模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬綜合試卷12(附答案)

1、第1頁模擬綜合試卷 12 答案一、填空（24 分，每空 1 分）1 .半導(dǎo)體中存在兩種載流子，分別為 電子和空穴。雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩種，分別為 N 型半 導(dǎo)體和P 型半導(dǎo)體。2.雙極性晶體三極管工作于放大模式的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。3.從信號的傳輸途徑看，集成運放由 輸入級、中間級、輸出級、偏置電路 這幾個部分 組成。4.某放大器的下限角頻率L，上限角頻率H，則帶寬為（H-L）/2nHz。5.共發(fā)射極電路中采用恒流源做有源負載是利用其交流電阻大 的特點以獲得較高增益。6.在 RC 橋式正弦波振蕩電路中，當(dāng)滿足相位起振條件時，則其中電壓放大電路的放大倍數(shù) 要略大于_3_才能起振。7.電

2、壓比較器工作時，在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，單限比較器的輸出 狀態(tài)發(fā)生次躍變，遲滯比較器的輸出狀態(tài)發(fā)生_J次躍變。8.乙類推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，應(yīng)改用 甲乙 類推挽放大器。9.負反饋系統(tǒng)產(chǎn)生自激的條件是- _，相應(yīng)的振幅條件是_ ，相 位 條 件 是410、 若三級放大電路中 Aui=Aj2=30dB, Au3=20dB,則其總電壓增益為 80 dB，折合為 10 倍。11、差分放大電路，若兩個輸入信號un=ui2，則輸出電壓，uo=0V；若 un=100 V, ui 2=80 V則差模輸入電壓 uid= 20V;共模輸入電壓 uic= 90Vo二、按要

3、求選其中正確的一項填入括號（26 分，每小題 2 分）1、 當(dāng)環(huán)境溫度升高時，二極管的反向飽和電流Is將增大，是因為此時 PN 結(jié)內(nèi)部的。（B）A 多數(shù)載流子濃度增大B少數(shù)載流子濃度增大C 多數(shù)載流子濃度減小D少數(shù)載流子濃度減小2、晶體三極管的各極電流是由（C ）形成的。A、多數(shù)載流子B、少數(shù)載流子 C、兩種載流子 D、熱運動3、 若要提高某放大器的輸入電阻且使輸出電壓穩(wěn)定，可以加入下列負反饋：（B ）第2頁A、電流串聯(lián)B、電壓串聯(lián)C、電流并聯(lián)D、電壓并聯(lián)4、 在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為12V, 3.7V，3V,貝尼是（A ）A. NPN 型硅管B.NPN 型鍺管 C.

4、PNP 型硅管 D.PNP 型鍺管第3頁5. RC 橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即 RC 串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（D ）。A、基本共射放大電路B、基本共集放大電路C、反相比例運算電路D、同相比例運算電路6 直接耦合放大電路存在零點漂移的原因主要是（ C ）0A 電阻阻值有誤差B晶體管參數(shù)的分散性C 晶體管參數(shù)受溫度影響D受輸入信號變化的影響7、某只硅穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 Vz = 4v，其兩端施加的電壓分別為+5v （正向偏置）和一 5v （反 向偏置）時，穩(wěn)壓管兩端的最終電壓分別為（ D ）oA +5v 和-5v B -5v 和 +4v C +4v 和-0.7v D +0.7v 和-4v8、

5、差分放大電路的長尾電阻的主要功能是（ A ）,而提高共模抑制比。A 抑制共模信號；B抑制差模信號；C 放大共模信號；D既抑制共模信號又抑制差模信號；9、 組合放大電路的輸出級采用射極輸出方式是為了使（D ）oA 電壓放大倍數(shù)高 B 輸出電流小 C 輸出電阻增大 D 帶負載能力強10、 由 NPN 型三極管組成的基本共射放大電路的靜態(tài)工作點設(shè)置不當(dāng)時，輸出波形容易產(chǎn)生失真，Q 點偏高時的失真叫做失真，對應(yīng)的輸出電壓波形將出現(xiàn)_失真。（B ）A 飽和；頂部 B 飽和；底部 C 截止；底部 D 截止；頂部11、當(dāng)我們想要放大頻率為 10KHZ 以上的信號時，應(yīng)采用（B ）濾波器。A、低通 B 、高通

6、 C、帶阻 D、帶通12、石英晶體振蕩頻率穩(wěn)定的原因是（B ）A 體積小 B品質(zhì)因數(shù)咼 C 振蕩頻率咼 D 有兩個振蕩頻率13、 某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（D）oA. P 溝道增強型 MOStB、P 溝道結(jié)型場效應(yīng)管C、N 溝道增強型 MOSfD、N 溝道耗盡型 MOSf電路分析（16 分）第4頁解：圖 A、晶體管為 PNP 因發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏，所以三級管工作在放大區(qū)； 圖 B 晶體管為NPN 因發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏，所以三級管工作在截止區(qū)； 圖 C 晶體管為 PNP 因發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)偏置電壓為零伏，所以三級管工作在臨界飽 和區(qū)； 四、電路分析和計算（34 分）1、如下

7、圖所示的電壓串聯(lián)負反饋電路中，假設(shè)集成運放的開環(huán)電壓放大倍數(shù)A=100000,電阻R1= 2KQ，F(xiàn)F = 18KQo1、判斷圖 3.1.1 ,圖 3.1.2 電路的反饋極性與組態(tài)（6 分）圖 3.1.1（瞬時極性標圖 1 上）電流并聯(lián)負反饋2、判斷電路工作狀況（10 分）（1） 圖 3.2.1 電路如下圖示， 請回答問題: 圖1 電路無（填有或無）放大作用。簡單說明理由：因電容隔直作用，該電路中基極靜態(tài)偏置電流為零，所以放大電路處于截止狀態(tài)， 無法對交流信號進行放大。圖 3.1.2（瞬時極性標圖 2 上）電壓串聯(lián)負反饋（2） 圖 3.2.2 電路如下圖示， 試判斷各三極管分別工作在截止區(qū)、

8、放大區(qū)還是飽和區(qū)， 并說 明理由。3AD6A-/+5.3V3CG21o +5. 3VC圖 3.2.2第5頁（15 分）1） 估算反饋系數(shù)和反饋深度；2） 估算閉環(huán)放大倍數(shù)；3） 如果開環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對變化量為土 10%求閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對變化量圖 4.1解：該電路為電壓串聯(lián)負反饋電路,第6頁1）2）Af3）R120.1；反饋深度為 1 AF 10000。R1RF2 18因反饋類型為電壓串聯(lián)負反饋，所以閉環(huán)放大倍數(shù)即為閉環(huán)電壓放大倍數(shù)。A1000001 AF因dAA1反饋系數(shù)為F101 100000 0.110%，所以閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的相對變化量為dAfAf1 AF A2、下圖示放大電路中,dA1 100000 0.1已知三極管的12V，R 3k(12 分)(1)試估算靜態(tài)工作點;(2)計算三極管的rbe值;(3)求出中頻時的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻;解:（ 1）IBQUcEQVCCUBEQRbVCCICQ12V560KRc120.02mA6VIBQ100 0.022 mA(2)rberbb(1)26300IEQ1012621.6K1CQ10%) 0.001%3k第7頁（3）中頻時的電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻為（微變等效電路不提供）RL3K/3Kc,Au-10094 RiRb/ rbe560K/1.6K 1.6