multisim元器件參數(shù)詳解精編版

1、multisim元器件參數(shù)詳解集團(tuán)企業(yè)公司編碼:(LL3698-KKI1269-TM2483-LUI12689-ITT289-型參數(shù)電阻模R?電阻倍率因子TC1?線性溫度系數(shù)TC2?二次溫度系數(shù)電議型緲C?電容倍率因子VC1?線性電壓系數(shù)VC2?二次電壓系數(shù)TC1?線性溫度系數(shù)TC2?二次溫度系數(shù)電鹹型緲L?電感倍率因子IL1?線性電流系數(shù)IL2?二次電流系數(shù)TC1?線性溫度系數(shù)TC2?二次溫度系數(shù)二極管媲緲I(yè)S?飽和電流RS?寄生串聯(lián)電阻N?發(fā)射系數(shù)TT?渡越時間CJO?零偏壓PN結(jié)電容VJ?PN結(jié)白建電勢M?PN結(jié)剃度因子EG?禁帶寬度XT1?IS的溫度指數(shù)FC?正偏耗盡層電容系數(shù)BV?反

2、向擊穿電壓(漆點(diǎn)電壓)IBV?反向擊穿電流(漆點(diǎn)電流)KF?閃爍躁聲系數(shù)AF?閃爍躁聲指數(shù)雙極晶體管(三極管)IS傳輸飽和電流EG禁帶寬度XTI (PT) IS的溫度效應(yīng)指數(shù)BF正向電流放大系數(shù)NF正向電流發(fā)射系數(shù)VAF (VA)正向歐拉電壓IKF (IK)正向漆點(diǎn)電流ISE (C2 ) B-E漏飽和電流NE7B-E漏飽和電流BR反向電流放大系數(shù)NR反向電流發(fā)射系數(shù)VAR (VB)正想歐拉電壓IKR?反向漆點(diǎn)電流ISCC47B-C漏飽和電流NC?B-C漏發(fā)射系數(shù)RB?零偏壓基極電阻IRB?基極電阻降致RBM/2時的電流RE?發(fā)射區(qū)串聯(lián)電阻RC?集電極電阻CJE?零偏發(fā)射結(jié)PN結(jié)電容VJEPE?

3、發(fā)射結(jié)內(nèi)建電勢MJEME?集電結(jié)剃度因子CJC?零偏襯底結(jié)PN結(jié)電容VJCPC?集電結(jié)內(nèi)建電勢MJCMC?集電結(jié)剃度因子XCJCCbe?接至內(nèi)部Rb的內(nèi)部CJSCCS?零偏襯底結(jié)PN結(jié)電容VJSPS?襯底結(jié)構(gòu)PN結(jié)電容MJSMS?襯底結(jié)剃度因子FC?正偏勢壘電容系數(shù)TF?正向渡越時間XTF7TF隨偏置變化的系數(shù)VTF7TF隨VBC變化的電壓參數(shù)ITF?影響TF的大電流參數(shù)PTF?在F二1/ (2派TF) Hz時超前相移TR?反向渡越時間XTB7BF和BR的溫度系數(shù)KF7I/F躁聲系數(shù)AFI/F躁聲指數(shù)Is=14. 34f反向飽和電流。Xti=3?飽和電流的溫度指數(shù)Eg二1.11?硅的帶隙能量V

4、af=74. 03?正向歐拉電壓Bf二255. 9?正向電流放大系數(shù)Ne=l. 307?BE極間的泄漏飽和發(fā)射系數(shù) +?Ise=14. 34fBE極間的泄漏飽和電流 Ikf=. 2847?正向BETA大電流時的滑動拐點(diǎn)Xtb=l. 5?電流放大系數(shù)的溫度系數(shù)Br=6. 092?理想反向電流放大系數(shù)Nc=2?B-C間的泄漏發(fā)射系數(shù)Isc=0?Ikr=0?反向BETA (R)大電流時的滑動拐點(diǎn)Rc二1?集電極電阻+Cjc二7. 306pB-E結(jié)零偏壓時的耗盡電容。Mjc=. 34167B-C結(jié)指數(shù)因子Vjc= 75?B-C結(jié)內(nèi)建電勢Fc=. 5?正向偏壓時的耗盡電容系數(shù)Cje二22. 01p?B-

5、E結(jié)零偏壓時的耗盡電容Mje=. 377?BE結(jié)指數(shù)因子Vje= 757B-E結(jié)內(nèi)建電勢+Tr=46. 91n反向渡越時間Tf=411. Ip?正向渡越時間Itf= 6?正向渡越時間隨VBE變化的參數(shù)Vtf=l. 7?Xtf二3Rb二10)正向渡越時間隨偏置變化的參數(shù)三極管參數(shù)中文字符號英文對照Pcm集電極最大耗散功率Icm集電極最大允許電流V(br) cbo發(fā)射極開路時，集電極與基極間反向擊穿電壓 V(br)ceo基極開路時，集電極與發(fā)射極間反向擊穿電壓 V(br)ebo集電極開路時，發(fā)射極與基極間反向擊穿電壓 Icb。發(fā)射極開路時，集電極與基極間反向漏電流 Ice?；鶚O開路時，集電極與發(fā)射

6、極間反向漏電流Ieb。集電極開路時，發(fā)射極與基極間反向漏電流Vce (sat)基極與發(fā)射極間的正向飽和壓降Vbe (sat)集電極與發(fā)射極間的反向飽和壓降 hFE共發(fā)射接法時靜態(tài)電流放大系數(shù)(簡稱放大數(shù))Ft特征頻率（共發(fā)射極電流放大系數(shù)下降到1時的頻率）Cob共基極輸出電容Nf嗓聲系數(shù)Fa共基極截止頻率Hre共發(fā)射極交流輸入開路時的電壓反饋系數(shù)Gp共基極時功率增益Kp共發(fā)射極時功率增益Vf正向降壓Vr反向降壓Typ典型值Max最大值Min最小值If正向電流Ir反向電流Toff關(guān)閉時間共發(fā)極交流輸入開路時的輸示Cc集電極電容Ccb-一集電極與基極間電容Cce 發(fā)射極接地輸出電容Ci一-輸入電容

7、Cib 共基極輸入電容Cie共發(fā)射極輸入電容Cies 共發(fā)射極短路輸入電容Cieo-一共發(fā)射極開路輸入電容Cn中和電容（外電路參數(shù)）Co一-輸出電容Cob-一共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容Coe共發(fā)射極輸出電容Coeo-一共發(fā)射極開路輸出電容Cre共發(fā)射極反饋電容Cic-一集電結(jié)勢壘電容CL一-負(fù)載電容（外電路參數(shù)）Cp-一并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）BVcbo-一發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓BVceo基極開路，CE結(jié)擊穿電壓BVebo集電極開路EB結(jié)擊穿電壓BVces-一基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓BVcer-一基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓D-一占空比fT一

8、-特征頻率fmax 最咼振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時的工作頻率hFE共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)hIE-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗 hOE-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo) hRE-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)hie-共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗hre-共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)hfe-共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)hoe-共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納IB-基極直流電流或交流電流的平均值Ic-一集電極直流電流或交流電流的平均值IE-一發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值Icb。一-基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集 電極與基極之間的反向截I上電流Ice。一-發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反

9、向電壓VCE條件下，集 電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Iebo-一基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流leer-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī) 定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Ices-發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集 電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Icex-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流ICM-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流 的最大值，或交流

10、電流的最大平均值ICMP-集電極最大允許脈沖電流ISB-一二次擊穿電流IAGC-正向自動控制電流Pc-集電極耗散功率PCM-一集電極最大允許耗散功率Pi一-輸入功率Po-一輸出功率Pose 振蕩功率Pn一-噪聲功率Ptot總耗散功率ESB-二次擊穿能量rbb'-基區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻）rbb'Cc-基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘 積rie-發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻roe-一發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入 短路時的輸出電阻RE一-外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）RB-外接基極電阻（外電路參數(shù)）Rc-一外接集電極電

11、阻（外電路參數(shù)）RBE-外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）RL一-負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）RG-信號源內(nèi)阻Rth熱阻Ta-一環(huán)境溫度Tc一-管殼溫度Ts結(jié)溫Tjm-最大允許結(jié)溫Tstg一-貯存溫度td延遲時間tr上升時間ts一-存貯時間tf-下降時間ton-開通時間toff關(guān)斷時間VCB一-集電極-基極（直流）電壓VCE一-集電極-發(fā)射極（直流）電壓VBE-一基極發(fā)射極（直流）電壓VCB0-基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VEB0-基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VCEO-發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下

12、的最高耐壓VCER-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R,集電極與發(fā)射極間在 指定條件下的最高耐壓VCES-發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下 的最高耐壓VCEX-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極 之間在規(guī)定條件下的最高耐壓Vp穿通電壓。VSB-一二次擊穿電壓VBB-一基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）Vcc-一集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VEE一-發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VCE（sat）-一發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓 降VBE（sat）-一發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前

13、向壓降）VAGC-一正向白動增益控制電壓Vn （p-p）輸入端等效噪聲電壓峰值Vn噪聲電壓Cj-結(jié)（極間）電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，錯檢波二極管的總電容Cjv偏壓結(jié)電容Co零偏壓電容Cjo-一零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn-一結(jié)電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度 的絕對變化之比CTC一-電容溫度系數(shù)Cvn標(biāo)稱電容IF-正向直流電流（正向測試電流）。錯檢波二極管在規(guī)定的正向電壓 VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦 半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定 功率下允許

14、通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定 的電流IF （AV） -一正向平均電流IFM （IM） 一-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通 過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH恒定電流、維持電流。Ii-一發(fā)光二極管起輝電流IFRM-一正向重復(fù)峰值電流IFSM-一正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）1。一-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作 電流IF (ov) 正向過載電流IL-一光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID-一暗電流IB2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM發(fā)射極峰值電流IEB10雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20

15、-一雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM-一最大輸出平均電流IFMP 正| nJ脈沖電流IP峰點(diǎn)電流IV一-谷點(diǎn)電流IGT晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM-控制極正向峰值電流IR(AV) -一反向平均電流IR (In)反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所 通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn) 壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工 作電壓下的漏電流。IRM-一反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM-

16、反向重復(fù)峰值電流IRSM反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）Irp-反向恢復(fù)電流Iz-一穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向 電流I zk穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流IOM-一最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時 電流；在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過錯檢波二極管 的最大工作電流IZSM-一穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF-一正向總瞬時電流i R反向總瞬時電流ir-反向恢復(fù)電流lop-一工作電流Is一-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f-一頻率n-電容變化指數(shù)；電容比Q-優(yōu)值（品質(zhì)因素）6 vz穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt

17、-一通態(tài)電流臨界上升率dv/dt 通態(tài)電壓臨界上升率PB一-承受脈沖燒毀功率PFT (AV) -一正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM-一正向峰值耗散功率PFT-正向?qū)偹矔r耗散功率Pd-一耗散功率PG一-門極平均功率PGM-一門極峰值功率PC-一控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-一輸入功率PK最大開關(guān)功率PM-一額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS最大承受脈沖功率Po一-輸出功率PR-一反向浪涌功率Ptot 總耗散功率Pomax 最大輸出功率Psc-一連續(xù)輸出功率PSM-不重復(fù)浪涌功率PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大

18、 功率RF (r)-正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈 現(xiàn)明顯的非線性待性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量AV,正向電 流相應(yīng)增加】，則/：稱微分電阻RBB雙基極晶體管的基極間電阻RE射頻電阻RL負(fù)載電阻Rs(rs)一一串聯(lián)電阻Rth熱阻R(th)ja一 一結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz (ru)動態(tài)電阻R(th)jc-結(jié)到殼的熱阻r5-一衰減電阻r (th) 瞬態(tài)電阻Ta-環(huán)境溫度Tc殼溫td-一延遲時間tf-下降時間tfr-一正向恢復(fù)時間他-一電路換向關(guān)斷時間tgt-一門極控制極開通時間Tj-一結(jié)溫Tjm最高結(jié)溫ton開通時間toff 關(guān)斷時間tr 上升時間trr反向恢復(fù)時間ts-一存儲時間tstg溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度a-溫度系數(shù)X P發(fā)光峰值波長AX-一光譜半寬度H -一單結(jié)晶體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc 整流輸入電壓VB2B1-一基極間電壓VBE10-一發(fā)射極與第一基極反向電壓VEB一-飽和壓降VFM最大正向壓降（正向峰值電壓）VF正向壓降（正向直流電壓）AVF正向壓降差VDRM