太陽能電池發(fā)電系統(tǒng)的組成原理圖

1、太陽能電池發(fā)電系統(tǒng)的組成原理圖太陽能發(fā)電系統(tǒng)由太陽能電池組、太陽能控制器、蓄電池（組）組成。如輸出電源為交流220V或 110V，還需要配置逆變器。各部分的作用為： （一）太陽能電池板：太陽能電池板是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中價值最高的部分。其作用是將太陽的輻射能力轉(zhuǎn)換為電能，或送往蓄電池中存儲起來，或推動負(fù)載工作。太陽能電池板的質(zhì)量和成本將直接決定整個系統(tǒng)的質(zhì)量和成本。（二）太陽能控制器：太陽能控制器的作用是控制整個系統(tǒng)的工作狀態(tài)，并對蓄電池起到過充電保護、過放電保護的作用。在溫差較大的地方，合格的控制器還應(yīng)具備溫度補償?shù)墓δ?。其他附加功能如光控開關(guān)、時控開關(guān)都應(yīng)當(dāng)是控

2、制器的可選項。（三）蓄電池：一般為鉛酸電池，小微型系統(tǒng)中，也可用鎳氫電池、鎳鎘電池或鋰電池。其作用是在有光照時將太陽能電池板所發(fā)出的電能儲存起來，到需要的時候再釋放出來。（四）逆變器：在很多場合，都需要提供220VAC、110VAC的交流電源。由于太陽能的直接輸出一般都是12VDC、24VDC、48VDC。為能向220VAC的電器提供電能，需要將太陽能發(fā)電系統(tǒng)所發(fā)出的直流電能轉(zhuǎn)換成交流電能，因此需要使用DC-AC逆變器。在某些場合，需要使用多種電壓的負(fù)載時，也要用到DC-DC逆變器，如將24VDC的電能轉(zhuǎn)換成5VDC的電能（注意，不是簡單的降壓）。 太陽能發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)計需要考慮如下因素：Q1、

3、 太陽能發(fā)電系統(tǒng)在哪里使用？該地日光輻射情況如何？Q2、 系統(tǒng)的負(fù)載功率多大？Q3、 系統(tǒng)的輸出電壓是多少，直流還是交流？Q4、 系統(tǒng)每天需要工作多少小時？Q5、 如遇到?jīng)]有日光照射的陰雨天氣，系統(tǒng)需連續(xù)供電多少天？Q6、 負(fù)載的情況，純電阻性、電容性還是電感性，啟動電流多大？Q7、 系統(tǒng)需求的數(shù)量？ 太陽能電池板海關(guān)編碼, HS編碼,太陽能電池板出口常用資料. 1. 太陽能電池板海關(guān)編碼(H.S編碼)及退稅率:ic2. 太陽能電池組件出口歐美需要的認(rèn)證:1) 出口歐洲需要通過IEC EN61215 , 非晶硅太陽能電池組需要通IEC EN61646. 電力逆變器需通過IEC/EN 61209

4、-1的安全認(rèn)證。2)出口美國需要通過UL認(rèn)證.(1) UL 1703,平板型太陽能組件安全認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)(2) UL 4703光伏電線電纜安全標(biāo)準(zhǔn) (3) UL 1471 太陽能發(fā)電系統(tǒng)用逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、控制器及連接設(shè)備至供電系統(tǒng)安全標(biāo)準(zhǔn).什么是AM1.5? 太陽能標(biāo)準(zhǔn)測試條件AM1.5、1000W/m2、25解釋1、標(biāo)準(zhǔn)測試條件AM1.5、1000W/m2、25解釋？AM1.5、1000W/m2、25是IEC61646-地面用薄膜型光伏組件設(shè)計和定型(GB/T18911-2002)的測試標(biāo)準(zhǔn)。也是GB/T11011-1989-非晶硅太陽電池電性能測試的一般規(guī)定的測試標(biāo)準(zhǔn)。AM的意思是air-m

5、ass（大氣質(zhì)量）， 定義是：Path-length through the atmosphere relative to vertical thickness of the atmosphere，就是光線通過大氣的實際距離比上大氣的垂直厚度。AM1.5就是光線通過大氣的實際距離為大氣垂直厚度的1.5倍。1000W/m2是標(biāo)準(zhǔn)測試太陽電池的光線的輻照度。25C就是在25C的溫度下工作。太陽電池效率會隨溫度升高有一定下降，它在使用時溫度會升高，再由溫度系數(shù)就可以得出他工作時的電壓電流和輸出功率。2、為什么會有光致衰減（S-W效應(yīng)）? 光致衰減也稱S-W效應(yīng)。a-SiH薄膜經(jīng)較長時間的強光照射或電

6、流通過，在其內(nèi)部將產(chǎn)生缺陷而使薄膜的性能下降，稱為Staebler-Wronski效應(yīng)（D.L.Staebler和C.R.Wronski最早發(fā)現(xiàn)的）。對S-W效應(yīng)的起因，至今仍有不少爭議，造成衰退的微觀機制也尚無定論，成為迄今國內(nèi)外非晶硅材料研究的熱門課題?？偟目捶ㄕJ(rèn)為，S-W效應(yīng)起因于光照導(dǎo)致在帶隙中產(chǎn)生了新的懸掛鍵缺陷態(tài)(深能級)，這種缺陷態(tài)會影響a-SiH薄膜材料的費米能級Ef的位置，從而使電子的分布情況發(fā)生變化，進而一方面引起光學(xué)性能的變化，另一方面對電子的復(fù)合過程產(chǎn)生影響。這些缺陷態(tài)成為電子和空穴的額外復(fù)合中心，使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。在a-SiH薄膜材料中，能夠穩(wěn)定存在的

7、是Si-H鍵和與晶體硅類似的Si-Si鍵，這些鍵的鍵能較大，不容易被打斷。由于a-SiH材料結(jié)構(gòu)上的無序，使得一些Si-Si鍵的鍵長和鍵角發(fā)生變化而使Si-Si鍵處于應(yīng)變狀態(tài)。高應(yīng)變Si-Si鍵的化學(xué)勢與H相當(dāng)，可以被外界能量打斷，形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應(yīng)變Si-Si鍵沒有重構(gòu)，則a-SiH薄膜的懸掛鍵密度增加。為了更好地理解S-W效應(yīng)產(chǎn)生的機理并控制a-SiH薄膜中的懸掛鍵，以期尋找穩(wěn)定化處理方法和工藝，20多年來，國內(nèi)外科學(xué)工作者進行了不懈的努力，提出了大量的物理模型，主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defect pool”模型等，但至今仍沒有形成統(tǒng)一的觀點。3、晶體硅太陽電池使用壽命、衰減趨勢、衰減率？常規(guī)晶體硅太陽電池使用壽命一般承諾20或25年（一般組件出廠有質(zhì)保書，保證什么時候衰減到多少），晶體硅太陽電池片由于晶體生