常用電子元件圖參考資料全

1、第六章常用電子元器件參考資料第一節(jié)部分電氣圖形符號.電阻器、電容器、電感器和變壓器圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明y卜電阻器一般符號電感器、線圈、繞組或扼流圖。注：符號中半圓數(shù)不得少于3個V'可變電阻器或可調(diào)電阻器YYY帶磁芯、鐵芯的電感器滑動觸點電位器帶磁芯連續(xù)可調(diào)的電感器1_丫±LT極性電容LaaaJ(YYY雙繞組變壓器注：可增加繞組數(shù)目/可變電容器或可調(diào)電容器iJJUu1i繞組間有屏蔽的雙繞組變注：可增加繞組數(shù)目雙聯(lián)同調(diào)可變電容器。注：可增加同調(diào)聯(lián)數(shù)Lu5FJ在一個繞組上有抽頭的變微調(diào)電容器.半導(dǎo)體管圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明二極管的符號(2)一JJJFE

2、T結(jié)型場效應(yīng)管(1)N溝道(2)P溝道發(fā)光二極管4光電二極管!"PNP型晶體三極管穩(wěn)壓二極管YINPN型晶體三極管HI-變?nèi)荻O管4全波橋式整流器三.其它電氣圖形符號圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明1具有兩個電極的壓電晶體注：電極數(shù)目可增加或-接機殼或底板11熔斷器導(dǎo)線的連接指示燈及信號燈導(dǎo)線的不連接揚聲器一動合(常開)觸點開關(guān)蜂鳴器動斷（常閉）觸點開關(guān)接大地r一手動開關(guān)第二節(jié)常用電子元器件型號命名法及主要技術(shù)參數(shù)電阻器和電位器1 .電阻器和電位器的型號命名方法表1電阻器型號命名方法第一部分：主稱第二部分：材料第三部分：特征分類第四部分：序號符號意義符號意義符號意義電阻器電位器R

3、電阻器T碳膜1普通普通對主稱、材料相同，僅性能指標(biāo)、尺寸大小后差別，但基本不影響互換使用的產(chǎn)品，給予同一序號；若性能指標(biāo)、尺寸大小明顯影響互換時，則在序號后面用大寫字母作為區(qū)別代號。W電位器H合成膜2普通普通S有機實芯3超高頻N無機實芯4高阻J金屬膜5高溫Y氧化膜6C沉積膜7精密精密二I玻璃釉膜8高壓:特殊函數(shù)P硼碳膜9特殊特殊:U硅碳膜G高功率X線繞T可調(diào)M壓敏WP微調(diào)G光敏D多圈R熱敏B溫度補償用C溫度測量用P旁熱式W穩(wěn)壓式Z正溫度系數(shù)示例：（1）精密金屬膜電阻器RJ731 第四部分：序號第三部分：類別（精密）第二部分：材料（金屬膜）第一部分：主稱（電阻器）（2） 多圈線繞電位器WXD31

4、 第四部分：序號第三部分：類別（多圈）第二部分：材料（線繞）第一部分：主稱（電位器）2.電阻器的主要技術(shù)指標(biāo)（1） 額定功率電阻器在電路中長時間連續(xù)工作不損壞，或不顯著改變其性能所允許消耗的最大功率稱為電阻器的額定功率。電阻器的額定功率并不是電阻器在電路中工作時一定要消耗的功率，而是電阻器在電路工作中所允許消耗的最大功率。不同類型的電阻具有不同系列的額定功率，如表2所示。表2電阻器的功率等級名稱額定功率（W實芯電阻器0.250.5125一0.512161015線繞電阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜電阻器25102550100（2） 標(biāo)稱阻值阻值是

5、電阻的主要參數(shù)之一，不同類型的電阻，阻值范圍不同，不同精度的電阻其阻值系列亦不同。根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)，常用的標(biāo)稱電阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也適用于電位器和電容器。表3標(biāo)稱值系列標(biāo)稱值系列精度電阻器（）、電位器（）、電容器標(biāo)稱值（PF）E245%1.02.24.71.12.45.11.22.75.61.33.06.21.53.36.81.63.67.51.83.98.22.04.39.1E1210%1.03.31.23.91.54.71.85.62.26.82.78.2一一E620%1.01.52.23.34.76.88.2一表中數(shù)值再乘以10n,其中n為正整數(shù)或負整數(shù)。（3） 允

6、許誤差等級表4電阻的精度等級允許誤差（）0.0010.0020.0050.010.020.050.1等級符號EXYHUWB允許誤差（）0.20.51251020等級符號CDFGJ(IK(II)M(III)3.電阻器的標(biāo)志內(nèi)容及方法(1) 文字符號直標(biāo)法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標(biāo)稱阻值，額定功率、允許誤差等級等。符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值，其文字符號所表示的單位如表5所示。如1R5表示1.5,2K7表示2.7k,表5文字符號RKMGT表示單位歐姆()千歐姆(103)兆歐姆(106)千兆歐姆(109)兆兆歐姆(1012)例如:

7、RJ71-0.1255k1II1允許誤差10%標(biāo)稱阻值(5.1k)額定功率1/8W型號由標(biāo)號可知，它是精密金屬膜電阻器，額定功率為1/8W,標(biāo)稱阻值為5.1k,允許誤差為10%(2) 色標(biāo)法：色標(biāo)法是將電阻器的類別及主要技術(shù)參數(shù)的數(shù)值用顏色(色環(huán)或色點)標(biāo)注在它的外表面上。色標(biāo)電阻(色環(huán)電阻)器可分為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)三種標(biāo)法。其含義如圖1和圖2所示。一標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字標(biāo)稱值有效數(shù)字后0的個數(shù)I允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值倍率允許偏差里八、00100棕11101紅22102橙133103黃44104綠55105藍66106紫77107灰88108白99109-20

8、%+50%金1015%銀10210%無色20%圖1兩位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法三色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱電阻值（允許誤差均為20%。例如，色環(huán)為棕黑紅，表示10102=1.0k20%勺電阻器。四色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱值（二位有效數(shù)字）及精度。例如，色環(huán)為棕綠橙金表示15103=15k5%勺電阻器。五色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱值（三位有效數(shù)字）及精度。例如，色環(huán)為紅紫綠黃棕表示275104=2.75M1%勺電阻器。一般四色環(huán)和五色環(huán)電阻器表示允許誤差的色環(huán)的特點是該環(huán)離其它環(huán)的距離較遠。較標(biāo)準(zhǔn)的表示應(yīng)是表示允許誤差的色環(huán)的寬度是其它色環(huán)的（1.52）倍。有些色環(huán)電阻器由于廠家生產(chǎn)不規(guī)范，無法用上

9、面的特征判斷，這時只能借助萬用表判斷。標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字標(biāo)稱值第三位有效數(shù)字標(biāo)稱值有效數(shù)字后0的個數(shù)L允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允許偏差里八、000100棕1111011%紅2221022%橙1333r103黃444104綠5551050.5%藍6661060.25紫7771070.1%灰888108白999109金1101銀102圖2三位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法4.電位器的主要技術(shù)指標(biāo)(1) 額定功率電位器的兩個固定端上允許耗散的最大功率為電位器的額定功率。使用中應(yīng)注意額定功率不等于中心抽頭與固定端的功率。(2) 標(biāo)稱阻值標(biāo)在產(chǎn)品上的名義阻值，

10、其系列與電阻的系列類似。(3) 允許誤差等級實測阻值與標(biāo)稱阻值誤差范圍根據(jù)不同精度等級可允許20%10%5%2%1%勺誤差。精密電位器的精度可達0.1%。(4) 阻值變化規(guī)律指阻值隨滑動片觸點旋轉(zhuǎn)角度(或滑動行程)之間的變化關(guān)系，這種變化關(guān)系可以是任何函數(shù)形式，常用的有直線式、對數(shù)式和反轉(zhuǎn)對數(shù)式(指數(shù)式)。在使用中，直線式電位器適合于作分壓器；反轉(zhuǎn)對數(shù)式(指數(shù)式)電位器適合于作收音機、錄音機、電唱機、電視機中的音量控制器。維修時若找不到同類品，可用直線式代替，但不宜用對數(shù)式代替。對數(shù)式電位器只適合于作音調(diào)控制等。(5) .電位器的一般標(biāo)志方法WT23.3k10%I允許誤差10%標(biāo)稱阻值3.3k

11、額定功率2W碳膜電位器W1510JI允許誤差5%標(biāo)稱阻值510額定功率1W線繞電位器二.電容器1 .電容器型號命名法表6電容器型號命名法第一部分：主稱第二部分：材料第三部分：特征、分類第四部分：序號符號音，心、義符號意義符號意義瓷介云母玻璃電解其他電容器C瓷介1圓片非密封一箔式非密封對主稱、材料相同，僅尺寸、性能指標(biāo)略有不同，但基本不影響互使用的產(chǎn)品，給予同一序號；若尺寸性能指標(biāo)的差別明顯；影響互換使用時，則在序號后面用大寫字母作為區(qū)別代號。Y云母2管形非密封一箔式非密封I玻璃釉3迭片密封一燒結(jié)粉固體密封O玻璃膜4獨石密封一燒結(jié)粉固體密封Z紙介5穿心一一一穿心J金屬化紙6支柱一一一一B聚苯乙烯

12、7一一一無極性一L滌綸8高壓高壓一一高壓Q漆膜9一一一特殊特殊S聚碳酸脂J金屬膜H復(fù)合介質(zhì)W微調(diào)D殆A鑰N鋁G合金T鈦E其他C D 1 1II 第四部分第三部分I第二部分第一部分（2）圓片形瓷介電容器C C 1 -1II 1第四部分第三部分第二部分1第一部分（3）紙介金屬膜電容器C Z J XII 1第四部分第三部分I第二部分1第一部分序號特征分類（箔式）材料（鋁）主稱（電容器）序號特征分類（圓片）材料（瓷介質(zhì)）主稱（電容器）序號特征分類（金屬膜）材料（紙介）主稱（電容器）示例:（1）鋁電解電容器2 .電容器的主要技術(shù)指標(biāo)（1） 電容器的耐壓：常用固定式電容的直流工作電壓系列為：6.3V,10

13、V,16V,25V,40V,63V,100V,160V,250V,400V。（2） 電容器容許誤差等級：常見的有七個等級如表7所示。表7容許誤差2%5%10%20%+20%-30%+50%-20%+100%-10%級別0.2IIIIIIIVVVI標(biāo)稱電容量:表8固定式電容器標(biāo)稱容量系列和容許誤差系列代號E24E12E6容許誤差5%（I）或（J）10%（II）或（K）20%III）或（m）標(biāo)稱容量對應(yīng)值10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,9010,12,15,18,22,27,33,39,47,

14、56,68,8210,15,22,23,47,68注：標(biāo)稱電容量為表中數(shù)值或表中數(shù)值再乘以10n,其中n為正整數(shù)或負整數(shù)，單位為pF。（3） .電容器的標(biāo)志方法(1)直標(biāo)法容量單位：F(法拉)、F(微法)、nF(納法)、pF(皮法或微微法)。1法拉二106微法=1012微微法，1微法=103納法=106微微法1納法=103微微法例如：4n7表示4.7nF或4700pF,0.22表示0.22F,51表示51pF。有時用大于1的兩位以上的數(shù)字表示單位為pF的電容，例如101表示100pF;用小于1的數(shù)字表示單位為F的電容，例如0.1表示0.1F。(2) 數(shù)碼表示法一般用三位數(shù)字來表示容量的大小，單

15、位為pF。前兩位為有效數(shù)字，后一位表示位率。即乘以10i,i為第三位數(shù)字，若第三位數(shù)字9,則乘10-1o如223J代表22103pF=22000pF=0.22F,允許誤差為5%又如479K代表4710-1pF,允許誤差為5%勺電容。這種表示方法最為常見。(3)色碼表示法這種表示法與電阻器的色環(huán)表示法類似，顏色涂于電容器的一端或從頂端向引線排列。色碼一般只有三種顏色，前兩環(huán)為有效數(shù)字，第三環(huán)為位率，單位為pF。有時色環(huán)較寬，如紅紅橙，兩個紅色環(huán)涂成一個寬的，表示22000pF。三.電感器1 .電感器的分類常用的電感器有固定電感器、微調(diào)電感器、色碼電感器等。變壓器、阻流圈、振蕩線圈、偏轉(zhuǎn)線圈、天線

16、線圈、中周、繼電器以及延遲線和磁頭等，都屬電感器種類。2.電感器的主要技術(shù)指標(biāo)(1)電感量：在沒有非線性導(dǎo)磁物質(zhì)存在的條件下，一個載流線圈的磁通量與線圈中的電流成正比式中： =磁通量(2)固有電容：線圈各層、 器的固有電容。其比例常數(shù)稱為自感系數(shù)，用L表示，簡稱為電感。即：I=電流強度各匝之間、繞組與底板之間都存在著分布電容。統(tǒng)稱為電感品質(zhì)因數(shù)：電感線圈的品質(zhì)因數(shù)定義為:LQR式中：一工作角頻率，L線圈電感量,R線圈的總損耗電阻(4)額定電流：線圈中允許通過的最大電流。(5)線圈的損耗電阻：線圈的直流損耗電阻。2 .電感器電感量的標(biāo)志方法(1)直標(biāo)法。單位H(亨利)、mH(毫亨)、H(微亨)、

17、(2)數(shù)碼表示法。方法與電容器的表示方法相同。(3)色碼表示法。這種表示法也與電阻器的色標(biāo)法相似，色碼一般有四種顏色，前兩種顏色為有效數(shù)字，第三種顏色為倍率，單位為H第四種顏色是誤差位。四.半導(dǎo)體分立器件1.半導(dǎo)體分立器件的命名方法(1)我國半導(dǎo)體分立器件的命名法表9國產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器用漢語拼音字母表示器用漢語拼音字母用數(shù)字用漢語拼件電極的數(shù)目件的材料和極性表示器件的類型表示器件音表示規(guī)符意義符意義符意義符意義序號格的區(qū)別號號號號代號2二極管AN型，楮材料P普通管D低頻大功率管BP型，錯材料V微波管(f<3MHz,CN型，硅材

18、料W穩(wěn)壓管Pc1W)DP型，硅材料C參量管A高頻大功率管Z整流管(f3MHz3三極管APN理，錯材料L整流堆FC1vyBNPN®,錯材料S隧道管T半導(dǎo)體閘流管CPN叫硅材料N阻尼管(可控硅整流器)DNPN®,硅材料U光電器件Y體效應(yīng)器件E化合物材料K開關(guān)管B雪崩管X低頻小功率管J階躍恢復(fù)管(f<3MHz,CS場效應(yīng)器件Po<1VVBT半導(dǎo)體特殊器件G高頻小功率管FH復(fù)合管(f3MHzPINPIN型管Pc<1VVJG激光器件例：1)鑄材料PNP型低頻大功率三極管：2)硅材料NPN®高頻小功率三極管:（2）國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件命名法表10國際電子

19、聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示使用數(shù)字或字母加用字母對同一用的材料用字母表示類型及主要特性數(shù)字表示登記號型號者分檔符號意義符號|意義|符號意義符號|意義符號意義檢波、開關(guān)和1M封閉磁路中的A錯材料A混頻二極管霍爾元件通用半B:變?nèi)荻O管1P光敏元件三導(dǎo)體器件低頻小功率三位的登記序C極管Q發(fā)光器件數(shù)號（同一B硅材料低頻大功率三字類型器件同一D極管R小功率可控硅使用同一A型號器E1隧道二極管S小功率開關(guān)管登記號）B件按某C碑化錢高頻小功率三一C一參數(shù)F極管T大功率可控硅個專用半D進行分復(fù)合器件字導(dǎo)體器件E檔的標(biāo)D錦化錮G及其它器件U大功率開關(guān)管母的登記序志H磁

20、敏二極管X倍增二極管加號（同一開放磁路中的兩類型器件復(fù)合材K霍爾元件Y整流二極管位使用同一R料高頻大功率三穩(wěn)壓二極管即數(shù)登記號）L極管Z齊納二極管字示例（命名）AF239SILaf239型某一參數(shù)的S檔普通用登記序號高頻小功率三極管錯材料國際電子聯(lián)合會晶體管型號命名法的特點：1）這種命名法被歐洲許多國家采用。因此，凡型號以兩個字母開頭，并且第一個字母是A,B,C,D或R的晶體管，大都是歐洲制造的產(chǎn)品，或是按歐洲某一廠家專利生產(chǎn)的產(chǎn)品。2）第一個字母表示材料（A表示錯管，B表示硅管），但不表示極性（NPN®或PNP型）。3）第二個字母表示器件的類別和主要特點。如C表示低頻小功率管，D表

21、示低頻大功率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。若記住了這些字母的意義，不查手冊也可以判斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。4）第三部分表示登記順序號。三位數(shù)字者為通用品；一個字母加兩位數(shù)字者為專用品，順序號相鄰的兩個型號的特性可能相差很大。例如，AC184為PNP型，而AC185則為NPN®。5）第四部分字母表示同一型號的某一參數(shù)（如hFE或Nf）進行分檔。6）型號中的符號均不反映器件的極性（指NPNPNB。極性的確定需查閱手冊或測量。（3）美國半導(dǎo)體器件型號命名法美國晶體管或其它半導(dǎo)體器件的型號命名法較混亂。這里介紹的是美國晶體管標(biāo)準(zhǔn)型號命名法，

22、即美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）規(guī)定的晶體管分立器件型號的命名法。如表11所示。表11美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用待號表示用途的類型用數(shù)字表示PN結(jié)的數(shù)目美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）登記順序號用字母表示器件分檔符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義JAN或J軍用品1二極管N該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會注冊登記多位數(shù)字該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號ABCD同一型號的不同檔別2三極管無非軍用品3三個PN結(jié)器件nn個PN結(jié)器件例:1) JAN2N2904美國晶體管型號命名法的特點:2)1N4001N4001IL-EI

23、A登記序號IEIA注冊標(biāo)志1二極管1）型號命名法規(guī)定較早，又未作過改進，型號內(nèi)容很不完備。例如，對于材料、極性、主要特性和類型，在型號中不能反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場效應(yīng)管。因此，仍有一些廠家按自己規(guī)定的型號命名法命名。2）組成型號的第一部分是前綴，第五部分是后綴，中間的三部分為型號的基本部分。3）除去前綴以外，凡型號以1N、2N或3N開頭的晶體管分立器件，大都是美國制造的，或按美國專利在其它國家制造的產(chǎn)品。4）第四部分數(shù)字只表示登記序號，而不含其它意義。因此，序號相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如，2N3464為硅NPN高頻大功率管，而2N3465為N溝道場效應(yīng)

24、管。5）不同廠家生產(chǎn)的性能基本一致的器件，都使用同一個登記號。同一型號中某些參數(shù)的差異常用后綴字母表示。因此，型號相同的器件可以通用。6）登記序號數(shù)大的通常是近期產(chǎn)品。（4）日本半導(dǎo)體器件型號命名法日本半導(dǎo)體分立器件（包括晶體管）或其它國家按日本專利生產(chǎn)的這類器件，都是按日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（JIS）規(guī)定的命名法（JIS-C-702）命名的。日本半導(dǎo)體分立器件的型號，由五至七部分組成。通常只用到前五部分。前五部分符號及意義如表12所示。第六、七部分的符號及意義通常是各公司自行規(guī)定的。第六部分的符號表示特殊的用途及特性，其常用的符號有：MJ松下公司用來表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上自衛(wèi)隊參謀部有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)登記

25、的產(chǎn)品。N-松下公司用來表示該器件符合日本廣播協(xié)會（NHK有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的登記產(chǎn)品。Z-松下公司用來表示專用通信用的可靠性高的器件。H-日立公司用來表示專為通信用的可靠性高的器件。K日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。T-日立公司用來表示收發(fā)報機用的推薦產(chǎn)品。G-東芝公司用來表示專為通信用的設(shè)備制造的器件。S-三洋公司用來表示專為通信設(shè)備制造的器件。第七部分的符號，常被用來作為器件某個參數(shù)的分檔標(biāo)志。例如，三菱公司常用R,G,丫等字母；日立公司常用A,B,C,D等字母，作為直流放大系數(shù)hFE的分檔標(biāo)志。表12日本半導(dǎo)體器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示

26、類型或有效電極數(shù)S表示日本電子工業(yè)協(xié)會（EIAJ）的注冊產(chǎn)品用字母表示器件的極性及類型用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號用字母表示對原來型號的改進產(chǎn)品符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義0光電（即光敏）二極管、晶體管及其組合管S表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會（EIAJ）注冊登記的半導(dǎo)體分立器件APN理高頻管四位以上的數(shù)字從11開始，表不在日本電子工業(yè)協(xié)會注冊登記的順序號，不同公司性能相同的器件可以使用同一順序號，其數(shù)字越大越是近期產(chǎn)品ABCDEF用字母表不對原來型號的改進產(chǎn)品BPN理低頻管CNPNm高頻管DNPNm低頻管1:二極管Fp控制極可控硅2三極管、具有兩個以上PN結(jié)的其他晶體管GN

27、控制極可控硅HN基極單結(jié)晶體管JP溝道場效應(yīng)管Krn溝道場效應(yīng)管3具有四個有效電極或具有三個PN結(jié)的晶體管M雙向可控硅n-1具有n個有效電極或具有n-1個PN結(jié)的晶體管示例：1 ）2SC502A（日本收音機中常用的中頻放大管）2 SC502AI12SC502型的改進產(chǎn)品日本電子工業(yè)協(xié)會登記順序號NP型高頻三極管日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品三極管（兩個PN結(jié)）2）2SA495（日本夏普公司GF9494收錄機用小功率管）2SA495I日本電子工業(yè)協(xié)會登記順序號PNP高頻管日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品三極管（兩個PN結(jié)）日本半導(dǎo)體器件型號命名法有如下特點：1）型號中的第一部分是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極

28、數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。2）第二部分均為字母S,表示日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品，而不表示材料和極性。3）第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場效應(yīng)三極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。4）第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會（EIAJ）注冊登記的順序號，并不反映器件的性能，順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mVy而2SC2681的最大額定耗散功率為100W但是，登記順序號能反映產(chǎn)品時間的先后。登記順序號的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。5）第六、七兩

29、部分的符號和意義各公司不完全相同。6）日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標(biāo)記的型號，常采用簡化標(biāo)記的方法，即把2s省略。例如，2SD764,簡化為D764,2SC502A簡化為C502A7）在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz所以，它們也可當(dāng)高頻管用。8）日本通常把Rm1W的管子，稱做大功率管。2.常用半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)表13部分半導(dǎo)體二極管的參數(shù)類型參數(shù)型號最大整流電流/mA正向電流/mA正向壓降（在左欄電流值下）/V反向擊穿電壓/V最局反向工作電壓/V反向電流/A零偏壓電容/pF反向恢復(fù)時間/ns普通檢波二極管2AP9162

30、.51402025013(MHz)1502AP751501002AP11251011025013(MHz)402AP171510100錯開關(guān)二極管2AK11501301032002AK240202AK52000.9604021502AK10101705021502AK132500.760402AK147050硅2CK70AE103升關(guān)極管2CK71AE200.8A30B45C60D75E90A20B30C40D50E601.542CK72AE30152CK73AE5012CK74AD1002CK75AD1502CK76AD200類型參數(shù)型最大整流電流/mA正向電流/mA正向壓降（在左欄電流值下

31、）/V反向擊穿電壓/V最高反向工作電壓/V反向電流/A零偏壓電容/pF反向恢復(fù)時間/ns整流極管2CZ52BH20.1125600同2A喈通二極管2CZ53BM60.315010002CZ54BM100.515010002CZ55BM20115010002CZ56BB6530.82510001N400140073011.150100051N53915399501.51.4501000101N5400540820031.2501000103.常用整流橋的主要參數(shù)表14幾種單相橋式整流器的參數(shù)、一參數(shù)型號不重復(fù)正向浪涌電流/A整流電流/A正向電壓降/V反向漏電/A反向工作電壓/V最高工作結(jié)溫/oC

32、QL110.051.210常見的分檔為：25,50,100,200,400,500,600,700,800,900,1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL740215QL86034.常用穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)表15部分穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)條件工作電流為穩(wěn)定電流穩(wěn)定電壓下環(huán)境溫度<50oC穩(wěn)定電流下穩(wěn)定電流下環(huán)境溫度<10oC型數(shù)號穩(wěn)定電壓/V穩(wěn)定電流/mA最大穩(wěn)定電流/mA反向漏電流動態(tài)電阻/電壓溫度系數(shù)/10-4/oC最大耗散功率/W2CW512.53.51071560-90.252CW523.24.555270-82CW5345.841150-

33、642CW545.56.5380.530-352CW5678.8271572CW578.59.8262082CW591011.85203092CW6011.512.5194092CW10345.850165120-6412CW11011.512.520760.52092CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.51030100.050.25.常用半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)3AX51(3AX31)型PNP型錯低頻小功率三極管表163AX51(3AX31)型半導(dǎo)體三極管的參數(shù)原型號3AX31測試條件新型號3AX51A3AX51B3

34、AX51C3AX51D極限參數(shù)PcM(mW)100100100100Ta=25oCIcM(mA)100100100100Tm(°C)75757575BMV)30303030Ic=1mABVCec(V)12121824Ic=1mA直流參數(shù)Icbo(A)12121212Vcb=-10VIceO(A)500500300300Vce=-6VIebo(A)12121212Veb=-6VhFE4015040150301002570Vce=-1VIc=50mA交流參數(shù)f(kHz)500500500500Vcb=-6VIe=1mANF(dB)一8一一必=-2VIe=0.5mAf=1kHzhie(k)

35、0.64.50.64.50.64.50.64.5Vc-6VIe=1mAf=1kHzhre(10)2.22.22.22.2hoe(S)80808080hfe一一一一hFE色標(biāo)分檔(紅)2560;()50100;(藍)90150管腳BE©(2)3AX81型PNM錯低頻小功率三極管表173AX81型PNP型錯低頻小功率三極管的參數(shù)型號3AX81A3AX81B測試條件極限參數(shù)PcMmW)200200IcmA)200200TjM(oC)7575BKbV)-20-30Ic=4mABVCec(V)-10-15Ic=4mABVEbo(V)-7-10Ie=4mA直流參數(shù)ICBdA)3015Vcb=-6

36、VICEC(A)1000700Vce=-6VIebOA)3015Veb=-6VVbes(V)0.60.6VCe=-1VIc=175mAVces(V)0.650.65VCe=VBeVcb=0Ic=200mAhFE4027040270VCe=-1VIc=175mA交流參數(shù)f(kHz)68Vcb=-6VIe=10mAhFE色標(biāo)分檔(黃)4055(包錄)5580(藍)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管腳BEC(3) 3BX31型NPN®錯低頻小功率三極管表183BX31型NPN®錯低頻小功率三極管的參數(shù)型號3BX31M3BX31A3BX31B3BX3

37、1C測試條件極限參數(shù)PcM(mW)125125125125Ta=25oCIcM(mA)125125125125Tm(oC):75757575BVCbc(V)-15-20-30-40Ic=1mABVCec(V)-6-12-18-24Ic=2mABVEbc(V)-6-10-10-10Ie=1mA直流參數(shù)IcbO(A)：2520126VCb=6VICEA)1000800600400W=6VIEBA)2520126VEb=6VVbes(V)0.60.60.60.66VIc=100mAVCes(V)0.650.650.650.65Vce=VbeVcb=0Ic=125mAhFE80400401804018

38、040180V=1VIC=100mA交流參數(shù)f(kHz)一一8f465必=-6VIe=10mAhFE色標(biāo)分檔(黃)4055(綠)5580(藍)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管腳EB)c(4) 3DG100(3DG6)型NPN®硅高頻小功率三極管表193DG100(3DG6)型NPN®硅高頻小功率三極管的參數(shù)原型號3DG6測試條件新型號3DG100A3DG100B3DG100C3DG100DPcM(mW)100100100100極IcM(mA)20202020限bmv)30403040IC=100VA參BVCeV)20302030Ic=100

39、VA數(shù)B*bdV)4444Ie=100A直流參數(shù)IcbcCA)0.010.010.010.01VCb=10VICEdA)0.10.10.10.1VCe=10VIebc(A)0.010.010.010.01VEb=1.5VVBes(V)1111Ic=10mAIb=1mAVCes(V)1111Ic=10mAIb=1mAhFE30303030VCe=10VIc=3mA交流參數(shù)3(MHz)150150300300Vcb=10VIE=3mAf=100MHzR=5K(dB)7777Vcb=-6VIE=3mAf=100MHzC>b(pF)4444V；b=10VIe=0hFE色標(biāo)分檔(紅)3060(紀(jì)錄

40、)50110藍)90160(白)>150管腳B3DG130(3DG12)型NPN®硅高頻小功率三極管表203DG130(3DG12)型NPN®硅高頻小功率三極管的參數(shù)原型號3DG12測試條件新型號3DG130A3DG130B3DG130C3DG130D極限參數(shù)PMmW)700700700700IMmA)300300300300BVCbc(V)40604060IC=100gABVCec(V)30453045IC=100gABVEbc(V)4444Ie=100A直流參數(shù)Icbc(A)0.50.50.50.5Vcb=10VICEC(A)1111Vce=10VIebc(A)0

41、.50.50.50.5VEb=1.5VVbe(V)1111Ic=100mAIb=10mAVceqV)0.60.60.60.6Ic=100mAIb=10mAhFE30303030VCe=10VIc=50mA交流參數(shù)R(MHz)150150300300Vcb=10VIE=50mAf=100MHzR=5K(dB)6666Vcb=-10VIe=50mAf=100MHzCob(pF)10101010Vcb=10VIE=0hFE色標(biāo)分檔(紅)3060(包錄)50110(藍)90160(白)>150管腳B(5) 90119018塑封硅三極管表2190119018塑封硅三極管的參數(shù)型號(3DG)9011

42、(3CX)9012(3DX)9013(3DG)9014(3CG)9015(3DG)9016(3DG)9018極IPcmW)200300300300300200200限參數(shù)IcmA)203003001001002520BVCbo(V)20202025252530BVCeo(V)18181820202020BVEbo(V)5554444直流參數(shù)IcbO(A)0.010.50,50.050.050.050.05Icec(A)0.1110.50.50.50.5Iebo(A)0.010.50,50.050.050.050.05VceS(V)0.50.50.50.50.50.50.35Vbes(V)111

43、111hFE30303030303030交流參數(shù)ft(MHz)1008080500600COb(pF)3.52.541.64Kp(dB)10hFE色標(biāo)分檔(紅)3060(I)50110(藍)90160(白)>150管腳EBC6.常用場效應(yīng)管主要參數(shù)表22常用場效應(yīng)三極管主要參數(shù)參數(shù)名稱N溝道結(jié)型MO翌N溝道耗盡型3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04dhdhdhdhdhdhdh飽和漏源電流IDSS(mA)0.3100.3100.3100.351.80.35100.35250.3510.5夾斷電壓Vgs(V)<19<19<19<19191919正向跨導(dǎo)gm(V)>2000>2000>1000>3000100040002000最大漏源電壓BVD