民德電子關(guān)于增資參股浙江廣芯微電子有限公司暨對外投資可研報告

1、深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江廣芯微電子有限公司暨對外投資可行性研究報告深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)于增資參股浙江廣芯微電子有限公司暨對外投資可行性研究報告二二二年二月35目錄第一節(jié) 項目概況3一、項目內(nèi)容3二、項目背景3三、項目主體4第二節(jié) 項目實施的必要性與可行性分析15一、晶圓代工行業(yè)分析15二、項目實施的必要性25三、項目實施的可行性26第三節(jié) 項目投資方案28一、標(biāo)的公司項目規(guī)劃28二、民德電子項目投資方案29第四節(jié) 項目風(fēng)險分析32第五節(jié) 項目效益評價34第六節(jié) 項目可行性分析結(jié)論35第一節(jié) 項目概況一、項目內(nèi)容深圳市民德電子科技股份有限公司（以下簡稱“民德電子

2、”或“公司”）擬使用現(xiàn)金 15,000 萬元再次增資浙江廣芯微電子有限公司（以下簡稱“浙江廣芯微電子”或“標(biāo)的公司”），增資后民德電子持有標(biāo)的公司 48.8372%股權(quán)。標(biāo)的公司擬增加注冊資本 1,363.6354 萬元，民德電子此次增資金額 15,000 萬元中，增資款 1,363.6354 萬元計入標(biāo)的公司實收資本，其余增資款 13,636.3646 萬元計入標(biāo)的公司資本公積。浙江廣芯微電子主營業(yè)務(wù)為高端特色工藝半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù)，一期規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn) 120萬片 6 英寸高端特色硅基晶圓代工產(chǎn)線，以滿足不斷增長的、面向小型化、高速電源模塊的電力電子技術(shù)方面的產(chǎn)品需求，并同時開展適用于大容量電

3、源及智能功率模塊的高能高速器件的 研制。本次增資完成后，民德電子與浙江廣芯微電子戰(zhàn)略合作關(guān)系進一步深化，并加速浙江廣 芯微電子項目建設(shè)推進及早日投產(chǎn)，以滿足公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日益增長的晶圓代工產(chǎn)能需求， 大幅提升功率半導(dǎo)體新產(chǎn)品開發(fā)效率，為公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的持續(xù)、高速增長打開產(chǎn)能天花 板，徹底實現(xiàn)供應(yīng)鏈的自主可控，最終形成具有創(chuàng)新型商業(yè)模式的 Smart IDM 生態(tài)圈，從根本上提升公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心競爭力。此外，功率半導(dǎo)體 Smart IDM 生態(tài)圈的成功構(gòu)建，將 使產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)各環(huán)節(jié)企業(yè)均受益：彼此既能在戰(zhàn)略上相互協(xié)同，守望相助；又各自保持獨立運 營，充分接受市場競爭。二、項目背景公司

4、自上市以來，逐步確立了“深耕條碼識別，聚焦功率半導(dǎo)體”的公司戰(zhàn)略，將功率半 導(dǎo)體確立為支撐公司躍遷發(fā)展的第二產(chǎn)業(yè)，且致力于構(gòu)建功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的 Smart IDM 生態(tài)圈。2018 年 6 月，公司通過全資收購深圳市泰博迅睿技術(shù)有限公司，進入半導(dǎo)體元器件分銷行業(yè)；2020 年 6 月，公司通過控股收購廣微集成（深圳）技術(shù)有限公司，進入功率半導(dǎo)體設(shè)計行業(yè)；2020 年 7 月，公司參股投資浙江晶睿電子科技有限公司，布局半導(dǎo)體硅片行業(yè)；2021 年 6 月， 公司進一步收購廣微集成 10%股權(quán)，并再次增資晶睿電子，鞏固了公司功率半導(dǎo)體 Smart IDM 生態(tài)圈；2021 年 10 月，公司參股投

5、資浙江廣芯微電子有限公司，布局半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)。截止目前，位于浙江省麗水市的晶睿電子項目已實現(xiàn)約 10 萬片/月產(chǎn)銷量，達成一期項目建設(shè)目標(biāo)，該項目已成為浙江省麗水市特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的標(biāo)桿項目。晶圓代工是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，因晶圓代工的重資產(chǎn)和高技術(shù)壁壘屬性，越來越多的半導(dǎo)體設(shè)計公司委托專業(yè)晶圓代工廠進行生產(chǎn)，晶圓代工市場非常廣闊。根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計，2020 年全球純晶圓代工行業(yè)市場規(guī)模為 703 億美元，預(yù)計到 2025 年，純晶圓代工市場將增長到 1,251 億美元，年復(fù)合年均增長率為 12.2%；同樣，受益于國內(nèi)半導(dǎo)體需求的日益增長和供應(yīng)鏈國產(chǎn)化的持續(xù)推進，

6、晶圓代工愈發(fā)成為限制整個產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能釋放的重要瓶頸，中國晶圓代工將迎來蓬勃發(fā)展的黃金時期，而在其中，特色工藝晶圓代工因?qū)ο冗M制程供應(yīng)鏈依賴度較低，尤為適合中國目前國情。中國晶圓代工市場規(guī)模從 2017 年的 75 億美元增長至 2020 年的 149 億美元，年平均增速達到 26%。浙江廣芯微電子設(shè)立于 2021 年 10 月，主營業(yè)務(wù)為服務(wù)于高端特色工藝的晶圓代工業(yè)務(wù)， 主要面向功率半導(dǎo)體等特色工藝產(chǎn)品。以謝剛博士為首的核心技術(shù)團隊，在特色工藝晶圓制造 領(lǐng)域有著深厚的技術(shù)積淀，與國際、國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域頂級研究機構(gòu)保持密切技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化交流， 承接過一系列與晶圓制造有關(guān)的國家技術(shù)攻關(guān)項目，有著豐富的晶

7、圓代工產(chǎn)線建設(shè)和運營經(jīng)驗。團隊在行業(yè)上下游有著充裕的資源積淀，對特色工藝晶圓代工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢和技術(shù)迭代路線 有著清晰、深刻的理解。自 2021 年 10 月公司首次增資浙江廣芯微電子以來，浙江廣芯微電子項目進展順利。截止目前，浙江廣芯微電子項目核心團隊組建完成，且已完成土地購買和廠房設(shè)計，并于 2022 年1 月 5 日正式開工建設(shè)。浙江廣芯微電子項目自開工建設(shè)以來，受到浙江省政府和麗水市政府的高度重視和大力支持，被納入浙江省“4+1”重大項目實施計劃，2022 年春節(jié)期間也保持正常施工，目前廠房基建工程正在有序進行?；谝陨媳尘埃瑸檫M一步加快浙江廣芯微電子項目建設(shè)，及早完成公司功率半導(dǎo)體

8、Smart IDM 生態(tài)圈的戰(zhàn)略布局，公司與浙江廣芯微電子股東謝剛博士就本次增資事項進行溝通協(xié)商， 最終一致同意本次合作方案。各方將緊密合作，整合各方資源，協(xié)同發(fā)展，實現(xiàn)共贏。三、項目主體（一）投資方深圳市民德電子科技股份有限公司民德電子成立于 2004 年 2 月，位于深圳市南山區(qū)高新區(qū)中區(qū)科技園工業(yè)廠房 25 棟 1 段 5層（1）號，注冊資本 13,078.3843 萬元。公司通過不斷的努力發(fā)展，于 2017 年 5 月 19 日，在深圳證券交易所創(chuàng)業(yè)板掛牌上市，股票代碼：300656，簡稱：民德電子。公司主要從事條碼識別設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，以及半導(dǎo)體設(shè)計和分銷業(yè)務(wù)。為產(chǎn)業(yè)長遠與

9、可持續(xù)發(fā)展考慮，公司經(jīng)營團隊自上市以來積極探索并布局第二產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，逐漸形成了“深耕條碼識別，聚焦功率半導(dǎo)體”的公司戰(zhàn)略，并構(gòu)建起“條碼識別+功率半導(dǎo)體”雙產(chǎn)業(yè)成長曲線，如下圖所示。圖 1-1 民德電子“條碼識別+功率半導(dǎo)體”雙產(chǎn)業(yè)成長曲線（二）標(biāo)的公司浙江廣芯微電子有限公司1、標(biāo)的公司基本情況標(biāo)的公司成立于 2021 年 10 月，主營業(yè)務(wù)為高端特色工藝半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù)，一期規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn) 120 萬片 6 英寸高端特色硅基晶圓代工產(chǎn)線，以滿足不斷增長的、面向小型化、高速電源模塊的電力電子技術(shù)方面的產(chǎn)品需求，并同時開展適用于大容量電源及智能功率模塊的高能高速器件的研制。浙江廣芯微電子

10、的基本情況如下：表 1-1 浙江廣芯微電子基本情況項目內(nèi)容中文名稱浙江廣芯微電子有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司統(tǒng)一社會信用代碼91331100MA7AR3LT51注冊地址浙江省麗水市蓮都區(qū)南明山街道綠谷大道 309 號國際車城 15 號樓 11 層-239法定代表人謝剛注冊資本2,545.4555 萬元實收資本545.4555 萬元成立日期2021 年 10 月 9 日營業(yè)期限2021 年 10 月 9 日至長期經(jīng)營范圍一般項目：集成電路制造；集成電路設(shè)計；集成電路銷售；集成電路芯片及產(chǎn)品制造；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)；電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；電子專用材料銷售；

11、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；專業(yè)設(shè)計服務(wù)；銷售代理；技術(shù)進出口；貨物進出口（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）。2、標(biāo)的公司股權(quán)結(jié)構(gòu)截至目前，浙江廣芯微電子股權(quán)結(jié)構(gòu)如下圖示：表 1-2 本次增資前浙江廣芯微電子股權(quán)結(jié)構(gòu)序號股東姓名（名稱）注冊資本（萬元）持股比例（%）1謝剛2,000.000078.57142深圳市民德電子科技股份有限公司545.455521.4286合 計2,545.4555100.003、標(biāo)的公司團隊核心成員簡介（1） 執(zhí)行董事及總經(jīng)理謝剛先生履歷情況謝剛，男，生于 1983 年 11 月，中國國籍，無境外永久居留權(quán)。謝

12、剛先生教育經(jīng)歷：2006 年 9 月-2009 年 9 月，電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)，碩博連讀；2009 年 9 月-2011 年 9 月，多倫多大學(xué)電子與計算機工程，公派聯(lián)合培養(yǎng)博士；2011 年 9 月-2012 年 5 月，電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)，工學(xué)博士學(xué)位； 謝剛先生工作經(jīng)歷：2012 年 6 月-2014 年 6 月，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院，博士后；2014 年 6 月-至今，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院專職研究員；2016 年 7 月-至今，廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司總經(jīng)理；2021 年 10 月起，浙江廣芯微電子有限公司總經(jīng)理； 謝剛先生科研項目經(jīng)歷（部分）：表 1-

13、3 謝剛先生參與科研項目統(tǒng)計（部分）時間項目名稱擔(dān)任角色2012 年-2014 年國家自然科學(xué)基金青年基金-CMOS 兼容增強型MIS-AlGaN/GaNHEMTs 器件及其柵極可靠性的研究項目負責(zé)人2012 年科技部 863 項目-適用于大容量電源的快速 IGBT 器件和智能模塊的研制子課題參與2014 年科技部863 項目-基于寬禁帶電力子器件的光伏逆變研制及示范應(yīng)用子課題參與2016 年國網(wǎng)江蘇省電網(wǎng)公司-基于串聯(lián)組合的模塊化、高頻化電能路由器技術(shù)研究項目負責(zé)人2017 年科技部重點研發(fā)計劃-用于小型化電源模塊的高速 GaN基電力電子技術(shù)子課題參與2018 年科技部重點研發(fā)計劃-高壓大功

14、率 SiC IGBT 器件封裝多芯片并聯(lián)均流、電氣絕緣、電磁兼容和驅(qū)動保護方法子課題參與謝剛先生已發(fā)表論文 30 余篇，獲授權(quán)發(fā)明專利 7 項、實用新型專利及集成電路布圖設(shè)計權(quán) 10 余項，先后培養(yǎng)了 10 余名博士和碩士研究生。（2） 副總經(jīng)理（分管運營）李祥先生履歷情況李祥，男，生于 1964 年 9 月，高級工程師，本科畢業(yè)于南京工學(xué)院（東南大學(xué)），半導(dǎo)體行業(yè)資深專家。李祥先生工作經(jīng)歷：1986 年 7 月-1995 年，中電科 58 所；1995 年-2003 年，華潤上華運營總監(jiān)、廠長；2003 年-2004 年，華潤微電子戰(zhàn)略發(fā)展部副部長；2004 年-2010 年，華潤晶芯半導(dǎo)體

15、公司副總裁；2010 年-2012 年，華潤上華政府項目部資深總監(jiān)；2012 年-2014 年，華潤微電子戰(zhàn)略發(fā)展部總監(jiān)；2015 年 1 月-2018 年 10 月，華進半導(dǎo)體副總經(jīng)理；2018 年 10 月-2021 年 3 月，江蘇中科智芯集成科技有限公司副總經(jīng)理；2021 年 12 月起，浙江廣芯微電子有限公司副總經(jīng)理（分管運營）；李祥先生工作履歷（部分）：在華潤上華工作期間，作為國家 908 工程項目實施主要負責(zé)人之一，負責(zé)項目籌備、團隊組建，主導(dǎo) Lucent 工藝技術(shù)轉(zhuǎn)移、設(shè)備采購調(diào)試通線及生產(chǎn)穩(wěn)定上量等工作。期間參與科技部國家科技重大專項極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝，擔(dān)任

16、CMOS 兼容的 MEMS 成套工藝技術(shù)與制造平臺及設(shè)計服務(wù)課題組長；負責(zé)建設(shè) 6 英寸 MEMS 生產(chǎn)線（在原 6 英寸 MOS 工藝線基礎(chǔ)上擴建）、專項工藝開發(fā)及客戶導(dǎo)入等工作。通過多年的積累，在生產(chǎn)制造運行（工藝、設(shè)備、生產(chǎn)制造）、新工藝開發(fā)、成品率提升、質(zhì)量改善、運營效率提升等方面具有豐富的經(jīng)驗。與此同時，還擔(dān)任華潤上華 8 英寸生產(chǎn)運營管理工作。在華潤晶芯工作期間，負責(zé)生產(chǎn)線籌建、Philips 6 英寸線設(shè)備整體搬遷、通線上量及質(zhì)量提升；全面負責(zé) NXP PICS（一種無源器件）工藝技術(shù)的轉(zhuǎn)移及上量工作，直到實現(xiàn)月產(chǎn)出 1 萬片。在華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司工作期間，主

17、要負責(zé) 8 英寸與 12 英寸兼容研發(fā)線的工藝平臺建設(shè)與運營管理，包括工藝設(shè)備的安裝與調(diào)試、工藝設(shè)備與廠務(wù)設(shè)施運維管理、工藝開發(fā)與產(chǎn)能提升，以及參與完成國家科技重大項目。建立了較為穩(wěn)定的工藝線，打通了 WLCSP、Bumping 等成套工藝，并實現(xiàn)了穩(wěn)定小批量生產(chǎn)，對在線品質(zhì)檢測方式、項目、頻率和規(guī)范等建立標(biāo)準(zhǔn)并持續(xù)完善，建立單項工藝質(zhì)量管理規(guī)則，保證批量加工的產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性，為華進半導(dǎo)體公司 2017 年經(jīng)營改善做出了較大貢獻。2017 年底開始籌備江蘇中科智芯集成科技有限公司，全程主導(dǎo)了廠房設(shè)計、土建施工、機電安裝、凈化裝修等全過程。（3） 財務(wù)負責(zé)人胡楊先生履歷情況胡楊，男，生于 197

18、8 年，本科畢業(yè)于湖北大學(xué)會計專業(yè)，2011 年赴美國耶魯大學(xué)深造， 半導(dǎo)體行業(yè)資深財務(wù)。2006-2021 年任職于深圳方正微電子有限公司，擁有十五年半導(dǎo)體財務(wù)、法務(wù)管理工作經(jīng)驗，兩年半導(dǎo)體行業(yè)采購部門負責(zé)人工作經(jīng)驗。胡楊先生是注冊會計師、注冊稅務(wù)師證書、法律專家，獲聘深圳市科創(chuàng)委項目評審專家、深圳市發(fā)改委項目評審專家。（4） 環(huán)安廠務(wù)總監(jiān)王林先生履歷情況王林，男，生于 1967 年，本科畢業(yè)于電子科技大學(xué)，半導(dǎo)體領(lǐng)域資深環(huán)安專家，超過 30年工作經(jīng)驗。王林先生先后擔(dān)任華晶電子集團公司技術(shù)廠長、無錫集成電路測試公司總經(jīng)理、理波光電科技(無錫)有限公司售后服務(wù)團隊經(jīng)理、江陰新順微電子廠房建設(shè)基

19、建現(xiàn)場負責(zé)人、安全環(huán)保部長等職，擁有豐富的半導(dǎo)體制造行業(yè)的工廠管理經(jīng)驗。（5） 廠務(wù)經(jīng)理吳懷威先生履歷情況吳懷威，男，生于 1986 年 7 月，本科畢業(yè)于南京大學(xué)，半導(dǎo)體領(lǐng)域資深廠務(wù)專家。2007 年-2021 年，先后任職于昆山富港電子有限公司、江蘇中科智芯集成科技有限公司，負責(zé)新建廠房的規(guī)劃、設(shè)計圖紙的審核、土建進度跟蹤、施工進度管控、質(zhì)量管控、設(shè)備年度保養(yǎng)、工廠節(jié)能降耗。吳懷威先生已獲得的資質(zhì)與證書有：低壓電工證、鍋爐證、壓力容器證、高級維修電工、高壓入網(wǎng)證、建（構(gòu)）筑物消防員，企業(yè)安全管理員，職業(yè)環(huán)境體系內(nèi)審員等。（6） 資深設(shè)備經(jīng)理高 XX 先生履歷情況高 XX，男，本科學(xué)歷，從事

20、半導(dǎo)體行業(yè)工作 20 多年。主要在國內(nèi)知名的代工企業(yè)的 6英寸和 8 英寸生產(chǎn)線從事生產(chǎn)設(shè)備的運維管理，在設(shè)備開機率保障、成本管控及團隊建設(shè)管理方面，都有出色的成績；在產(chǎn)線建設(shè)、產(chǎn)能規(guī)劃、效率提升等方面，也有豐富的經(jīng)驗。（7） 資深工藝經(jīng)理朱 XX 先生履歷情況朱 XX，男，本科學(xué)歷，近 20 年的功率器件及 MOS 器件等的前道工藝管理經(jīng)驗。在工藝開發(fā)、工藝優(yōu)化、工藝集成等方面都有豐富的經(jīng)驗，能帶領(lǐng)團隊積極配合研發(fā)部門做好新工藝開發(fā)、成品率提升等工作。4、標(biāo)的公司經(jīng)營模式浙江廣芯微電子主營業(yè)務(wù)為高端特色工藝半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù)，一期規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn) 120萬片 6 英寸高端特色硅基晶圓代工產(chǎn)線，以

21、滿足需求不斷增長的面向小型化、高速電源模塊的電力電子技術(shù)，并同時開展適用于大容量電源及智能功率模塊的高能高速器件的研制。浙江廣芯微電子經(jīng)營模式為：向上游供應(yīng)商采購硅片、化學(xué)品、特種氣體等原材料，將硅片加工成晶圓，銷售給下游芯片設(shè)計公司。5、標(biāo)的公司主要生產(chǎn)技術(shù)圖 1-2 浙江廣芯微電子經(jīng)營模式浙江廣芯微電子擁有強大的技術(shù)平臺和良好的運營團隊，核心運營團隊均有十年以上晶圓廠建設(shè)及運營經(jīng)驗，掌握低中高壓 MOSFET、溝槽式肖特基二極管、高頻三極管、碳化硅肖特基二極管等關(guān)鍵設(shè)備及工藝，能圍繞設(shè)計公司產(chǎn)品線規(guī)劃需求，靈活配置設(shè)備搭建工藝平臺。運營團隊掌握晶圓制造關(guān)鍵工藝模組，包含光刻、薄膜、爐管、干

22、法刻蝕、濕法刻蝕、金屬化、減薄背金等。同時，運營團隊在晶圓代工行業(yè)具有豐富的資源。以成熟的溝槽式肖特基工藝為例，具體工藝流程如下： 第一部分前端工藝流程由如下簡化流程說明：（1） 生長場板氧化膜該步驟將生長一層較厚的氧化層作為終端耐壓區(qū)的場氧。（2） 光刻及濕法腐蝕氧化膜該步驟定義有源區(qū)導(dǎo)電區(qū)域。（3） 干法刻蝕、高溫退火、柵極氧化層該步驟定義溝槽寬度和深度，通過等離子體刻蝕形成溝槽。隨后通過高溫退火工藝消除表面缺陷后生長一層氧化層。（4） 多晶硅填充并反刻蝕在深溝槽內(nèi)填充多晶硅作為柵電極，隨后通過等離子體干法刻蝕反刻多晶，最終形成較為平整的硅表面平臺，而溝槽內(nèi)部被多晶硅填充滿。（5） 開接觸

23、孔，濺射金屬膜該步驟為關(guān)鍵工藝，通過開孔露出硅基表面平臺。通過濺射機臺濺射肖特基金屬。肖特基金屬的選擇決定了肖特基二極管的特性。（6） RTA 快速熱退火該步驟為快速熱退火工藝，通過快速熱退火爐控制不同的時間與溫度，從而形成一定勢壘高度的肖特基金半接觸。該工藝控制的好壞決定了肖特基二極管工作時候的正向壓降和反向漏電。因此，該工藝步驟為最關(guān)鍵工藝步驟。（7） 濺射金屬鋁（合金）該步驟通過表面濺射一層鋁金屬，從而形成肖特基二極管的陽極。第二部分背面加工工藝流程如下：晶圓貼膜保護晶圓減薄揭膜蒸鍍背面金屬晶圓高壓性能檢測。6、標(biāo)的公司主要生產(chǎn)工藝圖 1-3 溝槽肖特基二極管的剖面圖晶圓制造主要工藝流程

24、圖如下：圖 1-4 晶圓制造工藝流程圖工藝簡介：（1） 來料接收&倉庫收發(fā)根據(jù)采購訂單和供應(yīng)商的發(fā)貨清單，由倉庫接收來料。接收時核對采購硅片的品名和數(shù)量， 確認(rèn)外包裝是否破損，有無撞擊痕跡等。根據(jù)抽樣頻度及進料檢驗標(biāo)準(zhǔn)對襯底進行檢查，以確保來料外延材料合格。檢驗內(nèi)容包括硅片表觀、表面幾何參數(shù)和金屬等。（2） 備料根據(jù)生產(chǎn)計劃進行投料打標(biāo)記錄。（3） 場氧化定義芯片的終端耐壓去以及導(dǎo)流區(qū)。（4） 光刻&刻蝕光刻是晶圓制造中最重要的環(huán)節(jié)之一，用以定義產(chǎn)品的圖形區(qū)域。通過刻蝕工藝形成離子注入的圖形。（5） 離子注入&擴散根據(jù)光刻定義的圖形，進行離子注入。注入的離子根據(jù)器件的功能需要可以是 N 型雜質(zhì)

25、（摻磷），也可以是 P 型雜質(zhì)（摻硼）。離子注入后將晶圓至于高溫爐管，進行高溫雜質(zhì)激活以及雜質(zhì)再分布，從而形成具有耐高壓能力的 PN 結(jié)（通常為幾十伏至幾千伏不等）。（6） 臺面腐蝕&鈍化&蒸鋁通過硼磷硅玻璃鈍化從而抑制可動電荷移動，通過臺面腐蝕形成元器件的接觸孔，隨后蒸發(fā)鋁金屬形成元器件的表面電極。（7） 背銀通過晶圓背面減薄，并蒸鍍銀層，從而形成元器件背面電極。（8） 劃片&封裝&測試將晶圓切割成芯片，并進行一定封裝形式的標(biāo)準(zhǔn)化封裝。通過測試篩選將合格品包裝入庫。（8） OQA 檢驗（出廠檢驗）對生產(chǎn)檢驗完成的產(chǎn)品，由質(zhì)量部 OQA 部門進行抽測，以確保發(fā)貨產(chǎn)品滿足客戶要求。（9） 包裝入

26、庫對 OQA 檢查合格的產(chǎn)品進行包裝作業(yè)，貼付外標(biāo)簽。包裝的目的是為了保證產(chǎn)品的清潔度和干燥度。包裝完成后進行入庫作業(yè)，將產(chǎn)品交付倉庫。（10） 發(fā)貨倉庫根據(jù)發(fā)貨單，對需要發(fā)貨產(chǎn)品進行裝箱，同時核對質(zhì)量部提供的 COA，無誤后打印裝箱單后進行發(fā)貨。7、標(biāo)的公司的財務(wù)情況因標(biāo)的公司浙江廣芯微電子仍在項目建設(shè)階段，尚未投產(chǎn)，因此尚未形成銷售收入。浙江廣芯微電子近一年的主要財務(wù)數(shù)據(jù)如下：表 1-4 浙江廣芯微電子近一年的主要財務(wù)數(shù)據(jù)（單位：人民幣元）項目2021 年度（經(jīng)審計）營業(yè)收入-營業(yè)利潤-436,465.46利潤總額-436,465.46凈利潤-436,465.46項目2021 年 12 月

27、 31 日（經(jīng)審計）資產(chǎn)總額19,879,735.55負債總額316,201.01凈資產(chǎn)19,563,534.54注：浙江廣芯微電子 2021 年度財務(wù)數(shù)據(jù)經(jīng)立信會計師事務(wù)所（特殊普通合伙）審計并出具信會師報字2022第 ZA50104 號審計報告。8、標(biāo)的公司控股股東及實際控制人投資的其他企業(yè)浙江廣芯微電子控股股東和實際控制人謝剛先生投資的企業(yè)共有二家，除浙江廣芯微電子外，另一家為廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司。謝剛先生投資的公司具體持股情況如下圖所示：圖 1-5 謝剛先生投資公司的持股情況（1）廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司成立于 2016 年 7 月，謝剛先生持有

28、 16.49%的股權(quán)。廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司與浙江廣芯微電子不存在同業(yè)競爭關(guān)系。廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司基本情況如下：表 1-5 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司基本情況項目內(nèi)容中文名稱廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司企業(yè)類型有限責(zé)任公司統(tǒng)一社會信用代碼91440300MA5DG36YXE注冊地址深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)科智西路 5 號科苑西 25 棟 A609法定代表人謝剛注冊資本2,176.47 萬元成立日期2016 年 7 月 7 日營業(yè)期限長期經(jīng)營范圍電子元器件、半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體器件、開關(guān)電源及電源模塊、固態(tài)功率開關(guān)、連接器、射頻微波器件及系統(tǒng)、光電探測器、光通信開關(guān)及模塊的

29、設(shè)計與研發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)；國內(nèi)貿(mào)易；投資興辦實業(yè)（具體項目另行申報）；經(jīng)營進出口業(yè)務(wù)（以上法律、行政法規(guī)、國務(wù)院決定規(guī)定在登記前須經(jīng)批準(zhǔn)的項目除外，限制的項目須取得許可后方可經(jīng)營）等。浙江廣芯微電子系本公司聯(lián)營企業(yè)，為公司關(guān)聯(lián)方。本次追加投資構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易，公司將按照公司章程、深圳市民德電子科技股份有限公司關(guān)聯(lián)交易管理制度相關(guān)規(guī)定，履行相應(yīng)審議程序。第二節(jié) 項目實施的必要性與可行性分析一、晶圓代工行業(yè)分析（一）浙江廣芯微電子業(yè)務(wù)概述浙江廣芯微電子主營業(yè)務(wù)為高端特色工藝半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù)，一期規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn) 120萬片 6 英寸高端特色硅基晶圓代工產(chǎn)線，以滿足不斷增長的、面向小型化、高速電源模

30、塊的電力電子技術(shù)方面的產(chǎn)品需求，并同時開展適用于大容量電源及智能功率模塊的高能高速器件的研制。晶圓代工的產(chǎn)業(yè)鏈上游是硅片、化學(xué)品、特種氣體等原材料生產(chǎn)企業(yè)，產(chǎn)業(yè)鏈下游為芯片設(shè)計企業(yè)。（二）晶圓代工行業(yè)國內(nèi)外市場情況1、晶圓代工企業(yè)經(jīng)營模式晶圓代工作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的核心產(chǎn)業(yè)，其企業(yè)的經(jīng)營模式主要包括兩種：一種是 IDM 模式，即垂直整合制造模式，其涵蓋了產(chǎn)業(yè)鏈的半導(dǎo)體設(shè)計、制造、封裝測試等所有環(huán)節(jié)；另一種是 Foundry 模式，即晶圓代工模式，僅專注于半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)。IDM 模式下的半導(dǎo)體企業(yè)擁有半導(dǎo)體設(shè)計部門、晶圓廠、封裝測試廠，屬于典型的重資產(chǎn)模式，對研發(fā)能力、資金實力和技術(shù)水平都有很高

31、的要求，因而采用 IDM 模式的企業(yè)大多為全球芯片行業(yè)的傳統(tǒng)巨頭，包括英特爾、三星電子等。晶圓代工模式源于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的專業(yè)化分工，形成無晶圓廠設(shè)計公司、晶圓代工企業(yè)、封裝測試企業(yè)。其中，無晶圓廠設(shè)計公司為市場需求服務(wù)，從事半導(dǎo)體設(shè)計和銷售業(yè)務(wù)。晶圓代工企業(yè)以及封裝測試企業(yè)為這類設(shè)計公司服務(wù)。目前，世界領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)有臺積電、三星、格羅方德、聯(lián)華電子、中芯國際、華虹半導(dǎo)體等。2、全球晶圓代工行業(yè)概況自上世紀(jì)八十年代晶圓代工模式誕生以來，晶圓代工市場經(jīng)過 30 多年發(fā)展，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的核心環(huán)節(jié)。根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)，F(xiàn)abless 廠商 IC 銷售額占全球半

32、導(dǎo)體銷售額比重已從 2002 年的 13%提升至 2020 年的 33%，且未來有望持續(xù)提升。圖 2-1 2012-2020Fabless 廠商 IC 銷售額占比（資料來源：IC Insights、東方證券研究所）根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計，2020 年全球純晶圓代工行業(yè)市場規(guī)模為 703 億美元，較 2019 年的570 億美元增長 23%，2015 年至 2020 年的年均復(fù)合增長率為 9.04%。隨著設(shè)計企業(yè)銷售額的增長，對應(yīng)的代工需求亦將隨之提升，根據(jù) IC Insights 預(yù)測，2021 年純晶圓代工市場將強勁增長 24%，達到 871 億美元，超過 2020 年的 23%

33、。到 2025 年，純晶圓代工市場將增長到 1,251 億美元，5 年（2020-2025 年）復(fù)合年均增長率為 12.2%。通過與無晶圓廠設(shè)計公司等客戶形成共生關(guān)系，晶圓代工企業(yè)能在第一時間受益于新興應(yīng)用的增長紅利。圖 2-2 2015-2025E 全球晶圓代工市場規(guī)模及預(yù)測（資料來源：IC Insights）晶圓代工行業(yè)屬于技術(shù)、資本和人才密集型行業(yè)，市場集中度較高，呈明顯的行業(yè)寡頭壟斷特征。從全球晶圓代工市場的企業(yè)市場份額占比情況來看，根據(jù) IC Insight 統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2020 年晶圓代工龍頭企業(yè)臺積電占據(jù)全球約 56%市場份額，是晶圓代工行業(yè)絕對的領(lǐng)導(dǎo)者；其次是三星公司，全球市場份

34、額占比約為 16%；位列第三的是聯(lián)華電子公司，占比約為 7%。前五大廠商（臺積電、三星、聯(lián)華電子、格羅方德、中芯國際）占全球市場 90%的市場份額。3、中國晶圓代工行業(yè)概況中國大陸晶圓代工行業(yè)起步較晚，但發(fā)展速度較快。疫情加速了全球經(jīng)濟的數(shù)字化轉(zhuǎn)型， 同時受益于 5G 換機、汽車電動化等趨勢，半導(dǎo)體行業(yè)進入景氣周期。（1） 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向中國大陸加速擴散上世紀(jì) 70 年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國形成規(guī)模，其后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總共經(jīng)歷了三階段產(chǎn)業(yè)擴散：第一階段是從 20 世紀(jì) 60 年代開始，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中心由美國本土向日本擴散，成就了東芝、松下、日立等知名半導(dǎo)體企業(yè)；第二階段是在 20 世紀(jì) 90 年代末

35、期到 21 世紀(jì)初，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中心由美國、日本向韓國以及中國臺灣擴散，造就了三星、海力士、臺積電、日月光等一流半導(dǎo)體廠商；第三階段，是當(dāng)前正在發(fā)生的，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國大陸擴散，有望造就新一批的世界一流半導(dǎo)體企業(yè)。（2） 國內(nèi)芯片設(shè)計業(yè)規(guī)模高速增長，推動晶圓代工需求增加根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2020 年中國半導(dǎo)體設(shè)計業(yè)銷售額為 3,778.4 億元，同比增長 23.3%，繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢。從芯片設(shè)計企業(yè)數(shù)量來看，2020 年中國已有 2,218 家芯片設(shè)計企業(yè)，增長 25%。國內(nèi)芯片設(shè)計行業(yè)的蓬勃發(fā)展將催生更多的制造代工需求。自 2020 年開始，國內(nèi)晶圓代工價格不斷上漲，產(chǎn)能供應(yīng)日益

36、緊張，出現(xiàn)晶圓代工一片難求的局面，不少中小型半導(dǎo)體設(shè)計公司因無法獲得晶圓代工廠產(chǎn)能支持而陷入經(jīng)營停滯狀態(tài)，且供需緊張狀況至今仍未看到緩解跡象。圖 2-3 2012-2020 年中國芯片設(shè)計業(yè)市場規(guī)模及增速（資料來源：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會）圖 2-4 2010-2020 年中國芯片設(shè)計業(yè)企業(yè)數(shù)量及增速（資料來源：中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、東方證券研究所）（3） 大陸晶圓代工需求不斷擴大，晶圓代工廠本土收入占比提升半導(dǎo)體設(shè)計行業(yè)規(guī)模的增長帶來晶圓代工需求的增長，中國晶圓代工市場規(guī)模從 2017 年的 75 億美元增長至 2020 年的 149 億美元，年平均增速達到 26%，相對份額占比發(fā)生顯著提升。國內(nèi)

37、前兩大晶圓代工廠中芯國際、華虹半導(dǎo)體國內(nèi)收入占比分別從 2011 年 33%、48%提升至2020 年的 64%、72%。圖 2-5 2017-2020 年晶圓代工需求情況（按區(qū)域劃分，億美元）（資料來源：ICInsights、東方證券研究所）圖 2-6 2010-2020 國內(nèi)主要晶圓代工廠國內(nèi)收入占比走勢（資料來源：公司公告、wind、東方證券研究所）（三）晶圓代工行業(yè)的特點和技術(shù)發(fā)展趨勢晶圓代工行業(yè)順應(yīng)了產(chǎn)業(yè)分工發(fā)展需求而獲得了過去近 30 年的長足發(fā)展。未來晶圓代工行業(yè)企業(yè)，也將結(jié)合自身特點，進一步向細分方向發(fā)展。以臺積電為代表的晶圓代工企業(yè)追求先進制程，由于持續(xù)、高額的資本投入，目前

38、晶圓代工企業(yè)中僅剩下臺積電、三星和中芯國際仍然在孜孜不倦地拓展；聯(lián)華電子、格羅方德、TowerJazz、世界先進、華虹宏力等均更多關(guān)注于各自擅長的細分領(lǐng)域內(nèi)，發(fā)展特色工藝，追求業(yè)務(wù)擴張與投資回報中更加理想的性價比。1、延續(xù)摩爾定律，追隨先進制程制程是晶體管中源極和漏極之間的距離，制程越先進，晶體管的整體體積也越小。制程越先進，晶體管反應(yīng)就越迅速；同時，晶體管的整體體積也越小，意味著在同樣大小的面積內(nèi)可以集成更多電路。1965 年，英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登摩爾提出，當(dāng)價格不變時，半導(dǎo)體上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍，這也是全球電子產(chǎn)品整體

39、性能不斷進化的核心驅(qū)動力，以上定律就是著名的摩爾定律。換而言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔 18-24 個月翻一倍以上。推動摩爾定律的核心內(nèi)容是發(fā)展更先進的制程， 而晶圓代工是其中最重要的環(huán)節(jié)。市場上一直有關(guān)于摩爾定律失效的顧慮，但是隨著 45nm、28nm、10nm 持續(xù)的推出，摩爾定律仍然保持著延續(xù)。臺積電在 2018 年推出 7nm 先進工藝，2020 年開始量產(chǎn) 5nm，并持續(xù)推進 3nm 的研究，預(yù)計 2022 年量產(chǎn) 3nm 工藝。在目前來看，摩爾定律仍然在維持，但進一步提升推動摩爾定律難度會顯著提升。除巨額資本與技術(shù)難題以外，先進制程對沉積與刻蝕、檢測、封裝等環(huán)節(jié)也均有更

40、高的要求。正是因為面臨巨大的資本和技術(shù)挑戰(zhàn)，目前全球僅有臺積電、三星、英特爾（IDM 廠） 在進一步追求摩爾定律，中芯國際在持續(xù)追趕，而像聯(lián)電、格羅方德等晶圓代工廠商已經(jīng)暫緩了 10nm 及以下制程工藝的研發(fā)，全面轉(zhuǎn)向特色工藝的研究與開發(fā)。注：紅色為代工廠或部分業(yè)務(wù)代工，黑色為 IDM 廠圖 2-7 世界主要晶圓制造廠已有制程情況（2020）（資料來源：東興證券研究所）2、追隨特色工藝，專注成熟制程通常，摩爾定律追求制程線寬的降低、性能的增強，而“特色工藝”側(cè)重于功能的多樣化， 應(yīng)用需求驅(qū)動了“特色工藝”路線的發(fā)展。通過在已有成熟工藝方面的投入，提升產(chǎn)品性價比及競爭力，由先進制程轉(zhuǎn)向細分市場的

41、策略也是由來已久。在實際應(yīng)用中，電子系統(tǒng)中的處理器和存儲芯片遵循摩爾定律，需要用到先進工藝制程；射頻、功率器件、傳感器、模擬器件等器件通過特色工藝制程進行生產(chǎn)，是特色工藝應(yīng)用的主要市場。相對先進邏輯制程，特色工藝制程具備非尺寸依賴、工藝相對成熟、所需資本支出低、產(chǎn)品研發(fā)投入低等特點，同時產(chǎn)品生命周期也更長、種類更多。圖 2-8 MCU、模擬器件和分立器件的市場規(guī)模及增速（資料來源：Wind，SIA，華金證券研究所）模擬電路, 13%微處理器, 16%其他, 51%分立器件, 19%圖 2-9 全球半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模占比（2019）（資料來源：Wind，SIA，華金證券研究所）從上圖中我們看到，

42、包括 MCU、模擬電路和分立器件三個領(lǐng)域占整體市場的份額接近 50%， 并且其發(fā)展速度更加穩(wěn)健，為特色工藝應(yīng)用提供了廣泛的市場基礎(chǔ)。此外，更為重要的是，特色工藝晶圓代工的供應(yīng)鏈國產(chǎn)化程度相對較高，更有可能及早實現(xiàn)供應(yīng)鏈的自主可控，更適宜當(dāng)前中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國情，有助于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在特色工藝細分領(lǐng)域建立自身相對優(yōu)勢。（四）影響行業(yè)發(fā)展的有利因素和不利因素1、有利因素（1） 國家產(chǎn)業(yè)政策的支持半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展程度是國家科技實力的重要體現(xiàn)，是信息化社會的支柱產(chǎn)業(yè)之一，更對國家安全有著舉足輕重的戰(zhàn)略意義。發(fā)展我國半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)，是我國成為世界制造強國的必由之路。近年來，國家各部門相繼推出了一系列優(yōu)惠政

43、策，鼓勵和支持集成電路行業(yè)發(fā)展。2006 年2月，國務(wù)院發(fā)布國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年），明確提出將核心電子器件、高端通用芯片作為16個重大專項之一。2014年6月，工信部發(fā)布國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要，提出“到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強?！?014年10月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立，帶動中央和各省投入資金總規(guī)模超過4,000億人民幣。2016年，“十三五” 國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等多項政策的出臺為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了政策保障，進一步明確了發(fā)展方向。2020年8月，國務(wù)院

44、印發(fā)新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策，進一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境。2021年，中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標(biāo)綱要中指出，要培育先進制造業(yè)集群，推動集成電路、航空航天等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，持續(xù)推動制造業(yè)優(yōu)化升級。國家相關(guān)政策的陸續(xù)出臺從戰(zhàn)略、資金、專利保護、稅收優(yōu)惠等多方面推動半導(dǎo)體行業(yè)健康、穩(wěn)定和有序的發(fā)展。（2） 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的影響半導(dǎo)體行業(yè)目前呈現(xiàn)專業(yè)分工深度細化、細分領(lǐng)域高度集中的特點。從歷史進程看，全球 半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)完成兩次的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是20世紀(jì)70年代從美國轉(zhuǎn)向日本，第二次 是20世紀(jì)80年代半導(dǎo)體

45、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向韓國與中國臺灣。目前全球半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移， 世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向中國大陸轉(zhuǎn)移。產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移是市場需求、國家產(chǎn)業(yè)政策和資本驅(qū)動的綜合 結(jié)果。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向改變、分工方式縱化、資源重新配置， 并給予了追趕者切入市場的機會，進而推動整個行業(yè)的革新與發(fā)展。目前，中國擁有全球最大 且增速最快的半導(dǎo)體消費市場。2020年，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達8,848億元，比上年增長17%。巨大的下游市場配合積極的國家產(chǎn)業(yè)政策與活躍的社會資本，正在全方位、多角度地支持國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。我國光伏、顯示面板、LED等高新技術(shù)行業(yè)經(jīng)過多年已達到領(lǐng)先水平，也大力拉動了上游的功率半

46、導(dǎo)體、顯示驅(qū)動芯片、LED驅(qū)動芯片等集成電路的國產(chǎn)化進程。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)技術(shù)的不斷突破，加之我國在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源汽車等下游市場走在世界前列，有望在更多細分市場實現(xiàn)國產(chǎn)替代。（3） 新應(yīng)用推動市場需求持續(xù)旺盛半導(dǎo)體行業(yè)雖然呈現(xiàn)周期性波動的特性，但整體增長趨勢并未發(fā)生變化，每次技術(shù)變革持續(xù)帶動行業(yè)增長?！疤歼_峰、碳中和”引領(lǐng)的新能源革命，在新型能源的生產(chǎn)端、傳輸端、消費端、儲能端將為功率半導(dǎo)體帶來巨大的增量市場，并催生功率半導(dǎo)體向更高能效技術(shù)路線發(fā)展；消費電子產(chǎn)品向智能化、輕薄化、便攜化的方向發(fā)展，新的智能終端產(chǎn)品層出不窮，使得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場前景越來越廣闊；以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新需求

47、所帶動的如云計算、人工智能、大數(shù)據(jù)等新應(yīng)用的興起，逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)新一代技術(shù)變革動力。中國半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域的不斷延展帶動了市場需求的持續(xù)旺盛。同時，伴隨著全球的半導(dǎo)體巨頭不斷加大資本性投資力度，半導(dǎo)體行業(yè)的景氣度有望保持上升趨勢，晶圓代工產(chǎn)業(yè)在未來相當(dāng)長時間內(nèi)仍將保持供給緊張的局面，有利于半導(dǎo)體制造企業(yè)發(fā)展壯大。（4） 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平逐漸提高近年來，中國半導(dǎo)體市場的迅速發(fā)展推動了中國半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)進步與技術(shù)革新。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的分化，中國大陸在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域技術(shù)水平不斷取得突破，在先進與特色工藝的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化等方面取得了顯著進展。中國大陸半導(dǎo)體制造技術(shù)與國際領(lǐng)先技術(shù)的差距逐步縮

48、小，為推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)跨越發(fā)展奠定了牢固的基礎(chǔ)。（5） 供應(yīng)鏈國產(chǎn)化程度不斷提升伴隨中國在半導(dǎo)體原材料、生產(chǎn)及測試設(shè)備、軟件等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)不斷加大投資力度，以及國際貿(mào)易摩擦為國產(chǎn)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈企業(yè)帶來加速國產(chǎn)替代的市場機遇，使得國產(chǎn)原材料、設(shè)備及軟件得到快速廣泛應(yīng)用并不斷迭代升級，性能及性價比不斷提升，已經(jīng)在不少細分領(lǐng)域逐步實現(xiàn)了進口替代，尤其在特色工藝半導(dǎo)體市場中，供應(yīng)鏈國產(chǎn)化程度提升較快，有望及早實現(xiàn)供應(yīng)鏈自主可控；而在先進制程半導(dǎo)體市場中，供應(yīng)鏈國產(chǎn)化進程仍任重道遠。2、不利因素（1） 與國際頂尖技術(shù)水平仍有一定差距國際領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)均經(jīng)歷了較長時期的發(fā)展，積累了豐富的技術(shù)及經(jīng)營經(jīng)驗。

49、我國半 導(dǎo)體企業(yè)尚處于快速成長階段，與國外半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)水平等方面仍然存在較為顯著的差距。目前，我國半導(dǎo)體行業(yè)中存在部分高端市場仍由國際企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。因此，國內(nèi)企業(yè)未來仍需在研發(fā)上持續(xù)投入大量資源，提高企業(yè)競爭實力，以追趕國際領(lǐng)先水平，并應(yīng)對國際半導(dǎo)體企業(yè)的激烈競爭。（2） 高端人才儲備相對不足半導(dǎo)體行業(yè)屬于典型的技術(shù)密集型行業(yè)，對業(yè)內(nèi)人才的知識背景、研發(fā)能力及經(jīng)驗積累均具有較高要求。隨著中國半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，對專業(yè)人才的需求不斷擴大，但由于國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)起步較晚，具有完備知識儲備、具備豐富技術(shù)和市場經(jīng)驗、能勝任相應(yīng)工作崗位的人才較為稀缺，行業(yè)內(nèi)高端人才需求缺口日益擴大，從而一定程度

50、上抑制了行業(yè)內(nèi)企業(yè)的進一步發(fā)展（3） 資本投入壁壘較高集成電路行業(yè)，尤其是集成電路晶圓代工行業(yè)，從前期設(shè)備的投入，工藝的研發(fā)到人才梯隊的培養(yǎng)，都需要大量的資金投入。對于先進制程晶圓代工產(chǎn)線，動輒數(shù)十億甚至上百億美元生產(chǎn)線的投入，大多數(shù)企業(yè)的資金實力無法滿足大規(guī)模擴產(chǎn)的需求。二、項目實施的必要性（一）加速公司功率半導(dǎo)體 Smart IDM 生態(tài)圈建設(shè)自公司上市以來，公司管理團隊經(jīng)過充分調(diào)研和審慎論證，最終確定功率半導(dǎo)體為公司第二產(chǎn)業(yè)，并致力于打造功率半導(dǎo)體的 Smart IDM 生態(tài)圈：即通過資本參股或控股的方式，打通功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。過去兩年多時間內(nèi)，公司通過控股收購功率半導(dǎo)體設(shè)計公司廣微集

51、成、增資參股半導(dǎo)體硅片公司晶睿電子、增資參股半導(dǎo)體晶圓代工公司浙江廣芯微電子，完成了在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的主要布局，功率半導(dǎo)體 Smart IDM 生態(tài)圈已雛形初顯。本次再次增資浙江廣芯微電子，將進一步加強彼此的產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略合作，加速公司功率半導(dǎo)體 Smart IDM 生態(tài)圈建設(shè)，有助于公司獲取更多半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵資源和能力，提高公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心競爭力和可持續(xù)發(fā)展能力。本次投資浙江廣芯微電子后，公司在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局如下圖示：圖2-10 公司在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局情況（二） 進一步加強公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定晶圓代工是集成電路生產(chǎn)過程中的核心環(huán)節(jié)，且高端功率半導(dǎo)體器件并無標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品

52、，其器件參數(shù)的定義依賴于具體的應(yīng)用領(lǐng)域。這種高度定制化的特色產(chǎn)品，需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游的高度協(xié)同與合作。通過再次增資浙江廣芯微電子，彼此間建立高度信用，促成公司與上游晶圓代工企業(yè)的深度戰(zhàn)略聯(lián)盟，從而確保公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)產(chǎn)能的安全和穩(wěn)定。（三）打開公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能擴張?zhí)旎ò灏殡S公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的持續(xù)發(fā)展，晶圓代工產(chǎn)能日益成為限制公司持續(xù)擴張的重要瓶頸，且伴隨后續(xù)公司新產(chǎn)品的持續(xù)推出，對晶圓代工產(chǎn)能的需求也將持續(xù)增加。本次再次增資浙江廣芯微電子，將為公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能持續(xù)擴張打開天花板，為公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)后續(xù)快速發(fā)展提供有力保障。（四）提升公司功率半導(dǎo)體設(shè)計業(yè)務(wù)產(chǎn)品開發(fā)效率“特色工藝”

53、在整個功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演至關(guān)重要的作用，具體體現(xiàn)在：器件的獨特設(shè)計、硅片的定制開發(fā)、晶圓廠特色工藝平臺的開發(fā)、芯片的定制封裝。一款新型功率器件產(chǎn)品的開發(fā)，需要芯片設(shè)計企業(yè)調(diào)動硅片廠、晶圓代工廠、封裝廠資源予以配合，進行合作定制化開發(fā)，以滿足客戶需求。通過再次增資浙江廣芯微電子，公司在功率器件新產(chǎn)品開發(fā)方面， 會得到晶圓代工廠的高效支持，進一步提升公司功率半導(dǎo)體設(shè)計業(yè)務(wù)產(chǎn)品開發(fā)效率，增強公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的市場競爭力。三、項目實施的可行性（一）市場空間廣闊，國內(nèi)晶圓代工產(chǎn)線產(chǎn)能不足新能源革命、5G、消費電子等終端產(chǎn)品對半導(dǎo)體芯片的需求日益增長，晶圓代工賽道持續(xù)繁榮。例如，隨著對于 5G 半導(dǎo)

54、體通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的不斷推進，不僅帶動數(shù)據(jù)量的爆炸式提升， 要求芯片對數(shù)據(jù)的采集、處理、存儲效率更高，而且也催生了諸多 4G 半導(dǎo)體時代難以實現(xiàn)的終端應(yīng)用，如物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等，增加了終端對芯片的需求范圍。對于芯片需求的增長將使得下游的晶圓代工賽道受益，未來市場前景極其廣闊。根據(jù) IC Insights 預(yù)測，純晶圓代工市場規(guī)模有望從 2020 的 703 億美元，增長到 2025 年的 1,251 億美元，5 年（2020-2025 年）復(fù)合年均增長率為 12.2%。相比快速增長的國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計公司晶圓代工需求，國內(nèi)晶圓代工產(chǎn)線及產(chǎn)能的增長相對較為緩慢，晶圓代工廠產(chǎn)能緊缺的局面日益突顯，不少中小型

55、半導(dǎo)體設(shè)計公司因得不到產(chǎn)能支持而陷入經(jīng)營停滯。（二）行業(yè)資深技術(shù)團隊，具有豐富、成熟的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗以謝剛博士為首的核心技術(shù)團隊，在特色工藝晶圓制造領(lǐng)域有著深厚的技術(shù)積淀，與國際和國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域頂級研究機構(gòu)保持密切技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化交流，承接過一系列與晶圓制造有關(guān)的國家技術(shù)攻關(guān)項目，有著豐富的晶圓代工產(chǎn)線建設(shè)和運營經(jīng)驗，在行業(yè)上下游有著充裕的資源積淀，對特色工藝晶圓代工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢和技術(shù)迭代路線有著清晰、深刻的理解?；陧椖繄F隊過往成功產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，本項目在技術(shù)實施方面有較高的可行性；此外，在市場開拓方面，項目團隊在下游有著豐富、成熟的國內(nèi)外客戶資源，有助于其進行前期市場開拓。（三）Smart IDM 生態(tài)圈為浙江廣芯微電子順利量產(chǎn)提供供應(yīng)鏈支持功率半導(dǎo)體 Smart IDM 生態(tài)圈的成功構(gòu)建，將使產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)各環(huán)節(jié)企業(yè)均受益：彼此既能在戰(zhàn)略上相互協(xié)同，守望相助；又各自保持獨立運營，充分接受市場競爭。廣微集成將與浙江廣芯微電子積極合作，共同搭建工藝平臺，進行新產(chǎn)品開發(fā)工作，并為浙江廣芯微電子順利量產(chǎn)提供訂單支持；晶睿電子也將與浙江廣芯微電子保持密切合作，為其提供硅片產(chǎn)能支持。（四）麗水市政