滲透檢測工藝規(guī)程

1、滲透檢測工藝規(guī)程適用范圍1.1.1 本工藝規(guī)程適用于鍋爐壓力容器和壓力管道及其零部件表面滲透檢測和評定。1.1.2 鐵磁性材料制成的鍋爐、壓力容器和壓力管道及零部件，應(yīng)優(yōu)先使用磁粉檢測方法檢測表面缺陷，確因結(jié)構(gòu)形狀等原因無法進行磁粉檢測時，可采用滲透方法進行檢測。kMF7e。1.1 滲透檢測劑溶劑去除型滲透檢測劑包括滲透劑、清洗劑及顯像劑；如發(fā)現(xiàn)滲透劑有明顯的混濁、沉淀物變色或難以清洗，則應(yīng)予以報廢；1.2.1 滲透劑用對比試塊與基準滲透劑作對比試驗，當被檢滲透劑顯示缺陷能力低于基準滲透劑時，應(yīng)予以報廢。0AB091.2.2 檢測劑必須有良好的檢測性能，對工件無腐蝕，對人體基本無毒害作用。1.

2、2.3 對同一檢測工件，不能混用不同類型的滲透檢測劑。1.2 靈敏度試驗及靈敏度試片實施檢驗前，必須在相同環(huán)境條件下作靈敏度試驗，用以檢驗系統(tǒng)質(zhì)量和操作辦法是否正確。132靈敏度試片選用B型試塊，與工件同時同樣操作進行檢測以清晰顯示0.1mm的裂紋為合格。1.4 檢測工藝表面準備1.4.1.1 工件表面不得有鐵銹、氧化皮、焊接飛濺、鐵屑、鐵毛刺以及各種防護層。141.2 被檢工件機加工表面粗糙度Ra值為6.3卩m被檢工件非加工表面的粗糙度Ra值為12.5卩mEpZuw1.4.1.3 局部檢測時，準備工作范圍應(yīng)從檢測部位四周向外擴展25mm。1.4.2 檢測部位清洗滲透檢測前，必須用溶劑型清洗劑

3、對滲透檢測部位表面進行清洗。1.4.2.1 清洗后的檢測部位表面遺留的溶劑，水分等必須進行干燥，且應(yīng)保證在施加滲透劑之前不被污染。cZJq0。1.4.3 施加滲透劑滲透劑的施加方法應(yīng)根據(jù)零件大小、形狀、數(shù)量和部位選擇，并在整個滲透時間內(nèi)保持濕潤狀態(tài)。u7L1H。1.4.3.1 在15°50C的穩(wěn)定條件下，滲透劑滲透時間一般不得小于10min，當溫度條件不能滿足規(guī)定時，則應(yīng)按JB4730-2005附錄M（用于非標準溫度的檢測方法）的要求對操作方法作出修正。pNQcU。1.4.4 多余滲透劑的去除去除滲透檢測部位多余的滲透劑時，應(yīng)先用布或吸濕紙擦去多余的滲透劑，并進行反復(fù)擦揩，直至大部分

4、多余的滲透劑被除去然后再用清洗劑潤濕布或吸濕紙輕拭表面，以除去殘留的滲透劑痕跡。SrNO8。1.4.4.1 為避免將缺陷中的滲透劑擦拭掉，滲透部位表面滲透劑擦式時不宜使用過多的清洗溶劑。施加滲透劑以后到顯像檢測期間，不得再用清洗溶劑沖洗檢測部位表面。HeVzi。1.4.5 施加顯像劑滲透檢測施加顯像劑前，滲透檢測部位表面應(yīng)用自然蒸發(fā)方法使之干燥，干燥時間一般510min。7vWQF施加顯像劑前，顯像劑溶劑應(yīng)經(jīng)充分搖勻后施加，顯像劑施加應(yīng)薄而均勻，不得在同一部位反復(fù)施加，厚度一般在0.50.7mm為宜。qRwJV噴加顯像劑時，噴嘴距檢測部位的距離應(yīng)保持在300400mm噴灑方向與檢測部位表面夾角

5、應(yīng)保持在30°40C。c3C3A。1.4.1.1 顯象時間應(yīng)不少于7min。1.4.6 檢測部位觀察評定。1.4.6.1 觀察滲透檢測部位的顯示痕跡應(yīng)在顯像劑施加后730min時間內(nèi)進行，并在可見光照度大于500IX的條件下進行。w2YgV。1.4.6.2 進行顯示痕跡觀察時，必須確定痕跡的真?zhèn)?，必要時應(yīng)用5-10倍的放大鏡進行觀察。1.4.6.3 當出現(xiàn)下列情況之一時，應(yīng)對滲透檢測部位表面進行徹底清洗，去除上次檢測所留痕跡后進行復(fù)驗。WTbRf滲透檢測結(jié)束時，用對比試塊驗證滲透劑已失效。a. 發(fā)現(xiàn)滲透檢測過程中操作方法有誤。b. 經(jīng)返修后的檢測部位。1.4.6.4 滲透檢測結(jié)束時，為防止殘留顯像劑腐蝕被檢測部位表面或影響其使用，應(yīng)清除殘余顯像劑。1.5 缺陷顯示跡痕的確認除確認顯示跡痕是由外界因素或操作不當造成的之外，其它任何大于或等于0.5mm的顯示痕跡均應(yīng)作為缺陷顯示痕跡處理。lGWIi。1.1.1 長度與寬度之比大于3的缺陷顯示痕跡，按線性缺陷處理，長度與寬度之比小于或等于3的缺陷顯示痕跡，按圓形缺陷處理。71y3m。1.1.2 缺陷顯示痕跡長軸方向與工件軸線或母線的夾角大于或等于30C時，按橫向缺陷處理，其它按縱向缺陷處理。kGXPo。1.1.3 兩條或兩條以上缺陷顯示痕跡在同一直線上間距小于或等于2mni時，按一條缺陷處理，其長度為顯示痕跡長度之和