一些元件檢測

1、晶體管的檢測方法一、二極管的檢測方法1、檢測小功率晶體二極管 A、判別正、負電極 (a)、觀察外殼上的的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。 (b)、觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極管上標有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負極。 (c)、以阻值較小的一次測量為準，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。 B、檢測最高工作頻率fM。晶體二極管工作頻率，除了可從有關特性表中查閱出外，實用中常常用眼睛觀察二極管內(nèi)部的觸絲來加以區(qū)分，如點接觸型二極管屬于高頻管，面接觸型

2、二極管多為低頻管。另外，也可以用萬用表R1k擋進行測試，一般正向電阻小于1k的多為高頻管。 C、檢測最高反向擊穿電壓VRM。對于交流電來說，因為不斷變化，因此最高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。需要指出的是，最高反向工作電壓并不是二極管的擊穿電壓。一般情況下，二極管的擊穿電壓要比最高反向工作電壓高得多(約高一倍)。2、檢測玻封硅高速開關二極管 檢測硅高速開關二極管的方法與檢測普通二極管的方法相同。不同的是，這種管子的正向電阻較大。用R1k電阻擋測量，一般正向電阻值為5k10k，反向電阻值為無窮大。3、檢測快恢復、超快恢復二極管 用萬用表檢測快恢復、超快恢復二極管的方法基本與檢測塑封

3、硅整流二極管的方法相同。即先用R1k擋檢測一下其單向導電性，一般正向電阻為4.5k左右，反向電阻為無窮大；再用R1擋復測一次，一般正向電阻為幾歐，反向電阻仍為無窮大。4、檢測雙向觸發(fā)二極管 A、將萬用表置于R1k擋，測雙向觸發(fā)二極管的正、反向電阻值都應為無窮大。若交換表筆進行測量，萬用表指針向右擺動，說明被測管有漏電性故障。 將萬用表置于相應的直流電壓擋。測試電壓由兆歐表提供。測試時，搖動兆歐表，萬用表所指示的電壓值即為被測管子的VBO值。然后調換被測管子的兩個引腳，用同樣的方法測出VBR值。最后將VBO與VBR進行比較，兩者的絕對值之差越小，說明被測雙向觸發(fā)二極管的對稱性越好。5、瞬態(tài)電壓抑

4、制二極管(TVS)的檢測 用萬用表R1k擋測量管子的好壞，對于單極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4k左右，反向電阻為無窮大。對于雙向極型的TVS，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經(jīng)損壞。6、高頻變阻二極管的檢測 A、識別正、負極 高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是其色標顏色不同，普通二極管的色標顏色一般為黑色，而高頻變阻二極管的色標顏色則為淺色。其極性規(guī)律與普通二極管相似，即帶綠色環(huán)的一端為負極，不帶綠色環(huán)的一端為正極。 B、測量正、反向電阻來判斷其好壞 具體方法與測量普通二極管正、反向電阻的方

5、法相同，當使用500型萬用表R1k擋測量時，正常的高頻變阻二極管的正向電阻為5k5.5k，反向電阻為無窮大。7、變?nèi)荻O管的檢測 將萬用表置于R10k擋，無論紅、黑表筆怎樣對調測量，變?nèi)荻O管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發(fā)現(xiàn)萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變?nèi)荻O管有漏電故障或已經(jīng)擊穿損壞。對于變?nèi)荻O管容量消失或內(nèi)部的開路性故障，用萬用表是無法檢測判別的。必要時，可用替換法進行檢查判斷。 正、負極的判別 有的變?nèi)荻O管的一端涂有黑色標記，這一端即是負極，而另一端為正極。還有的變?nèi)荻O管的管殼兩端分別涂有黃色環(huán)和紅色環(huán)，紅色環(huán)的一端為正極，黃色環(huán)的一端為負極。 8

6、、單色發(fā)光二極管的檢測 在萬用表外部附接一節(jié)1.5V干電池，將萬用表置R10或R100擋。這種接法就相當于給萬用表串接上了1.5V電壓，使檢測電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時，黑表筆所接的為正極，紅表筆所接的為負極。9、紅外發(fā)光二極管的檢測 A、判別紅外發(fā)光二極管的正、負電極。紅外發(fā)光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見，內(nèi)部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。 B、將萬用表置于R1k擋，測量紅外發(fā)光二極管的正、

7、反向電阻，通常，正向電阻應在30k左右，反向電阻要在500k以上，這樣的管子才可正常使用。要求反向電阻越大越好。10、紅外接收二極管的檢測 A、識別管腳極性 (a)、從外觀上識別。常見的紅外接收二極管外觀顏色呈黑色。識別引腳時，面對受光窗口，從左至右，分別為正極和負極。另外，在紅外接收二極管的管體頂端有一個小斜切平面，通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極，另一端為正極。 (b)、將萬用表置于R1k擋，用來判別普通二極管正、負電極的方法進行檢查，即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值，正常時，所得阻值應為一大一小。以阻值較小的一次為準，紅表筆所接的管腳為負極，黑表筆所接的管腳為正極。 B、檢

8、測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極管正、反向電阻，根據(jù)正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極管的好壞。11、激光二極管的檢測 A、將萬用表置于R1k擋，按照檢測普通二極管正、反向電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測時要注意，由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大，所以檢測正向電阻時，萬用表指針僅略微向右偏轉而已，而反向電阻則為無窮大。12、雙基極二極管的檢測A電極的判別將萬用表置于R1k檔，用兩表筆測量雙基極二極管三個電極中任意兩個電極間的正反向電阻值，會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為210k，這兩個電極即是基極B1和基極B2，另一個電極即是發(fā)射極E

9、。再將黑表筆接發(fā)射極E，用紅表筆依次去接觸另外兩個電極，一般會測出兩個不同的電阻值。有阻值較小的一次測量中，紅表筆接的是基極B2，另一個電極即是基極B1。B性能好壞的判斷 雙基極二極管性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R1k檔，將黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個基極（B1和B2），正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。雙基極二極管兩個基極（B1和B2）之間的正、反向電阻值均為210k范圍內(nèi)，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極管已損壞。13、橋堆的檢測A全橋的檢測 大多數(shù)的整流

10、全橋上，均標注有“+”、“-”、“”符號（其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“-”為輸出電壓的負極，“”為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極。檢測時，可通過分別測量“+”極與兩個“”極、“-”極與兩個“”之間各整流二極管的正、反向電阻值（與普通二極管的測量方法相同）是否正常，即可判斷該全橋是否已損壞。若測得全橋內(nèi)鞭只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。B半橋的檢測 半橋是由兩只整流二極管組成，通過用萬用表分別測量半橋內(nèi)部的兩只二極管的正、反電阻值是否正常，即可判斷出該半橋是否正常。14、高壓硅堆的檢測高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯(lián)組成，

11、檢測時，可用萬用表的R10k檔測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆，其正向電阻值大于200k，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已軟擊穿損壞。15、變阻二極管的檢測用萬用表R10k檔測量變阻二極管的正、反向電阻值，正常的高頻變阻二極管的正向電阻值（黑表筆接正極時）為4.56k，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向電阻值均很小或均為無窮大，則說明被測變阻二極管已損壞。16、肖特基二極管的檢測二端型肖特基二極管可以用萬用表R1檔測量。正常時，其正向電阻值（黑表筆接正極）為2.53.5，投向電阻值為無窮大。若測得正、反電阻值均為無窮大或均接近0，則說明該二極管已開路

12、或擊穿損壞。三端型肖特基二極管應先測出其公共端，判別出共陰對管，還是共陽對管，然后再分別測量兩個二極管的正、反向電阻值。二、三極管的檢測方法1、中、小功率三極管的檢測 A、已知型號和管腳排列的三極管，可按下述方法來判斷其性能好壞 (a)、測量極間電阻。將萬用表置于R100或R1k擋，按照紅、黑表筆的六種不同接法進行測試。其中，發(fā)射結和集電結的正向電阻值比較低，其他四種接法測得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無窮大。但不管是低阻還是高阻，硅材料三極管的極間電阻要比鍺材料三極管的極間電阻大得多。 (b)、三極管的穿透電流ICEO的數(shù)值近似等于管子的倍數(shù)和集電結的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環(huán)

13、境溫度的升高而增長很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大將直接影響管子工作的穩(wěn)定性，所以在使用中應盡量選用ICEO小的管子。 通過用萬用表電阻直接測量三極管ec極之間的電阻方法，可間接估計ICEO的大小，具體方法如下： 萬用表電阻的量程一般選用R100或R1k擋，對于PNP管，黑表管接e極，紅表筆接c極，對于NPN型三極管，黑表筆接c極，紅表筆接e極。要求測得的電阻越大越好。ec間的阻值越大，說明管子的ICEO越?。环粗?，所測阻值越小，說明被測管的ICEO越大。一般說來，中、小功率硅管、鍺材料低頻管，其阻值應分別在幾百千歐、幾十千歐及十幾千歐以上，如果阻值很小或測試時萬用

14、表指針來回晃動，則表明ICEO很大，管子的性能不穩(wěn)定。 (c)、測量放大能力()。目前有些型號的萬用表具有測量三極管hFE的刻度線及其測試插座，可以很方便地測量三極管的放大倍數(shù)。先將萬用表功能開關撥至?擋，量程開關撥到ADJ位置，把紅、黑表筆短接，調整調零旋鈕，使萬用表指針指示為零，然后將量程開關撥到hFE位置，并使兩短接的表筆分開，把被測三極管插入測試插座，即可從hFE刻度線上讀出管子的放大倍數(shù)。 另外：有此型號的中、小功率三極管，生產(chǎn)廠家直接在其管殼頂部標示出不同色點來表明管子的放大倍數(shù)值，其顏色和值的對應關系如表所示，但要注意，各廠家所用色標并不一定完全相同。 B、檢測判別電極 (a)、

15、判定基極。用萬用表R100或R1k擋測量三極管三個電極中每兩個極之間的正、反向電阻值。當用第一根表筆接某一電極，而第二表筆先后接觸另外兩個電極均測得低阻值時，則第一根表筆所接的那個電極即為基極b。這時，要注意萬用表表筆的極性，如果紅表筆接的是基極b。黑表筆分別接在其他兩極時，測得的阻值都較小，則可判定被測三極管為PNP型管；如果黑表筆接的是基極b，紅表筆分別接觸其他兩極時，測得的阻值較小，則被測三極管為NPN型管。 (b)、判定集電極c和發(fā)射極e。(以PNP為例)將萬用表置于R100或R1k擋，紅表筆基極b，用黑表筆分別接觸另外兩個管腳時，所測得的兩個電阻值會是一個大一些，一個小一些。在阻值小

16、的一次測量中，黑表筆所接管腳為集電極；在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接管腳為發(fā)射極。 C、判別高頻管與低頻管 高頻管的截止頻率大于3MHz，而低頻管的截止頻率則小于3MHz，一般情況下，二者是不能互換的。 D、在路電壓檢測判斷法 在實際應用中、小功率三極管多直接焊接在印刷電路板上，由于元件的安裝密度大，拆卸比較麻煩，所以在檢測時常常通過用萬用表直流電壓擋，去測量被測三極管各引腳的電壓值，來推斷其工作是否正常，進而判斷其好壞。 2、大功率晶體三極管的檢測 利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對檢測大功率三極管來說基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作電流比較大，因而其

17、PN 結的面積也較大。PN結較大，其反向飽和電流也必然增大。所以，若像測量中、小功率三極管極間電阻那樣，使用萬用表的R1k擋測量，必然測得的電阻值很小，好像極間短路一樣，所以通常使用R10或R1擋檢測大功率三極管。 3、普通達林頓管的檢測 用萬用表對普通達林頓管的檢測包括識別電極、區(qū)分PNP和NPN類型、估測放大能力等項內(nèi)容。因為達林頓管的EB極之間包含多個發(fā)射結，所以應該使用萬用表能提供較高電壓的R10k擋進行測量。 4、大功率達林頓管的檢測 檢測大功率達林頓管的方法與檢測普通達林頓管基本相同。但由于大功率達林頓管內(nèi)部設置了V3、R1、R2等保護和泄放漏電流元件，所以在檢測量應將這些元件對測

18、量數(shù)據(jù)的影響加以區(qū)分，以免造成誤判。具體可按下述幾個步驟進行： A、用萬用表R10k擋測量B、C之間PN結電阻值，應明顯測出具有單向導電性能。正、反向電阻值應有較大差異。 B、在大功率達林頓管BE之間有兩個PN結，并且接有電阻R1和R2。用萬用表電阻擋檢測時，當正向測量時，測到的阻值是BE結正向電阻與R1、R2 阻值并聯(lián)的結果；當反向測量時，發(fā)射結截止，測出的則是(R1R2)電阻之和，大約為幾百歐，且阻值固定，不隨電阻擋位的變換而改變。但需要注意的是，有些大功率達林頓管在R1、R2、上還并有二極管，此時所測得的則不是(R1R2)之和，而是(R1R2)與兩只二極管正向電阻之和的并聯(lián)電阻值。 5、

19、帶阻尼行輸出三極管的檢測 將萬用表置于R1擋，通過單獨測量帶阻尼行輸出三極管各電極之間的電阻值，即可判斷其是否正常。具體測試原理，方法及步驟如下： A、將紅表筆接E，黑表筆接B，此時相當于測量大功率管BE結的等效二極管與保護電阻R并聯(lián)后的阻值，由于等效二極管的正向電阻較小，而保護電阻R的阻值一般也僅有2050，所以，二者并聯(lián)后的阻值也較??；反之，將表筆對調，即紅表筆接B，黑表筆接E，則測得的是大功率管BE結等效二極管的反向電阻值與保護電阻R的并聯(lián)阻值，由于等效二極管反向電阻值較大，所以，此時測得的阻值即是保護電阻R的值，此值仍然較小。 B、將紅表筆接C，黑表筆接B，此時相當于測量管內(nèi)大功率管B

20、C結等效二極管的正向電阻，一般測得的阻值也較小；將紅、黑表筆對調，即將紅表筆接B，黑表筆接C，則相當于測量管內(nèi)大功率管BC結等效二極管的反向電阻，測得的阻值通常為無窮大。 C、將紅表筆接E，黑表筆接C，相當于測量管內(nèi)阻尼二極管的反向電阻，測得的阻值一般都較大，約300；將紅、黑表筆對調，即紅表筆接C，黑表筆接E，則相當于測量管內(nèi)阻尼二極管的正向電阻，測得的阻值一般都較小，約幾至幾十。怎樣用測試光電開關的管腳和性能的好壞普通的光電開關無論是對射還是反射式都有四個管腳。其中兩個管腳是紅外發(fā)射二極管的管腳，另外兩個是光電三極管的管腳。我們一對射式光電開關為例，說明判別四個管腳的方法：把萬用表撥在R1

21、K擋，用一只手堵住光電開關的發(fā)射管和接收管，用黑、紅表筆分別測每只管子的兩根引腳電阻，然后把紅、黑表筆對調一下后再測量每只管子的兩根引腳。當找到正向電阻在20K左右的那兩根引腳時，黑表筆接的就是紅外發(fā)射二極管的正極，紅表筆接的就是紅外發(fā)射二極管的負極。區(qū)分光敏三極管的“E”和“C”：把接收管對著自然光或燈光，用紅、黑表筆分別接光敏三極管的兩根引出線，然后把紅、黑表筆對調，再去接觸接收管的兩個電極，兩次測量中阻值小的那次，黑表筆接的就是光敏三極管的“C”極。紅表筆接的就是光敏三極管的“E”極。檢查光電開關的好壞可以采用雙表法，如圖1-1所示，在光線較暗的地方，用一塊萬用表撥在R1K擋，黑表筆接光

22、敏三極管“C”極，紅表筆接光敏三極管“E”極?？梢钥吹饺f用表指示的阻值很大；然后用另一快萬用表撥在R10K擋，黑表筆接紅外發(fā)射管的正極，紅表筆接紅外發(fā)射管的負極，此時如看到接光敏三極管的萬用表阻值大大減小，則說明這個光電開關是好的。如何測試雙向晶閘管的好壞用萬用表測試雙向晶閘管的好壞，首先要分清雙向晶閘管的控制極G和主電極T1和T2。把萬用表撥在R1或R10擋，黑表筆接T2，紅表筆接T1，然后將 T2與G瞬間短路一下，立即離開，此時若表針有較大幅度的偏轉，并停留在某一位置上，說明T1與T2已觸發(fā)導通；把紅、黑表筆調換后再重復上述操作，如果 T1、T2仍維持導通，說明這只雙向晶閘管是好的，反之則

23、是壞的。如何用萬用表測出雙向晶閘管的三個極雙向晶閘管除了一個電極G仍然叫控制極外，另外兩個電極通常不再叫陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極T1和T2。雙向晶閘管是一種N-P-N-P-N型5層結構的半導體，其符號和內(nèi)部結構圖見圖1-1。用萬用表區(qū)分雙向晶閘管電極的方法是：首先找出主電極T2。將萬用表置于R100擋，用黑表筆接雙向晶閘管的任一個電極，紅表筆分別接雙向晶閘管的另外兩個電極，如果表針不動，說明黑表筆接的就是主電極T2。否則就要把黑表筆再調換到另一個電極上，按上述方法進行測量，直到找出主電極T2。T2 確定后再按下述方法找出T1和G極。由圖1-1可見T1與G是由兩個PN結反向并聯(lián)的，因設計需要和

24、結構的原因，T1與G之間的電阻值，依然存在正反向的差別。用萬用表R10或R1擋測T1和G之間的正、反向電阻，如一次是22左右，一次是24左右，則在電阻較小的一次（正向電阻）黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是控制極G?？煽毓铏z測方法與經(jīng)驗可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線路中。1. 可控硅的特性?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳

25、。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關。雙向可控硅

26、第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當?shù)谝魂枠OA1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。2. 單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽

27、極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。3. 雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極 A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，

28、紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針不應發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池

29、，以提高觸發(fā)電壓。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法：先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。場效應管檢測一、用指針式萬用表對場效應管進行判別（1）用測電阻法判別結型場效應管的電極根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且

30、為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是結的反向，即都是反向電阻，可以判定是溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向結，即是正向電阻，判定為溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。（2）用測電阻法判別場效

31、應管的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極1與柵極2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于或100檔，測量源極與漏極之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于檔，再測柵極1與2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法

32、進行檢測。（3）用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的R100檔，紅表筆接源極，黑表筆接漏極，給場效應管加上1.5的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵極，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流I都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。根據(jù)上述方法，我們用萬用表的R100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的極開路，測得漏源電阻RDS為600，用手

33、捏住極后，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12k，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加）。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，試驗表明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動；少數(shù)管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用。但要注意，MOS場效應管的輸人電阻高，柵極允許的感應電壓不

34、應過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢，應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起G電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將 G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標志的場效應管首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極和漏極，余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極與漏極之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極；紅表筆所接的為源極。用這種方法判別出來

35、的、極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是極；紅表筆所接地是極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極、源極的位置后，按、的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了、S、G1、G2管腳的順序。（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小對溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極、黑表筆接漏極，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R10k的高阻檔，此時表內(nèi)電壓較高。當用手接觸柵極時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大

36、，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。二、.場效應管的使用注意事項（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是結，溝道管柵極不能加正偏壓；溝道管柵極不能加負偏壓，等等。（3）MOS場效應管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內(nèi)，保存時最好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意管的

37、防潮。（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸毫米處進行，以防止彎斷管腳和引

38、起漏氣等。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作。 總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā)，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。 三.VMOS場效應管 VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱 VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（108W）、驅動電流?。?.1A左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1.5A100A）、輸出功率高（1250W）、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。 VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點，尤其是其具有負的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導