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文檔簡介
1、14.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性共價(jià)健共價(jià)健 Si Si Si Si價(jià)電子價(jià)電子 Si Si Si Si價(jià)電子價(jià)電子本征激發(fā):本征激發(fā):空穴空穴自由電子自由電子l半導(dǎo)體有兩種導(dǎo)電粒子(載流子):半導(dǎo)體有兩種導(dǎo)電粒子(載流子):自由電子、空穴自由電子、空穴 Si Si Si Sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€失去一個電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴PN 結(jié):結(jié):P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體交界面的特殊薄層型半導(dǎo)體交界面的特殊薄層 外電場外電場IFPN+少子在外電場少子在外電場作用下定
2、向移作用下定向移動,形成很小動,形成很小的反向電流。的反向電流。IR陰極引線陰極引線陽極引線陽極引線二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金屬觸絲金屬觸絲陽極引線陽極引線N型鍺片型鍺片陰極引線陰極引線外殼外殼( a ) 點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型鋁合金小球鋁合金小球N型硅型硅陽極引線陽極引線PN結(jié)結(jié)金銻合金金銻合金底座底座陰極引線陰極引線( b ) 面接觸型面接觸型陰極陰極陽極陽極( d ) 符號符號D反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+定性分析:定性分析:判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是若二極管是理想理
3、想的,的,例例1:D6V12V3k BAUAB+解:解:例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+解:解:V sin18itu t 解:解:UZIZIZM UZ IZ_+UIOZZ ZIUrNNPBECBECIBIEICBECIBIEICEEBRBRCIBICIEBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ,有有忽忽略略 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線,是管子即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線,是管子內(nèi)部載流
4、子運(yùn)動的外部表現(xiàn),反映了晶體管的性能,內(nèi)部載流子運(yùn)動的外部表現(xiàn),反映了晶體管的性能,是分析放大電路的依據(jù)。是分析放大電路的依據(jù)。 重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路ECICEBmA AVUCEUBERBIBV+常常數(shù)數(shù) CE)(BEBUUfIIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VOIB=020 A40 A60 A80 A100 A常常數(shù)數(shù) B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)912O放大區(qū)放大區(qū)O 。 。 BCII_ BCII ICBO A+
5、EC AICEOIB=0+ICMU(BR)CEO安全工作區(qū)安全工作區(qū)ICUCEO53704051BC.II 400400605132BC .II (1)V1=3.5V, V2=2.9V, V3=12V。例例2: 測得工作在放大電路中幾個晶體管三個極電位測得工作在放大電路中幾個晶體管三個極電位值值V1、V2、V3,判斷管子的類型、材料及三個極。,判斷管子的類型、材料及三個極。NPN型硅管,型硅管,1、2、3依次為依次為B、E、C(2)V1=3V, V2=2.8V, V3=12V。(3)V1=6V, V2=11.4V, V3=12V。(4)V1=6V, V2=11.8V, V3=12V。NPN型鍺管,型鍺管,1、2、3依次為依次為B、E、CPNP型硅管,型硅管,1、2、3依次為依次為C、B、EPNP型鍺管,型鍺管,1、2、3依次為依次為C、B、E例例3:測得電路中三極管各極對地的電位值:測得電路中三極管各極對地的電位值如下表所示,判斷各管的工作狀態(tài)及類型。如下表所示,判斷各管的工作狀態(tài)及類型。管號管號VB(V)VC(V)VE(V)T1-0.3-50T22.732.32T31-60T1:
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