太陽能擴散培訓(xùn)

1、在上海舉行的SNEC第五屆（2011）國際太陽能光伏展覽會上維利安推出Solion離子注入技術(shù)平臺時間：2011-3-1 11:08:51 作者：夏楠 來源：歐瑞康 點擊數(shù)： 157    維利安公司披露它與競爭激烈的中國晶體太陽能組件制造行業(yè)中的多家客戶立約    上海，2011年2月23日維利安半導(dǎo)體設(shè)備聯(lián)合公司（“維利安”）（納斯達克股票代號：VSEA）今天在SNEC第五屆（2011）國際太陽能光伏展覽會上正式宣布把Solion光伏（“PV”）離子注入平臺推入中國市場。    維利安說，它已經(jīng)與多家

2、領(lǐng)先的中國光伏制造商合作，在今年年中把Solion圖案離子注入技術(shù)用于大量生產(chǎn)。維利安已經(jīng)與超過七家中國光伏制造商立約。這些公司看到，Solion為他們帶來制造高效率太陽能電池所需要的精確度和控制技術(shù)，同時簡化制造工藝，從而降低每瓦的整體成本，有可能加快太陽能發(fā)電達到與電網(wǎng)平價。     Solion用離子注入技術(shù)取代傳統(tǒng)的擴散摻雜工藝，使得太陽能組件制造商能夠以更低的生產(chǎn)成本提高太陽能電池的效率。離子注入除了精度更高和更好的工藝控制，因而提高半導(dǎo)體結(jié)的質(zhì)量之外，這個方法還消除了多個生產(chǎn)步驟，提高了太陽能電池的一致性，因而可以更嚴(yán)格地將太陽能電池分組。 

3、 Solion的早期用戶已經(jīng)采用這種能夠提高效率和降低成本的圖案注入技術(shù)來大量生產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率超過百分之十九的晶體太陽能電池。圖案注入還展現(xiàn)了以較低的每瓦制造成本把轉(zhuǎn)換效率提高到百分之二十二的清晰路線圖。    “在中國有這么多光伏制造商對Solion抱有強烈的興趣，這進一步肯定了注入技術(shù)對于制造高效率、低成本太陽能電池的價值?！?維利安公司行政總監(jiān)加里迪克森先生說。 “我們對能與這個發(fā)展最快的市場中的一些領(lǐng)先公司在生產(chǎn)太陽能電池方面合作，感到非常興奮。本地制造太陽能電池的專業(yè)知識與維利安的領(lǐng)先技術(shù)及世界一流的技術(shù)支持結(jié)合起來，將使光伏產(chǎn)業(yè)向著實現(xiàn)太陽能發(fā)電與電網(wǎng)平價

4、邁出巨大的一步?！?#160; 用于半導(dǎo)體行業(yè)的維利安離子注入技術(shù)，包括維利安VIISta ®產(chǎn)品線（已有1,200臺在現(xiàn)場使用），三十五年來位居領(lǐng)先。Solion雖借鑒了這個歷史。但它是一個完全新的平臺，它體現(xiàn)了光伏組件生產(chǎn)商的需要和重點，包括精密圖形注入（PPITM）技術(shù),它能夠在一個工藝步驟中形成摻雜圖案。     Solion的客戶也受益于維利安亨譽全球的服務(wù)機構(gòu)，其中包括來自中國市場辦事處的眾多工程師的本地化支持。維利安將在2月22日 至24日于上海舉行的SNEC第五屆（2011）國際太陽能光伏展覽會上展出它的技術(shù)，攤位： 215（5號館）。&

5、#160;   維利安半導(dǎo)體設(shè)備聯(lián)合公司簡介    維利安是領(lǐng)先的離子注入設(shè)備供應(yīng)商，它的離子注入設(shè)備用于半導(dǎo)體芯片和光伏組件的制造。世界各地的制造商使用維利安的產(chǎn)品來生產(chǎn)高性能的半導(dǎo)體器件和太陽能電池板。由于維利安提供的產(chǎn)品具有優(yōu)異的結(jié)構(gòu)，因而降低了客戶的成本，并提高了他們的生產(chǎn)力，客戶已經(jīng)把維利安列為離子注入市場的領(lǐng)先公司。    維利安提供技術(shù)支持、培訓(xùn)和售后的產(chǎn)品和服務(wù)，幫助其客戶取得高利用率和生產(chǎn)力，降低運營成本，并通過幾代產(chǎn)品擴大客戶投資的資本生產(chǎn)力。維利安在VLSI研究公司過去十四年進行的客戶滿意度調(diào)

6、查中，十三次名列第一。維利安在全球開展業(yè)務(wù)，總部設(shè)在馬薩諸塞州格洛斯特。在維利安的網(wǎng)站上可以得到更多信息。安全港 聲明     根據(jù)1995年美國私人證券訴訟改革法案的安全港條款，本新聞稿包含前瞻性陳述。為此，關(guān)于維利安Solion注入產(chǎn)品在中國的裝機數(shù)量，Solion注入產(chǎn)品預(yù)期給光伏電池制造商帶來技術(shù)上和商業(yè)上的優(yōu)勢，以及行文中使用“ 相信”、“預(yù)期”、 “ 將”、 “期望”、 “計劃”等字眼或類似表述的任何陳述，均屬于前瞻性陳述。這些前瞻性陳述涉及許多風(fēng)險和不確定性。可能導(dǎo)致實際結(jié)果與此類前瞻性陳述所表明的結(jié)果大不相同的重要因素包括：半導(dǎo)體和太陽能設(shè)備等行業(yè)

7、的易變性；半導(dǎo)體行業(yè)和太陽能設(shè)備行業(yè)的激烈競爭；維利安對少數(shù)客戶的依賴；維利安的季度經(jīng)營業(yè)績的波動；市場采用維利安的新產(chǎn)品，例如Solion離子注入產(chǎn)品；維利安在國際化經(jīng)營中經(jīng)受的風(fēng)險；維利安的專利權(quán)和其他專有權(quán)利沒有得到確定的保護；維利安對有限的供應(yīng)商的依賴；維利安對潛在增長、下降和戰(zhàn)略交易的管理能力；維利安對一個主要生產(chǎn)設(shè)施的依賴以及維利安對某些關(guān)鍵人員的依賴。這些風(fēng)險因素和其他重要的風(fēng)險因素，可能影響實際結(jié)果。這些風(fēng)險因素在維利安提交給證券交易委員會的10 - K表格中的財政年度（在2010年10月1日截止）以及其他報告中，在“風(fēng)險因素標(biāo)題下，作了詳細(xì)討論。維利安不能保證任何未來結(jié)果以及

8、活動、表現(xiàn)或成就所能達到的水平。維利安公司沒有義務(wù)在本新聞稿發(fā)布日期之后更新前瞻性聲明的任何內(nèi)容。CSMCHJ擴散部工藝培訓(xùn)-主要設(shè)備、熱氧化、擴散、合金擴散部 2002年7月前言： 擴散部按車間劃分主要由擴散區(qū)域及注入?yún)^(qū)域組成，其中擴散區(qū)域又分?jǐn)U散老區(qū)和擴散新區(qū)。擴散區(qū)域按工藝分，主要有熱氧化、擴散、LPCVD、合金、清洗、沾污測試等六大工藝。本文主要介紹熱氧化、擴散及合金工藝。目錄第一章：擴散區(qū)域設(shè)備簡介第二章：氧化工藝第三章：擴散工藝第四章：合金工藝第一章：擴散部擴散區(qū)域工藝設(shè)備簡介爐管設(shè)備外觀： 擴散區(qū)域的工藝、設(shè)備主要可以分為：類別主要包括按工藝分類熱氧化一氧、二癢、場氧、Post氧

9、化擴散推阱、退火/磷摻雜LPCVDTEOS、SI3N4、POLY清洗進爐前清洗、漂洗合金合金按設(shè)備分類臥式爐A、B、C、D、F、H、I六臺立式爐VTR-1、VTR-2、VTR-3清洗機FSI-1、FSI-2爐管：負(fù)責(zé)高溫作業(yè)，可分為以下幾個部分：組成部分 功能控制柜 對設(shè)備的運行進行統(tǒng)一控制；裝舟臺： 園片放置的區(qū)域，由控制柜控制運行爐 體： 對園片進行高溫作業(yè)的區(qū)域，由控制柜控制升降溫源 柜： 供應(yīng)源、氣的區(qū)域，由控制柜控制氣體閥門的開關(guān)。FSI：負(fù)責(zé)爐前清洗。 第二章：熱氧化工藝 熱氧化法是在高溫下（900-1200）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法。熱氧化的目的是在硅片上制作出一定質(zhì)量要求

10、的二氧化硅膜，對硅片或器件起保護、鈍化、絕緣、緩沖介質(zhì)等作用。硅片氧化前的清洗、熱氧化的環(huán)境及過程是制備高質(zhì)量二氧化硅膜的重要環(huán)節(jié)。2. 1氧化層的作用211用于雜質(zhì)選擇擴散的掩蔽膜常用雜質(zhì)(硼,磷,砷等)在氧化層中的擴散系數(shù)遠(yuǎn)小于在硅中的擴散系數(shù)，因此氧化層具有阻擋雜質(zhì)向半導(dǎo)體中擴散的能力。利用這一性質(zhì)，在硅上的二氧化硅層上刻出選擇擴散窗口，則在窗口區(qū)就可以向硅中擴散雜質(zhì)，其它區(qū)域被二氧化硅屏蔽，沒有雜質(zhì)進入，實現(xiàn)對硅的選擇性擴散。SiO2N-WELLP-WLLS(P+)1960年二氧化硅就已被用作晶體管選擇擴散的掩蔽膜，從而導(dǎo)致了硅平面工藝的誕生，開創(chuàng)了半導(dǎo)體制造技術(shù)的新階段。同時二氧化硅

11、也可在注入工藝中，作為選擇注入的掩蔽膜。作為掩蔽膜時，一定要保證足夠厚的厚度，雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散或穿透深度必須要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出現(xiàn)的工藝波動影響掩蔽效果。21. 2緩沖介質(zhì)層Si(P)P-WellN-WellSiO2Si3N4其一：硅與氮化硅的應(yīng)力較大，因此在兩層之間生長一層氧化層，以緩沖兩者之間的應(yīng)力，如二次氧化；其二：也可作為注入緩沖介質(zhì)，以減少注入對器件表面的損傷。213電容的介質(zhì)材料 電容的計算公式： C=e0*er*S/d e0：真空介質(zhì)常數(shù) er：相對介電常數(shù) S：電容區(qū)面積 D：介質(zhì)層厚度 二氧化硅的相對介電常數(shù)為3-4。二氧化硅的耐擊穿能力強

12、，溫度系數(shù)小，是制作電容介質(zhì)的常用材料。在電容的制作過程中，電容的面積和光刻、腐蝕有較大的關(guān)系，而厚度則由二氧化硅的厚度決定。214 集成電路的隔離介質(zhì)N-WellSiO2Si(P)P-WellSi3N4二氧化硅的隔離效果比PN結(jié)的隔離效果好，漏電流小，耐擊穿能力強，隔離區(qū)和襯底之間的寄生電容小，不受外界偏壓的影響，使器件有較高的開關(guān)速度。如工藝中常用的場氧化就是生長較厚的二氧化硅膜，達到器件隔離的目的。215 MOS場效應(yīng)晶體管的絕緣柵材料二氧化硅的厚度和質(zhì)量直接決定著MOS場效應(yīng)晶體管的多個電參數(shù)，因此在柵氧化的工藝控制中，要求特別嚴(yán)格。N-WellSi(P)P-WellSiO2PolyG

13、ate-oxide22 熱氧化方法介紹221 干氧氧化 干氧氧化化學(xué)反應(yīng)式：Si+O2 = SiO2氧分子以擴散的方式通過氧化層到達二氧化硅-硅表面，與硅發(fā)生反應(yīng)，生成一定厚度的二氧化硅層。干氧化制作的SiO2結(jié)構(gòu)致密，均勻性、重復(fù)性好，掩蔽能力強，對光刻膠的粘附性較好，但生長速率較慢；一般用于高質(zhì)量的氧化，如柵氧等；厚層氧化時用作起始和終止氧化；薄層緩沖氧化也使用此法。222 水汽氧化 水汽氧化化學(xué)反應(yīng)式：2H2O+Si = SiO2+2H2水汽氧化生長速率快，但結(jié)構(gòu)疏松，掩蔽能力差，有較多缺陷。對光刻膠的粘附性較差，我們公司不采用此方法。223 濕氧氧化濕氧氧化反應(yīng)氣體中包括O2 和H2O

14、 ，實際上是兩種氧化的結(jié)合使用。 濕氧氧化化學(xué)反應(yīng)式： H2+O2=H2O H2O+Si = SiO2+2H2 Si+O2 = SiO2濕氧氧化的生長速率介于干氧氧化和水汽氧化之間； 在今天的工藝中H2O的形成通常是由H2和O2的反應(yīng)得到；因此通過H2和O2的流量比例來調(diào)節(jié)O2 和H2O的分壓比例，從而調(diào)節(jié)氧化速率，但為了安全，H2/O2比例不可超過1.88。 濕氧氧化的氧化層對雜質(zhì)掩蔽能力以及均勻性均能滿足工藝要求，并且氧化速率比干氧氧化有明顯提高，因此在厚層氧化中得到了較為廣泛的應(yīng)用，如場氧化等。224 摻氯氧化氧化氣體中摻入HCL或DCE（C2H2Cl2）后，氧化速率及氧化層質(zhì)量都有提高

15、。人們從兩個方面來解釋速率變化的原因，其一：摻氯氧化時反應(yīng)產(chǎn)物有H2O，加速氧化；其二：氯積累在Si-SiO2界面附近，氯與硅反應(yīng)生成氯硅化物，氯硅化物穩(wěn)定性差，在有氧的情況下易轉(zhuǎn)變成SiO2，因此，氯起了氧與硅反應(yīng)的催化劑的作用。并且氧化層的質(zhì)量也大有改善，同時能消除鈉離子的沾污，提高器件的電性能和可靠性。熱氧化過程中摻入氯會使氧化層中含有一定量的氯原子，從而可以減少鈉離子沾污，鈍化SiO2中鈉離子的活性，抑制或消除熱氧化缺陷，改善擊穿特性，提高半導(dǎo)體器件的可靠性和穩(wěn)定性。我們公司大多數(shù)干氧氧化都含有摻氯氧化。2. 3熱氧化過程中的硅片表面位置的變化如果熱生長的二氧化硅厚度是X0（um），所

16、消耗的硅厚度為X1，則： a=X1/X0=0.46Si-SiO界面原始硅表面SiO2表面即生長1um的SiO2，要消耗掉0.46um的Si。但不同熱氧化生長的SiO2的密度不同，a值會略有差異。 54% 100% 46%24 影響氧化速率的因素241 熱氧化模型簡介 硅片的熱氧化過程是氧化劑穿透二氧化硅層向二氧化硅和硅界面運動并與硅進行反應(yīng)。Deal-Grove方程具體描述了這種熱氧化過程。 Deal-Grove膜厚方程式： X2+AX=B（t+t）式中： A=2D0*（1/KS+1/h） B=2D0*N*/n t=（XI2+A*XI）/B D0 ：氧化劑在二氧化硅中的有效擴散系數(shù)； h：氣相

17、輸運常數(shù) KS：界面反應(yīng)速率常數(shù) ；N*：氧化劑在氧化層中的平衡濃度 XI：初始氧化層厚度； n：形成單位體積二氧化硅所需的氧分子數(shù)極限情況1：短時間氧化時 X=（B/A）*t B/A：線性氧化速率常數(shù)極限情況2：長時間氧化時 X2=Bt B：拋物線速率常數(shù)這兩個速率常數(shù)都與工藝方法、氧化溫度、氧化劑的分壓、晶向有關(guān)系。 242 氧化溫度的影響 溫度越高，氧化速率越快。 244 硅片晶向的影響線性速率常數(shù)與晶向有較大的關(guān)系，各種晶向的園片其氧化速率為：(110)>POLY>(111)>(100)245 摻雜雜質(zhì)濃度的影響當(dāng)摻雜雜質(zhì)的濃度相當(dāng)高時，會產(chǎn)生增強氧化，使氧化速率發(fā)生

18、較大變化。如 LVMG 產(chǎn)品N+退火氧化： 在未摻雜區(qū)的氧化厚度：670A 在N+摻雜區(qū)氧化厚度：1700A246 氯化物的影響247 氧化劑分壓的影響在前面介紹的濕氧氧化中，如果改變H2或O2的流量，就會使水汽和氧氣的分壓比降低，使氧化速率變化。24 CSMC-HJ擴散課的工藝狀況241 氧化質(zhì)量控制2411 拉恒溫區(qū)控制溫度定期拉恒溫區(qū)以得到好的溫度控制2412 DCE（C2H2Cl2）吹掃爐管 2413 BT 測量BT項目可以檢測到可動離子數(shù)目，使我們及時掌握爐管的沾污情況，防止?fàn)t管受到可動電荷粘污,使大批園片受損。2414 片內(nèi)均勻性 保證硅片中每個芯片的重復(fù)性良好2415 片間均勻性

19、保證每個硅片的重復(fù)性良好2416定期清洗爐管清洗爐管，可以減少重金屬離子、堿金屬離子的沾污同時也能減少顆粒，保證氧化層質(zhì)量。2417 定期檢測系統(tǒng)顆粒25常見問題及處理I 膜厚異常，但均勻性良好對策：首先，檢查測量結(jié)果是否準(zhǔn)確、儀器工作狀態(tài)是否正常，然后1 檢查氣體流量、工藝溫度是否正常； 2 檢查爐管的氣體接口是否正常； 3 如使用控制片，檢查控制片是否用對；4 和動力部門確認(rèn)，工藝時氣體供應(yīng)有無出現(xiàn)異常；5 對于外點火的爐管，請檢查點火裝置的各處連接正常，然后進行TORCH點火實驗。 部分園片或部分測試點膜厚正常，但整體均勻性差 對策：1 如使用控制片，檢查控制片； 2 檢查排風(fēng)正常3 檢

20、查爐門正常第三章 擴散工藝擴散技術(shù)目的在于控制半導(dǎo)體中特定區(qū)域內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度、深度和PN結(jié)。在集成電路發(fā)展初期是半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的主要技術(shù)之一。但隨著離子注入的出現(xiàn)，擴散工藝在制備淺結(jié)、低濃度摻雜和控制精度等方面的巨大劣勢日益突出，在制造技術(shù)中的使用已大大降低。31 擴散機構(gòu)311 替位式擴散機構(gòu)這種雜質(zhì)原子或離子大小與Si原子大小差別不大，它沿著硅晶體內(nèi)晶格空位跳躍前進擴散，雜質(zhì)原子擴散時占據(jù)晶格格點的正常位置，不改變原來硅材料的晶體結(jié)構(gòu)。硼、磷、砷等是此種方式。 雜質(zhì)原子Si原子晶格空位312 填隙式擴散機構(gòu)這種雜質(zhì)原子大小與Si原子大小差別較大，雜質(zhì)原子進入硅晶體后，不占據(jù)晶格格點的正

21、常位置，而是從一個硅原子間隙到另一個硅原子間隙逐次跳躍前進。鎳、鐵等重金屬元素等是此種方式。Si原子雜質(zhì)原子32 擴散方程 ¶N / ¶t = D*2N / ¶x2N=N（x，t）雜質(zhì)的濃度分布函數(shù)，單位是cm-3D：擴散系數(shù)，單位是cm2/s加入邊界條件和初始條件，對上述方程進行求解，結(jié)果如下面兩小節(jié)所訴。321 恒定表面濃度擴散整個擴散過程中，硅片表面濃度NS保持不變 N（x，t）=NSerfc（x/（2*（Dt）1/2）式中erfc稱作余誤差函數(shù)，因此恒定表面濃度擴散分布符合余誤差分布。322限定源擴散雜質(zhì)源限定在硅片表面薄的一層，雜質(zhì)總量Q是常數(shù)。 N（x

22、，t）=（Q/（pDt）1/2）*exp（-X2/4Dt）exp（-X2/4Dt）是高斯函數(shù)，因此限定源擴散時的雜質(zhì)分布是高斯函數(shù)分布。由以上的求解公式，可以看出擴散系數(shù)D以及表面濃度對恒定表面擴散的影響相當(dāng)大323 擴散系數(shù)擴散系數(shù)是描述雜質(zhì)在硅中擴散快慢的一個參數(shù)，用字母D表示。D大，擴散速率快。D與擴散溫度T、雜質(zhì)濃度N、襯底濃度NB、擴散氣氛、襯底晶向、缺陷等因素有關(guān)。D=D0exp（-E/kT） T：絕對溫度； K：波爾茲曼常數(shù)； E：擴散激活能 D0：頻率因子 324 雜質(zhì)在硅中的固溶度雜質(zhì)擴散進入硅中后，與硅形成固溶體。在一定的溫度下，雜質(zhì)在硅中有一個最大的溶解度，其對應(yīng)的雜質(zhì)濃

23、度，稱該溫度下雜質(zhì)在硅中的固溶度。固溶度在一定程度上決定了硅片的表面濃度。33 CSMC-HJ擴散課的擴散工藝狀況擴散工藝按照作用可以分為推阱、退火、磷摻雜，不同工藝的作業(yè)爐管在配置上稍有不同。331推阱由于CMOS是由PMOS和NMOS組成，因此需要在一種襯底上制造出另一種型號的襯底,才可以在一種型號的硅片上同時制造出N管、P管，在選擇注入后的推阱工藝就可以在硅片上制出P阱、N阱；由于推阱一般需要有一定的結(jié)深，而雜質(zhì)在高溫下的擴散速率較大，因此推阱工藝往往需要在較高的溫度（1150C）下進行，以縮短工藝時間，提高硅片的產(chǎn)出率。3311推阱工藝主要參數(shù)33111結(jié)深比較關(guān)鍵，必須保證正確的溫度

24、和時間；33112膜厚主要為光刻對位提供方便,同時會改變園片表面的雜質(zhì)濃度，過厚或過薄均會影響N管或P管的開啟電壓；33113表面濃度注入能量和劑量一定后,表面濃度主要受制于推阱程序的工藝過程,如高溫的溫度、工藝的時間、氧化和推結(jié)的前后順序；3312影響推阱的工藝參數(shù)33121 溫度易變因素，決定了擴散系數(shù)的大小，對工藝的影響最大。 33122 時間一般不易偏差，取決于時鐘的精確度。33123程序的設(shè)置先氧化后推阱與先推阱后氧化得出的表面濃度就不同，因此阱電阻就會有很大的差別。33124 排風(fēng) &氣體流量排風(fēng)：對爐管的片間均勻性，尤其是爐口有較大的影響。氣體流量：氣體流量的改變會影響氧

25、化膜厚，從而使表面濃度產(chǎn)生變化，直接影響器件的電參數(shù).3313推阱工藝控制 阱電阻：用來監(jiān)控推阱后N（或P）阱電阻的大小，阱電阻的大小會對制作在N（或P）阱里的晶體管的柵開啟電壓及擊穿電壓造成直接影響；但電阻控制片的制作由于有一定的制作流程，因此電阻有時會受制備工藝的影響。332 退火在當(dāng)今的亞微米工藝中，由于淺結(jié)、短溝的限制，硅片工藝后段的熱過程越來越被謹(jǐn)慎地使用，但是退火仍然以不同的形式出現(xiàn)在工藝的流程中。退火可以激活雜質(zhì)，減少缺陷，并獲得一定的結(jié)深。它的工藝時間和溫度關(guān)系到結(jié)深和雜質(zhì)濃度。333磷摻雜由于磷摻雜的控制精度較底，它已經(jīng)漸漸地退出了工藝制作的舞臺。但是在一些要求不高的工藝步驟

26、仍然在使用。3331多晶摻雜向多晶中摻入大量的雜質(zhì)，使多晶具有金屬導(dǎo)電特質(zhì)，以形成MOS之“M”或作為電容器的一個極板或形成多晶電阻，之所以不用離子注入主要是出于經(jīng)濟的原因。3332 N+淀積在我們的生產(chǎn)線上，仍然在使用此種工藝-磷摻雜的傳統(tǒng)角色，以形成源漏結(jié)和擴散電阻3. 3. 3. 3磷擴散原理使用PBr3源，反應(yīng)式如下： 4 PBr3 +5O2 = 2P2O5+6Br22P2O5 +5Si = 5SiO2 +4P334磷擴散工藝主要參數(shù)3341 結(jié)深 3342擴散電阻現(xiàn)行的主要控制參數(shù)3343表面濃度以上這三項參數(shù)都與摻雜時間、摻雜溫度、磷源流量等有密切的關(guān)系335 影響磷擴散的因素33

27、51爐管溫度和源溫 爐管溫度會影響雜質(zhì)在硅中的固溶度，從而影響摻雜電阻； PBr3是揮發(fā)性較強的物質(zhì)，溫度的大小會影響源氣的揮發(fā)量，使源氣蒸氣壓發(fā)生變化，從而影響摻雜雜質(zhì)總量,因此必須保證溫度穩(wěn)定。3352程序的編制磷源流量設(shè)置的大小決定了淀積時間的長短，使推結(jié)的時間變化，從而影響了表面濃度和電阻。3353時間一般不易偏差，取決于時鐘的精確度 3354排風(fēng)排風(fēng)不暢，會使摻雜氣體不能及時排出，集中在爐管之內(nèi)，使摻雜電阻難于控制。336磷擴散工藝控制 3361拉恒溫區(qū)控制溫度3362電阻均勻性 電阻均勻性可以反應(yīng)出溫度或氣體的變化以及時發(fā)現(xiàn)工藝和設(shè)備發(fā)生的問題，在進行換源、換爐管等備件的更換時，需及時進行該QC的驗證工作，以確定爐管正常。3363清洗爐管及更換內(nèi)襯管由于在工藝過程中會有偏磷酸生成，在爐口溫度較低處會凝結(jié)成液體，并堆積起來，會腐蝕爐管甚至流出爐管后腐蝕機器設(shè)備。334 常見問題及處理= 3341推阱爐管均勻性及膜厚變化 檢查方法與熱氧化一樣。3342推阱時程序中斷對策：1檢查爐管的作業(yè)記錄，找出中斷的真正原因； 2根據(jù)作業(yè)記錄中剩余時間的多少確定返工時間； 3必須減去升降溫的時間補償。3343 磷摻雜后