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文檔簡介
1、二級管電路習題選1 在題1.1圖所示電路中,U0電壓為( )。(a)12V (b)-9V (c)-3V2 在題1.2圖所示電路中,所有二極管均為理想元件,則D1、D2、D3的工作狀態(tài)為( )。(a)D1導通,D2、D3截止 (b)D1、D2截止,D3導通 (c)D1、D3截止,D2導通題1.1圖 題1.2圖3 在題1.3圖所示電路中,所有二極管均為理想元件,則D1、D2的工作狀態(tài)為( )。(a)D1導通,D2、截止 (b)D1、D2均導通 (c)D1、截止,D2導通題1.3圖 題1.4圖4 在題1.4圖所示電路中,D1、D2為理想元件,則電壓U0為( )。(a)3V (b)5V (c)2V5
2、電路如題1.5圖(a)所示,二極管D為理想元件,輸入信號ui為圖(b)所示的三角波,則輸出電壓u0 的最大值為( )。(a)5V (b)17V (c)7V(a) (b) 題1.5圖6 在題1.6圖所示電路中,二極管為理想元件,uA=3v,uB=2sintV,R=4K,則uF等于( ).(a)3V (b)2sintV (c)3+2sintV題1.6圖 題1.7圖7 在題1.7圖所示電路中,二極管為理想元件,則輸出電壓U0為( )。(a)3V (b)0V (c)12V8 在題1.8圖(1)所示電路中,二極管D為理想元件,設u1=2sintV,穩(wěn)壓二極管DZ的穩(wěn)定電壓為6V,正向壓降不計,則輸出電壓
3、u0的波形為圖(2)中的波形( )。(1) (2)9 在題1.9圖所示電路中,穩(wěn)壓二極管DZ2的穩(wěn)定電壓為6V,DZ2的穩(wěn)定電壓為12V,則輸出電壓U0等于( )。(a)12V (b)6V (c)18V10 在題1.10圖所示電路中,穩(wěn)壓二極管DZ1和 DZ2的穩(wěn)定電壓分別為6V和9V,正向電壓降都是0.7V。則電壓U0等于( )。(a)3V (b)15V (c)3V11 在題1.11圖所示電路中,穩(wěn)壓二極管DZ1的穩(wěn)定電壓UZ1=12V,DZ2的穩(wěn)定電壓UZ2=6V,則電壓U0等于( )。(a)12V (b)20V (c)6V12 已知某晶體管處于放大狀態(tài),測得其三個級的電位分別為6V、9V
4、和6.3V,則6V所對應的電極為(a )。(a)發(fā)射極 (b)集電極 (c)基極13晶體管的工作特點是( a )。一、 (a)輸入電流控制輸出電流 (b)輸入電流控制輸出電壓 選擇題1在N型半導體中,多數(shù)載流子為電子,N型半導體( )A、帶正電 B、帶負電 C、不帶電 D、不能確定2如果在NPN型三極管放大電路中測得發(fā)射結(jié)為正向偏置,集電結(jié)也為正向偏置,則此管的工作狀態(tài)為 ( ) A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止狀態(tài) D、不能確定3在一個放大電路中,測得某三極管各極對地的電位為U1=3V,U2=3V,U3=2.7V,則可知該管為( )。A. PNP鍺管 B. NPN硅管 C. NPN鍺管
5、D. PNP硅管 4、已知某三極管的三個電極電位為6V, 2.7V, 2V, 則可判斷該三極管的類型及工作狀態(tài)為( )。A、NPN型,放大狀態(tài) B、PNP型,截止狀態(tài)C、NPN型,飽和狀態(tài) D、PNP型,放大狀態(tài)5.已 知 某 晶 體 管 處 于 放 大 狀 態(tài), 測 得 其 三 個 極 的 電 位 分 別 為 6V、9V 和 6.3V, 則 6V所 對 應 的 電 極 為( )。A. 發(fā) 射 極 B.集 電 極 C.基 極6二極管的反向電阻( )。A小 B大 C中等 D為零7測得晶體管三個電極的靜態(tài)電流分別為 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。則該管的為( )。A70 B40 C
6、50 D608在單相橋式整流電路中,變壓器次級電壓為10V(有效值),則每只整流二極管承受的最大反向電壓為( ) A.10V B.10 V C. 10/ V D.20V9橋式整流加電容濾波電路,設整流輸入電壓為20V,此時,輸出的電壓約為( )10兩個硅穩(wěn)壓管,Uz1 = 6V,Uz2=9V, 下面那個不是兩者串聯(lián)時可能得到的穩(wěn)壓值( )。A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V二、 填空題11.由于摻入的雜質(zhì)不同,雜質(zhì)半導體分為兩類,一類是在Si或Ge的晶體中摻入正三價的硼,稱為 或 ,在其中
7、是多數(shù)載流子, 是少數(shù)載流子;另一類是在Si或Ge中摻入正五價的磷,稱為 或 ,在其中 是多數(shù)載流子, 是少數(shù)載流子。12PN結(jié)最重要的特性是_,它是一切半導體器件的基礎。13晶體三極管在放大狀態(tài)下,其集電極電流IC與基極電流IB的關(guān)系式為 _ 。14.穩(wěn)壓二極管主要工作在_區(qū)。在穩(wěn)壓時一定要在電路中加入 限流。15.發(fā)光二極管(LED)的正向?qū)妷罕绕胀ǘO管高,通常這 V,其反向擊穿電壓較低為 V,正常工作電流為 mA.16.光電二極管在電路中要 連接才能正常工作。17.半導體三極管按極性可分為_型和_型二類。18. 當三極管被接成共射極放大電路時,從輸出特性可劃分為三個工作區(qū)域,即_區(qū)
8、,_區(qū)和 _區(qū) 。則在模擬電路中,三極管一般工作在_ 狀態(tài),而在數(shù)字電路中,三極管一般工作_ 和 _狀態(tài)。19、根據(jù)器件的工作原理,雙極型三極管屬于 控制型器件,而場效應三極管屬于 控制型器件。三、 綜合題1.電路如下圖所示,二極管是導通還是截止,R=10K,試求出AO兩點間的電壓UAO? (設二極管的正向壓降是0.7V)2.如下圖所示,穩(wěn)壓管D1、D2的穩(wěn)定電壓分別為8V、6V,設穩(wěn)壓管的正向壓降是0.7V,試求UO。3.整流電路如圖所示 , 二極管為理想元件, 變壓器原邊電壓有效值 為220V, 負載電 阻。 變壓器變比 .試 求:(1) 變壓器副邊電壓有效值;(2) 負載電阻 上電流平均
9、值 ;(3) 在下表列出的常用二極管中選出哪種型號的二極管合適 。4整 流 濾 波 電 路 如 圖 所 示, 變 壓 器 副 邊 電 壓 有 效 值, 負 載 電 阻, 電 容,當 輸 出 電 壓 平 均 值 為: (1)14V; (2)12V ; (3)10V; (4)9V ; (5)4.5V 五 種 數(shù) 據(jù) 時,分 析 哪 個 是 合 理 的? 哪 個 表 明 出 了故 障? 并 指 出 原 因。(15分)(c)輸入電壓控制輸出電壓第1章半導體二極管習題選解6.1選擇正確答案填入空內(nèi)。(1)在本征半導體中加入 A 元素可形成N型半導體,加入 C 元素可形成P型半導體。 A. 五價 B. 四
10、價 C. 三價(2)PN結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將 A 。 A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬(3)設二極管的端電壓為vD,則二極管的電流方程是 c 。A. B. C. (4)當溫度升高時,二極管的反向飽和電流將 a 。 A. 增大 B. 不變 C. 減?。?)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 c 。 A. 正向?qū)?B.反向截止 C.反向擊穿(6)穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時,其工作在(c ),發(fā)光二極管發(fā)光時,其工作在( a )。A正向?qū)▍^(qū) B反向截止區(qū) C反向擊穿區(qū)6.2將正確答案填入空內(nèi)。(1)圖P6.2(a)所示電路中二極管為理想器件,則D1工作在 狀態(tài),D2工作在 狀態(tài),VA為 V。圖P6.2
11、 (a) 圖P6.2 (b) +_D1D2+_3V6VR 5k+Vi=30V_SR22 kW2CW51.5 kWR1VA1A22解:截止,導通,-2.7 V。(2)在圖P6.2(b)所示電路中穩(wěn)壓管2CW5的參數(shù)為:穩(wěn)定電壓Vz = 12 V,最大穩(wěn)定電流IZmax = 20 mA。圖中電壓表中流過的電流忽略不計。當開關(guān)S閉合時,電壓表V和電流表A1、A2的讀數(shù)分別為 、 、 ;當開關(guān)S斷開時,其讀數(shù)分別為 、 、 。解:12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA。6.3 電路如圖P6.3所示,已知vi56sint(v),試畫出vi與vO的波形。設二極管正向?qū)妷嚎珊雎圆?/p>
12、計。+圖P6.3 +_vi_vo圖P6.4 +_vi_voR R DD1 D2 3V3V+_6.4 電路如圖P6.4所示,已知vi5sint (V),二極管導通電壓VD0.7V。試畫出電路的傳輸特性及vi與vO的波形,并標出幅值。vi1/V 6.5 電路如圖P6.5(a)所示,其輸入電壓vi1和vi2的波形如圖(b)所示,二極管導通電壓VD0.7V。試畫出輸出電壓vO的波形,并標出幅值。圖P6.5 vi1R D1+VCC(5V) D2vi2t 3 t 3 vi2/V (a) (b)vo0.3 0.3 解:uO的波形如解圖P1.2所示。解圖P1.26.6電路如圖P6.6所示,(1)利
13、用硅二極管恒壓降模型求電路的ID和 Vo的值;(2)在室溫(300K)的情況下,利用二極管的小信號模型求vo的變化范圍。圖P6.6 _voR1k D1 +D2 VCC(10±1V) 解(1)求二極管的電流和電壓(2)求vo的變化范圍圖題的小信號模型等效電路如圖解2.4.l所示,溫度 T300 K。當rd1=rd2=rd時,則的變化范圍為,即1.406V1.394V。6.7(有錯) 電路如圖P6.7所示,設二極管是理想的。(a)畫出它的傳輸特性;(b)若輸入電壓vI =vi=20 sint V,試根據(jù)傳輸特性繪出一周期的輸出電壓 vo的波形。解 (a)畫傳輸特性 0vI12 V時,D1
14、,D2均截止,vovI; vI12 V時,D1導通,D2截止 10VvI0時,D1,D2均截止,vovI; vI10 V時,D2導通,D1 截止 傳輸特性如圖解 24 13中 a所示。(b)當vovI=20 sint V時,vo波形如圖解2413b所示。圖P6.7 +_vi_voR1 D1 D2 12V10V+_6k R2 R3 12k 12k 6.8二極管電路如圖6.8所示,試判斷各圖中的二極管是導通還是截止,并求出AB兩端電壓VAB,設二極管是理想的。圖P6.8 _VABD_R 5kD26V12V12VD1+AABBVAB15V_D212VD1+ABVAB6VR 5kR 5k(a) (b)
15、 (c)解:圖a:將D斷開,以O點為電位參考點,D的陽極電位為6 V,陰極電位為12 V,故 D處于正向偏置而導通,VAO=6 V。圖b:對D1有陽極電位為 0V,陰極電位為12 V,故D1導通,此后使D2的陰極電位為 0V,而其陽極為15 V,故D2反偏截止,VAO=0 V。圖c:對D1有陽極電位為12 V,陰極電位為0 V,對D2有陽極電位為12 V,陰極電位為6V故D2更易導通,此后使VA6V;D1反偏而截止,故VAO6V。6.9 二極管電路如圖P6.9所示,設輸入電壓vi(t)波形如圖 b所示,在 0t5ms的時間間隔內(nèi),試繪出vo(t)的波形,設二極管是理想的。解 vI(t)6V時,
16、D截止,vo(t)6V;vI(t)6V時,D導通vo(t)的波形如圖P6.9(c)所示圖P6.9 +_vi(t)_voR1 D6VR2 200 200 +t/mS vi(t)/V 1050(a) (b) (c) t/mS vo(t)/V 650386.10寫出圖P6.10所示各電路的輸出電壓值,設二極管導通電壓UD0.7V。圖P6.10 _Vo1D2VR +(a) (b) (c)_Vo2D2VR +_Vo3D2VR +_Vo4D2VR +2V2V_Vo5D2VR +2V_Vo6D2VR +2V(d) (e) (f)解:VO11.3V,VO20,VO31.3V,VO42V,VO51.3V,VO6
17、2V。6.11 電路如圖P6.11所示,二極管導通電壓VD0.7V,常溫下VT26mV,電容C對交流信號可視為短路;vi為正弦波,有效值為10mV。試問二極管中流過的交流電流有效值為多少?+_viR 500D 2V+_C iD解:二極管的直流電流 ID(VUD)/R2.6mA其動態(tài)電阻 rDUT/ID10故動態(tài)電流有效值 IdUi/rD1mA 6.12現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管,它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V,正向?qū)妷簽?.7V。試問: (1)若將它們串聯(lián)相接,則可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少? (2)若將它們并聯(lián)相接,則又可得到幾種穩(wěn)壓值?各為多少? 解:(1)兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時可得1.4V、6.7V、8
18、.7V和14V等四種穩(wěn)壓值。 (2)兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。6.13 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值VZ6V,穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA。求圖P6.13所示電路中VO1和VO2各為多少伏。(a) (b)+_10V_Vo1+DZR 500 RL 2k +_10V_Vo2+DZR RL 2k 圖P6.13 2k 解:VO16V,VO25V。6.14已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓VZ6V,穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA,最大功耗PZM150mW。試求圖P6.14所示電路中電阻R的取值范圍。 解:穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流 IZMPZM/UZ25mA電阻R的電流為IZMIZmin,所以其取值范圍為
19、 +_VI=15V_Vo=6V+DZR 圖P6.14 6.15 已知圖P6.15所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V,最小穩(wěn)定電流IZmin5mA,最大穩(wěn)定電流IZmax25mA。 (1)分別計算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值; (2)若VI35V時負載開路,則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么?解:(1)當UI10V時,若UOUZ6V,則穩(wěn)壓管的電流為4mA,小于其最小穩(wěn)定電流,所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當UI15V時, ,沒有被擊穿。 UO5V 同理,當UI35V時,UOUZ6V。 (2)29mAIZM25mA,穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。+_VI_Vo+DZR 500 RL 1k 圖
20、P6.15 10V_Vo+DZR 100 RL 圖P6.16 IZ6.16已知穩(wěn)壓二極管VZ=6V,PZ=0.12w,IZmin=2mA,當要求RL兩端電壓Vo穩(wěn)定在6V時,求RL的變化范圍。若超出這個范圍,電路將出現(xiàn)什么情況? 6.17電路如圖P6.17(a)、(b)所示,穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓VZ3V,R的取值合適,vI的波形如圖(c)所示。試分別畫出vO1和vO2的波形。+_vI_vo1+DZR 圖P6.17 +_vI_vo2+DZR t vi(t)/V 60解:波形如解圖P6.17所示解圖P6.17 解:158 WRL300W晶體二極管及應用電路測試題一.選擇題(60分)1.如圖所示電路圖中
21、,當電源V1=5V時,測得I=1mA。若把電源電壓調(diào)到V1=10V,則電流的大小將是_。A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA 2.圖中,設電路中V1=5保持不變,當溫度為20°C時,測得二極管的電壓Vd=0.7V,當溫度上升到40°C時, 則Vd的大小將是_。A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V3.如圖所示的電路中,已知二極管的反向擊穿電壓為20V, 當V1=5V、溫度為20°C時,I=2uA。若電源電壓增大到10V,則電流I約為_。A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA4.上題中,若電源電壓保持5
22、V不變,溫度由20°C下降到10°C時,則電流I約為_。A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;5.如圖所示電路中,D1-D3為理想二極管,A、B、C白熾燈泡功率相同,其中最暗的燈是_。A、B B、C C、A 6.如圖所示電路中,二極管是理想的,電阻R=6歐姆。當普通指針式萬用表置于R*1歐姆檔時,用黑表筆(帶正電)接A點,紅表筆(帶負電接B點),則萬用表的指示值為_.A、18歐姆 B、9歐姆 C、3歐姆 D、2歐姆7.在同一測試電路中,分別測得A,B和C三個二極管的電流如下表所示.你認為哪一個二極管的性能最好?管號加0.5V正向電壓時的電流加反向電壓時的電流A
23、0.5mA1uAB5mA0.1uAC2mA5uAA、A B、B C、C8.某三極管的Pcm=100mW,Icm=20mA,V(BR)CEO=15V,試問在下列哪種情況下三極管能正常工作?A、Vce=3V,Ic=10mA B、Vce=2V,Ic=40mA C、Vce=6V,Ic=20 mA9.已知穩(wěn)壓管2CW11的電壓溫度系數(shù)為-0.05%/°C,2Cw20為+0.095%/°C。為了減小溫度對穩(wěn)壓值的 影響,有人把同一型號的兩個穩(wěn)壓管正、反串聯(lián),如下圖(A)和(B)所示。也有人把把這兩種不同型號的穩(wěn)壓 管順向串聯(lián)使用,如下圖(C)所示。以下哪種方法不能起到減小電壓溫度系數(shù)絕
24、對值的作用?A、A B、B C、C 10.設硅穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)定電壓分別為5V和8V,正向壓降均為0.7V,求圖中電路的輸出電壓Vo。A、Vo=13V B、Vo=1.4V C、Vo=5V D、Vo=0.7V二.填空計算題(40分)(注:答案清使用加上中文單位。如:歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)1.場效應管屬于_ 控制型器件。2.在圖所示電路中,已知穩(wěn)壓管Dz1和Dz2的穩(wěn)定電壓分別為6V和7V,且具有理想穩(wěn)壓特性,求輸出電壓Vo=_。3.在圖所示電路中,已知穩(wěn)壓管Dz1和Dz2的穩(wěn)定電壓分別為6V和7V,且具有理想穩(wěn)壓特性,求輸出電壓Vo=_。4.設硅穩(wěn)壓管Dz1和Dz2
25、的穩(wěn)定電壓分別為5V和8V,正向壓降均為0.7V,求圖中電路的輸出電壓Vo=_。5.如圖所示。試估算A點的電位為_。晶體三極管及放大電路測試題(1)一.選擇題(60分)1.如下圖所示的固定偏流式放大電路中,當Rc、Rb的參數(shù)分別為_時,電路的靜態(tài)工作點處在放大區(qū)。設三極管的ß=100。A、5.6千歐、10千歐 B、5.6千歐、510千歐 C、5.6千歐、1兆歐 D、100千歐、1兆歐2.如圖所示放大電路中的Rb=100千歐,Rc=1.5千歐,三極管的?=80,在靜態(tài)時,該三極管處于_.A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止狀態(tài) D、狀態(tài)不定3.如圖所示電路中,集電極電阻Rc的作用是_。
26、A、放大電流 B、調(diào)節(jié)IBQC、防止輸出信號交流對地短路,把放大了的電流轉(zhuǎn)換成電壓 D、調(diào)節(jié)ICQ4.對于圖所示電路中,當用直流電壓表測得VCE=Vcc時,有可能是因為_.A、Rb開路 B、RL短路 C、Rc開路 D、Rd過小5.如圖所示射極偏置電路中,若上偏流電阻Rb1短路,則電路中的三極管處于_.A、放大狀態(tài)B、飽和狀態(tài)C、截止狀態(tài)D、狀態(tài)不定 6.對如圖所示放大電路中,若Vcc=12V,Rc=2千歐,集電極電流Ic計算值為1mA,今用直流電壓表測得VCE=8V,這說明_.A、工作正常 B、三極管c-e極間開路 C、三極管b-e極間開路 D、電容C2短路7.如圖所示放大電路中,若僅當Rb增
27、加時,VCEQ將_.A、增大 B、減小 C、不變 D、不定8.如圖中,若僅當Rc減小時,VCEQ將_。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定9.如圖中,若僅當RL增加時,VCEQ將_。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定。10.如圖中,若僅當ß減小時(換管子),VCEQ將_。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定11.如圖所示放大電路中,僅當Rb1增加時,VCEQ將_。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定12.如圖中,僅當Rc減小時,VCEQ將_。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定13.如圖所示三個放大電路中,能實現(xiàn)正常放大的是_。A、A B、B C、C14.如圖中,若測得V
28、CE=0時,有可能是因為_。A、Rb開路 B、RL短路 C、Rc開路 D、Rd過小二.填空計算題(40分)(注:答案清使用加上中文單位。如:歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)1.在圖所示共射放大電路中,三極管ß=50,VBE=-0.2V。當開關(guān)與A處相接時,三極管處于_狀態(tài)。2.接上題,開關(guān)與B相接,三極管處于_狀態(tài)。3.接上題,開關(guān)與C相接,三極管處于_狀態(tài)。4.在圖電路中,Vcc=12V,Rb=100千歐,Rc=RL=6.2千歐,VBE=0.7V,VCE(sat)=0.3V,ß=100,C1、C2 足夠大,當信號電壓為 =1
29、0kHz、Vi=5mV的正弦波時,耦合電容C1上的電壓約為5.接上題,C2上的電壓約為_。6.接上題,此時的電路處于_狀態(tài)。7.如圖所示放大電路中,設Vcc=12V,三極管ß=50,VBE=0.7V,若要求靜態(tài)電流ICQ=2mA,VCEQ=4V,則電路中的Rb=_。晶體三極管及放大電路測試題(2)一.選擇題(60分)1.當輸入電壓為正弦信號時,如果PNP管共射放大電路發(fā)生飽和失真,則基極電流Ib將_。A、正半波削波 B、負半波削波 C、雙向削波 D、不削波2.接上題,集電極電流Ic的波形將_。A、正半波削波 B、負半波削波 C、雙向削波 D、不削波3.接上題,輸出電壓Vo的波形將_。
30、A、正半波削波 B、負半波削波 C、雙向削波 D、不削波4.在圖放大電路中,原來沒有發(fā)生非線性失真,然而在換上一個ß比原來大的三極管后,出現(xiàn)了失真,這個失真必定是_。A、截止失真 B、飽和失真 C、雙重失真 D、交越失真5.上題中,若該電路原來發(fā)生了非線性失真,但在減小Rb后,失真消失了,這失真必是_。A、截止失真 B、飽和失真 C、雙重失真 D、交越失真6.在圖所示射極偏置電路中,其靜態(tài)工作點靠近截止區(qū),當除去旁路電容Ce后,該電路的最大不失真輸出電壓幅值Vom將_。A、增大 B、減小 C、不變(或基本不變) D、變化不定7.在圖所示射極偏置電路中,其靜態(tài)工作點靠近截止區(qū),當除去旁
31、路電容Ce后,放大倍數(shù)Av_。A、增大B、減小C、不變(或基本不變)D、變化不定8.在圖所示射極偏置電路中,其靜態(tài)工作點靠近截止區(qū),當除去旁路電容Ce后,輸入電阻Ri_。A、增大 B、減小 C、不變(或基本不變) D、變化不定9.對圖所示固定放大電路中,當室溫升高時,其三極管的IBQ_。A、增大 B、減小 C、不變(或基本不變) D、變化不定10.對圖所示固定放大電路中,當室溫升高時,其三極管的ICQ_。A、增大 B、減小 C、不變(或基本不變) D、變化不定11.對圖所示固定放大電路中,當室溫升高時,其三極管的VCEQ_。A、增大 B、減小 C、不變(或基本不變) D、變化不定12.為了使高
32、阻輸入的放大電路(或高阻信號源)與低阻負載(或低輸入電阻的放大電路)很好的配合,可以在高阻輸出的放大電路和負載之間插入_。A、共射電路 B、共集電路 C、共基電路 D、任何一種組態(tài)放大電路二.填空計算題(40分)(注:答案清使用加上中文單位。如:歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)1.在圖所示射極偏置放大電路中,若在集電極串入一只直流電流表(直流電流表只能測量電流的平均值),在靜態(tài)時,電流表的讀數(shù)為ICQ,則Ic與ICQ的關(guān)系(大于、小于、等于)為:沒有失真時Ic_ICQ。2.在圖所示射極偏置放大電路中,若在集電極串入一只直流電流表(直流電流表只能測量電流的平均值),在靜態(tài)時,電流表的
33、讀數(shù)為ICQ,則Ic與ICQ的關(guān)系(大于、小于、等于)為:輸出產(chǎn)生飽和失真時Ic_ ICQ。3.在圖所示射極偏置放大電路中,若在集電極串入一只直流電流表(直流電流表只能測量電流的平均值),在靜態(tài)時,電流表的讀數(shù)為ICQ,則Ic與ICQ的關(guān)系(大于、小于、等于)為:輸出產(chǎn)生截止失真時Ic_ICQ。4.在圖中,設輸入信號Vi為正弦波,若輸出波形的負半波被削平,則這是_失真。5.如圖所示放大電路中,Vcc=20V,Rb1=80千歐,Rb2=20千歐,Re=3.3千歐,RC=RL=10千歐,設三極管的ß=30,VBE=0.7V,rbb'=200歐姆,估算該電路最大不失真輸出電壓的幅值
34、為(ICEO和VCES忽略不計)_。6.如圖所示放大電路中,Vcc=20V,Rb1=80千歐,Rb2=20千歐,Re=3.3千歐,RC=RL=10千歐,設三極管的ß=30,VBE=0.7V,rbb'=200歐姆,若要求放大電路的最大不失真幅度盡可能大,則Rb1應取_。場效應管及基本放大電路測試題一.選擇題(60分)1.為了把一個低阻輸入的放大電路(或內(nèi)阻極小的的電壓源)轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦栎斎氲姆ǚ糯箅娐罚ɑ騼?nèi)阻盡可能大的電流源),可以在低阻輸出的放大電路后面接入_。A、共射電路 B、共極電路 C、共基電路 D、任何一種組態(tài)放大電路2.在單級放大電路中,若輸入為正弦波形,用示波器觀察V
35、o和Vi的波形,當放大電路為共射電路時,則Vo和Vi 的相位_。A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定3.在單級放大電路中,若輸入為正弦波形,用示波器觀察Vo和Vi的波形,當放大電路為共集電路時,則Vo和Vi 的相位_。A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定4.在單級放大電路中,若輸入為正弦波形,用示波器觀察Vo和Vi的波形,當放大電路為共基電路時,則Vo和Vi 的相位_。A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定5.即能放大電壓,也能放大電流的是_組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定6.即能放大電壓,但不能放大電流的是_組態(tài)電路。A、共
36、射 B、共集 C、共基 D、不定7.只能放大電流,但不能放大電壓的是_組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定8.在共射、共基和共集三種基本放大電路組態(tài)中,電壓放大倍數(shù)小于1的是_組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定9.在共射、共基和共集三種基本放大電路組態(tài)中,輸入電阻最大的是_組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定10.在共射、共基和共集三種基本放大電路組態(tài)中,輸出電阻最大的是_組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定11.某場效應管的IDSS為6mA,而IDQ自漏極流出,大小為8mA,則該管是_。A、P溝道結(jié)型管 B、N溝道結(jié)型管 C、耗盡型PMOS管
37、 D、耗盡型NMOS管12、在圖中所示的幾個偏置放大電路中,能正常工作的是。A、A B、B C、C二.填空計算題(40分)(注:答案清使用加上中文單位。如:歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫、毫西等)1.對于共射、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路中,若希望電壓放大倍數(shù)大,可選用_組態(tài)。2.對于共射、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路中,若希望負載能力強,可選用_組態(tài)。3.對于共射、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路中,若希望從信號源索取的電流小,可選用_組態(tài)。4.如圖所示的放大電路中,已知鍺三極管的ß=50,要使ICQ=1.5mA,Rb應取_。5.如圖所示電路中的三極管ß=50
38、,rbb'=200歐姆,VBE=0.7V,則該電路的最大不失真輸出的電壓幅值(設VCES=1V,ICEO=0)_。6.已知如圖所示放大電路中三極管的ß=60,rbe=3千歐。若電容C3斷開,該放大電路的Ri為_。7.已知如圖所示放大電路中三極管的ß=60,rbe=3千歐。接上C3后,該放大電路的Ri為_。8.已知如圖所示電路中的N溝道JEFT,IDSS=16mA,Vp=-4V,該電路的跨導gm為_。放大器的頻率響應電路測試題(1)一.選擇題(60分)1.三級放大電路中,AV1=AV2=30dB,AV3=20dB,則總的電壓增益為_。A、180dB B、80dB C、
39、60dB D、50dB2.三級放大電路中,AV1=AV2=30dB,AV3=20dB,電路將輸入信號放大了_倍。A、1000 B、10000 C、100000 D、10000003.如圖所示電路中,若增加電容C1的容量,則中頻電壓放大倍數(shù)|AVM|_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變4.如圖所示電路中,若增加電容C1的容量,則下限頻率L_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變5.如圖所示電路中,若增加電容C1的容量,則上限頻率H_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變6.如圖所示電路中,若減小電阻Rc,則放大倍數(shù)|AVM|_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變7.如圖所示電路中,
40、若減小電阻Rc,則下限頻率L_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變8.如圖所示電路中,若減小電阻Rc,則上限頻率H_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變9.多級放大電路放大倍數(shù)的波特圖是_。A、各級波特圖的疊加 B、各級波特圖的乘積 C、各級波特圖中通帶最窄者 D、各級波特圖中通帶最寬者。10.為了放大變化緩慢的微弱信號,放大電路應采用_耦合方式。A、直接 B、阻容 C、變壓器 D、光電11.為了實現(xiàn)阻抗轉(zhuǎn)變,放大電路應采用_耦合方式。A、直接 B、阻容 C、變壓器 D、光電12.阻容耦合與直接耦合多級放大器之間的主要不同是_。A、輸出的信號不同 B、交流通路不同 C、直流通路不同二.
41、填空計算題(40分)(注:答案清使用加上中文單位。如:歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)1.兩級放大電路如圖所示,已知T1、T2的ß1=ß2=50,rbe1=1.6千歐,rbe2=1.3千歐,各電容的數(shù)值都足夠大,在中頻區(qū)可視為短路。試計算放大器的輸入電阻Ri為_。2.兩級放大電路如圖所示,已知T1、T2的ß1=ß2=50,rbe1=1.6千歐,rbe2=1.3千歐,各電容的數(shù)值都足夠大,在中頻區(qū)可視為短路。試計算放大器的輸出電阻Ro為_。3.兩級放大電路如圖所示,已知T1、T2的ß1=ß2=50,rbe1=1.6千歐,rb
42、e2=1.3千歐,各電容的數(shù)值都足夠大,在中頻區(qū)可視為短路。T1為_電路組態(tài)。4.兩級放大電路如圖所示,已知T1、T2的ß1=ß2=50,rbe1=1.6千歐,rbe2=1.3千歐,各電容的數(shù)值都足夠大,在中頻區(qū)可視為短路。T2為_電路組態(tài)。5.如圖所示為穩(wěn)定工作點的兩級放大電路,ß1=ß2=100,rbe1=2千歐,rbe2=1千歐,求電路 的RI=_;Ro=_;Av=_。放大器的頻率響應電路測試題(2)一.選擇題(60分)1.如圖所示電路中,換一個 t較低的晶體管,則中頻電壓放大倍數(shù)|AVM|_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變2.如圖所示電路
43、中,換一個 t較低的晶體管,則下限頻率L_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變3.如圖所示電路中,換一個 t較低的晶體管,則上限頻率H_。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變4.具有相同參數(shù)的相同放大電路的兩級放大器,在組成它的各個單級放大器的截止處,總的電壓放大倍數(shù)下降_。A、3dB B、6dB C、20dB D、9dB5.直接耦合多級放大器電路與阻容耦合多級放大器電路相比,低頻響應_。A、好 B、差 C、差不多。6.多級放大電路與單級放大電路相比,總的通頻帶一定比它的任意一級都_。A、大 B、小 C、 寬 D、 窄7.多級放大電路與單級放大電路相比,級數(shù)越多則上限頻率越_。A、大 B
44、、小 C、 寬 D、 窄8.多級放大電路與單級放大電路相比,級數(shù)越多則高頻附加相移_。A、大 B、大 C、寬 D、窄9.考慮放大電路的頻率失真時,若vI為正弦波時,則vo_。A、會產(chǎn)生線性失真 B、會產(chǎn)生非線性失真 C、為正弦波 D、不會失真10.1共射放大電路如圖所示,當Rb2在正常放大范圍增加,則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對值|AVM|_。A、增大 B、減小 C、不變11.共射放大電路如圖所示,當Rb2在正常放大范圍增加,則輸入電阻_。A、增大 B、減小 C、不變12.共射放大電路如圖所示,當Rb2在正常放大范圍增加,則輸出電阻_。A、增大 B、減小 C、不變13.共射放大電路如圖所示,當Rb2
45、在正常放大范圍增加,則下限頻率_。A、增大 B、減小 C、不變14.共射放大電路如圖所示,增加電容C1,則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對值|AVM|_。A、增大 B、減小 C、不變15.共射放大電路如圖所示,增加電容C1,則下限頻率_。A、增大 B、減小 C、不變16.共射放大電路如圖所示,增加電容C1,則上限頻率_。A、增大 B、減小 C、不變17.共射放大電路如圖所示,若將一個6800pF的電容接在b,c之間,則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對值|AVM|_。A、增大 B、減小 C、不變18.共射放大電路如圖所示,若將一個6800pF的電容接在b,c之間,則下限頻率_。A、增大 B、減小 C、不變二.填空計
46、算題(40分)(注:答案清使用加上中文單位。如:歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)1.當輸入信號頻率f=540kHz時,單級放大電路的電壓放大倍數(shù)均為100,而當f=500kHz時,電壓放大倍數(shù)為10,試問該電路的上限頻率為_。2.單管放大電路如圖所示,已知Ic=2.5mA,ß=100,Cb'e=4pF,fT=50MHz,rbb'=50歐姆。則該放大電路的上限頻率為_.3.單管放大電路如圖所示,已知Ic=2.5mA,ß=100,Cb'e=4pF,fT=50MHz,rbb'=50歐姆。則該放大電路的下限頻率為_.4.共射單級放大電路如
47、圖所示,已知圖中Rb=470千歐,Rs=500歐姆,晶體管的ß=50,rbe=2千歐,電路的中頻增益20lg|Avs|=20lg|Vo/Vs|=40dB,通頻帶寬為10Hz100kHz,試確定Rc的值為_.模擬集成單元電路測試題(1)一.選擇題1.OCL放大如圖所示,其中T1的偏置電路未畫出。若輸入為正弦電壓,互補管T2,T3的飽和管壓將可以忽略,T1和T2的工作方式為_。A、甲類 B、乙類 C、甲乙類 D、丙類2.OCL放大如圖所示,其中T1的偏置電路未畫出。若輸入為正弦電壓,互補管T2,T3的飽和管壓將可以忽略,電路中R1的作用是_。A、充當T1的集電極負載 B、消除交越失真 C、增大輸出功率 D、減小三極管的穿透電流3.OCL放大如圖所示,其中T1的偏置電路未畫出。若輸入為正弦電壓,互補管T2,T3的飽和管壓將可以忽略,電路中D1和D2的作用是_。A、充當T1的集電極負載 B、消除交越失真 C、增大輸出功率 D、減小三極管的穿透電流4.如圖所示的功放電路中,已知T4和T3的管子特性對稱,VBE4=-VBE5=0.7V。正常工作時,輸出端的直流電位Vo=_。A、0V B、9V C、-9V D、任意5.如圖所示
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