第二章 雙極型晶體管

1、微電子元器件與項目訓練 授課教師：余菲第2章 雙極型晶體管 教師：余菲 電子郵件： 電話電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：討論主題：n1.晶體管結(jié)構(gòu)與分類n2.晶體管的直流特性 2.1晶體管的放大原理 2.2晶體管的直流電路 2.3晶體管的反偏特性n3.晶體管的開關(guān)特性n4.晶體管的設(shè)計微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： 晶體管（半導(dǎo)體三極管）是由兩個晶體管（半導(dǎo)體三極管）是由兩個P-N結(jié)構(gòu)成結(jié)構(gòu)成的三端器件。由于兩個的三端器件。由于兩個P-N結(jié)靠得很近，其具有放結(jié)靠得很近，其具有放大電信號的能

2、力，因此在電子電路中獲得了比半導(dǎo)大電信號的能力，因此在電子電路中獲得了比半導(dǎo)體二極管更廣泛的應(yīng)用。（半導(dǎo)體二極管由一個體二極管更廣泛的應(yīng)用。（半導(dǎo)體二極管由一個P-N結(jié)構(gòu)成，利用結(jié)構(gòu)成，利用P-N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管在整結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管在整流、檢波等方面獲得了廣泛應(yīng)用。）本章將在流、檢波等方面獲得了廣泛應(yīng)用。）本章將在P-N結(jié)理論的基礎(chǔ)上，討論晶體管的基本結(jié)構(gòu)、放大作結(jié)理論的基礎(chǔ)上，討論晶體管的基本結(jié)構(gòu)、放大作用以及其他一些特性，如反向電流、擊穿電壓、基用以及其他一些特性，如反向電流、擊穿電壓、基極電阻等。極電阻等。1.晶體管結(jié)構(gòu)與分類微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話：135102

3、69257 mail： 晶體管的種類很多，按使用的要求，一般分為低晶體管的種類很多，按使用的要求，一般分為低頻管和高頻管，小功率管和大功率管，高反壓管和開頻管和高頻管，小功率管和大功率管，高反壓管和開關(guān)管等等。關(guān)管等等。 但從基本結(jié)構(gòu)來看，它們都由兩個十分靠近的，但從基本結(jié)構(gòu)來看，它們都由兩個十分靠近的，分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。結(jié)組成。 兩個兩個P-N結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基和集電區(qū)。由三個區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極，用符號極和集電極，用符號E、B、

4、C（e、b、c）表示。）表示。 晶體管的基本形式可分為晶體管的基本形式可分為PNP型和型和NPN型兩種。型兩種。微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：基極：Base；集電極：Collector；發(fā)射極：Emitter。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： 合金管是早期發(fā)展起來的晶體管。其結(jié)構(gòu)是在合金管是早期發(fā)展

5、起來的晶體管。其結(jié)構(gòu)是在N型型鍺片上，一邊放受主雜質(zhì)銦鎵球，另一邊放銦球，加熱鍺片上，一邊放受主雜質(zhì)銦鎵球，另一邊放銦球，加熱形成液態(tài)合金后，再慢慢冷卻。冷卻時，鍺在銦中的溶形成液態(tài)合金后，再慢慢冷卻。冷卻時，鍺在銦中的溶解度降低，析出的鍺將在晶片上再結(jié)晶。再結(jié)晶區(qū)中含解度降低，析出的鍺將在晶片上再結(jié)晶。再結(jié)晶區(qū)中含大量的銦鎵而形成大量的銦鎵而形成P型半導(dǎo)體，從而形成型半導(dǎo)體，從而形成PNP結(jié)構(gòu)，如結(jié)構(gòu)，如圖所示。圖中圖所示。圖中Wb為基區(qū)寬度，為基區(qū)寬度，Xje和和Xjc分別為發(fā)射結(jié)和分別為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的結(jié)深。集電結(jié)的結(jié)深。 合金結(jié)的雜質(zhì)分布特點是：三個區(qū)的雜質(zhì)分布近似合金結(jié)的雜質(zhì)分布特點

6、是：三個區(qū)的雜質(zhì)分布近似為均勻分布，基區(qū)的雜質(zhì)濃度最低，且兩個為均勻分布，基區(qū)的雜質(zhì)濃度最低，且兩個P-N結(jié)都是結(jié)都是突變結(jié)。突變結(jié)。 合金結(jié)的主要缺點是基區(qū)較寬，一般只能做到合金結(jié)的主要缺點是基區(qū)較寬，一般只能做到10微微米左右。因此頻率特性較差，只能用于低頻區(qū)。米左右。因此頻率特性較差，只能用于低頻區(qū)。微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： 在高濃度的在高濃度的N+襯襯底上，生長一層底上，生長一層N型的型的外延層，

7、再在外延層上外延層，再在外延層上用硼擴散制作用硼擴散制作P區(qū)，后區(qū)，后在在P區(qū)上用磷擴散形成區(qū)上用磷擴散形成一個一個N+區(qū)。區(qū)。 其結(jié)構(gòu)是一個其結(jié)構(gòu)是一個NPN型的三層式結(jié)構(gòu)，上面型的三層式結(jié)構(gòu)，上面的的N+區(qū)是發(fā)射區(qū)，中間區(qū)是發(fā)射區(qū)，中間的的P區(qū)是基區(qū)，底下的區(qū)是基區(qū)，底下的N區(qū)是集電區(qū)。區(qū)是集電區(qū)。微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： 平面晶體管的發(fā)平面晶體管的發(fā)射區(qū)和基區(qū)是用雜質(zhì)射區(qū)和基區(qū)是用雜質(zhì)擴散的方法制造得到擴散的方法制造得到的，所以在平面管的的，所以在平面管的三層結(jié)構(gòu)即三個區(qū)域三層結(jié)構(gòu)即三個區(qū)域的雜質(zhì)分布是不均勻的雜質(zhì)分布是不均勻的。的。 其雜

8、質(zhì)分布可根其雜質(zhì)分布可根據(jù)擴散工藝推算出來，據(jù)擴散工藝推算出來，如圖所示。如圖所示。微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： 晶體管的基區(qū)雜質(zhì)分布有兩種形式：晶體管的基區(qū)雜質(zhì)分布有兩種形式：均勻分布（如合金管），稱為均勻基區(qū)晶體管。均均勻分布（如合金管），稱為均勻基區(qū)晶體管。均勻基區(qū)晶體管中，勻基區(qū)晶體管中，載流子在基區(qū)內(nèi)的傳輸主要靠擴散載流子在基區(qū)內(nèi)的傳輸主要靠擴散進行，故又稱為擴散型晶體管進行，故又稱為擴散型晶體管。基區(qū)雜質(zhì)是緩變的（如平面管），稱為緩變基區(qū)晶基區(qū)雜質(zhì)是緩變的（如平面管），稱為緩變基區(qū)晶體管。這類晶體管的基區(qū)存在自建電場，體管。這類晶體管的基

9、區(qū)存在自建電場，載流子在基區(qū)內(nèi)除了擴散運動外，還存在漂移運動，而且往往以而且往往以漂移運動為主。所以又稱為漂移型晶體管。漂移運動為主。所以又稱為漂移型晶體管。2.晶體管的直流特性微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：2.1晶體管的放大原理n擴散長度的含義：超量載流子濃度下降到0時候的擴散距離nPN結(jié)擴散與復(fù)合的關(guān)系： 邊擴散變復(fù)合，形成穩(wěn)定的濃度梯度，最后少子濃度下降到0，擴散流完全轉(zhuǎn)化為漂移流微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：n理解PN節(jié)電流公式:) 1)() 1(00220kTqUppNinnPikTqUeLDnnLD

10、pnAqeII微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：19PNNIEIBICVEVCInEInCIpEIvBIpCOInCO電子流電子流空穴流空穴流漂移運動：電場作用漂移運動：電場作用下的運動下的運動擴散運動：濃度梯度擴散運動：濃度梯度下的運動下的運動晶體管的電流傳輸過程晶體管的電流傳輸過程1019/cm31015/cm31018/cm3冶金結(jié)冶金結(jié) 1019/cm3 1016/cm3 1016/cm3 平面工藝平面工藝2.1晶體管的放大原理微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：n精神的精髓: BE 之間的電壓決定了BE之間的電

11、流,但是BE之間的電流絕大部分都漏到了C那里去了,漏的和不漏的成比例,所以有電流放大作用n問題：為什么兩個二極管不能實現(xiàn)放大?n猜想：什么能影響放大倍數(shù)？微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：n從PN節(jié)電流公式出發(fā): 但是，如果基區(qū)很小，則載流子不用一個擴散長度就恢復(fù)到零，而是用一個基區(qū)的寬度就恢復(fù)成零L-W) 1)() 1(00220kTqUppNinnPikTqUeLDnnLDpnAqeII微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：ECBkTqVpCCpCBBnBkTqVBBBBBnBCkTqVpEEpEBBnBEIIIeLp

12、qDWnqADenqAWWnqADIeLpqADWnqADICEE) 1() 1(2) 1(/00/00/00對于平面晶體管對于平面晶體管代入結(jié)電流公式代入結(jié)電流公式基耳霍夫基耳霍夫微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：基區(qū)輸運系數(shù)基區(qū)輸運系數(shù) *晶體管的發(fā)射效率晶體管的發(fā)射效率注入基區(qū)的電子電流注入基區(qū)的電子電流與發(fā)射極電流的比值與發(fā)射極電流的比值到達集電結(jié)的電子電流到達集電結(jié)的電子電流與進入基區(qū)的電子電流之比與進入基區(qū)的電子電流之比nECII*0EnEII微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：*000ECII晶體管的共基極

13、直流增益晶體管的共基極直流增益0001BCII晶體管的共發(fā)射極直流增益晶體管的共發(fā)射極直流增益微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：載流子傳輸過程載流子傳輸過程: 載流子從發(fā)射區(qū)到基區(qū)載流子從發(fā)射區(qū)到基區(qū):發(fā)射效率發(fā)射效率 0 0載流子在基區(qū)渡越載流子在基區(qū)渡越: :基區(qū)輸運系數(shù)基區(qū)輸運系數(shù) 0 0* * pEBEBnBpELWNNDD1102*0)(211nBBLW對于平面晶體管對于平面晶體管微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：計算題n已知一個晶體管的發(fā)射效率有99%，而基區(qū)輸運系數(shù)為98%，求該晶體管的共發(fā)射極放大倍數(shù)，

14、共基極放大倍數(shù)。微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：n關(guān)于放大倍數(shù)影響因素的討論：p129-139設(shè)計晶體管重要考慮，課程重要要求1.發(fā)射結(jié)電子空穴復(fù)合以及發(fā)射極重摻雜2.基區(qū)變寬效應(yīng)微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：pEBEBnBpELWNNDD1102*0)(211nBBLWBWENBN溫度增高放大倍數(shù)增加基區(qū)寬邊效應(yīng)放大倍數(shù)增加過分增加發(fā)射區(qū)濃度放大倍數(shù)減小微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：2.2晶體管的直流電路n晶體管是電子傳輸過程PNNIBICVEVCInEInCIpEIv

15、BIpCOInCO電子流電子流空穴流空穴流微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：RLVCCVBBRBVi共射：共射：微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：共基：共基：RERLIEIC微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：n放大倍數(shù)與特征曲線：輸入特性輸出特性微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：共基極輸入特性曲線共基極輸入特性曲線 輸出電壓輸出電壓VCB一一定時，輸入電流與定時，輸入電流與輸入電壓的關(guān)系曲輸入電壓的關(guān)系曲線，即線，即IEVBE關(guān)系關(guān)系曲線曲線微

16、電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：共射極輸入特性曲線共射極輸入特性曲線 在輸出電壓在輸出電壓VCE一定時，輸一定時，輸入端電流入端電流IB與輸與輸入端電壓入端電壓VBE的的關(guān)系曲線，即關(guān)系曲線，即IBVBE曲線。曲線。微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：共基極輸出特性曲線共基極輸出特性曲線輸出端電流隨輸出端電流隨輸出電壓變化輸出電壓變化的關(guān)系曲線，的關(guān)系曲線，即即ICVCB關(guān)系關(guān)系曲線。曲線。何時飽和?微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：共射極輸出特性曲線共射極輸出特性曲線ICVCE關(guān)系

17、曲線關(guān)系曲線微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：n晶體管的反向電流是晶體管的重要參數(shù)之一，它包括ICBO，IEBO和ICEO 。n反向電流過大的危害：降低成品率 （反向電流不受輸入電流控制，對放大作用無貢獻，而且消耗電源功率使晶體管發(fā)熱，影響晶體管工作的穩(wěn)定性，甚至燒毀 ）所以，希望反向電流越小越好 。2.3晶體管的反偏特性微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： ICBO當發(fā)射極開路（IE=0）時，集電極-基極的反向電流微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：反向電流少子電流多子電流+雜質(zhì)電流

18、微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：鍺晶體管的反向電流：反向擴散電流（少子電流）硅晶體管的反向電流：勢壘區(qū)的產(chǎn)生電流（因為勢壘區(qū)的產(chǎn)生電流是由勢壘區(qū)中的復(fù)合中心提供的）多子電流多子電流mCiCBOx2nAqIXmC：集電結(jié)勢壘區(qū)寬度：集電結(jié)勢壘區(qū)寬度 ：晶體管的：晶體管的發(fā)射效率發(fā)射效率 pc0ncpcb0pbnbCBOLpqD1WnqDAI微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： IEBO 集電極開路（IC=0）時，發(fā)射極-基極的反向電流 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：鍺晶體管 硅晶

19、體管的IEBO完全與ICBO類似 pe0nepeIb0pbnbEBOLpqD1WnqDAImEiEBOx2nAqII ：晶體管反向工作時的發(fā)射效率：晶體管反向工作時的發(fā)射效率XmE:發(fā)射結(jié)勢壘區(qū)寬度發(fā)射結(jié)勢壘區(qū)寬度微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：注意 晶體管的反向擴散電流和勢壘區(qū)的產(chǎn)生電流是很小的。 引起反向電流過大的原因往往是表面引起反向電流過大的原因往往是表面漏電流太大。漏電流太大。 因此，在生產(chǎn)過程中，搞好表面清潔處理及工藝規(guī)范是減小反向電流的關(guān)鍵。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：ICEO基極開路（IB=0

20、）時，集電極-發(fā)射極之間反向電流微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： ：共射極電流放大系數(shù) 說明 要減小ICEO，必須減小ICBO。 電流放大系數(shù)不要追求過高 （因為ICEO太大，會影響晶體管工作的穩(wěn)定性） CBOCBOCEOI )1 (1II微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：晶體管的擊穿電壓 晶體管的擊穿電壓是晶體管的 另一個重要參數(shù) 晶體管承受電壓的上限 擊穿電壓有 BVEBO BVCBO BVCEO 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： BVEBO和BVCBO BVEBO：集電極

21、開路時，發(fā)射極與基極間的擊穿電壓，由發(fā)射結(jié)的雪崩擊穿電壓決定。 對于平面管，由于發(fā)射結(jié)由兩次擴散形成，在表面處結(jié)兩邊雜質(zhì)濃度最高，因而雪崩擊穿電壓在結(jié)側(cè)面最低，BVEBO由基區(qū)擴散層表面雜質(zhì)濃度NBs決定，所以BVEBO只有幾伏。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： 硬擊穿（圖中曲線甲）： BVCBO：集電結(jié)的雪崩擊穿電壓VB 軟擊穿（圖中曲線乙）： BVCBO比VB低 BVCBO ：發(fā)射極開路時，集電極與基極間的：發(fā)射極開路時，集電極與基極間的擊穿電壓，一般為集電結(jié)的雪崩擊穿電壓。擊穿電壓，一般為集電結(jié)的雪崩擊穿電壓。微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話

22、mail：BVCEOBVCEO 基極開路時，集電極與發(fā)射極 之間的擊穿電壓。 BVCEO與BVCBO之間滿足以下關(guān)系 n：常數(shù)：常數(shù) 集電結(jié)低摻雜區(qū)為集電結(jié)低摻雜區(qū)為N型時，型時，硅管硅管n=4，鍺管，鍺管n=3 集電結(jié)低摻雜區(qū)為集電結(jié)低摻雜區(qū)為P型時，型時，硅管硅管n=2，鍺管，鍺管n=6 因為因為大于大于1，所以，所以，BVCEOIBS，晶體管進入飽和，此時定義IBX=IB-IBS，叫做基極過驅(qū)動電流 過驅(qū)動基極電流將在基區(qū)堆積，并向集電區(qū)發(fā)射，同時在基區(qū)、集電區(qū)有等量電荷存儲超量存儲電荷微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：晶體

23、管進入飽和時的情況：晶體管進入飽和時的情況： 當當IB=IBS時，晶體管達到臨界飽和，時，晶體管達到臨界飽和，ICS由外電路決定由外電路決定ICS VCC/RL 當當IBIBS，晶體管進入飽和，在基區(qū)和晶體管進入飽和，在基區(qū)和集電區(qū)有大量超量存儲電荷集電區(qū)有大量超量存儲電荷CBE超量存儲電荷超量存儲電荷 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：超量存儲電荷隨基極電流增大而增大飽和深度 s BSBIIs CBE超量存儲電荷超量存儲電荷 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話m

24、ail：3 存儲過程和存儲時間存儲過程和存儲時間 t3時刻，電壓脈沖突變?yōu)闀r刻，電壓脈沖突變?yōu)?，IB 從流入變從流入變?yōu)榱鞒?，將抽取基區(qū)內(nèi)存儲的超量存儲電為流出，將抽取基區(qū)內(nèi)存儲的超量存儲電荷，晶體管將從深飽和向臨界飽和過度，荷，晶體管將從深飽和向臨界飽和過度，但處于飽和狀態(tài)，但處于飽和狀態(tài)，IC基本不變（基本不變（VCC/RL） IB作用：基區(qū)內(nèi)電荷的復(fù)合電流，使超量作用：基區(qū)內(nèi)電荷的復(fù)合電流，使超量存儲電荷消失的抽取電流存儲電荷消失的抽取電流 存儲過程所對應(yīng)的時間存儲過程所對應(yīng)的時間存儲時間存儲時間ts 存儲過程中晶體管從深飽和到臨界飽和存儲過程中晶體管從深飽和到臨界飽和晶體管的開關(guān)過程

25、和開關(guān)時間晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：晶體管脫離飽和時的情況：晶體管脫離飽和時的情況： 當脈沖信號突變?yōu)楫斆}沖信號突變?yōu)?時，時， IB由流入變?yōu)橛闪魅胱優(yōu)榱鞒?，將抽取飽和時存儲在基區(qū)和集電區(qū)的流出，將抽取飽和時存儲在基區(qū)和集電區(qū)的超量存儲電荷，超量存儲電荷，VBC將從正偏變?yōu)榱闫?，再將從正偏變?yōu)榱闫?，再變?yōu)榉雌優(yōu)榉雌?CBE晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： 減少存儲時間方法減少存儲時間方法 (storage time) 存儲過程所

26、對應(yīng)的時間存儲過程所對應(yīng)的時間存儲時間存儲時間ts 晶體管從深飽和到臨界飽和晶體管從深飽和到臨界飽和(0.9ICS) 減少存儲時間方法：減少存儲時間方法： 1.IB不要過大，晶體管飽和不要過深，以減少不要過大，晶體管飽和不要過深，以減少Q(mào)BS和和QCS 2.保證保證CB擊穿電壓條件下，減少外延層厚度擊穿電壓條件下，減少外延層厚度 3.加大反向抽取電流加大反向抽取電流IB 4.縮短集電區(qū)少子壽命（摻金）縮短集電區(qū)少子壽命（摻金）晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：4 下降過程和下降時間下降過程和下降時間 IB

27、 繼續(xù)反抽基區(qū)內(nèi)的電荷，使基區(qū)內(nèi)少子濃度梯度下繼續(xù)反抽基區(qū)內(nèi)的電荷，使基區(qū)內(nèi)少子濃度梯度下降，降，IC基本減少，同時使發(fā)射結(jié)正偏減少，集電結(jié)偏基本減少，同時使發(fā)射結(jié)正偏減少，集電結(jié)偏置則從零偏轉(zhuǎn)為反偏置則從零偏轉(zhuǎn)為反偏 IB作用：發(fā)射結(jié)、集電結(jié)電容的放電電流，基區(qū)電荷作用：發(fā)射結(jié)、集電結(jié)電容的放電電流，基區(qū)電荷抽取電流抽取電流 下降過程所對應(yīng)的時間下降過程所對應(yīng)的時間下降時間下降時間tf 下降過程中晶體管從臨界飽和到正向?qū)ǖ轿?dǎo)通下降過程中晶體管從臨界飽和到正向?qū)ǖ轿?dǎo)通晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail： 減少下降時間方法減少下降時間方法: 1.減少結(jié)面積和基區(qū)寬度減少結(jié)面積和基區(qū)寬度2.增大基極反抽電流增大基極反抽電流IB3.減少減少AE、AC和和WB晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間晶體管的開關(guān)過程和開關(guān)時間微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話mail：交流電的復(fù)數(shù)表述法n顯然，簡諧量x與這個復(fù)數(shù)的實部相對應(yīng)。于是我們可以說，若要用一個復(fù)數(shù)代表一個簡諧量，則該復(fù)數(shù)的實部就是這個簡諧量本身，或者說，復(fù)數(shù)的模與簡諧量的峰值相對應(yīng)，復(fù)數(shù)的輻角與簡諧量的相位相對應(yīng)。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話：135