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文檔簡介

1、2021年重慶市第二屆中等職業(yè)學(xué)校電子技能競賽考題學(xué)生組考題名稱:自適應(yīng)式烘干系統(tǒng) 完成時(shí)間:4小時(shí)C 一、功能簡介廠電路說明局部s二、電路所需器件介紹I三、裝配及調(diào)試說明一、元件篩選與測試10分考題目錄二、電路焊接與組裝35分三、電路調(diào)試40分電路設(shè)計(jì)軟件PROTE應(yīng)用局部15分學(xué)校:姓名:考號:工位號:電路相關(guān)說明局部一、功能簡介1功能說明自適應(yīng)式烘干系統(tǒng),改變了傳統(tǒng)的烘干方式,采用可控硅作為功率驅(qū)動器件。該系統(tǒng)通過測量 環(huán)境溫度可以在快速加熱、普通加熱、緩慢保溫加熱和停止加熱狀態(tài)下自動切換這里使用燈泡代 替加熱器,它的組成原理圖如圖 1所示。2、電路功能簡介烘干系統(tǒng)在我們的生活中應(yīng)用非常

2、廣泛,傳統(tǒng)的烘干系統(tǒng),一般是采用接觸器或繼電器作為功 率驅(qū)動器件控制加熱器,它們只能在啟動加熱或停止加熱之間切換,由于在加熱過程中會有熱慣性 等因素,所以在高精度的烘干系統(tǒng)中使用傳統(tǒng)的方式顯然無法滿足需求了。為了解決以上問題,這 里為大家展現(xiàn)一種簡單的自適應(yīng)式烘干系統(tǒng),自適應(yīng)式烘干系統(tǒng)的主要特點(diǎn)是,當(dāng)測量環(huán)境溫度過 低時(shí)輸出的電壓有效值高,加熱器迅速加熱,當(dāng)溫度靠近預(yù)期設(shè)定值時(shí),輸出電壓有效值降低,從 而放慢加熱速度,對被測環(huán)境溫度進(jìn)行微調(diào)。這里我們通過延時(shí)觸發(fā)可控硅來調(diào)整輸出電壓的有效 值,從而調(diào)整加熱器的發(fā)熱量。烘干系統(tǒng)主要由:溫度檢測放大電路、溫度比擬電路、交流過零檢測電路、可控硅觸發(fā)延

3、時(shí)電 路、可控硅觸發(fā)時(shí)間選擇電路、可控硅觸發(fā)電路、電源電路和加熱器用燈泡模擬加熱器所組成。 在該電路中我們希望得到一個(gè)設(shè)溫度為 40C的烘干系統(tǒng),所以我們設(shè)定了以下參數(shù):當(dāng)熱敏電阻測量溫度低于 30C時(shí),此時(shí)輸出電壓最高,加熱速度最快燈泡亮度最大。當(dāng)熱敏電阻測量溫度在 30C35C之間時(shí),輸出電壓降低,加熱速度放慢使其慢慢地靠近希望 值燈泡亮度降低。當(dāng)熱敏電阻測量溫度在 35C40C之間時(shí),輸出電壓再次降低,加熱速度減慢或?yàn)橄到y(tǒng)保溫 燈 泡亮度降低。當(dāng)溫度高于40C時(shí),輸出電壓為零,燈泡不亮。在對電路功能進(jìn)行測試過程中,可以使用燈泡、電烙鐵或熱風(fēng)槍對熱敏電阻RT1進(jìn)行加熱,可以方便地模擬出溫度

4、變化,使其輸出電壓變化燈泡亮度變化。9D.題競件文路電賽競子:二第烹 cotnu卩 md As onlte sdoouxne mu & D :c fo t<ehs 9CD2 5M32npslveR、電路所需器件介紹1、運(yùn)算放大器LM358LM358是二運(yùn)放集成電路, 它采用8腳雙列直插塑料封裝, 其內(nèi)部包含二組形式完全相同的運(yùn) 算放大器,除電源共用外,二組運(yùn)算放大器相互獨(dú)立,引腳及內(nèi)部方框圖如圖2所示,LM358具有電源電壓范圍寬,靜態(tài)功耗小,可單電源使用,價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于各種電路中。CO)7+VV- 1CM(Hi寸2、電壓比擬器LM339LM339集成塊內(nèi)部裝有

5、四個(gè)獨(dú)立的電壓比擬器,它采用14腳雙列直插封裝,內(nèi)部包含四組形式完全相同的電壓比擬器,內(nèi)部組成圖如圖3;該電壓比擬器的具有,失調(diào)電壓小,典型值為2mV ;電源電壓范圍寬,單電源為2-36V,雙電源電壓為土 1V- ± 18V ;比照擬信號源的內(nèi)阻限制較寬;因此應(yīng)用相當(dāng)廣泛。Output 2 刃 Output 3Output 1 叵13)Output 4vcc El可Gndjj| + Input 4ic| - Input 4Input 2 T7 + Input 3叮-Input 3+ (nput 2+ input 1 EJnpuH |_4_圖33、四重雙向開關(guān) CD4066BCD406

6、6是一種雙向模擬開關(guān),在集成電路內(nèi)有4個(gè)獨(dú)立的能控制數(shù)字及模擬信號傳送的模擬開關(guān),內(nèi)部組成結(jié)構(gòu)見圖4。每個(gè)開關(guān)有一個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端,它們可以互換使用,還有一個(gè)選通端CONTROL 控制端,中選通端為高電平時(shí),開關(guān)導(dǎo)通,選通端為低電平時(shí),開關(guān)截止。使 用時(shí)選通端是不允許懸空的。圖44、14級二進(jìn)制計(jì)數(shù)振蕩器 CD4060CD4060由一振蕩器和14位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器位組成,組成接通圖如圖5,引腳圖如圖6。振蕩器的結(jié)構(gòu)可以是RC或晶振電路。CR為高電平時(shí),計(jì)數(shù)器清零且振蕩器使用無效,所有的計(jì)數(shù)器位均 為主從觸發(fā)器。在輸入脈沖0 1和0 0的下降沿計(jì)數(shù)器以二進(jìn)制進(jìn)行計(jì)數(shù),在時(shí)鐘脈沖線上使用施密特觸發(fā)

7、器對時(shí)鐘上升和下降時(shí)間無限制。R0114 STAGERIPPLECOUNTERANDOSCILLATOR©©©©0©®5XJQ9RESETa05、6反相帶施密特觸發(fā)器 CD40106CD40106由6個(gè)結(jié)構(gòu)相同的輸入級具有施密特觸發(fā)功能的反相器組成,內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖管腳圖見圖7輸入輸出真值表見表1。施密特觸發(fā)器在輸入波形的上升段和下降段,它的閥值電壓不同。vnnvsIn putsOutputHLLH6、MF58熱敏電阻MF58為負(fù)溫度系數(shù)(NTC )熱敏電阻,其特點(diǎn)是溫度越高其電阻值越小。MF58外形圖如圖8,電路符號如圖9,溫度-電阻對應(yīng)

8、值,見表 2。MF58圖8圖9溫度(C )電阻(k Q)溫度(C)電阻(kQ)溫度(C)電阻(k Q)溫度(C )電阻(k Q)027.622510504.16751.933522.3308.152553.552801.6631018.19356.951603.048851.4381514.81405.843652.614901.2492012.25454.916702.227951.064三、裝配及調(diào)試說明注意:電路焊接完成后,仔細(xì)檢查無誤后,才可通電調(diào)試。1、外部接線通過J1接入AC12V電源,為系統(tǒng)提供工作電源;燈泡經(jīng)過導(dǎo)線連接到J2。2、電路工作原理烘干系統(tǒng)的電路主要由:溫度檢測放大電

9、路、溫度比擬電路、交流過零檢測電路、可控硅觸發(fā)延時(shí)電路、可控硅觸發(fā)時(shí)間選擇電路、可控硅觸發(fā)電路、電源電路和加熱器用燈泡模擬加熱器所組成。其工作原理如下:溫度檢測電路:溫度檢測電路主要由RT1NTC負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻、 U1A組成的同相放大器和U1B組成的緩沖器所組成。當(dāng) RT1測量環(huán)境溫度越高,熱敏電阻的電阻值越低,溫度輸出電 壓TP-A點(diǎn)的電壓值越低。溫度電壓比擬電路:由電壓比擬器LM339和外圍電阻構(gòu)成的電壓比擬電路,可調(diào)電阻RP2、RP3、RP4分別作為3個(gè)比擬電路的基準(zhǔn)參考電壓,當(dāng)TP-A點(diǎn)的電壓低于某個(gè)比擬器的參考電壓時(shí),此比擬器輸出低電壓,從而點(diǎn)亮發(fā)光二極管,關(guān)閉電子開關(guān)。交流過零

10、檢測電路, 當(dāng)交流電過零時(shí),光耦初級輸入電壓為零, 次級截止,Q4集電極輸出高電 平,該信號通過具備反相功能的施密特觸發(fā)器對其整形,輸出高電平,使由U3等元件組成的計(jì)時(shí)器復(fù)位;當(dāng)過零完成后, Q4集電極輸出低電平,此時(shí)計(jì)時(shí)器開始計(jì)時(shí)??煽毓栌|發(fā)延時(shí)電路:電路主要由 CD4060二進(jìn)制計(jì)數(shù)振蕩器和晶體振蕩器組成,當(dāng) U3第12 腳RESET為高電平時(shí),計(jì)時(shí)器停止工作,輸出全部為低電平,當(dāng)12腳出現(xiàn)下降沿時(shí),由 Y1和U3組成的振蕩器開始工作, 振蕩頻率為32.768kHZ,此信號經(jīng)過U3分頻后,分別輸出脈寬為:0.97ms、 3.9ms和7.81ms的脈沖,供可控硅觸發(fā)時(shí)間選擇電路選擇。可控硅觸

11、發(fā)時(shí)間選擇電路:電路由CD4066電子開關(guān)組成,電子開關(guān)的控制端C為高電平時(shí),電子開關(guān)接通,控制端 C為低電平時(shí),電子開關(guān)斷開,電子開關(guān)的控制端與溫度比擬電路的輸出端 相接??煽毓栌|發(fā)電路:由電子開關(guān)輸出的信號通過Q3放大后驅(qū)動光耦 U7, U7次級導(dǎo)通后,電流經(jīng)過R17和U7觸發(fā)可控硅導(dǎo)通。電源電路:電源電路主要由D2、C11組成的整流濾波電路和串聯(lián)式穩(wěn)壓電源組成。3、調(diào)試方法在調(diào)試電路時(shí)應(yīng)首先使電源電路正常工作,即使+5V正常;1電源電路調(diào)試:接通 AC12V交流電源,調(diào)節(jié) RP1使C10兩端的電壓為5V。2 溫度檢測放大電路調(diào)試:RT1和R21組成串聯(lián)分壓電路,當(dāng)環(huán)境溫度改變時(shí)RT1兩端

12、的電壓改變,此信號經(jīng)過由 U1A組成的放大電路放大,再經(jīng)過由U1B緩沖輸出;不同的溫度U1B輸出不同的電壓,當(dāng)溫度為30C時(shí)TP-A點(diǎn)的電壓約為1.98V,溫度為35C時(shí)TP-A 點(diǎn)電壓約為1.73V,溫度為40C時(shí)TP-A點(diǎn)電壓約為1.5V。3電壓比擬電路:該電路由 3個(gè)結(jié)構(gòu)相同的電壓比擬器組成,不同的是參考電壓不同,當(dāng)比較器的同相端電壓大于反相端時(shí)比擬器輸出高電平,反之輸出低電平;調(diào)節(jié)PR2使U2的4腳電壓為1.98V 對應(yīng)溫度為30 C,調(diào)節(jié)RP3使U2的6腳電壓為1.73V 對應(yīng)溫度為 35C,調(diào)節(jié)RP4使U2第8腳電壓為1.5V 對應(yīng)溫度為40C;假設(shè):當(dāng)TP-A點(diǎn)的電壓 低于1.9

13、8V時(shí),U2A輸出低電平,LED2點(diǎn)亮,U4A電子開關(guān)斷開。4 可控硅的觸發(fā)信號來自電子開關(guān),電子開關(guān)由電壓比擬電路控制,電子開關(guān)輸入為經(jīng)過延時(shí)的脈沖信號。比方:比擬器U2A輸出為低電平,此時(shí) U4A電子開關(guān)斷開,經(jīng)過 0.97ms延時(shí)的脈沖信號,無法通過電子開關(guān)觸發(fā)可控硅,此時(shí)如果比擬器U2B輸出為高電平,U4B電子開關(guān)接通,經(jīng)過 3.9ms延時(shí)的信號到了時(shí),可控硅電路被觸發(fā)。4、調(diào)試完成接通電源后,使用燈泡或電烙鐵對熱敏電阻加熱,當(dāng)熱敏電阻上的溫度低于30 C時(shí),燈泡亮度最高,LED指示燈全部熄滅,溫度每升高 5C燈泡亮度降低一個(gè)等級, LED指示燈多點(diǎn)亮1 只,當(dāng)溫度高于40C時(shí)燈泡熄滅

14、,LED指示燈全部點(diǎn)亮。一、元件篩選與測試10分準(zhǔn)確清點(diǎn)和檢查全套裝配材料數(shù)量和質(zhì)量,進(jìn)行元器件的識別和檢測,篩選確定元器件,檢測 過程中填寫下表。 注:質(zhì)量判定填寫“可用、“斷路、“短路、“漏電所使用的萬用表型號為:元器件識別及檢測內(nèi)容配分評分標(biāo)準(zhǔn)得分電阻器色環(huán)標(biāo)稱值含誤差每支1分共計(jì)2分識別錯(cuò)誤錯(cuò)不得分。棕黑黑紅棕紅紫綠橙金電容器數(shù)碼標(biāo)志容量值uF每支1分識別錯(cuò)誤錯(cuò)不得分。104穩(wěn)壓二極管正向電阻反向電阻測量檔位質(zhì)量判定每支1分錯(cuò)1項(xiàng),該二極管不得 分。D1三極管畫外形示意圖標(biāo)岀管腳名稱電路符號質(zhì)量判定每支1分錯(cuò)1項(xiàng),該三極管不得 分。Q1晶體振蕩器測量阻值使用檔位每支1分錯(cuò)1項(xiàng),該晶體振

15、蕩器 不得分。Y1光耦畫外形示意圖標(biāo)岀管腳名稱電路符號質(zhì)量判定每支1分錯(cuò)1項(xiàng),該光耦不得 分。U6可控硅畫外形示意圖標(biāo)岀管腳名稱電路符號質(zhì)量判斷每支1分錯(cuò)1項(xiàng),該繼電器不得 分。K1橋堆畫外形示意圖標(biāo)岀管腳名稱正負(fù)輸出端電阻, 正向?qū)ㄇ闆r下使用檔位每支2分錯(cuò)1項(xiàng),該橋堆不得 分。D2二、焊接與組裝電路35分工藝要求:元件安裝整齊、焊點(diǎn)美觀30分內(nèi)容技術(shù)要求配分評分標(biāo)準(zhǔn)得分元器件引腳1、引腳加工尺寸及成形應(yīng)符合裝配工藝要求61、檢查成 品,不符合 要求的,每 處每件扣0.5分/件。2、根據(jù)監(jiān)考 記錄,工具 的不正確操 作,每次扣0.5 分。元器件安裝2、兀件高度及字符方向應(yīng)符合工藝要求3、元件

16、安裝橫平豎直4、電路板底層安裝貼片元件5、 燈泡通過導(dǎo)線連接到J2,連接到J2端的導(dǎo)線 壓接端頭8焊點(diǎn)6、焊點(diǎn)大小適中,無漏、假、虛、連焊,焊 點(diǎn)光滑、圓潤、干凈,無毛刺7、焊盤不應(yīng)脫落8、修腳長度適當(dāng),一致,美觀10安裝質(zhì)量9、集成電路、二三極管等及導(dǎo)線安裝均應(yīng)符 合工藝要求10、元器件安裝牢固,排列整齊11、無燙傷和劃傷,整機(jī)清潔無污物6常用工具的使用和維護(hù)12、電烙鐵的正確使用13、鉗口工具的正確使用和維護(hù)14、萬用表正常使用和維護(hù)15、毫伏表正常使用和維護(hù)16、示波器正常使用和維護(hù)5三、電路調(diào)試40分電路的調(diào)試方法,詳見第7頁和第8頁的裝配調(diào)試說明1、本電路功能完成20分鑒定內(nèi)容技術(shù)要

17、求配分評分標(biāo)準(zhǔn)得分實(shí)現(xiàn)功能測量溫度越高輸出電壓越 低,即燈泡的亮度越低;當(dāng)溫度 低于30 C時(shí),過零后約延時(shí) 0.97ms觸發(fā)可控硅,溫度低于 35C時(shí),過零后約延時(shí)3.9ms觸發(fā) 可控硅,溫度低于40 C時(shí),過零 后約延時(shí)7.81ms接通可控硅,溫 度高于40 C停止輸出。20分電源局部正常工作4分溫度檢測放大電路正常工作4分溫度比擬以及指示電路正常工作6分 過零檢測電路正常工作3分電子開關(guān)及可控硅觸發(fā)電路正常工作3分2、完成檢測報(bào)告13分1、電路正常工作時(shí),測量 U3第7腳的頻率 赫茲。1分2、假設(shè)要使穩(wěn)壓電路的輸出電壓降低,請問應(yīng)該 增大/減小Q1基極與地之間的電阻。1分3、在溫度檢測放

18、大電路中,U1A LM358 作為 反相放大器侗相放大器/差分放大器/比擬器1分4、當(dāng)RT1阻值不變的情況下,增大R21電阻的阻值,請問 U1B第7腳的電壓 升高/降低。1分5、當(dāng)RT1的溫度為45C時(shí),RT1的端電壓為 V。 1分6、當(dāng)U5第3腳為高電平時(shí),U5第2腳的電壓為 高電平/低電平。1分7、當(dāng)穩(wěn)壓電路輸出電壓為 5V時(shí),測量Q1和Q2各引腳的電壓V 。 3分三極管Q1Q2引腳CBECBE電位8、電路正常工作時(shí),且測量溫度低于30C時(shí),測量可控硅 A與K之間的波形:4記錄波形1分,其他0.5分示波器頻率器毫伏表得分時(shí)間檔位:頻率:測量交流電壓:幅度檔位:周期:1峰峰值:3、電路原理和

19、故障分析7分1 、當(dāng)RT1測量溫度為50 C時(shí),請問U1第7腳的電源為多少? 3分2、假設(shè)將晶振 Y1由32.768kHZ更換為455kHZ,請問U5第5腳的輸出周期是的多少? 4分四、電路設(shè)計(jì)軟件 PROTEL DXP 2004應(yīng)用八路斷線數(shù)顯報(bào)警器15分考生須知:考生在D盤根目錄下建立一個(gè)文件夾,文件夾命名為“T+工位號,考生所有文件均需保存在該文件夾內(nèi)。各文件的文件名如下:工程文件:工位號原理圖文件:sch xx原理圖元件庫文件:slib xxPCB 文件:PCB xxPCB元件圭寸裝庫文件:plib xx其中xx為考生工位號,如sch24.sch。注:如果保存文件的路徑不對,那么無成績

20、。1、制作電路圖元件符號,新建原理圖元件庫文件,在庫中繪制圖10上的U2 1分2、繪制原理圖1 建立原理圖文件,并設(shè)置原理圖圖紙尺寸為A4。 0.5分2 根據(jù)圖10原理圖,必須將自制的元件符號用于原理圖中;繪制清單詳見表2 4.5分3、制作封裝共2分建立PCB元件封裝庫文件,并在庫中繪制元件DS1和SPST-1的封裝。1 元件DS1的封裝外形尺寸如圖 11所示,它的焊盤直徑為75mil,焊盤孔徑為35mil,焊盤 間距為100mil o 1分2 元件SPST-1的封裝外形尺寸如圖 12所示,它的焊盤直徑為 80mil,焊盤孔徑為40mil,焊 盤橫向間距為180mil,焊盤縱向間距為 260m

21、il。 1分4、創(chuàng)立網(wǎng)絡(luò)表文件1分根據(jù)原理圖創(chuàng)立網(wǎng)絡(luò)表文件。5、PCB 設(shè)計(jì)6在繪制PCB時(shí),須使用以上自制的元件封裝,其他元件封裝詳見表2,繪制要求如下:1電路板外形尺寸不大于:3200mil 寬x 2400mil 高;2 元件布局合理,所有元件均放置在TopLayer;3 信號線寬15mil , +5V線寬40mil,地線線寬 50mil ;4 對晶振電路局部進(jìn)行鋪銅操作,填充格式為90Degree,與GND網(wǎng)絡(luò)相連,放置層為TopLayer;U1LM 780 5+9V9r31 kQC3IL_JI0u FR21 0k Q+5VU231220uFVouDVinDS1MY5 011 AHp 8

22、R18470 Qg470 Q厶 LO-XSRCVP3.0P1.0P3.0P1.0P3.2P1.0P3.3P1.0P3.4P1.0P3.5P1.0P3.7P1.0GND“P1.010R20470 QiR19470 Q9AT8 9C20 51L A丄C4J- C5r 30PTitleSizeNumber圖102A4Date:File:J112F 345678L 9CONERev isio n2 3-Mar-200 9C:Documen ts and Setting s'AdministratoSheet of桌面2W柏年2:月 市教委 競題.Ddb(UE) MEJ500 (mil)圖112

23、60 (mil)圖12LibrefPart TypeDesig natorFootpri ntLibraryCAP0.1uFC1RAD0.2Miscella neous Devices.LibIN41481N4148D11812Miscella neous Devices.Lib1N41481N4148D21812Miscella neous Devices.LibRES21k QR3AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES21k QR7AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES21k QR8AXIAL0.3Miscella n

24、eous Devices.LibRES21k QR4AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES21k QR5AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES21k QR6AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES21k QR9AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES21k QR11AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES21k QR10AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES25.1k QR13AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES25.1k QR12AXIAL0.3Miscella neous Devices.LibRES26MHZY1XTAL1Miscella neous Devices.LibRES210k QR2AXIAL0.3Miscella neous

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