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文檔簡介
1、mos管的匹配精度1. 電流成比例關系的MOS管,應使電流方向一致,版圖中晶體管盡量同向,開關管可以忽略。 2. 配置dummy器件,使版圖周邊條件一致,結(jié)構(gòu)更加對稱。下圖是dummy電容的使用。dummy器件的配置:為了使得器件B周邊的電特性比較一致,會在版圖中加入dummy cell(如圖4中右邊的電容),盡管它在電路中是多余的。3.在處理匹配性要求高的對管(如差分輸入對管)時,采用交叉對稱的結(jié)構(gòu)比較好 。下圖為晶體管交叉對稱:4. MOS器件的匹配主要有四方面影響因素:(1)柵面積:匹配度與有源區(qū)面積(S=WL)成反比關系。 (2)柵氧化層厚度:一般薄柵氧化層的管子的匹配度較高; (3)
2、溝道長度調(diào)制:管子的不匹配與VGS的不匹配成正比,與溝道長度成反比; (4)方向(orientation):沿晶體不同軸向制作的管子的遷移率不同,這就會 影響管子跨導的匹配度;把需要匹配的一組管子放在一個cell中 ,避免因旋轉(zhuǎn)cell而產(chǎn)生的方向不匹配 。1 / 35,dummy器件的詳細講述: 如果周邊環(huán)境不同,會使工藝中的刻蝕率不同,比如:線寬大,刻蝕率大,刻蝕的快??涛g的快慢會影響線電阻等電學參數(shù)。例子:尺寸較大的管子被拆成小管子并聯(lián)時,要在兩端的小管的柵旁加上dummy gate,這樣可以保證比較精確的電流匹配。而且這種dummy gate的寬度可以比實際的柵寬小。各個小管子的gat
3、e 最好用metal聯(lián)起來,如果用poly連會引起刻蝕率的偏差。詳細圖例如下:6.主要單元電路的匹配:差分對的管子位置和連線長短都要對稱,能合為一條線的連線就要合;差分對主要使VGS匹配,而電流鏡主要使ID匹配。7. MOS匹配的幾點注意:Acontact孔、metal走線不要放在有源區(qū)內(nèi) ,如果metal一定要跨過有源區(qū)的話,就應該加入dummy 走線。 B最好把匹配管子放在遠離深擴散邊緣的地方,至少要兩倍結(jié)深。N-well屬于深擴散,PMOS也要放在阱內(nèi)距離阱邊較遠處。C盡量使用NMOS管來作匹配管,因為NMOS比PMOS更易達到匹配 。 D為避免由gradient引起的mismatch,
4、采用conmmon-centroid layout同心結(jié)構(gòu),且盡量緊密,差分對可用cross-coupled pairs結(jié)構(gòu)。 E匹配器件要遠離功率器件擺放,功耗大于50mw的就屬于功率器件。8.大功率供電的版圖及W、L比較大的器件的版圖 (1)W較大的管子應拆成小單元并聯(lián),拆成多少個單元。原則是:每個單元的電阻要小于所有單元連起來后的總的。(2)如果拆成的單元數(shù)過多,應分兩排擺放。 (3)大功率供電:一般問題出現(xiàn)在有大電流的地方,避免電遷移。9.電源線、地線、信號線的布線 a.不同電路的電源線和地線之間會有一些噪聲影響,比如模擬電路和數(shù)字電路的電源和地線,還有一些敏感電路的電源線、地線。這就
5、需要把他們保護起來,保證它們不互相影響。b.數(shù)字電路和模擬電路的gnd要分開。c.信號線的布線 :*如果兩條信號線的走向平行,平行線間的寄生電容會把兩個信號耦合,產(chǎn)生噪聲。*兩臨近信號線上的信號相互影響稱為串繞(crosstalk)。減少串繞的方法:采用差分結(jié)構(gòu)把crosstalk化為共模擾動。*對敏感信號線進行保護 ,方法:把敏感信號線屏蔽起來。例如:在模擬信號線的兩邊用同層金屬畫兩條地線,這就對該信號線進行了橫向平面的保護。*將敏感電路部分與易產(chǎn)生噪聲的地方(如:襯底注入極)間距加大。 d.地線、電源線上盡量多的打孔,以保證P型襯底良好接地和Nwell的良好接觸。 七.一般性注意事項1. Grid網(wǎng)格的大小不宜隨意改動 。2. 引線孔千萬不要疊在一起,應該并排放在一起 ,影響成品率 。3. 走線相接觸的地方,最好是overlap一下,以保證良好接觸。4. 不要處處要求最小尺寸,應該略有冗余。5. 引腳的命名需要規(guī)范化,盡量都用英文字母 。走線盡量多用M3、M4(電流承受能力強,電阻率?。?/p>
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