MOS管參數(shù)解釋

1、MOS管參數(shù)解釋MOS管介紹在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，一般都 要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。MOSFETf是FET的一種，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應(yīng)用的為增強(qiáng)型的 NMOS管和增強(qiáng)型的PMOS管，所以 通常提到的就是這兩種。這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOSo原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用 NMOS在MOS管內(nèi)部，漏極和源極之間會寄生一個二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個二極管很重要，并且只在 單個的MOS管中存在此二極管，在集成電路芯片內(nèi)部通常

2、是沒有的。MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制 造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦 法避免。MOS管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況 （低端驅(qū)動），只要柵極電壓達(dá)到一定電壓（如 4V或10V其他電壓，看手冊）就 可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接 VCC時的情況 （高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格 貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOSMOS

3、開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，因 而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓，這樣電流就會在這個電阻上消耗 能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐，幾十毫歐左右 MOS在導(dǎo)通 和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這 段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，導(dǎo)通瞬間電壓和電 流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，

4、可以減小單 位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。MOS管驅(qū)動MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要 GS電壓高于一定的值，就可以 了。但是，我們還需要速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在 GS, GD之間存在寄生電容，而 MOS管的 驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路， 所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。普遍用于高端驅(qū)動的NMOS,導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）目同，所以這時柵極 電壓要比VCC大（4V或10V其他電壓，看

5、手冊）。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比 VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了很多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容， 以得到足夠的短路電流去驅(qū)動 MOS管。Mosfet參數(shù)含義說明Features：Vds：DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓 Rds(on):DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻Id:最大DS電流.會隨溫度的升高而降低 Vgs：最大GS電壓.一般為：-20V+20VIdm：最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖 時間也有關(guān)系Pd:最大耗散功率Tj:最大工作結(jié)溫，通常為150度和175度Tstg:最大存儲溫度Iar：雪崩電流Ear：重復(fù)雪崩擊穿能量Eas單次脈沖雪崩擊穿能量 BVdssDS擊穿電壓Idss：飽和DS電流，uA級的電流Igss：GS驅(qū)動電流，nA級的電流.gfs：跨導(dǎo)Qg：G總充電電量 Qgs：GS充電電量Qgd:GD充電電量Td(on):導(dǎo)通延遲時間，從有輸入電壓上升到 10%開始到Vds下降到其幅值90%的 時間Tr：上升時間，輸出電壓 VDS從90%下降到其幅值10%的時間Td(off):關(guān)斷延遲時間，輸入電壓下降到 90%開始到VDS上升到其關(guān)斷電壓時10% 的時間Tf:下降時間，輸出電壓 VDS從10%上