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1、優(yōu)化方案高三專題復(fù)習(xí)攻略(新課標(biāo))物理安徽專用專題三第2講帶電粒子在復(fù)合場中的運動知能優(yōu)化訓(xùn)練1(原創(chuàng)題)如圖327所示,一個帶正電荷的物塊P,由靜止開始從斜面上A點下滑,滑到水平面BC上的D點停下來已知物塊與斜面及水平面間的動摩擦因數(shù)相同,且不計物塊經(jīng)過B處時的機械能損失先在ABC所在空間加豎直向下的勻強電場,第二次讓物塊P從A點由靜止開始下滑,結(jié)果物塊在水平面上的D點停下來后又撤去電場,在ABC所在空間加水平向里的勻強磁場,再次讓物塊P從A點由靜止開始下滑,結(jié)果物塊沿斜面滑下并在水平面上的D點停下來則以下說法中正確的是()圖327AD點一定在D點左側(cè)BD點一定在D點右側(cè)CD點一定在D點左側(cè)
2、DD點一定在D點右側(cè)解析:選D.僅在重力場中時,物塊由A點至D點的過程中,由動能定理得mghmgs1cosmgs20,即hs1coss20,由題意知A點距水平面的高度h、物塊與斜面及水平面間的動摩擦因數(shù)、斜面傾角、斜面長度s1為定值,所以s2與重力的大小無關(guān),而在ABC所在空間加豎直向下的勻強電場后,相當(dāng)于把重力增大了,s2不變,D點一定與D點重合,故A、B項都錯;在ABC所在空間加水平向里的勻強磁場后,洛倫茲力垂直于接觸面向上,正壓力變小,摩擦力變小,重力做的功不變,所以D點一定在D點右側(cè),C項錯誤、D項正確答案為D.2(原創(chuàng)題)如圖328所示,兩導(dǎo)體板水平放置,兩板間電勢差為U,帶電粒子以
3、某一初速度v0沿平行于兩板的方向從兩板正中間射入,穿過兩板后又垂直于磁場方向射入邊界線豎直的勻強磁場,則粒子射入磁場和射出磁場的M、N兩點間的距離d隨著U和v0的變化情況為()圖328 Ad隨v0增大而增大,d與U無關(guān)Bd隨v0增大而增大,d隨U增大而增大Cd隨U增大而增大,d與v0無關(guān)Dd隨U增大而增大,d隨v0增大而減小解析:,如圖甲所示,有cos,又R,如圖乙所示,d2Rcos2cos,選項A正確3如圖329所示,一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子(不計重力),以初速度v0從左端中央沿虛線射入正交的場強為E的勻強電場和磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場區(qū)域中,若qv0BqE,當(dāng)從右上端P點離開時速
4、率為vP,側(cè)移量為s,則下列說法中正確的是()圖329A在該區(qū)域中粒子的加速度大小恒為B在該區(qū)域中粒子的加速度大小恒為C從P點離開時速率為vP D從P點離開時速率為vP 解析:qv0BqE,現(xiàn)將其初速度v0沿原方向分解為v1和v2,使qv1BqE,這樣粒子的運動就等效為速率為v1,水平向右的勻速直線運動和速率為v2v0的逆時針方向的勻速圓周運動的合成,其半徑R.那么在該區(qū)域中粒子的加速度大小為a,所以A正確,B錯誤由于電場力做負(fù)功,由動能定理易求vP,所以C錯誤,D正確答案為AD.4如圖3210,真空中存在豎直向上的勻強電場和水平方向的勻強磁場,質(zhì)量為m、電荷量為q的物體以速率v在場內(nèi)做半徑為
5、R的勻速圓周運動,設(shè)t0時物體在軌道最低點且重力勢能和電勢能均為零,則下列判斷正確的是()圖3210A物體一定帶正電且逆時針運動B物體運動過程中,機械能守恒且恒為mv2C物體運動過程中,重力勢能隨時間變化關(guān)系為mgR(1cost)D物體運動過程中,電勢能隨時間變化關(guān)系為mgR(cost1)解析:選CD.物體做勻速圓周運動時,有Eqmg,則物體必定帶正電,由洛倫茲力提供向心力可知,物體順時針運動,A不正確;因有電場力做功,物體的機械能不守恒,B錯誤;重力勢能隨時間變化的關(guān)系式為mgR(1cos),C正確;因重力做的負(fù)功與電場力做的正功大小相等,故Ep電Ep重mgR(cos1),故D正確5(201
6、1年高考北京理綜卷)利用電場和磁場,可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用如圖3211所示的矩形區(qū)域ACDG(AC邊足夠長)中存在垂直于紙面的勻強磁場,A處有一狹縫離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場的方向射入磁場,運動到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集,整個裝置內(nèi)部為真空圖3211已知被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1和m2(m1>m2),電荷量均為q,加速電場的電勢差為U,離子進(jìn)入電場時的初速度可以忽略不計重力,也不考慮離子間的相互作用(1)求質(zhì)量為m1的離子進(jìn)入磁場時的速率v1.(2)當(dāng)磁感應(yīng)強度的大小為B時,求兩種離子在
7、GA邊落點的間距s.(3)在前面的討論中忽略了狹縫寬度的影響,實際裝置中狹縫具有一定寬度,若狹縫過寬,可能使兩束離子在GA邊上的落點區(qū)域交疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分離設(shè)磁感應(yīng)強度大小可調(diào),GA邊長為定值L,狹縫寬度為d,狹縫右邊緣在A處離子可以從狹縫各處射入磁場,入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場,為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分離,求狹縫的最大寬度解析:(1)加速電場對離子m1做的功WqU由動能定理得m1vqU所以v1.(2)由牛頓第二定律和洛倫茲力公式得qvB,R利用式得離子在磁場中的軌道半徑分別為R1,R2兩種離子在GA邊上落點的間距s2R12R2()(3)質(zhì)量為m1的離子在GA邊上的落點都在其入射點左側(cè)2R1處,由于狹縫的寬度為d.因此落點區(qū)域的寬度也是d.同理質(zhì)量為m2的離子在
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