個(gè)通道hit測(cè)量值之差的統(tǒng)計(jì)，因此，應(yīng)該是以這個(gè)RMS值的2表示這兩個(gè)通道時(shí)間分辨率的平均值。圖3（a）是我們用一條延時(shí)約為8ns的電纜對(duì)HPTDC測(cè)試板做的線延遲測(cè)試。由圖3可見(jiàn)，HPTDC的分辨率約在81.7ps/1.414= 57.8ps。18 16

15、14 12 10 8 6 4 2 0×104Mean: 8407.4966 ps RMS: 81.6907 ps8422.85162 0 -2 -4 -6 -88150 8250 8350 8450 8550 8650ps(a) Before compensation×1056 54Mean: 8407.4966 ps RMS: 16.1403 ps8340 8380 8420 8460 8500ps(b) After compensation 圖3 HPTDC的線延遲測(cè)試8401.6297-10-120 500 1000 1500 2000 2500Code 0: 204

16、7 (b) INL圖2 HPTDC甚高精度模式下的DNL和INL Fig.2 DNL and INL in HPTDCs very high resolution mode3 2 1 0由圖2可見(jiàn)：HPTDC在甚高精度模式下最差DNL高達(dá)2LSB，INL高達(dá)10LSB，非線性指標(biāo)比較差。尤其在圖中的后半部分，DNL和INL都有非常大的突起，經(jīng)過(guò)分析，這是由于TDC碼寬的不均勻性造成的，這種不均勻性的累計(jì)造成了比較大的INL，尤其是甚高精度下如此大的INL，必然會(huì)對(duì)HPTDC的分辨率造成壞的影響，因此如果我們能夠針對(duì)此進(jìn)行修正，必然會(huì)對(duì)其分辨率有所提高，8300Fig.3 The cable d

17、elay test for HPTDC第1期 劉樹(shù)彬等：高精度數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型TDC在高能物理實(shí)驗(yàn)中應(yīng)用的研究 75當(dāng)電纜延遲為25ns或者它的倍數(shù)的情況下，線延遲測(cè)試會(huì)給出非常好的結(jié)果，不能完全表明（由表1也可以看出這點(diǎn)) 。HPTDC的實(shí)際分辨率5因此我們應(yīng)使用多條不同延遲的電纜來(lái)進(jìn)行這種測(cè)試。我們使用測(cè)試系統(tǒng)中的高精度信號(hào)發(fā)生器9產(chǎn)生兩個(gè)固定延時(shí)hit信號(hào)送給HPTDC，而且精確控制這兩個(gè)hit信號(hào)的延遲時(shí)間掃描一段時(shí)間范圍，把所有延遲情況下HPTDC測(cè)得的RMS值統(tǒng)計(jì)表1中第2、5列所示。 的兩個(gè)hit信號(hào)HPTDC都能夠區(qū)分。可見(jiàn)HPTDC能夠達(dá)到很好的雙脈沖分辨時(shí)間，有利于提高探測(cè)效率。

18、 4 甚高精度的結(jié)果修正（Compensation） 在3.2中我們看到，HPTDC在24.4ps的模式下，時(shí)間分辨率RMS高達(dá)62ps多，不能滿足TOF電子學(xué)的要求，這是由于3.1中所示的，碼寬不均勻造成的非線性的原因?？紤]到ADC/TDC的積分表1 HPTDC時(shí)間分辨率測(cè)試結(jié)果表 非線性定義，INL=tTDC tACTUAL12，假如我們已知Table 1 The test result of HPTDCs resolution HPTDC在整個(gè)動(dòng)態(tài)范圍上每個(gè)碼的積分非線性，那么由tACTUAL= tTDCINL就可以得到實(shí)際的擊中時(shí)修正前誤差 /ps 修正后誤差 /ps信號(hào)間隔 RMS

19、after RMS before 間，這是提高ADC精度的傳統(tǒng)手段13，在時(shí)間測(cè)Interval /ns compensation compensation 量方面可以借鑒這種方法。但相對(duì)于AD變換，時(shí)19.5067 61.6 12.720.5766 58.9 14.1 間測(cè)量的動(dòng)態(tài)范圍通常比較大，使得測(cè)量TDC的21.5269 54.0 14.8 INL非常困難（根據(jù)概率統(tǒng)計(jì)原理，用碼密度法測(cè)22.5685 44.4 13.1 量將需要大量隨機(jī)樣本數(shù)；而如用傳統(tǒng)直接測(cè)量法23.5140 31.5 15.1 則需要非常高時(shí)間精度的脈沖發(fā)生器）。而且整個(gè)動(dòng)24.5921 16.0 14.9 （2

20、n個(gè)，n為T(mén)DC25.3769 16.5 15.4 態(tài)范圍區(qū)間的INL值數(shù)據(jù)量龐大，很難實(shí)時(shí)實(shí)現(xiàn)修正。HPTDC的積分非線26.3548 29.7 14.1 的位數(shù)）27.3751 44.8 13.4 性測(cè)量方法和結(jié)果在3.1已經(jīng)給出，我們研究發(fā)現(xiàn)：28.3436 53.3 15.6 HPTDC的非線性呈現(xiàn)以25ns為周期循環(huán)的態(tài)勢(shì)。29.4250 59.6 14.5 我們提出：只需要用碼密度方法測(cè)量HPTDC30.1865 62.1 15.7 因此，31.1827 60.8 14.2 低10位的INL值，列于1024行的查找表中，只對(duì)32.1940 60.6 14.6 數(shù)據(jù)的最低10位進(jìn)行修

21、正即可，這樣將大大節(jié)約程33.1586 60.2 15.8 序占用數(shù)據(jù)處理計(jì)算機(jī)的內(nèi)存和運(yùn)行時(shí)間，甚至可34.2258 55.8 14.435.0129 56.0 16.4 以直接在硬件電路中實(shí)現(xiàn)。我們用這種方法對(duì)線延36.0258 56.8 15.6 遲測(cè)試結(jié)果圖（a）的數(shù)據(jù)進(jìn)行修正，得到結(jié)果如圖38.1262 55.8 17.3 1.414=11.4ps。同樣，對(duì)表1中第2、5列的數(shù)據(jù)修39.1096 57.5 16.039.8768 57.5 18.3 正見(jiàn)第3、6列，從中可見(jiàn)，修正后的RMS結(jié)果最已經(jīng)小于24.4ps的LSB，滿足了40.8481 60.0 16.4 大也只有18.3p

22、s，41.8512 62.5 17.7 甚高精度測(cè)量的需要?？梢詰?yīng)用于BES III以及42.9394 64.7 18.1 ALICE、STAR等新高能物理實(shí)驗(yàn)的TOF電子學(xué)需 求。從該表1可見(jiàn)，除了在延遲為25ns左右時(shí)的5 結(jié)論 情況比較好外，在甚高精度情況下，HPTDC的時(shí)通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型的TDCHPTDC的測(cè)量間分辨RMS值最大達(dá)到62ps左右，遠(yuǎn)大于其和研究，建立一套測(cè)量系統(tǒng)，我們給出了其非線性、24.4ps的LSB。這不能滿足BES III等最新高能物時(shí)間分辨率、雙脈沖分辨等指標(biāo)，在時(shí)間分辨率不理實(shí)驗(yàn)的TOF電子學(xué)需求，本文將在下面介紹通過(guò)能達(dá)到需求的情況下，我們探討了通過(guò)修正獲得

23、高非線性修正獲得好的分辨率。時(shí)間分辨率的方法，達(dá)到了BES III等高能物理實(shí)3.3 雙脈沖分辨（Double Pulse Resolution）測(cè)試 驗(yàn)需求。目前修正是在數(shù)據(jù)獲取到計(jì)算機(jī)后由程序完成的。鑒于HPTDC非線性的周期特征，我們也通過(guò)逐步減小高精度信號(hào)發(fā)生器輸出雙脈沖的已設(shè)計(jì)了用硬件實(shí)現(xiàn)查找表修正的系統(tǒng)，可在線實(shí)時(shí)間間隔（單通道），測(cè)試結(jié)果標(biāo)明大于5.5648ns76 核 技 術(shù) 第29卷現(xiàn)獲取高分辨率時(shí)間測(cè)量，將極大減輕后處理的壓力。 參考文獻(xiàn)1 2Institute of High Energy Physics, the Chinese Academy of Sciences,

24、 BEPC II (ed. 1), 2001. 3: 6977王芝英，樓濱喬，朱俊杰，等. 核電子技術(shù)原理. 北京：原子能出版社，1989. 230244WANG Zhiying, LOU Binqiao, ZHU Junjie, et al. Nuclear Electronics Techniques. Beijing: Atomic Energy Press, 1989. 230244 3Christiansen J, Marchioro A, Moreira P, et al. A data driven high resolution Time to Digital Converte

25、r, Proceedings of the 6th Workshop on Electronics for LHC Experiments, Krakow, Poland, 2000 4Christiansen J. HPTDC chip and its current status, , 2003 5Christiansen J. High Performance Time to Digital Converter (Version2.1), , CERN/EP-MIC, 2002. 167 6CERN /LHCC 2002016, ALICE Addendum to theTechnica

26、l Design Report of the Time of Flight System (TOF), ISBN 92-9083-192-8. 2002. 6170 7Schambach J, the STAR Collaboration TOF Group. Proposed STAR Time of Flight Readout Electronics and9 8DAQ, Computing in High Energy and Nuclear Physics, LaJolla, California, 2003劉樹(shù)彬. Design of HPTDC Evaluation Board

27、for TOF， BES ，III電子學(xué)工作會(huì)議，2003LIU Shubin. Design of HPTDC Evaluation Board for TOF, , BES III Workshop in Electronics, 2003張艷麗，安琪，劉樹(shù)彬，等. 核技術(shù)，2004，27（9）：705709ZHANG Yanli, AN Qi, LIU Shubin, et al. Nucl Tech, 2004, 27(9): 70570910 趙龍，安琪，劉樹(shù)彬，等. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)，2004，24（6）， 685688ZHAO Long, AN Qi, LIU Shubin,

28、et al. Nucl Electron Detect Technol, 2004, 24(6): 68568811 Doernberg J, Student Member. IEEE J Solid-State Circuits,1984, 19(6): 82082712 Mota M. Design and Characterization of CMOSHigh-Resolution Time-to-Digital Converters, the Technical University of Lisbon, Portugal, 2000. 1725 13 Mantyniemi A, R

29、ahkonen T, Kostamovaara J. Anonlinearity-corrected CMOS time digitizer IC with 20 ps single-shot precision, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, Scottsdale, Arizona, USA, 2002. 1: 513516The test of data driven TDC application in high energy physics experimentLIU Shubin GUO Jianhua ZHANG Yanli ZHAO Long AN Qi(Fast Electron