NOISEPro 1f 噪聲特性和建模系統(tǒng)

1、NOISEPro 1/f 噪聲特性和建模系統(tǒng)1 簡介閃爍噪聲1/f是半導(dǎo)體器件中的一種基本的、不可避免的物理現(xiàn)象。在當(dāng)今深亞微米高性能模擬/混合信號和RF電路應(yīng)用中，它對電路性能的影響變得更加嚴(yán)重。因此，精確描述和給閃爍噪聲特性建模的能力成為電路設(shè)計中的一個基本要求。ProPlus的NoisePro1/f噪聲特性和建模系統(tǒng)，由9812B硬件和NoisePro軟件組成，其中，NoisePro軟件具有自動控制和內(nèi)置1/f噪聲SPICE模型參數(shù)提取程序，提供了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和并獲驗證的1/f噪聲建模解決方案。NoisePro 1/f噪聲特性和建模系統(tǒng)2 NOISEPRO系統(tǒng)的核心優(yōu)點ü 9812

2、B硬件的底盤由大型量規(guī)鋼構(gòu)成，用以提供最大的電磁干擾防護。ü 可測量硅片級和封裝級的MOSFET、BJT、二極管、電阻的噪聲特性。ü 可在不破壞器件的柵氧和界面狀態(tài)品質(zhì)的情況下，自動測量芯片級的閃爍噪聲。ü 9812B硬件系統(tǒng)由雙電池供電，不會因充電的需要而中斷測試。ü 獨立的前置放大器單元可以被放置在DUTs旁邊或測量室里，從而極大降低了系統(tǒng)基底噪聲。電池可以提供0.5pA/sqrt (Hz) 1 KHz 基底噪聲的電流以驅(qū)動電流放大器，或1nV/sqrt (Hz) 1 KHz基底噪聲的電壓以驅(qū)動電壓放大器。ü 測量最大可達1MHZ的低頻噪聲

3、的能力。ü 提供了系統(tǒng)增益可測量能力。ü 在偏置條件下，為噪聲測量執(zhí)行I-V測試。3 NOISEPRO系統(tǒng)的特色3.1 硅片級和封裝級測量ü 允許建立集成的、按鍵完成的低頻噪聲特性提取系統(tǒng)ü 更容易測試溫度漂移和噪聲特性的關(guān)系。3.2 自動化測量設(shè)置ü 簡易的偏置條件設(shè)置、測量頻率范圍、每十個頻率對數(shù)值進行一次平均以及其他的先進測量配置。ü NoisePro驅(qū)動9812B硬件和系統(tǒng)中的其他設(shè)備，能夠按順序自動測量所有硅片、管芯的所有偏置和頻率下的噪聲性能。ü NoisePro能夠估計整個噪聲測量將要花費的時間，使得時間和資源

4、的管理更有效。3.3 校準(zhǔn)ü 為測量系統(tǒng)北京噪聲和箱體噪聲提供指定程序，驗證系統(tǒng)的噪聲防護水平。ü 為了進行校準(zhǔn)，允許選擇和測量9812B硬件內(nèi)部的不同電阻。4 噪聲參數(shù)提取ü 為公有和私有模型中的MOSFET、BJT、二極管、電阻提供噪聲描述和噪聲模型參數(shù)提取。ü 支持用戶可選高精度的V-偏置模式和I-偏置模式。ü 為最主流的SPICE模型內(nèi)嵌了DC參數(shù)提取功能，如BSIM3V3和BSIM4。NoisePro中的噪聲參數(shù)提取和最優(yōu)化5 9812B 硬件規(guī)范ü 電流前置放大器：² 頻率響應(yīng)：² 噪聲基底：1KHz&

5、#178; 電池供電ü 電壓前置放大器：² 頻率響應(yīng)：1Hz-1MHz² 噪聲基底：1nV /1KHz² 電池供電ü DUT阻抗匹配：² 輸出：100ohm到1M ohm，可編程² 輸入：0 到100M ohm，可編程ü DUT類型：² MOSFET、BJT、二級管和電阻器² +-40V最大偏置條件ü SMU噪聲濾波器：² 截止頻率：，可編程ü 電池供電：² 雙電池驅(qū)動ü 系統(tǒng)噪聲方案：²ü 電源² 100/120/

6、220/230240V，47-63Hz，最大60VA6 系統(tǒng)要求在Windows操作系統(tǒng)上，使用9812B硬件和NoisePro軟件測量半導(dǎo)體設(shè)備的噪聲特性，要求下列設(shè)備：(1) IEEE4888控制卡和Windows接口驅(qū)動。Windows系統(tǒng)下NoisePro支持國家儀器的PC或AT GPIB控制卡。(2) Agilent4142、4145A/B、4155A/B/C、4156半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、或Keithley 的具有SMUs的SCS4200。(至少要求三個SMU單元和一個GND單元)(3) Agilent 89410A、3561A、35665、35670、89610A 動態(tài)信號分析儀，以及SR780、SR785網(wǎng)絡(luò)信號分析儀。(4) Casc