第4章_4.5_集成電路_生產(chǎn)過程

1、芯片生產(chǎn)過程摩爾摩爾1965年發(fā)表文章圖片年發(fā)表文章圖片摩爾定律（摩爾定律（18個月翻一番）驗證個月翻一番）驗證晶圓圖片晶圓圖片晶圓圖片晶圓圖片AMD ROADMAP 2007我國我國2007芯片產(chǎn)業(yè)芯片產(chǎn)業(yè)從沙子到芯片從沙子到芯片-1沙子沙子：硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，而脫脫氧后的沙子氧后的沙子(尤其是石尤其是石英英)最多包含最多包含25的硅的硅元素元素，以二氧化硅二氧化硅(SiO2)的形式存在，這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。 從沙子到芯片從沙子到芯片-2硅熔煉硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級，下同。通過多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級硅電子級硅(EGS)，平均每一百萬平均每

2、一百萬個硅原子中最多只有個硅原子中最多只有一個雜質(zhì)原子一個雜質(zhì)原子。此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的，最后得到的就是硅錠(Ingot)。 目前半導(dǎo)體制程所使用的主要原料就是晶園(Wafer)，它的主要成分為硅(Si)。 富含硅的物質(zhì)非常普遍，就是沙子(Sand)，它的主要成分為二氧化硅(SiO2)。 沙子經(jīng)過初步的提煉，獲得具有一定純度的硅，再經(jīng)過一些步驟提高硅的純度，半導(dǎo)體制程所使用的硅需要非常高的純度。 接著就是生成多晶硅(Poly Silicon)。 采用一種叫做Trichlorosilane的物質(zhì)(SiHCl3)作為溶劑，氫氣作為反應(yīng)環(huán)境，在鉭(tantalum)電熱探針指引

3、下，經(jīng)過初步提煉的硅形成晶體。 這種過程需要多次，中途還會用到氫氟酸(HF)這樣劇毒的化學(xué)藥品，硅的純度也隨著這個過程而進(jìn)一步被提高。 最后生成多晶硅的硅錠。 Crystal Pulling 1 多晶硅硅錠中晶體的晶向是雜亂無章的，如果使用它來制作半導(dǎo)體器件，其電學(xué)特性將非常糟糕，所以必須把多晶硅制作成單晶硅，這個過程可以形象地稱作拉單晶(Crystal Pulling)。 將高純度的多晶硅碾碎，放入石英坩堝，加高溫到1400C，注意反應(yīng)的環(huán)境是高純度的惰性氣體氬(Ar)。 精確的控制溫度，單晶硅就隨著晶種被拉出來了。 單晶分為 直拉單晶和區(qū)熔單晶兩種 直拉單晶由多晶碎料在石英鍋內(nèi)融化后由子晶

4、拉制而成。 集成電路用得芯片多由這種方法拉制的單晶加工而成。 區(qū)熔單晶由多晶棒懸空，經(jīng)過電圈加熱至融化狀態(tài)，接觸子晶而形成單晶。這種單晶特點電阻高，純度高，多用于IGBT等放大電路從沙子到芯片從沙子到芯片-3單晶硅錠單晶硅錠：整體基本呈圓柱形，重約重約100千千克克，硅純度硅純度99.9999。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3硅錠切割硅錠切割：橫向切割成圓形的單個硅片，也就是我們常說的晶圓(Wafer)。順便說，這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧？ 。 單晶硅具有統(tǒng)一的晶向，在把單晶硅切割成單個晶園(Wafer)的時候，首先要在單晶硅錠上做個記號來標(biāo)識這個晶向。 通常標(biāo)識該晶向的記號就是所謂Fla

5、t或者Notch (平邊、凹槽)。從沙子到芯片從沙子到芯片-3晶圓晶圓：切割出的晶圓經(jīng)過拋光后變得幾乎完美無瑕，表面甚至可以當(dāng)鏡子。事實上，事實上，Intel自己并不生產(chǎn)這自己并不生產(chǎn)這種晶圓，而是從第三種晶圓，而是從第三方半導(dǎo)體企業(yè)那里直方半導(dǎo)體企業(yè)那里直接購買成品，然后利接購買成品，然后利用自己的生產(chǎn)線進(jìn)一用自己的生產(chǎn)線進(jìn)一步加工步加工，比如現(xiàn)在主流的45nm HKMG(高K金屬柵極)。值得一提的是，Intel公司創(chuàng)立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米。 切片結(jié)束之后，真正成型的晶園誕生。 此時需要對晶園的表面進(jìn)行一些處理拋光。 主要的步驟有以下幾步： 機(jī)械研磨(使用氧化鋁顆粒) 蝕刻

6、清洗(使用硝酸、醋酸、氫氧化鈉) Wafer拋光(化學(xué)機(jī)械研磨，使用硅土粉) 表面清洗(氨水、過氧化氫、去離子水) 形貌 表面起伏 經(jīng)常是不希望的 減少了光刻的分辨率 限制了膜的數(shù)目 氧化層生長 氧化層生長就是在晶園表面生長出一層二氧化硅。這個反應(yīng)需要在1000C左右的高純氧氣環(huán)境中進(jìn)行。從沙子到芯片從沙子到芯片-3光刻膠光刻膠(Photo Resist)：圖中藍(lán)色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過程中澆上去的光刻膠液體，類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。 光阻涂布 Photo Resist Coating 在Photo，晶園的第一部操作就是涂光阻。 光阻是臺灣的翻譯方法，大陸

7、這邊通常翻譯成光刻膠。 光阻涂布的機(jī)臺叫做Track，由TEL公司提供。 光阻涂布的是否均勻直接影響到將來線寬的穩(wěn)定性。 光阻分為兩種：正光阻和負(fù)光阻。 一般而言通常使用正光阻。只有少數(shù)層次采用負(fù)光阻。從沙子到芯片從沙子到芯片-3光刻光刻：光刻膠層隨后光刻膠層隨后透過掩模透過掩模(Mask)被曝被曝光在紫外線光在紫外線(UV)之下之下，變得可溶，期間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)類似按下機(jī)械相機(jī)快門那一刻膠片的變化。掩模上印著預(yù)先設(shè)計好的電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會形成微處理器的每一層電路圖案。一般來說，在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3光刻光刻：由此進(jìn)

8、入50-200納米尺寸的晶體管級別。一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個處理器，不過從這里開始把視野縮小到其中一個上，展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當(dāng)于開關(guān)，控制著電流的方向。現(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小，一個針頭上就能放下大約3000萬個。 曝光 Exposure 曝光動作的目的是將光罩上的圖形傳送到晶園上。 0.13um，0.18um就是這樣做出來的。 曝光所采用的機(jī)臺有兩種：Stepper和Scanner。 左圖是當(dāng)今市場占有率最高的ASML曝光機(jī)。從沙子到芯片從沙子到芯片-3溶解光刻膠溶解光刻膠：光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除后留下的圖案和掩模上的一致。 溶解光刻膠溶解光刻膠 曝

9、光完畢之后，晶園送回Track進(jìn)行顯影，洗掉被曝過光的光阻。 然后再進(jìn)行烘烤，使沒有被洗掉的光阻變得比較堅硬而不至于在下一步蝕刻的時候被破壞掉。從沙子到芯片從沙子到芯片-3蝕刻蝕刻：使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3清除光刻膠清除光刻膠：蝕刻完成后，光刻膠的使命宣告完成，全部清除后就可以看到設(shè)計好的電路圖案。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3光刻膠光刻膠：再次澆上光刻膠(藍(lán)色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻膠還是用來保護(hù)不會離子注入的那部分材料。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3離子注入離子注入(Ion Implan

10、tation)：在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料，從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層，并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。經(jīng)過電場加速后，注入的離子流的速度可以超過超過30萬千米每小時萬千米每小時 從沙子到芯片從沙子到芯片-3清除光刻膠清除光刻膠：離子注入完成后，光刻膠也被清除，而注入?yún)^(qū)域(綠色部分)也已摻雜，注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3晶體管就緒晶體管就緒：至此，晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞三個孔洞，并填充銅，以便和其它晶體管互連。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3電鍍電鍍：在晶圓上電鍍一

11、層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負(fù)極(陰極)。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3銅層銅層：電鍍完成后，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個薄薄的銅層。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3拋光拋光：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3金屬層金屬層：晶體管級別，六個晶體管的組合，大約500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層，具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來異常平滑，但事實上可能包含20多層多層復(fù)雜的電路，放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò)，形如未來派的多層高速公路系統(tǒng)。 金屬層用于在半導(dǎo)體元器件中制造通路，當(dāng)然，離不開Ph

12、oto的配合。 通常，半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)線采用的是鋁。 銅導(dǎo)線比鋁導(dǎo)線具有更多的優(yōu)越性。 銅導(dǎo)線電阻比鋁導(dǎo)線小40%，這樣采用銅導(dǎo)線的器件要快15%。 銅導(dǎo)線不易因為ESD而導(dǎo)致器件破壞。它能夠承受更強(qiáng)的電流。 采用銅導(dǎo)線的困難： 當(dāng)銅和硅接觸的時候，會在硅中發(fā)生非?？焖俚臄U(kuò)散。 這種擴(kuò)散還將改變制作在硅上面半導(dǎo)體三極管的電學(xué)特性，導(dǎo)致三極管失效。 克服這些困難(Damascene)： 采用先做絕緣層，再做銅導(dǎo)線層的方法解決擴(kuò)散問題。 在制作銅導(dǎo)線層的時候，采用一種銅的多晶體，進(jìn)一步限制銅在硅中的擴(kuò)散。從沙子到芯片從沙子到芯片-3晶圓測試晶圓測試：內(nèi)核級別，大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的

13、局部，正在接受第一次功能性測試，使用參考電路圖案和每一塊芯片進(jìn)行對比。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3晶圓切片晶圓切片(Slicing)：晶圓級別，300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊，每一塊就是一個處理器的內(nèi)核(Die)。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3丟棄瑕疵內(nèi)核丟棄瑕疵內(nèi)核：晶圓級別。測試過程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄，留下完好的準(zhǔn)備進(jìn)入下一步。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3單個內(nèi)核單個內(nèi)核：內(nèi)核級別。從晶圓上切割下來的單個內(nèi)核，這里展示的是Core i7的核心。從沙子到芯片從沙子到芯片-3封裝封裝：封裝級別，20毫米/1英寸。襯底襯底(基基片片)、內(nèi)核、散熱片、內(nèi)核、散熱片堆疊在一起，就形

14、成了我們看到的處理器的樣子。襯底(綠色)相當(dāng)于一個底座，并為處理器內(nèi)核提供電氣與機(jī)械界面，便于與PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片(銀色)就是負(fù)責(zé)內(nèi)核散熱的了。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3處理器處理器：至此就得到完整的處理器了(這里是一顆Core i7)。這種在世界上最干凈的房間里制造出來的最復(fù)雜的產(chǎn)品實際上是經(jīng)過數(shù)百個步驟得來的，這里只是展示了其中的一些關(guān)鍵步驟。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3等級測試等級測試：最后一次測試，可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性，比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等，并決定處理器的等級，比如適合做成最高端的Core i7-975 Extreme，還是低端型號Core i7-

15、920。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3裝箱裝箱：根據(jù)等級測試結(jié)果將同樣級別的處理器放在一起裝運。 從沙子到芯片從沙子到芯片-3零售包裝零售包裝：制造、測試完畢的處理器要么批量交付給OEM廠商，要么放在包裝盒里進(jìn)入零售市場。這里還是以Core i7為例。 晶圓的生產(chǎn)工藝流程：從大的方面來講，晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟，它又可細(xì)分為以下幾道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部屬晶片制造，所以有時又統(tǒng)稱它們?yōu)榫е衅筇幚砉ば颍?晶棒成長 - 晶棒裁切與檢測 - 外徑研磨 - 切片 - 圓邊 - 表層研磨 - 蝕刻 - 去疵 - 拋光 - 清洗 - 檢驗 - 包裝

16、1、晶棒成長工序：它又可細(xì)分為： 1）、融化（Melt Down）：將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英坩鍋內(nèi)，加熱到其熔點1420C以上，使其完全融化。2）、頸部成長（Neck Growth）：待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將1.0.0方向的晶種慢慢插入其中，接著將晶種慢慢往上提升，使其直徑縮小到一定尺寸（一般約6mm左右），維持此直徑并拉長100-200mm，以消除晶種內(nèi)的晶粒排列取向差異。 3）、晶冠成長（Crown Growth）：頸部成長完成后，慢慢降低提升速度和溫度，使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。 4）、晶體成長（Body Growth）：不斷調(diào)整提升速度和融煉溫度，維

17、持固定的晶棒直徑，只到晶棒長度達(dá)到預(yù)定值。 5）、尾部成長（Tail Growth）：當(dāng)晶棒長度達(dá)到預(yù)定值后再逐漸加快提升速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，以避免因熱應(yīng)力造成排差和滑移等現(xiàn)象產(chǎn)生，最終使晶棒與液面完全分離。到此即得到一根完整的晶棒。 2、晶棒裁切與檢測（Cutting & Inspection）：將長成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分，并對尺寸進(jìn)行檢測，以決定下步加工的工藝參數(shù)。 3、外徑研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成長過程中，其外徑尺寸和圓度均有一定偏差，其外園柱面也凹凸不平，所以必須對外徑進(jìn)行修整、研磨，使其尺

18、寸、形狀誤差均小于允許偏差。 4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。 5、圓邊（Edge Profiling）：由于剛切下來的晶片外邊緣很鋒利，硅單晶又是脆性材料，為避免邊角崩裂影響晶片強(qiáng)度、破壞晶片表面光潔和對后工序帶來污染顆粒，必須用專用的電腦控制設(shè)備自動修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。 6、研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割時在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和破損，使晶片表面達(dá)到所要求的光潔度。 7、蝕刻（Etching）：以化學(xué)蝕刻的方法，去掉經(jīng)上幾道工序加工后在晶片表面因加工應(yīng)

19、力而產(chǎn)生的一層損傷層。8、去疵（Gettering）：用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺陷感到下半層，以利于后序加工。 9、拋光（Polishing）：對晶片的邊緣和表面進(jìn)行拋光處理，一來進(jìn)一步去掉附著在晶片上的微粒，二來獲得極佳的表面平整度，以利于后面所要講到的晶圓處理工序加工。 10、清洗（Cleaning）：將加工完成的晶片進(jìn)行最后的徹底清洗、風(fēng)干。 11、檢驗（Inspection）：進(jìn)行最終全面的檢驗以保證產(chǎn)品最終達(dá)到規(guī)定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術(shù)指標(biāo)。 12、包裝（Packing）：將成品用柔性材料，分隔、包裹、裝箱，準(zhǔn)備發(fā)往以下的芯片制造車間或出廠發(fā)往訂貨客戶。經(jīng)過上述12個

20、步驟，一顆晶圓就產(chǎn)生了。一一. .封裝目的封裝目的二二. .ICIC內(nèi)部結(jié)構(gòu)內(nèi)部結(jié)構(gòu)三三. .封裝主要流程簡介封裝主要流程簡介四四. .產(chǎn)產(chǎn)品加工流程品加工流程 封封 裝裝InOutICIC封裝屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的后段加工封裝屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的后段加工制程，主要是將前制程加工完成制程，主要是將前制程加工完成（即晶圓廠所生產(chǎn)）的晶圓上的（即晶圓廠所生產(chǎn)）的晶圓上的ICIC予以分割，黏晶、打線并加上塑封予以分割，黏晶、打線并加上塑封及成型。及成型。其成品（封裝體）主要是提供一個其成品（封裝體）主要是提供一個引接的接口，內(nèi)部電性訊號可通過引接的接口，內(nèi)部電性訊號可通過引腳將芯片連接到系統(tǒng)，并避免硅引腳將芯

21、片連接到系統(tǒng)，并避免硅芯片受外力與水、濕氣、化學(xué)物之芯片受外力與水、濕氣、化學(xué)物之破壞與腐蝕等。破壞與腐蝕等。 樹脂樹脂(EMC)(EMC)金金線線(WIRE)(WIRE) L/F L/F 外引外引腳腳( (OUTER LEAD)OUTER LEAD)L/F L/F 內(nèi)引腳內(nèi)引腳( (INNER LEAD)INNER LEAD)晶片晶片(CHIP)(CHIP)晶片晶片托盤托盤(DIE PAD)(DIE PAD)目的：用切割刀將晶圓上的芯片切割分離成單個晶粒(Die)。其前置作業(yè)為在芯片黏貼(Wafer Mount)，即在芯片背面貼上藍(lán)膜(Blue Tape)并置于鐵環(huán)(Wafer Ring)

22、上，之后再送至芯片切割機(jī)上進(jìn)行切割。目的：將晶粒置于框架(Lead Frame)上，并用銀膠(Epoxy)黏著固定。導(dǎo)線架是提供晶粒一個黏著的位置(稱作晶粒座，Die Pad)，并預(yù)設(shè)有可延伸IC晶粒電路的延伸腳。黏晶完成后之導(dǎo)線架則經(jīng)由傳輸設(shè)備送至金屬匣(Magazine)內(nèi)，以送至下一制程進(jìn)行焊線。 目的：將晶粒上的接點用金線或者鋁線銅線連接到導(dǎo)線架上之內(nèi)引腳，從而將IC晶粒之電路訊號傳輸?shù)酵饨?。焊線時，以晶粒上之接點為第一焊點，內(nèi)引腳上之接點為第二焊點。先將金線之端點燒成小球，再將小球壓焊在第一焊點上。接著依設(shè)計好之路徑拉金線，將金線壓焊在第二點上完成一條金線之焊線動作。 Wire Bo

23、nding 引線焊接利用高純度的金線（利用高純度的金線（Au） 、銅線（、銅線（Cu）或鋁線（）或鋁線（Al）把）把 Pad 和和 Lead通過焊接的方法連接起來。通過焊接的方法連接起來。Pad是芯片上電路的外接是芯片上電路的外接 點，點，Lead是是 Lead Frame上的上的 連接點。連接點。 W/B是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一部工藝。是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一部工藝。FOL Wire Bonding 引線焊接Key Words：Capillary：陶瓷劈刀。：陶瓷劈刀。W/B工藝中最核心的一個工藝中最核心的一個Bonding Tool，內(nèi)部為，內(nèi)部為空心，中間穿上金線，并分別在芯片的空心，中

24、間穿上金線，并分別在芯片的Pad和和Lead Frame的的Lead上形成上形成第一和第二焊點；第一和第二焊點；EFO：打火桿。用于在形成第一焊點時的燒球。打火桿打火形成高溫，：打火桿。用于在形成第一焊點時的燒球。打火桿打火形成高溫，將外露于將外露于Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在前端的金線高溫熔化成球形，以便在Pad上形成第一上形成第一焊點（焊點（Bond Ball）；）；Bond Ball：第一焊點。指金線在：第一焊點。指金線在Cap的作用下，在的作用下，在Pad上形成的焊接點上形成的焊接點，一般為一個球形；，一般為一個球形；Wedge：第二焊點。指金線在：第二焊點。指金

25、線在Cap的作用下，在的作用下，在Lead Frame上形成的焊上形成的焊接點，一般為月牙形（或者魚尾形）；接點，一般為月牙形（或者魚尾形）；W/B四要素：壓力（四要素：壓力（Force）、超聲（）、超聲（USG Power）、時間（）、時間（Time）、）、溫度（溫度（Temperature）；）；FOL Wire Bonding 引線焊接陶瓷的陶瓷的Capillary內(nèi)穿金線，并且在內(nèi)穿金線，并且在EFO的的作用下，高溫?zé)?；作用下，高溫?zé)?；金線在金線在Cap施加的一定施加的一定壓力和超聲的作用下，壓力和超聲的作用下，形成形成Bond Ball；金線在金線在Cap施加的一施加的一定壓力作

26、用下，形成定壓力作用下，形成Wedge；FOL Wire Bonding 引線焊接EFO打火桿在打火桿在磁嘴前燒球磁嘴前燒球Cap下降到芯片的下降到芯片的Pad上，加上，加Force和和Power形成第一焊點形成第一焊點Cap牽引金牽引金線上升線上升Cap運動軌跡形成運動軌跡形成良好的良好的Wire LoopCap下降到下降到Lead Frame形成焊接形成焊接Cap側(cè)向劃開，將金側(cè)向劃開，將金線切斷，形成魚尾線切斷，形成魚尾Cap上提，完成一次上提，完成一次動作動作FOL Wire Bonding 引線焊接Wire Bond的質(zhì)量控制：的質(zhì)量控制：Wire Pull、Stitch Pull（

27、金線頸部和尾部拉力）（金線頸部和尾部拉力）Ball Shear（金球推力）（金球推力）Wire Loop（金線弧高）（金線弧高）Ball Thickness（金球厚度）（金球厚度）Crater Test（彈坑測試）（彈坑測試）Intermetallic（金屬間化合物測試）（金屬間化合物測試）SizeThicknessFOL 3rd Optical Inspection三光檢查檢查檢查Die Attach和和Wire Bond之后有無各種廢品之后有無各種廢品資料來源：K&S 網(wǎng)站W(wǎng)ire Bound Free air ball is captured in the chamferFree

28、 air ball is captured in the chamferSEARCH HEIGHTFree air ball is captured in the chamferSEARCH SPEED1SEARCH TOL 1Free air ball is captured in the chamferSEARCH SPEED1SEARCH TOL 1Free air ball is captured in the chamferSEARCH TOL 1SEARCH SPEED1Free air ball is captured in the chamferSEARCH TOL 1SEAR

29、CH SPEED1Free air ball is captured in the chamferSEARCH TOL 1SEARCH SPEED1Formation of a first bondSEARCH SPEED1SEARCH TOL 1Formation of a first bondSEARCH SPEED1SEARCH TOL 1IMPACT FORCEFormation of a first bondContact Formation of a first bondBase Capillary rises to loop height positionCapillary ri

30、ses to loop height positionCapillary rises to loop height positionCapillary rises to loop height positionCapillary rises to loop height positionCapillary rises to loop height positionFormation of a loopRD (Reverse Distance)Formation of a loopCalculated Wire LengthWIRE CLAMP CLOSECalculated Wire LengthSEARCH DELAYTRAJECTORYTRAJECTORYTRAJECTORYTRAJECTORYTRAJECTORYTRAJECTORYTRAJECTORYTRAJECTORYTRAJECTORYTRAJECTORY2nd Search HeightSearch Speed 2Search Tol 2Search Speed 2Search Tol 2Search Speed 2Search Tol 2Formation of a second bondFormation of a second bondContactTail lengthDisco