測(cè)井曲線及代碼_第1頁(yè)
測(cè)井曲線及代碼_第2頁(yè)
測(cè)井曲線及代碼_第3頁(yè)
測(cè)井曲線及代碼_第4頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、原始曲線代碼與名稱對(duì)照表 DMDMMCMCBZBZ1CAL5井半徑52TPL電磁波傳播時(shí)間3TPOR核磁共振總孔隙度4303AC磁性定位53LLD 深淺三側(cè)向(深)63LLS深淺三側(cè)向(淺)7A010陣列感應(yīng)1英尺垂向分辨率及10英寸探測(cè)深度的電阻率8A020陣列感應(yīng)1英尺垂向分辨率及20英寸探測(cè)深度的電阻率9A030陣列感應(yīng)1英尺垂向分辨率及30英寸探測(cè)深度的電阻率10A060陣列感應(yīng)1英尺垂向分辨率及60英寸探測(cè)深度的電阻率11A090陣列感應(yīng)1英尺垂向分辨率及90英寸探測(cè)深度的電阻率12A1R1T1R1聲波幅度13A1R2T1R2聲波幅度14A2R1T2R1聲波幅度15A2R2T2R2聲

2、波幅度16AAC聲波附加值17AAVG平均聲幅18AC聲波時(shí)差19AC01校正的方位電導(dǎo)率20AC02校正的方位電導(dǎo)率21AC03校正的方位電導(dǎo)率22AC04校正的方位電導(dǎo)率23AC05校正的方位電導(dǎo)率24AC06校正的方位電導(dǎo)率25AC07校正的方位電導(dǎo)率26AC08校正的方位電導(dǎo)率27AC09校正的方位電導(dǎo)率28AC1聲波幅度29AC10校正的方位電導(dǎo)率30AC11校正的方位電導(dǎo)率31AC12校正的方位電導(dǎo)率32AC2聲波衰減率33ACT1衰減率34ACT2衰減率35ACT3衰減率36ACT4衰減率37ACT5衰減率38ACT6衰減率39AF10陣列感應(yīng)4英尺垂向分辨率及10英寸探測(cè)深度的

3、電阻率40AF20陣列感應(yīng)4英尺垂向分辨率及20英寸探測(cè)深度的電阻率41AF30陣列感應(yīng)4英尺垂向分辨率及30英寸探測(cè)深度的電阻率42AF60陣列感應(yīng)4英尺垂向分辨率及60英寸探測(cè)深度的電阻率43AF90陣列感應(yīng)4英尺垂向分辨率及90英寸探測(cè)深度的電阻率44AFRT陣列感應(yīng)電阻率45AFRX陣列感應(yīng)4英尺垂向分辨率侵入帶電阻率46AIMP聲阻抗47AIPD密度孔隙度48AIPN中子孔隙度49AMAV聲波幅度50AMAX最大聲幅51AMIN最小聲幅52AMP1第一扇區(qū)的聲幅值53AMP2第二扇區(qū)的聲幅值54AMP3第三扇區(qū)的聲幅值55AMP4第四扇區(qū)的聲幅值56AMP5第五扇區(qū)的聲幅值57AMP

4、6第六扇區(qū)的聲幅值58AMPI聲波幅度59AMPL聲波幅度60AMVG平均聲幅61ANI各向異性62ANIA平均各向異性63AOFF截止值64AORT陣列感應(yīng)1英尺垂向分辨率地層真電阻率65AORX陣列感應(yīng)1英尺垂向分辨率侵入帶電阻率66APL1聲波幅度67APL2聲波幅度68APLC近/遠(yuǎn)陣列中子孔隙度69APV聲幅速度70AR01校正后的方位電阻率71AR02校正后的方位電阻率72AR03校正后的方位電阻率73AR04校正后的方位電阻率74AR05校正后的方位電阻率75AR06校正后的方位電阻率76AR07校正后的方位電阻率77AR08校正后的方位電阻率78AR09校正后的方位電阻率79A

5、R10校正后的方位電阻率80AR11校正后的方位電阻率81AR12校正后的方位電阻率82AT10陣列感應(yīng)2英尺垂向分辨率及10英寸探測(cè)深度的電阻率83AT20陣列感應(yīng)2英尺垂向分辨率及20英寸探測(cè)深度的電阻率84AT30陣列感應(yīng)2英尺垂向分辨率及30英寸探測(cè)深度的電阻率85AT60陣列感應(yīng)2英尺垂向分辨率及60英寸探測(cè)深度的電阻率86AT90陣列感應(yīng)2英尺垂向分辨率及90英寸探測(cè)深度的電阻率87ATAV平均衰減率88ATC1聲波衰減率89ATC2聲波衰減率90ATC3聲波衰減率91ATC4聲波衰減率92ATC5聲波衰減率93ATC6聲波衰減率94ATMN最小衰減率95ATRT2陣列感應(yīng)2英尺垂

6、向分辨率地層真電阻率96ATRT4陣列感應(yīng)4英尺垂向分辨率真地層電阻率97ATRX陣列感應(yīng)2英尺垂向分辨率侵入帶電阻率98ATTNC縱波衰減99ATTNS橫波衰減100ATTNST斯通利波衰減101AV聲波速度102AZ1號(hào)極板方位角103AZI1號(hào)極板方位角(HDT傾角)104AZIM井眼方位角105BAT噪聲106BEQ相對(duì)吸水量107BGF遠(yuǎn)探頭背景計(jì)數(shù)率108BGN近探頭背景計(jì)數(shù)率109BHC補(bǔ)償聲波110BHTA聲波傳播時(shí)間數(shù)據(jù)111BHTT聲波幅度數(shù)據(jù)112BLKC塊數(shù)113BS鉆頭直徑114BTN11號(hào)極板電阻率(ECLIPS-5700)115BTN22號(hào)極板電阻率(ECLIPS

7、-5700)116BTN33號(hào)極板電阻率(ECLIPS-5701)117BTN44號(hào)極板電阻率(ECLIPS-5701)118BTNS極板原始數(shù)據(jù)119C1井徑1120C2井徑2121C3井徑3122CAL井徑123CAL1井徑1124CAL2井徑2125CAL3井半徑3126CAL4井半徑4127CAL6井半徑6128CALI井徑129CASI鈣硅比130CBL聲波幅度131CCL磁性定位132CCL1磁定位1133CCL2磁定位2134CDW磁性定位135CEMC水泥圖136CGR無(wú)鈾自然伽馬137CI俘獲與非彈性總能譜計(jì)數(shù)率之比138CILD深感應(yīng)探測(cè)電導(dǎo)率139CLL側(cè)向測(cè)井電導(dǎo)率14

8、0CMFF核磁共振自由流體孔隙度141CMRP核磁共振孔隙度142CN中子孔隙度143CNC校正后中子孔隙度144CNL中子孔隙度145CO碳氧比146CON1感應(yīng)電導(dǎo)率(轉(zhuǎn)換)147COND感應(yīng)電導(dǎo)率148CORR密度校正值149D2EC200MHz介電常數(shù)150D4EC47MHz介電常數(shù)151DAZ井眼方位角152DAZI井眼方位角153DB11號(hào)極板電阻率(SHDT傾角)154DB1A1號(hào)極板電阻率(SHDT傾角)155DB22號(hào)極板電阻率(SHDT傾角)156DB2A2號(hào)極板電阻率(SHDT傾角)157DB33號(hào)極板電阻率(SHDT傾角)158DB3A3號(hào)極板電阻率(SHDT傾角)15

9、9DB44號(hào)極板電阻率(SHDT傾角)160DB4A4號(hào)極板電阻率(SHDT傾角)161DCNT數(shù)據(jù)計(jì)數(shù)162DEM微差井溫163DEM1微差井溫1164DEM2微差井溫2165DEM3微差井溫3166DEM4微差井溫4167DEM5微差井溫5168DEM6微差井溫6169DEM7微差井溫7170DEN體積密度171DEV井斜角172DEVI井斜角173DF0514MHZ相位差174DF077.0MHZ相位差175DF103.5MHZ相位差176DF141.75MHZ相位差177DF200.875MHZ相位差178DFL數(shù)字聚焦電阻率179DIA1井徑1180DIA2井徑2181DIA3井徑3

10、182DIFF核磁差譜183DIP傾角184DIP1地層傾角微電導(dǎo)率曲線1185DIP1_1極板傾角曲線186DIP2地層傾角微電導(dǎo)率曲線2187DIP2_1極板傾角曲線188DIP3地層傾角微電導(dǎo)率曲線3189DIP3_1極板傾角曲線190DIP4地層傾角微電導(dǎo)率曲線4191DIP4_1極板傾角曲線192DIP5極板傾角曲線193DIP6極板傾角曲線194DQS2補(bǔ)償聲波195DRH體積密度校正值196DRHO體積密度校正值197DT3-5英尺源距聲波時(shí)差198DT1下偶極橫波時(shí)差199DT2上偶極橫波時(shí)差200DT24聲波201DT4P縱橫波方式單極縱波時(shí)差202DT4S縱橫波方式單極橫波

11、時(shí)差203DT5首波檢測(cè)方式單極縱波時(shí)差204DTC縱波時(shí)差205DTC11英尺聲波時(shí)差206DTC22英尺聲波時(shí)差207DTCDTS縱橫波速度比208DTEM微差井溫209DTL5-7英尺源距聲波時(shí)差210DTLF10-12英尺源距聲波時(shí)差211DTLN8-10英尺源距聲波時(shí)差212DTMN最小傳播時(shí)間213DTMX最大傳播時(shí)間214DTS橫波時(shí)差215DTSF快橫波時(shí)差216DTSS慢橫波時(shí)差217DTST斯通利波時(shí)差218EATT電磁波衰減(曲線)219ECHO回波串220ECHOQM回波串221ETIMD時(shí)間222FACR快橫波方位223FAMP泥漿幅度224FAR遠(yuǎn)探頭地層計(jì)數(shù)率22

12、5FC11號(hào)極板電阻率(HDT傾角)226FC22號(hào)極板電阻率(HDT傾角)227FC33號(hào)極板電阻率(HDT傾角)228FC44號(hào)極板電阻率(HDT傾角)229FCAZ探頭沿井軸加速度(SHDT傾角)230FCC地層對(duì)比曲線-硅計(jì)數(shù)率231FDBI泥漿探測(cè)器增益232FDEN流體密度233FDEN1流體密度曲線1234FDEN2流體密度曲線2235FGAT泥漿探測(cè)器門(mén)限236FL01渦輪轉(zhuǎn)速曲線1237FL02渦輪轉(zhuǎn)速曲線2238FL03渦輪轉(zhuǎn)速曲線3239FL04渦輪轉(zhuǎn)速曲線4240FL05渦輪轉(zhuǎn)速曲線5241FL06渦輪轉(zhuǎn)速曲線6242FL07渦輪轉(zhuǎn)速曲線7243FL08渦輪轉(zhuǎn)速曲線82

13、44FL09渦輪轉(zhuǎn)速曲線9245FL10渦輪轉(zhuǎn)速曲線10246FLOW流量247FPLC近/遠(yuǎn)中子孔隙度248FTIM泥漿傳播時(shí)間249FTIME采樣時(shí)間間隔(SHDT傾角)250GAZFZ軸加速度數(shù)據(jù)251GG01屏蔽增益252GG02屏蔽增益253GG03屏蔽增益254GG04屏蔽增益255GG05屏蔽增益256GG06屏蔽增益257GKUT自然伽馬258GR自然伽馬259GR1自然伽馬(注同位素前)260GR2同位素示蹤伽馬261GR21自然伽馬(注同位素后第一次)262GR22自然伽馬(注同位素后第二次)263GR23自然伽馬(注同位素后第三次)264GR24自然伽馬(注同位素后第四次

14、)265GR25自然伽馬(注同位素后第五次)266GRK鉀267GRKT無(wú)鈾自然伽馬268GRSL總自然伽馬269GRTH釷270GRU鈾271HAZI井眼方位角272HCGR無(wú)鈾自然伽馬273HDRS高分辨率深感應(yīng)電阻率274HFK鉀275HMRS高分辨率中感應(yīng)電阻率276HRID高分辨率深感應(yīng)電阻率277HRIM高分辨率中感應(yīng)電阻率278HSGR無(wú)鈾自然伽馬279HTHO釷280HUD持水率281HURA鈾282HYD持水率283HYD1持水率曲線1284HYD2持水率曲線2285IDPH深感應(yīng)電阻率286ILD深感應(yīng)電阻率287ILM中感應(yīng)電阻率288IMPH中感應(yīng)電阻率289JV1激發(fā)

15、電位(淺)290JV2激發(fā)電位(深)291K鉀292KCMR核磁共振滲透率293KTH無(wú)鈾自然伽馬294LCAL密度井徑295LL側(cè)向測(cè)井296LL3三側(cè)向電阻率297LL7七側(cè)向電阻率298LL7D深淺七側(cè)向(深)299LL7S深淺七側(cè)向(淺)300LL8八側(cè)向電阻率301LLD深側(cè)向電阻率302LLD3深三側(cè)向電阻率303LLD7深七側(cè)向電阻率304LLHD高分辨率深側(cè)向電阻率305LLHRARI高分辨率電阻率306LLHS高分辨率淺側(cè)向電阻率307LLS淺側(cè)向電阻率308LLS3淺三側(cè)向電阻率309LLS7淺七側(cè)向電阻率310M1R1高分辨率陣列感應(yīng)電阻率311M1R10高分辨率陣列感應(yīng)

16、電阻率312M1R120高分辨率陣列感應(yīng)電阻率313M1R2高分辨率陣列感應(yīng)電阻率314M1R20高分辨率陣列感應(yīng)電阻率315M1R3高分辨率陣列感應(yīng)電阻率316M1R30高分辨率陣列感應(yīng)電阻率317M1R6高分辨率陣列感應(yīng)電阻率318M1R60高分辨率陣列感應(yīng)電阻率319M1R9高分辨率陣列感應(yīng)電阻率320M1R90高分辨率陣列感應(yīng)電阻率321M1RX高分辨率陣列感應(yīng)電阻率322M2R1高分辨率陣列感應(yīng)電阻率323M2R10高分辨率陣列感應(yīng)電阻率324M2R120高分辨率陣列感應(yīng)電阻率325M2R2高分辨率陣列感應(yīng)電阻率326M2R20高分辨率陣列感應(yīng)電阻率327M2R3高分辨率陣列感應(yīng)電阻

17、率328M2R30高分辨率陣列感應(yīng)電阻率329M2R6高分辨率陣列感應(yīng)電阻率330M2R60高分辨率陣列感應(yīng)電阻率331M2R9高分辨率陣列感應(yīng)電阻率332M2R90高分辨率陣列感應(yīng)電阻率333M2RX高分辨率陣列感應(yīng)電阻率334M4R1高分辨率陣列感應(yīng)電阻率335M4R10高分辨率陣列感應(yīng)電阻率336M4R120高分辨率陣列感應(yīng)電阻率337M4R2高分辨率陣列感應(yīng)電阻率338M4R20高分辨率陣列感應(yīng)電阻率339M4R3高分辨率陣列感應(yīng)電阻率340M4R30高分辨率陣列感應(yīng)電阻率341M4R6高分辨率陣列感應(yīng)電阻率342M4R60高分辨率陣列感應(yīng)電阻率343M4R9高分辨率陣列感應(yīng)電阻率34

18、4M4R90高分辨率陣列感應(yīng)電阻率345M4RX高分辨率陣列感應(yīng)電阻率346MBHE核磁共振有效孔隙度347MBVI核磁共振束縛流體體積348MBVM核磁共振自由流體體積349MCBW核磁共振粘土束縛水350MID最小內(nèi)徑351ML1微梯度電阻率352ML2微電位電阻率353MPERM核磁共振滲透率354MPHE核磁共振有效孔隙度355MPHS核磁共振總孔隙度356MPRM核磁共振滲透率357MSFL微球型聚焦電阻率358NCCL負(fù)向磁定位359NCNT磁北極計(jì)數(shù)360NEAR近探頭地層計(jì)數(shù)率361NG中子伽馬孔隙度362NGR中子伽馬孔隙度363NPHI中子孔隙度364P01第1組分孔隙度3

19、65P02第2組分孔隙度366P03第3組分孔隙度367P04第4組分孔隙度368P05第5組分孔隙度369P06第6組分孔隙度370P07第7組分孔隙度371P08第8組分孔隙度372P09第9組分孔隙度373P10第10組分孔隙度374P11第11組分孔隙度375P12第12組分孔隙度376P1AZ1號(hào)極板方位角377P1AZ_12號(hào)極板方位378P1BTN極板原始數(shù)據(jù)379P2BTN極板原始數(shù)據(jù)380P2HS200MHz相位角381P3BTN極板原始數(shù)據(jù)382P4BTN極板原始數(shù)據(jù)383P4HS47MHz相位角384P5BTN極板原始數(shù)據(jù)385P6BTN極板原始數(shù)據(jù)386PAD11號(hào)極板

20、電阻率387PAD22號(hào)極板電阻率388PAD33號(hào)極板電阻率389PAD44號(hào)極板電阻率390PAD55號(hào)極板電阻率391PAD66號(hào)極板電阻率392PADG極板增益393PCCL正向磁定位394PD6G屏蔽電壓395PDS11號(hào)極板電阻率396PDS22號(hào)極板電阻率397PDS33號(hào)極板電阻率398PDS44號(hào)極板電阻率399PDS55號(hào)極板電阻率400PDS66號(hào)極板電阻率401PE光電吸收截面指數(shù)402PED有效光電吸收截面指數(shù)403PEF光電吸收截面指數(shù)404PEFL長(zhǎng)源距光電吸收截面指數(shù)405PERM-IND核磁共振滲透率406PHA10.875MHZ高頻感應(yīng)相位差407PHA21

21、.75MHZ高頻感應(yīng)相位差408PHA33.5MHZ高頻感應(yīng)相位差409PHA47.0MHZ高頻感應(yīng)相位差410PHA514MHZ高頻感應(yīng)相位差411PIAZ1號(hào)極板方位角(SHDT傾角)412PND測(cè)量流體性質(zhì)的一種測(cè)井方法.413POTA鉀414PPOR核磁T2譜415PPORB核磁T2譜416PPORC核磁T2譜417PR泊松比418QA加速計(jì)質(zhì)量419QB磁力計(jì)質(zhì)量420QRTT反射波采集質(zhì)量421R0250.25米底部梯度電阻率422R040.4米電位電阻率423R0450.45米底部梯度電阻率424R045T0.45米頂部梯度電阻率425R050.5米電位電阻率426R077.0M

22、HZ高頻感應(yīng)相位差427R11米底部梯度電阻率428R103.5MHZ高頻感應(yīng)相位差429R141.75MHZ高頻感應(yīng)相位差430R1T1米頂部梯度電阻率431R22米底部梯度電阻率432R200.875MHZ高頻感應(yīng)相位差433R252.5米底部梯度電阻率434R2AT200MHz幅度比435R2SL200MHz電阻率436R44米底部梯度電阻率437R4AT47MHz幅度比438R4AT_147兆赫茲幅度比439R4SL47MHz電阻率440R4SL_147兆赫茲電阻率441R4T4.0米頂部梯度電阻率442R66米底部梯度電阻率443R88米底部梯度電阻率444RA電阻率比值445RAD

23、1井徑(1號(hào)極板測(cè)量半徑)446RAD2井徑(2號(hào)極板測(cè)量半徑)447RAD3井徑(3號(hào)極板測(cè)量半徑)448RAD4井徑(4號(hào)極板測(cè)量半徑)449RAD5井徑(5號(hào)極板測(cè)量半徑)450RAD6井徑(6號(hào)極板測(cè)量半徑)451RADS井徑(極板半徑)452RATI地層比值453RB相對(duì)方位角454RB_1相對(duì)方位角455RBOF相對(duì)方位角456RC電阻率差值457RC01方位深電導(dǎo)率458RC02方位深電導(dǎo)率459RC03方位深電導(dǎo)率460RC04方位深電導(dǎo)率461RC05方位深電導(dǎo)率462RC06方位深電導(dǎo)率463RC07方位深電導(dǎo)率464RC08方位深電導(dǎo)率465RC09方位深電導(dǎo)率466RC

24、10方位深電導(dǎo)率467RC11方位深電導(dǎo)率468RC12方位深電導(dǎo)率469RD深側(cè)向電阻率470RDFL數(shù)字聚焦電阻率471RDIL深感應(yīng)電阻率472RFA流體電阻率473RFOC八側(cè)向電阻率474RHOB體積密度475RHOM體積密度476RILD深感應(yīng)電阻率477RILM中感應(yīng)電阻率478RIZ侵入帶半徑479RL微梯度電阻率480RLA1高分辨率側(cè)向電阻率1481RLA2高分辨率側(cè)向電阻率2482RLA3高分辨率側(cè)向電阻率3483RLA4高分辨率側(cè)向電阻率4484RLA5高分辨率側(cè)向電阻率5485RLL側(cè)向測(cè)井電阻率486RLM中感應(yīng)電阻率487RLML微梯度電阻率488RM鉆井液電阻率

25、489RMIL中感應(yīng)電阻率490RMLL微側(cè)向電阻率491RMSF微球型聚焦電阻率492RN微電位電阻率493RNML微電位電阻率494Ro514MHZ高頻感應(yīng)相位差495ROIZ侵入帶電阻率496ROP地層真電阻率497ROT相對(duì)方位角498RPRX鄰近側(cè)向電阻率499RR01方位深電阻率500RR02方位深電阻率501RR03方位深電阻率502RR04方位深電阻率503RR05方位深電阻率504RR06方位深電阻率505RR07方位深電阻率506RR08方位深電阻率507RR09方位深電阻率508RR10方位深電阻率509RR11方位深電阻率510RR12方位深電阻率511RS淺側(cè)向電阻率512RSFL球型聚集電阻率513RT地層真電阻率514RV1人工電位(淺)515RV2人工電位(深)516RX01微球型聚焦電阻率517RXO沖洗帶電阻率518SDBI特征值增益519SDT2短源距聲波520SFL球型聚焦電阻率521SFLU球型聚焦電阻率522SGAT采樣時(shí)間523SGR無(wú)鈾自然伽馬52

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