高頻電磁輻射對記憶能力的影響

1、    高頻電磁輻射對記憶能力的影響        【摘要】目的：探討高頻電磁輻射作業(yè)對人體神經(jīng)功能影響。方法：采用臨床記憶量表評定，并運用正交設(shè)計與區(qū)組實驗相結(jié)合的試驗方案，綜合考察了高頻作業(yè)對多種記憶能力的影響。結(jié)果：初步發(fā)現(xiàn)了包括高頻污染強度在內(nèi)的幾種因素對作業(yè)者記憶所起的作用及重要性順序：電場強度、工齡及其兩者交互作用對記憶商影響非常顯著；性別與電場強度的交互作用、年齡與電場強度的交互作用對記憶商影響也達顯著水平；各因素的重要性順序為WEE×WY×

2、WS×ES×WY×ESY×SY。確定了最易受影響的群體，并發(fā)現(xiàn)某些群體在輻射電場強度20V/M時，記憶仍受影響。結(jié)論：實驗提示高頻作業(yè)對記憶主要是影響包含思維成分的復(fù)雜記憶功能。【關(guān)鍵詞】高頻電磁輻射記憶Effect of High Frequency Electromagnetic Exposure on MemoryHuang Changxin，Li Weiping（Jiaxing Disease Prevention and Medical Station 314001）【Abstract】 Objective: To study the effe

3、ct of high frequency electromagnetic exposure on memory. Method: 46 workers under 30300 Hz electromagnetic environment were tested by Clinical Memory Scale. Age (Y), work year (W), sex (S) and education matched other workers were selected as control. Orthogonal design was used in data analysis. Resu

4、lt: The important factors on memory function were ranked as: W, E (strengthen of electronic field), E×W,Y×W,S×E,S×W,Y×E,S,Y×S,Y. The most susceptible group was decided. It was found that the memory of some people might still be affected unfavorably under electromagnetic

5、 exposure with E less than 20 V/M. Conclusion: The undesired changes of memory under electromagnetic exposure influenced mainly the implicated memory including thinking.【Key Words】electromagnetic exposurememory隨著高頻電磁輻射技術(shù)在工業(yè)生產(chǎn)中的廣泛應(yīng)用，高頻作業(yè)的職業(yè)危害日益為人矚目，亟需對其危害深入研究。近年來，高頻作業(yè)的職業(yè)危害被認為主要對作業(yè)者神經(jīng)功能產(chǎn)生有害影響。但報導(dǎo)以主訴癥狀

6、調(diào)查居多，客觀的神經(jīng)功能測查較少(1，2)。本文選擇了正交試驗設(shè)計與區(qū)組實驗相結(jié)合的實施方案，使用中科院心理所編制的臨床記憶量表，對本市部分高頻作業(yè)者記憶能力進行研究，旨在進一步揭示高頻作業(yè)的職業(yè)危害，為預(yù)防高頻職業(yè)病提供客觀依據(jù)。方法與對象對象高頻(3×103×100HZ)作業(yè)者46人，年齡2545歲，平均33.5歲，男27人，女19人。受教育程度為初中至大專，無明顯影響神經(jīng)功能的疾患，除接受高頻電磁輻射污染外不存在其它可能明顯影響記憶的環(huán)境因素；對照組46人，性別、年齡、文化程度和工齡等方面與實驗組構(gòu)成相近，但不接受高頻電磁輻射污染，為普通操作工人。方法使用中科院心理所

7、編制的臨床記憶量表，包括五項分測驗：聯(lián)想學(xué)習、指向記憶、像自由回憶、無意義形再認和人像特點，以記憶商為記憶力綜合評價指標(3)。高頻作業(yè)場所測定使用建德無線電廠生產(chǎn)的RJ-Z型近區(qū)場強儀。每點測3次，以其平均值為測定值，并以頭、胸、腹各個部位的測得值為作業(yè)者操作位電磁輻射污染強度。測得電場強度范圍：545v/m。實驗過程：選擇正交表L12(5)，參照國家建議的高頻衛(wèi)生標準，將電場強度分為高于標準和低于標準2個水平，參照其它類似報道(2)，將工齡分為高于5年和5年之內(nèi)二個水平，確立可能影響記憶能力的四項因素及水平如表1。對其它可能影響記憶的因素予以一致化處理。表1影響記憶能力的四項因素及水平年齡

8、性別工齡電場強度水平Y(jié)SWE12434女5年20V/M23545男5年20V/M根據(jù)正交表要求的條件，隨機錄取高頻作業(yè)者進行記憶能力測查。調(diào)查46人，滿足正交設(shè)計重復(fù)一次的對被試者的人數(shù)及條件的要求。 結(jié)果與分析1.各因素的極差比較發(fā)現(xiàn)各因素對被試者記憶商影響的重要性順序：WEE×W(代表電場強度與工齡的交互作用，余同)Y×WS×ES×WY×ESY×SY。2.實驗結(jié)果方差分析表2正交實驗方差分析表方差來源EYSWY×SS×ES×WY×EY×WE×W誤差離差平方和53.11.0

9、1.354.41.78.31.88.99.542.69.9自由度111111111123均方53.11.01.354.41.78.31.88.99.542.60.43F值123.52.34.11254.019.24.120.622.099.1P值0.010.010.050.050.050.01表2結(jié)果提示年齡本身對記憶商的影響不顯著，這與記憶商的定義相吻合，但年齡與電場強度的交互作用對記憶商的影響顯著；性別本身對記憶的影響也不顯著，性別與電場強度的交互作用對記憶商的影響顯著；表明不同年齡、性別狀態(tài)下電磁強度對記憶的影響程度不一致。電場強度、工齡對記憶商的影響均達顯著程度，這一點與過去的報道相符

10、。實驗發(fā)現(xiàn)四個因素的一級交互作用的影響都達顯著水平，說明本文所觀察的性別、年齡、工齡和電場強度在影響記憶的過程中有著復(fù)雜的關(guān)系。根據(jù)正交設(shè)計最佳組合選擇原理，可以確定對記憶商的影響最大的狀態(tài)：S=1，Y=1，W=2，E=2即當電場強度20V/M時，年齡在2434歲，工齡5年的女性作業(yè)者的記憶商所受的影響最大。根據(jù)田口公式可求得該高頻作業(yè)人群的記憶商均值為87.5±1.0，同理可以確定當電場強度20V/M時，年齡在2434歲，工齡5年的女性高頻作業(yè)者的記憶商場值為92.5±1.5，低于區(qū)組實驗中的對照組和常模(P0.05)，可見當高頻輻射低于20V/M這個建議標準時，對于年齡

11、在2434歲的女性作業(yè)者，記憶能力仍受影響。3.本文所選用的記憶商還只是一種人為的綜合評價指標，實際上各項分測驗測定的是記憶的不同方面，區(qū)組實驗的結(jié)果證實了這一點，見表3。表3實驗組與對照組的五項分測驗的年齡量表分比較(±s)組別聯(lián)想學(xué)習指向記憶像回憶形再認人像特點實驗組16±0.8*17.1±3.019±1.819.4±1.319±2.1(n=46)對照組19.8±1.5*19.5±2.120±1.520.5±1.019.5±2.5(n=46)注：常模年齡量表分為20(x)*P0.0

12、1 從表3中可見，對照組的五項分測驗的年齡量表分與常模年齡量表分基本一致，其五項分測驗相互間的年齡量表分差異也無顯著意義，說明對照選擇恰當。一般認為記憶是一個復(fù)雜的神經(jīng)活動過程。越復(fù)雜的學(xué)習記憶過程越同新皮層，特別是左側(cè)大腦半球皮層有關(guān)。據(jù)報道，聯(lián)想學(xué)習和指向記憶與思維及左腦功能關(guān)系密切，本文結(jié)果提示高頻輻射對此有顯著影響。像自由回憶和像再認屬非語文性，較多與大腦右半球功能相關(guān)，像再認又常用于對記憶損害類型及腦損害部位的鑒別(3，4)。表3結(jié)果表明實驗組的像自由回憶、形再認和人像特點等的年齡量表分均無明顯下降。提示：高頻作業(yè)主要對包含思維成分的復(fù)雜記憶及大腦左半球的功能產(chǎn)生影響。黃常新（嘉興市衛(wèi)生防疫站314001）李衛(wèi)萍（嘉興市衛(wèi)生防疫站314001）參考文獻1.黃玉玲.等.高頻電磁場對工人行為的影響.中華