靜電放電(ESD)現(xiàn)象瞬間產(chǎn)生的上升時間低于納秒(ns_第1頁
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1、靜電放電(ESD)現(xiàn)象瞬間產(chǎn)生的上升時間低于納秒(ns)、持續(xù)時間可達數(shù)百納秒且高達數(shù)十安培的電流，會對芯片造成損傷。 最有效的方法是使用保護元件來將電流導(dǎo)離較敏感的元件。也就是在電子系統(tǒng)的連接器或端口處放置ESD保護元件，使得電流流經(jīng)保護元件，且不流經(jīng)敏感元件，以維持敏感元件的低電壓，使其免受ESD應(yīng)力影響，進入有效控制ESD事件的發(fā)生 圖一圖二 ESD圖二展示在輸入或輸出引腳通常用二極管和電阻來保護，二極管用n+到p襯底構(gòu)成，電阻一般直接用p阱構(gòu)成。圖三 ESD常見保護原理ADS800ESD保護：對于GND管腳，一般用三極管作為二極管作用來鉗位保護。當電壓低于-0.7V或者高于VDD+0.

2、7.時，起到保護作用。如下圖所示：圖三 GND保護圖四 輸出管腳保護 輸出管腳主要還是有MOS管構(gòu)成二極管起到保護作用。前面那部分是OE控制輸出狀態(tài)。其他ESD保護元件壓敏電阻：為雙向保護元件，在低電壓時，呈現(xiàn)出高電阻，其中的每個小型二極管兩端的電壓都相當?shù)?，同時電流也相當?。欢谳^高電壓時，其中的獨立二極管開始導(dǎo)通，同時壓敏電阻的電阻會下降。聚合物：帶導(dǎo)電粒子的聚合物，在正常電壓下，這些材料擁有相當高的電阻，但當發(fā)生ESD沖擊時，導(dǎo)電粒子間的小間隙會成為突波音隙陣列，從而帶來低電阻路徑瞬態(tài)電壓抑 制器(TVS)：采用標準與齊納二極管特性設(shè)計的硅芯片元件。TVS元件主要針對能夠以低動態(tài)電阻承載大電流的要求進行優(yōu)化 。靜電放電一般有兩種破壞：一是由高電壓引起柵級電介質(zhì)破壞；二是由熱量引起的物質(zhì)熔化（H=J*E）測試ESD魯棒性最主要的工業(yè)測試主要是HBM、MM、CDM。HBM是測試ESD最具資

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