Z-半導(dǎo)體敏感元件原理與應(yīng)用二

1、Z-半導(dǎo)體敏感元件原理與應(yīng)用二圖8是光電計(jì)數(shù)器電路。D1是緩沖級D2-1、D2-2是信號反相級，供計(jì)數(shù)級選擇。R1、V1、V2、R2、R3構(gòu)成了溫度補(bǔ)償電橋，其中，V2避光，V1受光，且V1、V2應(yīng)選擇反向靈敏度溫漂DTR相近的Z-元件。R2用來調(diào)整在最大溫漂狀態(tài)下，無光照時(shí)D1保持輸出為低電平。在被計(jì)數(shù)的物品遮擋一次光照時(shí)，D1輸出一個(gè)負(fù)脈沖，D2-1、D2-2輸出的計(jì)數(shù)脈沖可供選擇。當(dāng)工作溫度變化時(shí)，因D1兩個(gè)輸入端等電位同步變化，不致產(chǎn)生誤動作。 光敏Z-元件還有更多的場合能夠應(yīng)用，這里不一一例舉。 七、 磁敏Z-元件及其技術(shù)參數(shù) 1磁敏Z-元件的結(jié)構(gòu)、電路符號及命名方法 磁敏Z-元件是

2、一種經(jīng)過特殊摻雜而制得的改性PN結(jié)。圖9(a)是結(jié)構(gòu)示意，圖9(b)是電路符號，“+”表示正向使用時(shí)接電源“+”端，M表示對磁場敏感。 表3、磁敏Z-元件分檔代號與技術(shù)參數(shù) 名稱 符號 閾值電壓分檔代號 單位 測試條件(T=20C) 10 20 30 31 閾值電壓 Vth 30 V RL:5150kW 閾值磁場 Bth 1 300 閾值電流 Ith 3 mA RL:5kW 磁場范圍 B 1 (11.5)Bth mT RL:5150kW 2 頻率范圍 f 1100 kHz RL:5kW 輸出幅值 VP.P Vth/6 V RL:5150kW 頻率靈敏度 SF 20 Hz/mT RL:5150k

3、W 電壓靈敏度 ST Vth+RL.Ith 磁敏Z-元件的命名方法有兩種： 國內(nèi)命名法 國際命名法 2磁敏Z-元件的伏安特性曲線 磁敏Z-元件的伏安特性，應(yīng)當(dāng)在無磁場的情況下進(jìn)行測量，圖9(c)是伏安特性測量電路，正向伏安特性的測量電路與方法與溫敏Z-元件的相同6。 圖9(d)的伏安特性中OP段為高阻區(qū)，記為M1，pf段為負(fù)阻區(qū)，記為M2，fm為低阻區(qū)，記為M3區(qū)。特性中的Vth叫做閾值電壓，表示在25時(shí)兩端電壓的最大值。Ith叫做閾值電流，是Z-元件電壓為Vth時(shí)的電流。Vf叫做導(dǎo)通電壓，是M3區(qū)電壓的最小值。If叫做導(dǎo)通電流，是對應(yīng)Vf的電流，是低阻區(qū)電流最小值。反向特性無磁敏。 3磁敏Z

4、-元件的分檔代號與技術(shù)參數(shù) 磁敏Z-元件的技術(shù)參數(shù)列于表3，磁敏Z-元件的分檔代號有兩個(gè)，一個(gè)是Vth，共分四檔；另一個(gè)是閾值磁場，共分兩檔。磁敏Z-元件的技術(shù)參數(shù)符合QJ/HN003-1998。 八、 磁敏Z-元件的磁敏特性 磁敏Z-元件的正向伏安特性，可用圖9(c)所示電路進(jìn)行測量，與溫敏Z-元件正向伏安特性測量電路與方法相同。6 磁敏Z-元件在磁場中，其伏安特性曲線形狀發(fā)生了變化，因而，技術(shù)參數(shù)也發(fā)生了變化。磁場由弱到強(qiáng)的變化過程，技術(shù)參數(shù)的變化范圍如表3所示。 1閾值磁場：Bth(mT ) 磁敏Z-元件置于磁場中，如圖10所示。電路中產(chǎn)生了自激振蕩，輸出信號VO的波形類似于溫敏Z-元件

5、的下降沿觸發(fā)的脈沖頻率信號。使Z-元件剛剛起振的磁場，定義為閾值磁場，用Bth表示。 2磁場范圍：B(mT) 磁場范圍，表示維持Z-元件正常振蕩的磁場，其值為(11.5)Bth。 3頻率范圍：f(Hz) Z-元件在磁場中正常的信號頻率范圍。 4頻率靈敏度：SF(Hz/mT) 磁敏Z-元件在磁場中產(chǎn)生振蕩后，頻率的變化量Df(Hz)與磁場變化量DB(mT)之比為頻率靈敏度SF(Hz/mT)： (5) 5電壓靈敏度ST(mV/mT) 磁敏Z-元件在磁場中，Vf向右平移增大，磁場越強(qiáng)，Vf增加的越多，見圖11。電壓靈敏度ST等于導(dǎo)通電壓Vf的增量DVf與磁場變化增量DB之比。 (mV/mT) (6)

6、 磁敏Z-元件在實(shí)驗(yàn)中，除上述參數(shù)用來表述在磁場中變化外，還有一種在磁場中的特性沒有相應(yīng)的參數(shù)可以表示。例如，在磁場中，Vf階躍式的增大，同時(shí)Vth也增大，幅度變化為： Vf：(13) Vf，Vth： Vth+(01V)， 參見圖11。這一特性非常適合制作磁控開關(guān)、轉(zhuǎn)速表等。 九、 磁敏Z-元件的應(yīng)用電路 磁敏Z-元件是一個(gè)非線性元件1，典型應(yīng)用電路為Z-元件與一個(gè)負(fù)載電阻RL串聯(lián)的電路。RL的一個(gè)作用是限制工作電流，另一個(gè)作用是可以從RL與Z-元件連接點(diǎn)處取出輸出信號，如圖12(a)所示。Z-元件允許并聯(lián)一個(gè)電容器，輸出脈沖頻率信號。 1 工作在M3區(qū)輸出階躍信號 磁敏Z-元件工作在哪一個(gè)區(qū)

7、，與電源電壓E的大小有關(guān)。在溫敏Z-元件工作中，由M1區(qū)向M3區(qū)轉(zhuǎn)換的過程中，電源電壓E，負(fù)載電阻RL與Z-元件的參數(shù)Vth 、Ith，必須滿足的條件-狀態(tài)方程為： E= Vth +IthRL (7) 該方程仍然適用于磁敏Z-元件。 圖12是輸出階躍信號的電路圖，工作狀態(tài)解析圖和信號波形圖。為了保證Z-元件工作在M3區(qū)，P(Vth，Ith)點(diǎn)必須設(shè)定在負(fù)載線(E，E/RL)的左側(cè)，并應(yīng)考慮溫度的影響，在應(yīng)用的溫度范圍內(nèi)，能可靠地工作在M3區(qū)。 從解析圖中已知道，無磁場時(shí)工作點(diǎn)為Q1(Vf，IZ1)，輸出為VO=VOL=Vf。加入300mT磁場，P1(Vth1，Ith1)移至P2(Vth2，It

8、h2)，P2點(diǎn)在直線(E，E/RL)的左側(cè)，Q2(VZ2，IZ2)點(diǎn)在OP2上，這時(shí)的輸出為：VO=VOH=E- IZ2RL 當(dāng)磁場為B=0時(shí)，VO又恢復(fù)為低電平，即VO=VOL=Vf。2 并聯(lián)電容器M1M3，M3M1互相轉(zhuǎn)換輸出脈沖頻率信號 圖13是磁敏Z-元件輸出脈沖頻率信號電路。Z-元件在磁場中產(chǎn)生的自激振蕩，其脈沖頻率信號往往不夠穩(wěn)定1、2，因而采用Z-元件并聯(lián)電容器的方法，改善振蕩的穩(wěn)定性和電源電壓的適應(yīng)性。這個(gè)脈沖頻率信號是下降沿觸發(fā)的，其頻率受磁場的調(diào)制，信號頻率與磁場的關(guān)系參見圖13(c)。 磁敏Z-元件的應(yīng)用電路圖12(a)，可以把Z-元件與RL互換位置，其輸出信號是關(guān)于電源

9、電壓E的互補(bǔ)信號，參看表4-3，其信號變化幅度的絕對值DVO相等，前者輸出信號是由低電平上升為高電平，后者輸出信號是由高電平下降為低電平。 十、 磁敏Z-元件特性與應(yīng)用電路總結(jié) (a)電路 (b)信號波形 圖14 流量傳感器(a)電路 (b)信號波形 圖15 報(bào)警傳感器磁敏Z-元件正向特性對磁場敏感，反向無磁敏特性。它的閾值點(diǎn)P(Vth，Ith)中，Vth為正磁系數(shù)，Ith有較小的負(fù)磁系數(shù)。磁敏Z-元件也有兩個(gè)穩(wěn)定的工作狀態(tài)，即VZVth時(shí)工作在低阻M3區(qū)，當(dāng)VZ十一、磁敏Z-元件應(yīng)用示例1 流量脈沖傳感器 該流量傳感器電路示于圖14，這是一個(gè)RL與磁敏Z-元件串聯(lián)的電路。Z-元件工作在M3區(qū)

10、，電源電壓E應(yīng)大于（Vth +IthRL），使之在允許的工作溫度范圍內(nèi)，能可靠地工作在M3區(qū)。由N、S磁極構(gòu)成的平行磁場固定在轉(zhuǎn)盤上，當(dāng)流體沖擊轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動時(shí)，只在磁極罩在磁敏Z-元件上的一瞬間，輸出端輸出一個(gè)高電平VOH，磁極離去時(shí)，輸出為低電平VOL。轉(zhuǎn)盤上的磁極對數(shù)根據(jù)實(shí)際需要選擇，兩個(gè)高電平的間隔時(shí)間tx是流量的函數(shù)，經(jīng)過標(biāo)定以后，可編成查表程序用低功耗單片機(jī)進(jìn)行顯示，并需要輸出相應(yīng)信號。 圖14電路還可以用來制做接觸式電子轉(zhuǎn)速表。轉(zhuǎn)速表的接觸式錐軸與磁極固定在一起，當(dāng)磁極被錐軸代動一起旋轉(zhuǎn)時(shí)，磁敏Z-元件在磁極作用下，輸出與圖14相同的信號，進(jìn)行計(jì)數(shù)、顯示。當(dāng)N=1、S=1時(shí)，磁極對數(shù)為

11、P=1，計(jì)數(shù)器的閘門信號為t，直接計(jì)數(shù)，顯示的即是轉(zhuǎn)速nr/s t=1/p(s) 2 報(bào)警傳感器 該報(bào)警傳感器采用圖15電路, 待機(jī)(安全狀態(tài))電平為高電平VOH=E-IZ2RL。 被保護(hù)的物品(貴重文物、家電、門窗等)與磁極巧妙地固定在一起，使之罩在磁敏Z-元件上，輸出信號為VOH表示正常待機(jī)，即安全狀態(tài)。當(dāng)被保護(hù)的物品被非法移位，致使磁極與Z-元件分開，輸出信號由VOH變?yōu)閂OL時(shí)，即發(fā)生了警情。用VOL信號去觸發(fā)報(bào)警裝置，發(fā)出聲光報(bào)警信號或自動觸發(fā)并送出特種遠(yuǎn)傳報(bào)警尋求幫助，這些在技術(shù)上，都是非常容易實(shí)現(xiàn)的。磁敏Z-元件能以簡單的電路實(shí)現(xiàn)諸多應(yīng)用，應(yīng)用示例很多，這里不再贅述。 十二、磁敏

12、Z-元件研究中存在的問題 我們對磁敏Z-元件工作機(jī)理和特性的探討做了大量工作，仍然有不少問題需要進(jìn)一步探討： 1磁場的磁力線與Z-元件管芯平面的法線垂直時(shí)靈敏度最高，但是，磁場改變了方向后和改變方向前兩者靈敏度不等的現(xiàn)象，尚未找到答案。 2磁場由弱到強(qiáng)的變化，Vf的增加有跳躍式的變化，這種Z-元件在用于連續(xù)測量時(shí)就受到了限制。 3磁敏Z-元件Vth一般較大(10V) ，Vth較小的(10V)往往靈敏度又較低。研制小Vth高靈敏度低溫漂的磁敏Z-元件是一項(xiàng)高投資、高風(fēng)險(xiǎn)、高技術(shù)的新的攻關(guān)課題。Z-元件是一個(gè)全新的元件。無論是溫敏、光敏、磁敏還是力敏，進(jìn)一步提高其靈敏度改善其一致性和穩(wěn)定性，對于我

13、們來說都是一項(xiàng)新的攻關(guān)課題，歡迎業(yè)內(nèi)同仁和專家共同努力，開創(chuàng)Z-元件研究的新紀(jì)元。參考文獻(xiàn) 1 V.Zotov,V.Bodrov, Small displacement sensors based on magnetosensitive Z-elements, Third Symposium on Measurement and control in Robotics ISMCR93/Session Cm.IV-7, AMMA, Via Vela17, Torino, Italy, 1993. 2 V.Zotov,V.Bodrov, Novel semiconductor Sensitive

14、elements based on the Z-effect intended for various robotic sensors and systems,2nd Symbosium on Measurement and control in Robotics ISMCR92/p.p 723-728 3 傅云鵬，Z-元件技術(shù)特性評述和應(yīng)用展望，電子產(chǎn)品世界 1996年7期 4 傅云鵬，趙振雁，王哲寧，Z-半導(dǎo)體敏感元件原理與應(yīng)用-(1)，傳器世界2001年2期 5 周長恩等，Z-半導(dǎo)體敏感元件原理與應(yīng)用-(2)，傳器世界2001年4期 6 王建林，Z-半導(dǎo)體敏感元件原理與應(yīng)用-(3)，傳器世界2001年6期 The Review of Z-elements-the Photosensitive Z-element , Magnetosensitive Z-element and their Application Abstract: The photosensitive Z-element and magnetosensitive Z-element are introduced in this paper with their voltage and current characteristics, typical circuits, designing metho